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画像 製品番号 価格(USD) ECAD 利用可能な数量 体重( kg) MFR シリーズ パッケージ 製品ステータス 許容範囲 電圧 -定格 動作温度 取り付けタイプ パッケージ /ケース 基本製品番号 頻度 テクノロジー パワー -マックス サプライヤーデバイスパッケージ データシート ROHSステータス 水分感度レベル(MSL) ステータスに到達します その他の名前 ECCN htsus 標準パッケージ 構成 フェットタイプ 現在の評価( amp) 現在-hold(ihmax) 現在 -テスト 電力 -出力 電源( VDSS )への排水 電流 -連続排水(ID @ @ 25°C ドライブ電圧(最大rds onmin rds on rds on max) @ id vgs vgs ゲートチャージ( QG VGS (最大) ciss )( max @ vds フェット機能 電力散逸(最大) トライアックタイプ 電圧 -状態外 現在 -state(it (rms 電圧 -ゲートトリガー( vgt )(最大) 現在 -非担当者サージ50、60Hz 現在 -ゲートトリガー( Igt )(最大) ノイズ図 電圧 -フォワード( vf )( max @ if 現在 - @ vr 容量 @ vr、f 電圧 -コレクターエミッタの分解(最大) 現在 -コレクター(IC )(最大) 電圧 -テスト ダイオードタイプ 電圧 -ピークリバース(最大) 現在 -コレクターカットオフ(最大) 電圧zener インピーダンス(最大)( ZZT) トランジスタタイプ vce 飽和(max @ ib、ic DC電流ゲイン 頻度 -遷移 抵抗 -ベース(r1) 抵抗 -エミッターベース(r2) ノイズフィギュア(DBタイプ @ f) 静電容量比 静電容量比条件 Q @ vr、f
BUK7526-100B,127 NXP USA Inc. BUK7526-100B 、127 -
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ECAD 3903 0.00000000 NXP USA Inc. trenchmos™ チューブ 廃止 -55°C〜175°C 穴を通して TO-220-3 モスフェット(金属酸化物) TO-220AB ダウンロード ROHS3準拠 ear99 8541.29.0095 100 nチャネル 100 V 49a(tc) 10V 26mohm @ 25a 、10V 4V @ 1MA 38 NC @ 10 V ±20V 2891 PF @ 25 V - 157W
BFG67,235 NXP USA Inc. BFG67,235 -
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ECAD 1929年年 0.00000000 NXP USA Inc. - テープ&リール( tr) 廃止 175°C (TJ) 表面マウント to-253-4、to-253aa BFG67 380MW SOT-143B ダウンロード ROHS3準拠 1 (無制限) 影響を受けていない 933779670235 ear99 8541.21.0075 10,000 - 10V 50ma npn 60 @ 15MA 、5V 8GHz 1.3DB〜3DB @ 1GHz〜2GHz
BB181,135 NXP USA Inc. BB181,135 -
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ECAD 8312 0.00000000 NXP USA Inc. - テープ&リール( tr) 廃止 -55°C〜150°C 表面マウント SC-79、SOD-523 BB181 SOD-523 ダウンロード ROHS3準拠 1 (無制限) 影響を受けていない 934055438135 ear99 8541.10.0070 10,000 1.055pf @ 28V、1MHz シングル 30 V 16 C0.5/C28 -
BZX284-C5V1,115 NXP USA Inc. BZX284-C5V1,115 -
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ECAD 5305 0.00000000 NXP USA Inc. - テープ&リール( tr) 廃止 ±5% -65°C〜150°C 表面マウント SOD-10 BZX284 400 MW SOD-10 ダウンロード ROHS3準拠 1 (無制限) 影響を受けていない ear99 8541.10.0050 3,000 1.1 V @ 100 MA 2 µA @ 2 V 5.1 v 60オーム
BZX585-C12,115 NXP USA Inc. BZX585-C12,115 -
RFQ
ECAD 6623 0.00000000 NXP USA Inc. * バルク アクティブ BZX585 ダウンロード ROHS3準拠 影響を受けていない ear99 8541.10.0050 3,000
BZX79-B2V7,113 NXP USA Inc. BZX79-B2V7,113 0.0200
RFQ
ECAD 60 0.00000000 NXP USA Inc. - バルク アクティブ ±2% -65°C〜200°C 穴を通して do-204ah do-35 、軸 400 MW ALF2 ダウンロード ear99 8541.10.0050 1 900 mV @ 10 Ma 20 µA @ 1 V 2.7 v 100オーム
BUK9611-55A,118 NXP USA Inc. buk9611-55a 、118 -
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ECAD 8772 0.00000000 NXP USA Inc. trenchmos™ テープ&リール( tr) 廃止 -55°C〜175°C 表面マウント TO-263-3 Buk96 モスフェット(金属酸化物) d2pak ダウンロード ROHS3準拠 1 (無制限) 影響を受けていない ear99 8541.29.0095 800 nチャネル 55 v 75a(tc) 4.5V 、10V 10mohm @ 25a 、10V 2V @ 1MA ±10V 4230 PF @ 25 V - 166W
