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離散半導体製品（6133）

製品番号	価格（USD）	量	利用可能な数量	MFR	シリーズ	パッケージ	製品ステータス	許容範囲	電圧 -定格	動作温度	取り付けタイプ	パッケージ /ケース	基本製品番号	頻度	テクノロジー	パワー -マックス	サプライヤーデバイスパッケージ	データシート	ROHSステータス	水分感度レベル（MSL）	ステータスに到達します	その他の名前	ECCN	htsus	標準パッケージ	構成	スピード	フェットタイプ	現在の評価（ amp）	現在 -マックス	現在 -テスト	電力 -出力	得	電源（ VDSS ）への排水	電流 -連続排水（ID @ @ 25°C	ドライブ電圧（最大rds onmin rds on	rds on max） @ id vgs	vgs	ゲートチャージ（ QG	VGS （最大）	ciss ）（ max @ vds	フェット機能	電力散逸（最大）	ノイズ図	ダイオード構成	電圧-DC リバース（ VR ）（最大）	現在 -平均修正（ io ）（ダイオードあたり）	電圧 -フォワード（ vf ）（ max @ if	逆回復時間（ trr）	現在 - @ vr	動作温度 -ジャンクション	現在 -平均修正（ io）	容量 @ vr、f	電圧 -コレクターエミッタの分解（最大）	現在 -コレクター（IC ）（最大）	電圧 -テスト	ダイオードタイプ	電圧 -ピークリバース（最大）	現在 -コレクターカットオフ（最大）	電圧zener	インピーダンス（最大）（ ZZT）	@ @ if、f	トランジスタタイプ	vce 飽和（max @ ib、ic	DC電流ゲイン	頻度 -遷移	抵抗 -ベース（r1）	抵抗 -エミッターベース（r2）	ノイズフィギュア（DBタイプ @ f）
BLF7G24LS-160P 、112	113.5700	RFQ	10	NXP USA Inc.	-	チューブ	アクティブ		65 v			SOT539B	BLF7G24	2.3GHz〜2.4GHz	ldmos		SOT539B	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	未定義のベンダー		ear99	0000.00.0000	1	デュアル、共通のソース			-		1.2 a	30W	18.5dB											-												28 v
MRF6VP3450HSR5-NXP	225.1400	RFQ	13	NXP USA Inc.	-	バルク	アクティブ		110 v		シャーシマウント	NI-1230-4S		470MHz〜860MHz	ldmos		NI-1230-4S	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.29.0075	50	デュアル			10µA		1.4 a	450W	22.5dB											-												50 v
BF904R 、235	-	RFQ	4441	NXP USA Inc.	-	テープ＆リール（ tr）	廃止		7 v		表面マウント	SOT-143R	BF904	200MHz	モスフェット		SOT-143R	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない	934020440235	ear99	8541.21.0095	10,000	nチャネルデュアルゲート			30ma		10 Ma	-	-											1db												5 v
PDTD123TK 、115	-	RFQ	4066	NXP USA Inc.	-	テープ＆リール（ tr）	廃止				表面マウント	TO-236-3	PDTD123			250 MW	SMT3; mpak	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.21.0095	3,000																													50 v	500 Ma				500na				npn-バイアス化	300MV @ 2.5MA 、50mA	100 @ 50ma 、5v		2.2 KOHMS
MRF6VP121KHR6	-	RFQ	5288	NXP USA Inc.	-	テープ＆リール（ tr）	sicで中止されました		110 v		シャーシマウント	NI-1230	MRF6	1.03GHz	ldmos		NI-1230	ダウンロード	ROHS3準拠	3 （168 時間）	影響を受けていない		ear99	8541.29.0075	150	デュアル			-		150 Ma	1000W	20db											-												50 v
BCX71H 、215	0.0200	RFQ	131	NXP USA Inc.	*	バルク	アクティブ						BCX71					-	ROHS3準拠		影響を受けていない		ear99	8541.21.0075	3,000
BZX284-C6V2,135	-	RFQ	5302	NXP USA Inc.	-	テープ＆リール（ tr）	廃止	±5％		-65°C〜150°C	表面マウント	SOD-10	BZX284			400 MW	SOD-10	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0050	11,000																							1.1 V @ 100 MA		3 µA @ 4 V										6.2 v	10オーム
BA891,115	0.3600	RFQ	2	NXP USA Inc.	-	テープ＆リール（ tr）	アクティブ			-65°C〜150°C		SC-79、SOD-523	BA89				SOD-523	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0070	3,000					100 Ma													715 MW										0.9pf @ 3V、1MHz				標準 -シングル	35V				500mohm @ 10ma 、100MHz
