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離散半導体製品（6133）
| 画像 | 製品番号 | 価格（USD） | 量 | ECAD | 利用可能な数量 | 体重（ kg） | MFR | シリーズ | パッケージ | 製品ステータス | 許容範囲 | 電圧 -定格 | 動作温度 | 取り付けタイプ | パッケージ /ケース | 基本製品番号 | 頻度 | テクノロジー | パワー -マックス | サプライヤーデバイスパッケージ | データシート | ROHSステータス | 水分感度レベル（MSL） | ステータスに到達します | その他の名前 | ECCN | htsus | 標準パッケージ | スピード | フェットタイプ | 現在の評価（ amp） | 現在 -テスト | 電力 -出力 | 得 | 電源（ VDSS ）への排水 | 電流 -連続排水（ID @ @ 25°C | ドライブ電圧（最大rds onmin rds on | rds on max） @ id vgs | vgs | ゲートチャージ（ QG | VGS （最大） | ciss ）（ max @ vds | フェット機能 | 電力散逸（最大） | ノイズ図 | 電圧-DC リバース（ VR ）（最大） | 電圧 -フォワード（ vf ）（ max @ if | 逆回復時間（ trr） | 現在 - @ vr | 動作温度 -ジャンクション | 現在 -平均修正（ io） | 容量 @ vr、f | 電圧 -コレクターエミッタの分解（最大） | 現在 -コレクター（IC ）（最大） | 電圧 -テスト | 現在 -コレクターカットオフ（最大） | 電圧zener | インピーダンス（最大）（ ZZT） | トランジスタタイプ | vce 飽和（max @ ib、ic | DC電流ゲイン | 頻度 -遷移 | 抵抗 -ベース（r1） | 抵抗 -エミッターベース（r2） | ノイズフィギュア（DBタイプ @ f） |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 | BLA6H0912-500112 | 568.7800 |  | 74 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | - | トレイ | 新しいデザインではありません | 100 V | SOT634A | 960MHz〜1.22GHz | ldmos | CDFM2 | ダウンロード | 適用できない | 1 （無制限） | 影響を受けた | ear99 | 8541.29.0075 | 1 | 54a | 100 Ma | 450W | 17dB | - | 50 v | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | PZU5.1B 、115 | 0.0300 | | 2 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | * | バルク | アクティブ | PZU5.1 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0050 | 3,000 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | PDTC114YT235 | 1.0000 | | 3353 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | * | バルク | アクティブ | ダウンロード | ear99 | 8541.21.0075 | 1 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | PDTA113EMB 315 | 0.0200 | | 140 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | - | バルク | アクティブ | 表面マウント | SC-101 、SOT-883 | PDTA113 | 250 MW | DFN1006B-3 | ダウンロード | ear99 | 8541.21.0075 | 1 | 50 v | 100 Ma | 100na（icbo） | pnp-前バイアス | 150mv @ 1.5ma 、30ma | 30 @ 40ma 、5v | 180 MHz | 1 KOHMS | 1 KOHMS | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | BUK762R0-40C 、118 | 0.9200 | | 1 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | * | バルク | アクティブ | Buk76 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 影響を受けていない | ear99 | 8541.29.0095 | 800 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | BFG97,135 | - | | 6089 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | - | テープ＆リール（ tr） | 廃止 | 175°C （TJ） | 表面マウント | TO-261-4、TO-261AA | BFG97 | 1W | SC-73 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 （無制限） | 影響を受けていない | 933919920135 | ear99 | 8541.21.0075 | 4,000 | - | 15V | 100mA | npn | 25 @ 70ma 、10V | 5.5GHz | - | |||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | PMEG3010ESBC314 | 0.0500 | | 495 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | * | バルク | アクティブ | ダウンロード | 適用できない | 1 （無制限） | 未定義のベンダー | ear99 | 8541.10.0080 | 9,000 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| on5088 | 0.0200 | | 63 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | * | バルク | 廃止 | - | ROHS3準拠 | 未定義のベンダー | リクエストに応じて利用可能な情報にアクセスしてください | 2832-on5088 | ear99 | 8541.29.0075 | 1 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| MRF373ALSR5 | - | | 6713 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | - | テープ＆リール（ tr） | 廃止 | 70 v | シャーシマウント | NI-360S | MRF37 | 860MHz | ldmos | NI-360S | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 （無制限） | 影響を受けていない | ear99 | 8541.29.0075 | 50 | - | 200 ma | 75W | 18.2db | - | 32 v | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| BAS116L315 | - | | 1650 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | * | バルク | アクティブ | ダウンロード | ear99 | 8541.10.0070 | 1 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | PSMN2R0-60ES、127 | 1.4000 | | 610 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | * | チューブ | アクティブ | PSMN2R0 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 影響を受けていない | ear99 | 8541.29.0075 | 1,000 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| PDTB143ET215 | 0.0300 | | 33 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | * | バルク | アクティブ | ダウンロード | 適用できない | 1 （無制限） | 未定義のベンダー | ear99 | 8541.21.0075 | 3,000 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| 2PC4617QMB 、315 | 0.0400 | | 96 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | - | バルク | アクティブ | 150°C （TJ） | 表面マウント | SC-101 、SOT-883 | 250 MW | DFN1006B-3 | ダウンロード | ear99 | 8541.21.0075 | 1 | 50 v | 100 Ma | 100na（icbo） | npn | 200mV @ 5MA 、50mA | 120 @ 1MA 、6V | 100MHz | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | 1PS74SB23,115 | 0.1000 | | 6 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | - | バルク | アクティブ | 表面マウント | SC-74、SOT-457 | ショットキー | 6-tsop | ダウンロード | ear99 | 8541.10.0080 | 1 | 高速回復= <500ns | 25 v | 450 mV @ 1 a | 1 MA @ 25 V | 125°C （最大） | 1a | 100pf @ 4V、1MHz | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | PDTC114TU 、115 | - | | 5592 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | * | バルク | アクティブ | PDTC11 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 影響を受けていない | ear99 | 8541.21.0095 | 3,000 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | BZX884-C3V3315 | 1.0000 | | 3386 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | - | バルク | アクティブ | ±5％ | -65°C〜150°C | 表面マウント | SOD-882 | 250 MW | DFN1006-2 | ダウンロード | 適用できない | 1 （無制限） | 未定義のベンダー | 1 | 900 mV @ 10 Ma | 5 µA @ 1 V | 3.3 v | 95オーム | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | BZT52H-B75,115 | 0.0200 | | 40 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | aec-q101 | バルク | アクティブ | ±2％ | -65°C〜150°C（Ta） | 表面マウント | SOD-123F | BZT52 | 375 MW | SOD-123F | ダウンロード | ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 900 mV @ 10 Ma | 50 Na @ 52.5 v | 75 v | 175オーム | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | BZX84-C24/LF1VL | - | | 5256 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | aec-q101 | テープ＆リール（ tr） | アクティブ | ±5％ | -65°C〜150°C | 表面マウント | TO-236-3 | BZX84-C24 | 250 MW | SOT-23 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 （無制限） | 影響を受けていない | 934069451235 | ear99 | 8541.10.0050 | 3,000 | 900 mV @ 10 Ma | 50 Na @ 16.8 v | 24 v | 70オーム | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | BUK655R0-75C 、127 | - | | 9580 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | trenchmos™ | チューブ | 廃止 | -55°C〜175°C | 穴を通して | TO-220-3 | buk65 | モスフェット（金属酸化物） | TO-220AB | - | ROHS非準拠 | 1 （無制限） | 影響を受けていない | ear99 | 8541.29.0095 | 50 | nチャネル | 75 v | 120a（tc） | 4.5V 、10V | 5.3mohm @ 25a 、10V | 2.8V @ 1MA | 177 NC @ 10 V | ±16V | 11400 PF @ 25 V | - | 263W | ||||||||||||||||||||||||||||||||