PBRN113ES,126 NXP USA Inc. PBRN113ES、126 -
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ECAD 3291 0.00000000 NXP USA Inc. - テープ&ボックス( TB) 廃止 穴を通して to-226-3 PBRN113 700 MW to-92-3 ダウンロード ROHS3準拠 1 (無制限) 影響を受けていない ear99 8541.21.0095 2,000 40 v 800 Ma 500na npn-バイアス化 1.15V @ 8MA 、800MA 180 @ 300MA 、5V 1 KOHMS 1 KOHMS
BZV90-C68,115 NXP USA Inc. BZV90-C68,115 0.1700
RFQ
ECAD 12 0.00000000 NXP USA Inc. * バルク アクティブ BZV90 ダウンロード ROHS3準拠 影響を受けていない ear99 8541.10.0050 1,000
PMR290XN,115 NXP USA Inc. PMR290XN 、115 -
RFQ
ECAD 1678 0.00000000 NXP USA Inc. trenchmos™ テープ&リール( tr) 廃止 -55°C〜150°C 表面マウント SC-75、SOT-416 PMR2 モスフェット(金属酸化物) SC-75 ダウンロード ROHS3準拠 1 (無制限) 影響を受けていない ear99 8541.21.0095 3,000 nチャネル 20 v 970ma 2.5V 、4.5V 350mohm @ 200ma 、4.5V 1.5V @ 250µA 0.72 NC @ 4.5 v ±12V 34 pf @ 20 v - 530MW
PMST2222A,115 NXP USA Inc. PMST2222A 、115 -
RFQ
ECAD 9142 0.00000000 NXP USA Inc. * バルク アクティブ PMST2 ダウンロード ROHS3準拠 影響を受けていない ear99 8541.21.0075 3,000
NZX2V4A,133 NXP USA Inc. nzx2v4a 、133 0.0200
RFQ
ECAD 28 0.00000000 NXP USA Inc. * バルク アクティブ NZX2 - ROHS3準拠 影響を受けていない ear99 8541.10.0050 10,000
BZX284-C10,115 NXP USA Inc. BZX284-C10,115 -
RFQ
ECAD 1793 0.00000000 NXP USA Inc. - テープ&リール( tr) 廃止 ±5% -65°C〜150°C 表面マウント SOD-10 BZX284 400 MW SOD-10 ダウンロード ROHS3準拠 1 (無制限) 影響を受けていない ear99 8541.10.0050 3,000 1.1 V @ 100 MA 200 Na @ 7 V 10 v 10オーム
BZV85-C8V2,113 NXP USA Inc. BZV85-C8V2,113 0.0400
RFQ
ECAD 115 0.00000000 NXP USA Inc. * バルク アクティブ BZV85 ダウンロード ROHS3準拠 影響を受けていない ear99 8541.10.0050 5,000
PDTA144ET,235 NXP USA Inc. PDTA144ET 、235 0.0200
RFQ
ECAD 105 0.00000000 NXP USA Inc. * バルク アクティブ PDTA14 ダウンロード ROHS3準拠 影響を受けていない ear99 8541.21.0095 10,000
BC857B,215 NXP USA Inc. BC857B 、215 -
RFQ
ECAD 1643 0.00000000 NXP USA Inc. aec-q101 バルク アクティブ 150°C (TJ) 表面マウント TO-236-3 BC857 250 MW TO-236AB ダウンロード 0000.00.0000 1 45 v 100 Ma 15NA PNP 650mv @ 5ma 、100ma 220 @ 2MA 、5V 100MHz
MRF5S21090HSR3 NXP USA Inc. MRF5S21090HSR3 -
RFQ
ECAD 5055 0.00000000 NXP USA Inc. - テープ&リール( tr) 廃止 65 v シャーシマウント NI-780S MRF5 2.11GHz ldmos NI-780S ダウンロード ROHS3準拠 3 (168 時間) 影響を受けていない 5A991G 8541.29.0075 250 - 850 Ma 19W 14.5dB - 28 v
BCX70H,215 NXP USA Inc. BCX70H 、215 -
RFQ
ECAD 4005 0.00000000 NXP USA Inc. * バルク アクティブ BCX70 - ROHS3準拠 影響を受けていない ear99 8541.21.0075 3,000
BYV10-600P127 NXP USA Inc. byv10-600p127 0.2100
RFQ
ECAD 4 0.00000000 NXP USA Inc. * バルク アクティブ ダウンロード 適用できない 1 (無制限) 未定義のベンダー ear99 8541.10.0080 1,154
PDTC123JU/ZLX NXP USA Inc. PDTC123JU/ZLX -
RFQ
ECAD 1920 0.00000000 NXP USA Inc. * テープ&リール( tr) アクティブ PDTC123 ダウンロード ROHS3準拠 1 (無制限) 影響を受けていない 934069178115 ear99 8541.21.0075 3,000
