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離散半導体製品（6133）
| 画像 | 製品番号 | 価格（USD） | 量 | ECAD | 利用可能な数量 | 体重（ kg） | MFR | シリーズ | パッケージ | 製品ステータス | 許容範囲 | 電圧 -定格 | 動作温度 | 取り付けタイプ | パッケージ /ケース | 基本製品番号 | 頻度 | テクノロジー | パワー -マックス | サプライヤーデバイスパッケージ | データシート | ROHSステータス | 水分感度レベル（MSL） | ステータスに到達します | その他の名前 | ECCN | htsus | 標準パッケージ | 構成 | スピード | フェットタイプ | 現在の評価（ amp） | 現在 -マックス | 現在-hold（ihmax） | 現在 -テスト | 電力 -出力 | 得 | 電源（ VDSS ）への排水 | 電流 -連続排水（ID @ @ 25°C | ドライブ電圧（最大rds onmin rds on | rds on max） @ id vgs | vgs | ゲートチャージ（ QG | VGS （最大） | ciss ）（ max @ vds | フェット機能 | 電力散逸（最大） | 電圧 -状態外 | 現在 -state（it （rms | 電圧 -ゲートトリガー（ vgt ）（最大） | 現在 -非担当者サージ50、60Hz | 現在 -ゲートトリガー（ Igt ）（最大） | 電圧 -状態（ vtm ）（最大） | 現在 -State | 現在 -オフステート（最大） | scrタイプ | ノイズ図 | ダイオード構成 | 電圧-DC リバース（ VR ）（最大） | 現在 -平均修正（ io ）（ダイオードあたり） | 電圧 -フォワード（ vf ）（ max @ if | 現在 - @ vr | 動作温度 -ジャンクション | 容量 @ vr、f | 電圧 -テスト | ダイオードタイプ | 電圧 -ピークリバース（最大） | 電圧zener | インピーダンス（最大）（ ZZT） | @ @ if、f |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 | BT150S-600R 118 | - |  | 1713 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | - | バルク | アクティブ | 125°C （TJ） | 表面マウント | to-252-3 | dpak | ダウンロード | ear99 | 8541.30.0080 | 1 | 6 Ma | 600 V | 4 a | 1 v | 35a、38a | 200 µA | 1.8 v | 2.5 a | 500 µA | 敏感なゲート | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | BAS316,135 | - | | 4226 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | * | バルク | アクティブ | BAS31 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0070 | 10,000 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | PZM4.7NB 、115 | - | | 5687 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | - | テープ＆リール（ tr） | 廃止 | ±5％ | -65°C〜150°C | 表面マウント | TO-236-3 | PZM4.7 | 300 MW | SMT3; mpak | - | ROHS3準拠 | 1 （無制限） | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0050 | 3,000 | 1.1 V @ 100 MA | 3 µA @ 1 V | 4.7 v | 80オーム | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | PUMD12/L135 | 0.0300 | | 82 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | * | バルク | アクティブ | ダウンロード | 適用できない | 1 （無制限） | 未定義のベンダー | ear99 | 8541.21.0095 | 10,000 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | BZX79-B6V8,143 | 0.0200 | | 65 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | - | バルク | アクティブ | ±2％ | -65°C〜200°C | 穴を通して | do-204ah do-35 、軸 | 400 MW | ALF2 | ダウンロード | ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 900 mV @ 10 Ma | 2 µA @ 4 V | 6.8 v | 15オーム | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | PZU11B3A115 | 0.0300 | | 30 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | * | バルク | アクティブ | ダウンロード | ear99 | 8541.10.0050 | 1 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | MMRF1317HSR5 | 839.9756 | | 8265 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | - | テープ＆リール（ tr） | アクティブ | 105 v | シャーシマウント | NI-1230-4S | MMRF1317 | 1.03GHz | ldmos | NI-1230-4S | ダウンロード | ROHS3準拠 | 適用できない | 影響を受けていない | ear99 | 8541.29.0095 | 50 | デュアル | - | 100 Ma | 1300W | 18.2db | - | 50 v | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | BAW56SRA147 | 1.0000 | | 7923 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | * | バルク | アクティブ | BAW56S | ダウンロード | 0000.00.0000 | 1 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| BZX79-C24,143 | 0.0200 | | 215 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | - | バルク | アクティブ | ±5％ | -65°C〜200°C | 穴を通して | do-204ah do-35 、軸 | 400 MW | ALF2 | ダウンロード | ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 900 mV @ 10 Ma | 50 Na @ 16.8 v | 24 v | 70オーム | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | PBSS4240ZX | 0.1000 | | 4159 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | * | バルク | アクティブ | 表面マウント | TO-261-4、TO-261AA | SOT-223 | ダウンロード | ear99 | 8541.29.0075 | 1 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| MRF8S9260HSR3 | - | | 4924 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | - | テープ＆リール（ tr） | 廃止 | 70 v | 表面マウント | NI-880S | MRF8 | 960MHz | ldmos | NI-880S | ダウンロード | ROHS3準拠 | 適用できない | 影響を受けていない | 935319595128 | ear99 | 8541.29.0075 | 250 | - | 1.7 a | 75W | 18.6db | - | 28 v | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| BZV49-C20,115 | - | | 6494 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | * | バルク | アクティブ | BZV49 | - | ROHS3準拠 | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0050 | 1,000 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| PZM6.8NB2A 、115 | - | | 7689 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | - | テープ＆リール（ tr） | 廃止 | ±2％ | - | 表面マウント | TO-236-3 | PZM6.8 | 220 MW | SMT3; mpak | - | ROHS3準拠 | 1 （無制限） | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0050 | 3,000 | 1.1 V @ 100 MA | 2 µA @ 3.5 v | 6.8 v | 15オーム | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | PBSS8110Z 、135 | - | | 8400 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | * | バルク | アクティブ | PBSS8 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 影響を受けていない | ear99 | 8541.29.0095 | 4,000 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | buk7y4r4-40e115 | - | | 7756 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | * | バルク | アクティブ | ダウンロード | 適用できない | 1 （無制限） | 未定義のベンダー | ear99 | 8541.29.0095 | 1,500 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| PMEG060V100EPD139 | - | | 5906 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | * | バルク | アクティブ | ダウンロード | 適用できない | 1 （無制限） | 未定義のベンダー | ear99 | 8541.10.0080 | 5,000 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| PQMD12147 | - | | 2752 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | * | バルク | アクティブ | ダウンロード | 0000.00.0000 | 1 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | BZX585-C3V0,115 | - | | 3287 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | * | バルク | アクティブ | BZX585 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0050 | 3,000 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| BC856AW 、115 | 0.0200 | | 317 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | * | バルク | アクティブ | BC856 | - | ROHS3準拠 | 影響を受けていない | ear99 | 8541.21.0075 | 3,000 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | PDTC143ZU 115 | - | | 3260 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | * | バルク | アクティブ | PDTC14 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 影響を受けていない | ear99 | 8541.21.0095 | 3,000 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | BAS40,215 | 0.0200 | | 29 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | * | バルク | アクティブ | BAS40 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0070 | 3,000 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| BZV85-C47,133 | 0.0400 | | 104 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | * | バルク | アクティブ | BZV85 | - | ROHS3準拠 | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0050 | 5,000 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | PZU13B2A 、115 | - | | 9845 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | - | バルク | アクティブ | ±2％ | -55°C〜150°C | 表面マウント | SC-76、SOD-323 | PZU13 | 320 MW | SOD-323 | ダウンロード | 0000.00.0000 | 1 | 1.1 V @ 100 MA | 100 Na @ 10 V | 13 v | 10オーム | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| BZX585-B3V3,115 | - | | 8629 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | * | バルク | アクティブ | BZX585 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0050 | 3,000 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| BZX84-C10/LF1R | - | | 7274 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | aec-q101 | テープ＆リール（ tr） | アクティブ | ±5％ | -65°C〜150°C | 表面マウント | TO-236-3 | BZX84-C10 | 250 MW | SOT-23 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 （無制限） | 影響を受けていない | 934069416215 | ear99 | 8541.10.0050 | 3,000 | 900 mV @ 10 Ma | 200 Na @ 7 V | 10 v | 20オーム | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | BAP1321LX 、315 | - | | 2045 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | - | テープ＆リール（ tr） | 廃止 | -65°C〜150°C | 2-xdfn | BAP13 | DFN1006D-2 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 （無制限） | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0070 | 10,000 | 100 Ma | 130 MW | 0.28pf @ 20V、1MHz | ピン -シングル | 60V | 1.3OHM @ 100MA 、100MHz | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| PBSS4160T 、215 | 0.0600 | | 6519 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | * | バルク | アクティブ | PBSS4 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 影響を受けていない | ear99 | 8541.21.0075 | 3,000 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | BUK9516-75B 、127 | - | | 4511 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | trenchmos™ | チューブ | 廃止 | -55°C〜175°C | 穴を通して | TO-220-3 | buk95 | モスフェット（金属酸化物） | TO-220AB | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 （無制限） | 影響を受けていない | ear99 | 8541.29.0095 | 50 | nチャネル | 75 v | 67a（tc） | 4.5V 、10V | 14mohm @ 25a 、10V | 2V @ 1MA | 35 NC @ 5 V | ±15V | 4034 PF @ 25 V | - | 157W | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| BAS40-06/ZLVL | - | | 6516 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | - | テープ＆リール（ tr） | 廃止 | 表面マウント | TO-236-3 | BAS40 | ショットキー | SOT-23 | - | ROHS3準拠 | 1 （無制限） | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0070 | 3,000 | 小さな信号= <200ma（io ）、任意の速度 | 1ペア共通アノード | 40 v | 120ma | 1 V @ 40 mA | 10 µA @ 40 V | 150°C （最大） | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| BZX585-B75,115 | - | | 7137 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | - | バルク | アクティブ | ±2％ | -65°C〜150°C | 表面マウント | SC-79、SOD-523 | 300 MW | SOD-523 | ダウンロード | 0000.00.0000 | 1 | 1.1 V @ 100 MA | 50 Na @ 52.5 v | 75 v | 255オーム |
2000+
毎日の平均RFQボリューム
30,000,000
標準製品ユニット
2800+
世界的なメーカー
15,000 m2
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