 | BZX585-B47,115 | - | | 7845 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | - | バルク | アクティブ | ±2％ | -65°C〜150°C | 表面マウント | SC-79、SOD-523 | 300 MW | SOD-523 | ダウンロード | ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.1 V @ 100 MA | 50 Na @ 32.9 v | 47 v | 170オーム | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| MRF6S21050LSR5 | - | | 4173 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | - | テープ＆リール（ tr） | 廃止 | 68 v | シャーシマウント | NI-400S | MRF6 | 2.16GHz | ldmos | NI-400S | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 （168 時間） | 影響を受けていない | ear99 | 8541.29.0075 | 50 | - | 450 Ma | 11.5W | 16dB | - | 28 v | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| PDZ12B/ZLX | - | | 7521 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | * | テープ＆リール（ tr） | アクティブ | PDZ12 | - | ROHS3準拠 | 1 （無制限） | 影響を受けていない | 934068942115 | ear99 | 8541.10.0050 | 3,000 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | PZU2.7B2,115 | - | | 8914 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | * | バルク | アクティブ | PZU2.7 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0050 | 3,000 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | PBSS4041SP、115 | - | | 1875年 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | * | バルク | アクティブ | PBSS4 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 影響を受けていない | ear99 | 8541.29.0075 | 1,000 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | PDZ9.1B145 | 0.0200 | | 29 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | * | バルク | アクティブ | ダウンロード | ear99 | 8541.10.0050 | 1 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | MRF7S21110HSR5 | - | | 8783 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | - | テープ＆リール（ tr） | 廃止 | 65 v | シャーシマウント | NI-780S | MRF7 | 2.17GHz | ldmos | NI-780S | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 （無制限） | 影響を受けていない | ear99 | 8541.29.0075 | 50 | - | 1.1 a | 33W | 17.3db | - | 28 v | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | byv10x-600p127 | 1.0000 | | 4140 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | - | バルク | アクティブ | 穴を通して | TO-220-2フルパック | 標準 | TO-220F | ダウンロード | 適用できない | 1 （無制限） | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0070 | 1 | 高速回復= <500ns | 600 V | 2 V @ 10 a | 50 ns | 10 µA @ 600 V | 175°C | 10a | - | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| IRFZ24N、127 | - | | 5929 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | trenchmos™ | チューブ | 廃止 | -55°C〜175°C | 穴を通して | TO-220-3 | IRFZ2 | モスフェット（金属酸化物） | TO-220AB | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 （無制限） | 影響を受けていない | ear99 | 8541.29.0095 | 50 | nチャネル | 55 v | 17a（tc） | 10V | 70mohm @ 10a 、10V | 4V @ 1MA | 19 NC @ 10 V | ±20V | 500 PF @ 25 V | - | 45W | ||||||||||||||||||||||||||||||||
| PMEG2002AESF 315 | - | | 8362 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | - | バルク | アクティブ | 表面マウント | 0201 （0603 メトリック） | PMEG2002 | ショットキー | DSN0603-2 | ダウンロード | 0000.00.0000 | 1 | 高速回復= <500ns | 20 v | 420 mV @ 200 mA | 1.9 ns | 45 µA @ 20 V | 125°C （最大） | 200mA | 25pf @ 1V、1MHz | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | PUMB16,115 | 0.0200 | | 112 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | - | バルク | アクティブ | 表面マウント | 6-TSSOP 、SC-88 、SOT-363 | PUMB16 | 300MW | SOT-363 | ダウンロード | ear99 | 8541.21.0095 | 1 | 50V | 100mA | 1µA | 2 pnp- バイアス（デュアル） | 150mv @ 500µa 、10ma | 80 @ 5MA 、5V | - | 22kohms | 47kohms |
2000+
毎日の平均RFQボリューム
30,000,000
標準製品ユニット
2800+
世界的なメーカー
15,000 m2
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