PZU3.9B1,115 NXP USA Inc. PZU3.9B1,115 0.0400
RFQ
ECAD 16 0.00000000 NXP USA Inc. * バルク アクティブ PZU3.9 ダウンロード ROHS3準拠 影響を受けていない ear99 8541.10.0050 3,000
PMR290UNE,115 NXP USA Inc. PMR290UNE 、115 -
RFQ
ECAD 4400 0.00000000 NXP USA Inc. - テープ&リール( tr) 廃止 -55°C〜150°C 表面マウント SC-75、SOT-416 PMR2 モスフェット(金属酸化物) SC-75 - ROHS3準拠 1 (無制限) 影響を受けていない ear99 8541.21.0095 3,000 nチャネル 20 v 700ma(ta) 1.8V 、4.5V 380mohm @ 500ma 、4.5V 950MV @ 250µA 0.68 NC @ 4.5 V ±8V 83 PF @ 10 V - 250MW
BT138-600D,127 NXP USA Inc. BT138-600D、127 0.4300
RFQ
ECAD 1 0.00000000 NXP USA Inc. - バルク アクティブ 125°C (TJ) 穴を通して TO-220-3 TO-220AB ダウンロード ear99 8541.30.0080 704 シングル 10 Ma ロジック -敏感なゲート 600 V 12 a 1.5 v 95a 、105a 5 Ma
BZX84-C13/DG/B2215 NXP USA Inc. BZX84-C13/DG/B2215 0.0200
RFQ
ECAD 78 0.00000000 NXP USA Inc. * バルク アクティブ ダウンロード 適用できない 1 (無制限) 未定義のベンダー ear99 8541.10.0050 3,000
PVR100AD-B3V3,115 NXP USA Inc. PVR100AD-B3V3,115 -
RFQ
ECAD 1589 0.00000000 NXP USA Inc. - テープ&リール( tr) 廃止 150°C (TJ) 表面マウント SC-74、SOT-457 PVR10 300 MW SC-74 - ROHS3準拠 1 (無制限) 影響を受けていない ear99 8541.21.0095 3,000 45 v 100 Ma 100na(icbo) npn + zener - 160 @ 100MA、1V -
BZX79-B3V3,113 NXP USA Inc. BZX79-B3V3,113 0.0200
RFQ
ECAD 90 0.00000000 NXP USA Inc. - バルク アクティブ ±2% -65°C〜200°C 穴を通して do-204ah do-35 、軸 400 MW ALF2 ダウンロード ear99 8541.10.0050 1 900 mV @ 10 Ma 5 µA @ 1 V 3.3 v 95オーム
PVR100AD-B2V5,115 NXP USA Inc. PVR100AD-B2V5,115 -
RFQ
ECAD 5545 0.00000000 NXP USA Inc. - テープ&リール( tr) 廃止 150°C (TJ) 表面マウント SC-74、SOT-457 PVR10 300 MW SC-74 - ROHS3準拠 1 (無制限) 影響を受けていない ear99 8541.21.0095 3,000 45 v 100 Ma 100na(icbo) npn + zener - 160 @ 100MA、1V -
PDTC124XK,115 NXP USA Inc. PDTC124XK 、115 -
RFQ
ECAD 6389 0.00000000 NXP USA Inc. - テープ&リール( tr) 廃止 表面マウント TO-236-3 PDTC124 250 MW SMT3; mpak ダウンロード ROHS3準拠 1 (無制限) 影響を受けていない ear99 8541.21.0095 3,000 50 v 100 Ma 1µA npn-バイアス化 150mv @ 500µa 、10ma 80 @ 5MA 、5V 22 Kohms 47 Kohms
BB207,215 NXP USA Inc. BB207,215 0.6700
RFQ
ECAD 2 0.00000000 NXP USA Inc. - テープ&リール( tr) アクティブ -55°C〜125°C(TJ) 表面マウント TO-236-3 BB207 SOT-23 ダウンロード ROHS3準拠 1 (無制限) 影響を受けていない ear99 8541.10.0070 3,000 26.3pf @ 8V、1MHz 1ペア共通カソード 15 V 3.3 C1/C7.5 -
PMDPB80XP,115 NXP USA Inc. PMDPB80XP 、115 1.0000
RFQ
ECAD 5676 0.00000000 NXP USA Inc. - バルク アクティブ -55°C〜150°C 表面マウント 6-ufdfn露出パッド PMDPB80 モスフェット(金属酸化物) 485MW 6-HUSON (2x2) ダウンロード 0000.00.0000 1 2 P-Channel (デュアル) 20V 2.7a 102mohm @ 2.7a 、4.5V 1V @ 250µA 8.6NC @ 4.5V 550pf @ 10V ロジックレベルゲート、 1.8Vドライブ
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    毎日の平均RFQボリューム

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    標準製品ユニット

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    世界的なメーカー

  • In-stock Warehouse

    15,000 m2

    在庫倉庫