BUK7528-100A、127	0.4700	RFQ	5	NXP USA Inc.	*	チューブ	アクティブ						buk75					-	ROHS3準拠		影響を受けていない		ear99	8541.29.0095	1,000
BST15,115	-	RFQ	5330	NXP USA Inc.	-	テープ＆リール（ tr）	廃止			150°C （TJ）	表面マウント	TO-243AA	BST1			1.3 w	SOT-89-3	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.29.0095	1,000																													200 v	200 ma				100na（icbo）				PNP	750mv @ 5ma 、50ma	30 @ 50ma 、10V	15MHz
BYV34-500,127	0.5100	RFQ	2	NXP USA Inc.	*	バルク	アクティブ						byv34					ダウンロード	ROHS3準拠		影響を受けていない		ear99	8541.10.0080	1,000
buk9y153-100e、115	1.0000	RFQ	2230	NXP USA Inc.	Automotive、AEC-Q101 、TrenchMos™	バルク	アクティブ			-55°C〜175°C	表面マウント	SC-100 、SOT-669			モスフェット（金属酸化物）		LFPAK56 、POWER-SO8	ダウンロード					ear99	8541.29.0095	1			nチャネル						100 V	9.4a（tc）	5V	146mohm @ 2a 、10V	2.1V @ 1MA	6.8 NC @ 5 V	±10V	716 PF @ 25 V	-	37W （TC）
MRF8P20165WHSR5	-	RFQ	9718	NXP USA Inc.	-	テープ＆リール（ tr）	sicで中止されました		65 v		表面マウント	NI-780S-4L	MRF8	1.98GHz〜2.01GHz	ldmos		NI-780S-4L	ダウンロード	ROHS3準拠	3 （168 時間）	影響を受けていない		ear99	8541.29.0075	50	デュアル			-		550 Ma	37W	14.8db											-												28 v
MRF8HP21080HR3	-	RFQ	1925年年	NXP USA Inc.	-	テープ＆リール（ tr）	廃止		65 v		シャーシマウント	NI-780-4	MRF8	2.17GHz	ldmos		NI-780-4	-	ROHS3準拠	適用できない	影響を受けていない	935310794128	ear99	8541.29.0075	250	デュアル			-		150 Ma	16W	14.4db											-												28 v
PRLL5819,115	-	RFQ	7717	NXP USA Inc.	-	テープ＆リール（ tr）	廃止				表面マウント	SOD-87	PRLL58		ショットキー		メルフ	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0080	2,000		高速回復= <500ns																			40 v		600 mV @ 1 a		1 MA @ 40 V	125°C （最大）	1a	50pf @ 4V、1MHz
PMEG6030EVP115	0.1300	RFQ	47	NXP USA Inc.	*	バルク	アクティブ						PMEG6030					ダウンロード	適用できない	1 （無制限）	未定義のベンダー		ear99	8541.10.0080	2,270
BZX84-C51/LF1VL	-	RFQ	4274	NXP USA Inc.	aec-q101	テープ＆リール（ tr）	アクティブ	±5％		-65°C〜150°C	表面マウント	TO-236-3	BZX84-C51			250 MW	SOT-23	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない	934069496235	ear99	8541.10.0050	3,000																							900 mV @ 10 Ma		50 Na @ 35.7 v										51 v	180オーム
bav170/zlr	-	RFQ	5969	NXP USA Inc.	-	テープ＆リール（ tr）	廃止				表面マウント	TO-236-3	bav17		標準		SOT-23	-	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0070	3,000		標準回復> 500ns																		1ペア共通カソード	75 v	215ma dc）	1.25 V @ 150 MA	3 µs	5 Na @ 75 V	150°C （最大）
bav199/zlr	-	RFQ	8859	NXP USA Inc.	-	テープ＆リール（ tr）	廃止				表面マウント	TO-236-3	bav199		標準		SOT-23	-	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0070	3,000		小さな信号= <200ma（io ）、任意の速度																		1ペアシリーズ接続	75 v	160ma dc）	1.25 V @ 150 MA	3 µs	5 Na @ 75 V	150°C （最大）
