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離散半導体製品（6133）
| 画像 | 製品番号 | 価格（USD） | 量 | ECAD | 利用可能な数量 | 体重（ kg） | MFR | シリーズ | パッケージ | 製品ステータス | 許容範囲 | 電圧 -定格 | 動作温度 | 取り付けタイプ | パッケージ /ケース | 基本製品番号 | 頻度 | テクノロジー | パワー -マックス | サプライヤーデバイスパッケージ | データシート | ROHSステータス | 水分感度レベル（MSL） | ステータスに到達します | ECCN | htsus | 標準パッケージ | 構成 | フェットタイプ | 現在の評価（ amp） | 現在 -マックス | 現在-hold（ihmax） | 現在 -テスト | 電力 -出力 | 得 | 電源（ VDSS ）への排水 | 電流 -連続排水（ID @ @ 25°C | ドライブ電圧（最大rds onmin rds on | rds on max） @ id vgs | vgs | ゲートチャージ（ QG | VGS （最大） | ciss ）（ max @ vds | フェット機能 | 電力散逸（最大） | トライアックタイプ | 電圧 -状態外 | 現在 -state（it （rms | 電圧 -ゲートトリガー（ vgt ）（最大） | 現在 -非担当者サージ50、60Hz | 現在 -ゲートトリガー（ Igt ）（最大） | ノイズ図 | 電圧 -フォワード（ vf ）（ max @ if | 現在 - @ vr | 容量 @ vr、f | 電圧 -コレクターエミッタの分解（最大） | 現在 -コレクター（IC ）（最大） | 電圧 -テスト | ダイオードタイプ | 電圧 -ピークリバース（最大） | 現在 -コレクターカットオフ（最大） | 電圧zener | インピーダンス（最大）（ ZZT） | @ @ if、f | トランジスタタイプ | vce 飽和（max @ ib、ic | DC電流ゲイン | 頻度 -遷移 | 抵抗 -ベース（r1） | 抵抗 -エミッターベース（r2） |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 | MRF18030ALSR3 | - |  | 3797 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | - | テープ＆リール（ tr） | 廃止 | 65 v | シャーシマウント | NI-400S | MRF18 | 1.81GHz1.88GHz | ldmos | NI-400S | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 （無制限） | 影響を受けていない | 5A991G | 8542.31.0001 | 250 | - | 250 Ma | 30W | 14db | - | 26 v | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | PVR100AZ-B3V3,115 | - | | 8989 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | - | テープ＆リール（ tr） | 廃止 | 150°C （TJ） | 表面マウント | TO-261-4、TO-261AA | PVR10 | 550 MW | SC-73 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 （無制限） | 影響を受けていない | ear99 | 8541.21.0095 | 1,000 | 45 v | 100 Ma | 100na（icbo） | npn + zener | - | 160 @ 100MA、1V | - | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | PHX45NQ11T 、127 | - | | 9593 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | trenchmos™ | チューブ | 廃止 | -55°C〜150°C | 穴を通して | TO-220-3 フルパック、分離タブ | PHX45 | モスフェット（金属酸化物） | TO-220F | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 （無制限） | 影響を受けていない | ear99 | 8541.29.0095 | 50 | nチャネル | 110 v | 30.4a | 10V | 25mohm @ 25a 、10V | 4V @ 1MA | 61 NC @ 10 V | ±20V | 2600 PF @ 25 V | - | 62.5W | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | PMF87EN 、115 | - | | 4369 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | - | テープ＆リール（ tr） | 廃止 | -55°C〜150°C | 表面マウント | SC-70、SOT-323 | PMF87 | モスフェット（金属酸化物） | SC-70 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 （無制限） | 影響を受けていない | ear99 | 8541.21.0095 | 3,000 | nチャネル | 30 V | 1.7a（ta） | 4.5V 、10V | 80mohm @ 1.7a 、10V | 2.5V @ 250µA | 4.7 NC @ 10 V | ±20V | 135 PF @ 15 V | - | 275MW | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | PDZ4.7B/ZL115 | 0.0300 | | 158 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | * | バルク | アクティブ | ダウンロード | 適用できない | 1 （無制限） | 未定義のベンダー | ear99 | 8541.10.0050 | 3,000 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | MRFG35005NR5 | - | | 5665 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | - | テープ＆リール（ tr） | 廃止 | 15 V | 表面マウント | PLD-1.5 | MRFG35 | 3.55GHz | フェットフェット | PLD-1.5 | - | ROHS非準拠 | 1 （無制限） | 影響を受けていない | ear99 | 8541.21.0075 | 50 | - | 80 Ma | 4.5W | 11db | - | 12 v | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| BAP64-05W 、135 | 0.4800 | | 10 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | - | テープ＆リール（ tr） | アクティブ | -65°C〜150°C | SC-70、SOT-323 | BAP64 | SC-70 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 （無制限） | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0070 | 10,000 | 100 Ma | 240 MW | 0.35pf @ 20V、1MHz | ピン-1ペア共通カソード | 100V | 1.35OHM @ 100MA 、100MHz | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | MRF9030LR1 | - | | 7051 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | - | テープ＆リール（ tr） | 廃止 | 68 v | シャーシマウント | NI-360 | MRF90 | 945MHz | ldmos | NI-360 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 （無制限） | 影響を受けていない | ear99 | 8541.21.0075 | 500 | - | 250 Ma | 30W | 19db | - | 26 v | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | PDTA143EMB | - | | 3853 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | * | バルク | アクティブ | ダウンロード | 0000.00.0000 | 1 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | BZX84-A51,215 | 0.1100 | | 94 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | * | バルク | アクティブ | BZX84 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0050 | 3,000 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | BUK7526-100B 、127 | - | | 3903 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | trenchmos™ | チューブ | 廃止 | -55°C〜175°C | 穴を通して | TO-220-3 | モスフェット（金属酸化物） | TO-220AB | ダウンロード | ROHS3準拠 | ear99 | 8541.29.0095 | 100 | nチャネル | 100 V | 49a（tc） | 10V | 26mohm @ 25a 、10V | 4V @ 1MA | 38 NC @ 10 V | ±20V | 2891 PF @ 25 V | - | 157W | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | BZX284-C5V1,115 | - | | 5305 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | - | テープ＆リール（ tr） | 廃止 | ±5％ | -65°C〜150°C | 表面マウント | SOD-10 | BZX284 | 400 MW | SOD-10 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 （無制限） | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0050 | 3,000 | 1.1 V @ 100 MA | 2 µA @ 2 V | 5.1 v | 60オーム | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | BZX585-C12,115 | - | | 6623 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | * | バルク | アクティブ | BZX585 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0050 | 3,000 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | BZX79-B2V7,113 | 0.0200 | | 60 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | - | バルク | アクティブ | ±2％ | -65°C〜200°C | 穴を通して | do-204ah do-35 、軸 | 400 MW | ALF2 | ダウンロード | ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 900 mV @ 10 Ma | 20 µA @ 1 V | 2.7 v | 100オーム | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | buk9611-55a 、118 | - | | 8772 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | trenchmos™ | テープ＆リール（ tr） | 廃止 | -55°C〜175°C | 表面マウント | TO-263-3 | Buk96 | モスフェット（金属酸化物） | d2pak | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 （無制限） | 影響を受けていない | ear99 | 8541.29.0095 | 800 | nチャネル | 55 v | 75a（tc） | 4.5V 、10V | 10mohm @ 25a 、10V | 2V @ 1MA | ±10V | 4230 PF @ 25 V | - | 166W | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | BZV90-C68,115 | 0.1700 | | 12 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | * | バルク | アクティブ | BZV90 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0050 | 1,000 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | PMR290XN 、115 | - | | 1678 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | trenchmos™ | テープ＆リール（ tr） | 廃止 | -55°C〜150°C | 表面マウント | SC-75、SOT-416 | PMR2 | モスフェット（金属酸化物） | SC-75 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 （無制限） | 影響を受けていない | ear99 | 8541.21.0095 | 3,000 | nチャネル | 20 v | 970ma | 2.5V 、4.5V | 350mohm @ 200ma 、4.5V | 1.5V @ 250µA | 0.72 NC @ 4.5 v | ±12V | 34 pf @ 20 v | - | 530MW | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| nzx2v4a 、133 | 0.0200 | | 28 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | * | バルク | アクティブ | NZX2 | - | ROHS3準拠 | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0050 | 10,000 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| BZX284-C10,115 | - | | 1793 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | - | テープ＆リール（ tr） | 廃止 | ±5％ | -65°C〜150°C | 表面マウント | SOD-10 | BZX284 | 400 MW | SOD-10 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 （無制限） | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0050 | 3,000 | 1.1 V @ 100 MA | 200 Na @ 7 V | 10 v | 10オーム | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| PDTA144ET 、235 | 0.0200 | | 105 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | * | バルク | アクティブ | PDTA14 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 影響を受けていない | ear99 | 8541.21.0095 | 10,000 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | BC857B 、215 | - | | 1643 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | aec-q101 | バルク | アクティブ | 150°C （TJ） | 表面マウント | TO-236-3 | BC857 | 250 MW | TO-236AB | ダウンロード | 0000.00.0000 | 1 | 45 v | 100 Ma | 15NA | PNP | 650mv @ 5ma 、100ma | 220 @ 2MA 、5V | 100MHz | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | MRF5S21090HSR3 | - | | 5055 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | - | テープ＆リール（ tr） | 廃止 | 65 v | シャーシマウント | NI-780S | MRF5 | 2.11GHz | ldmos | NI-780S | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 （168 時間） | 影響を受けていない | 5A991G | 8541.29.0075 | 250 | - | 850 Ma | 19W | 14.5dB | - | 28 v | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| BCX70H 、215 | - | | 4005 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | * | バルク | アクティブ | BCX70 | - | ROHS3準拠 | 影響を受けていない | ear99 | 8541.21.0075 | 3,000 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | byv10-600p127 | 0.2100 | | 4 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | * | バルク | アクティブ | ダウンロード | 適用できない | 1 （無制限） | 未定義のベンダー | ear99 | 8541.10.0080 | 1,154 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | PZU3.9B1,115 | 0.0400 | | 16 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | * | バルク | アクティブ | PZU3.9 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0050 | 3,000 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| BT138-600D、127 | 0.4300 | | 1 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | - | バルク | アクティブ | 125°C （TJ） | 穴を通して | TO-220-3 | TO-220AB | ダウンロード | ear99 | 8541.30.0080 | 704 | シングル | 10 Ma | ロジック -敏感なゲート | 600 V | 12 a | 1.5 v | 95a 、105a | 5 Ma | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | BZX84-C13/DG/B2215 | 0.0200 | | 78 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | * | バルク | アクティブ | ダウンロード | 適用できない | 1 （無制限） | 未定義のベンダー | ear99 | 8541.10.0050 | 3,000 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | PVR100AD-B3V3,115 | - | | 1589 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | - | テープ＆リール（ tr） | 廃止 | 150°C （TJ） | 表面マウント | SC-74、SOT-457 | PVR10 | 300 MW | SC-74 | - | ROHS3準拠 | 1 （無制限） | 影響を受けていない | ear99 | 8541.21.0095 | 3,000 | 45 v | 100 Ma | 100na（icbo） | npn + zener | - | 160 @ 100MA、1V | - | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | BZX79-B3V3,113 | 0.0200 | | 90 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | - | バルク | アクティブ | ±2％ | -65°C〜200°C | 穴を通して | do-204ah do-35 、軸 | 400 MW | ALF2 | ダウンロード | ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 900 mV @ 10 Ma | 5 µA @ 1 V | 3.3 v | 95オーム | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | PDTC124XK 、115 | - | | 6389 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | - | テープ＆リール（ tr） | 廃止 | 表面マウント | TO-236-3 | PDTC124 | 250 MW | SMT3; mpak | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 （無制限） | 影響を受けていない | ear99 | 8541.21.0095 | 3,000 | 50 v | 100 Ma | 1µA | npn-バイアス化 | 150mv @ 500µa 、10ma | 80 @ 5MA 、5V | 22 Kohms | 47 Kohms |
2000+
毎日の平均RFQボリューム
30,000,000
標準製品ユニット
2800+
世界的なメーカー
15,000 m2
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