NXPS20H100C、127	0.2700	RFQ	3	NXP USA Inc.	-	バルク	アクティブ				穴を通して	TO-220-3			ショットキー		TO-220AB	ダウンロード					ear99	8542.39.0001	1		高速回復= <500ns																		1ペア共通カソード	100 V	10a	770 mV @ 10 a		4.5 µA @ 100 V	175°C （最大）
PMGD8000LN 、115	-	RFQ	1879	NXP USA Inc.	trenchmos™	テープ＆リール（ tr）	廃止			-55°C〜150°C	表面マウント	6-TSSOP 、SC-88 、SOT-363	PMGD8		モスフェット（金属酸化物）	200mw	6-tssop	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.21.0095	3,000	2 nチャンネル（デュアル）								30V	125ma		8OHM @ 10MA 、4V	1.5V @ 100µA	0.35NC @ 4.5V		18.5pf @ 5V	ロジックレベルゲート
BZB784-C4V3,115	0.0300	RFQ	113	NXP USA Inc.	*	バルク	アクティブ						BZB784					-	ROHS3準拠		影響を受けていない		ear99	8541.10.0050	3,000
BLF888AS 、112	224.6300	RFQ	113	NXP USA Inc.	*	チューブ	アクティブ						BLF88					-	ROHS3準拠		影響を受けていない				60
buk7y25-80e/cx	-	RFQ	9726	NXP USA Inc.	trenchmos™	テープ＆リール（ tr）	廃止			-55°C〜175°C	表面マウント	SC-100 、SOT-669	buk7		モスフェット（金属酸化物）		LFPAK56 、POWER-SO8	-	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.29.0095	1,500			nチャネル						80 v	39a	10V	25mohm @ 10a 、10V	4V @ 1MA	25.9 NC @ 10 V	±20V	1800 pf @ 25 v	-	95W
MRFG35005ANT1	-	RFQ	1116	NXP USA Inc.	-	テープ＆リール（ tr）	廃止		15 V		表面マウント	PLD-1.5	MRFG35	3.55GHz	フェットフェット		PLD-1.5	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない	935313745515	ear99	8541.29.0075	1,000				-		80 Ma	4.5W	11db											-												12 v
BFG310/XR 215	-	RFQ	5560	NXP USA Inc.	-	テープ＆リール（ tr）	廃止			175°C （TJ）	表面マウント	SOT-143R	BFG31			60MW	SOT-143R	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.21.0075	3,000								18db																					6V	10ma								npn		60 @ 5MA、3V	14GHz			1DB @ 2GHz
PBRP123ys、126	-	RFQ	2509	NXP USA Inc.	-	テープ＆ボックス（ TB）	廃止				穴を通して	to-226-3	PBRP123			500 MW	to-92-3	-	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.21.0095	2,000																													50 v	800 Ma				-				pnp-前バイアス	-	-		2.2 KOHMS	10 Kohms
PDZ6.2B/ZLX	-	RFQ	5892	NXP USA Inc.	*	テープ＆リール（ tr）	アクティブ						PDZ6.2					-	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない	934069113115	ear99	8541.10.0050	3,000
PDTA144TE 、115	-	RFQ	1239	NXP USA Inc.	-	テープ＆リール（ tr）	廃止				表面マウント	SC-75、SOT-416	PDTA144			150 MW	SC-75	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.21.0095	3,000																													50 v	100 Ma				1µA				pnp-前バイアス	150mv @ 500µa 、10ma	100 @ 1MA 、5V		47 Kohms
PDTC144VS、126	-	RFQ	8258	NXP USA Inc.	-	テープ＆ボックス（ TB）	廃止				穴を通して	to-226-3	PDTC144			500 MW	to-92-3	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.21.0095	2,000																													50 v	100 Ma				1µA				npn-バイアス化	150mv @ 500µa 、10ma	40 @ 5MA 、5V		47 Kohms	10 Kohms

2000+
毎日の平均RFQボリューム
30,000,000
標準製品ユニット
2800+
世界的なメーカー
15,000 m²
在庫倉庫

離散半導体製品（6133）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²