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離散半導体製品（6133）

画像 製品番号 価格（USD） 量 ECAD 利用可能な数量 体重（ kg） MFR シリーズ パッケージ 製品ステータス 許容範囲 電圧 -定格 動作温度 取り付けタイプ パッケージ /ケース 基本製品番号 頻度 テクノロジー パワー -マックス サプライヤーデバイスパッケージ データシート ROHSステータス 水分感度レベル（MSL） ステータスに到達します その他の名前 ECCN htsus 標準パッケージ 構成 フェットタイプ 現在の評価（ amp） 現在-hold（ihmax） 現在 -テスト 電力 -出力 得 電源（ VDSS ）への排水 電流 -連続排水（ID @ @ 25°C ドライブ電圧（最大rds onmin rds on rds on max） @ id vgs vgs ゲートチャージ（ QG VGS （最大） ciss ）（ max @ vds フェット機能 電力散逸（最大） トライアックタイプ 電圧 -状態外 現在 -state（it （rms 電圧 -ゲートトリガー（ vgt ）（最大） 現在 -非担当者サージ50、60Hz 現在 -ゲートトリガー（ Igt ）（最大） ノイズ図 電圧 -フォワード（ vf ）（ max @ if 現在 - @ vr 電圧 -コレクターエミッタの分解（最大） 現在 -コレクター（IC ）（最大） 電圧 -テスト 現在 -コレクターカットオフ（最大） 電圧zener インピーダンス（最大）（ ZZT） トランジスタタイプ vce 飽和（max @ ib、ic DC電流ゲイン 頻度 -遷移 抵抗 -ベース（r1） ノイズフィギュア（DBタイプ @ f）
MRF8S8260HR3 NXP USA Inc. MRF8S8260HR3 -
RFQ
 ECAD 2136 0.00000000 NXP USA Inc. - テープ＆リール（ tr） 廃止 70 v シャーシマウント SOT-957A MRF8 895MHz ldmos NI-880H-2L - ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない 935310534128 ear99 8541.29.0075 250 - 1.5 a 70W 21.1db - 28 v
PRF13750HR9 NXP USA Inc. PRF13750HR9 -
RFQ
 ECAD 9261 0.00000000 NXP USA Inc. - ストリップ 廃止 105 v SOT-979A PRF13 700MHz〜1.3GHz ldmos NI-1230-4H - 1 （無制限） 影響を受けていない 568-13415 ear99 8541.29.0075 1 デュアル 10µA 650W 20.6dB -
BFU550XRVL NXP USA Inc. BFU550XRVL 0.0699
RFQ
 ECAD 8913 0.00000000 NXP USA Inc. - テープ＆リール（ tr） アクティブ -40°C〜150°C （TJ 表面マウント SOT-143R BFU550 450MW SOT-143R ダウンロード ROHS3準拠 1 （無制限） 影響を受けていない 934067713235 ear99 8541.21.0075 10,000 15.5dB 12V 50ma npn 60 @ 15ma 、8V 11ghz 1.25db @ 1.8GHz
BAV170235 NXP USA Inc. bav170235 1.0000
RFQ
 ECAD 4641 0.00000000 NXP USA Inc. * バルク アクティブ ダウンロード 適用できない 1 （無制限） 未定義のベンダー ear99 8541.10.0070 1
PHX23NQ11T,127 NXP USA Inc. phx23nq11t 、127 -
RFQ
 ECAD 4323 0.00000000 NXP USA Inc. trenchmos™ チューブ 廃止 -55°C〜150°C 穴を通して TO-220-3 フルパック、分離タブ PHX23 モスフェット（金属酸化物） TO-220F ダウンロード ROHS3準拠 1 （無制限） 影響を受けていない ear99 8541.29.0095 50 nチャネル 110 v 16a（tc） 10V 70mohm @ 13a 、10V 4V @ 1MA 22 NC @ 10 V ±20V 830 PF @ 25 V - 41.6W
MRF6S9045MR1 NXP USA Inc. MRF6S9045MR1 -
RFQ
 ECAD 9397 0.00000000 NXP USA Inc. - テープ＆リール（ tr） 廃止 68 v TO-270-2 MRF6 880MHz ldmos TO-270-2 ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない ear99 8541.29.0075 500 - 350 Ma 10W 22.7db - 28 v
BZX79-B4V3,133 NXP USA Inc. BZX79-B4V3,133 -
RFQ
 ECAD 1326 0.00000000 NXP USA Inc. * バルク アクティブ BZX79 - ROHS3準拠 影響を受けていない ear99 8541.10.0050 10,000
BZB84-B56,215 NXP USA Inc. BZB84-B56,215 0.0300
RFQ
 ECAD 18 0.00000000 NXP USA Inc. - バルク アクティブ ±2％ - 表面マウント TO-236-3 300 MW SOT-23 ダウンロード ear99 8541.10.0050 11,823 1ペア共通アノード 900 mV @ 10 Ma 50 Na @ 39.2 v 56 v 200オーム
BUK76150-55A,118 NXP USA Inc. BUK76150-55A 、118 -
RFQ
 ECAD 5926 0.00000000 NXP USA Inc. trenchmos™ テープ＆リール（ tr） 廃止 -55°C〜175°C 表面マウント TO-263-3 Buk76 モスフェット（金属酸化物） d2pak ダウンロード ROHS3準拠 1 （無制限） 影響を受けていない ear99 8541.29.0095 50 nチャネル 55 v 11a（tc） 10V 150mohm @ 5a、10V 4V @ 1MA 5.5 NC @ 10 V ±20V 322 PF @ 25 V - 36W （TC）
BFU530XAR NXP USA Inc. BFU530XAR 0.4800
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 ECAD 1 0.00000000 NXP USA Inc. aec-q101 テープ＆リール（ tr） アクティブ -40°C〜150°C （TJ 表面マウント to-253-4、to-253aa BFU530 450MW SOT-143B ダウンロード ROHS3準拠 1 （無制限） 影響を受けていない ear99 8541.21.0075 3,000 22dB 12V 40ma npn 60 @ 10ma 、8v 11ghz 0.7db @ 900MHz
BT139-600E/DG,127 NXP USA Inc. BT139-600E/DG、127 0.4200
RFQ
 ECAD 2 0.00000000 NXP USA Inc. - バルク アクティブ 125°C （TJ） 穴を通して TO-220-3 TO-220AB ダウンロード ear99 8541.30.0080 713 シングル 45 Ma ロジック -敏感なゲート 600 V 16 a 1.5 v 155a 、170a 10 Ma
BTA204-600F,127 NXP USA Inc. BTA204-600F 、127 -
RFQ
 ECAD 5007 0.00000000 NXP USA Inc. - バルク アクティブ 125°C （TJ） 穴を通して TO-220-3 TO-220AB ダウンロード ROHS3準拠 1 （無制限） 影響を受けていない ear99 8541.30.0080 1 シングル 20 ma 標準 600 V 4 a 1.5 v 25a 、27a 25 Ma
BTA316-800B0,127 NXP USA Inc. BTA316-800B0,127 -
RFQ
 ECAD 5206 0.00000000 NXP USA Inc. - バルク アクティブ 125°C （TJ） 穴を通して TO-220-3 TO-220AB ダウンロード ear99 8541.30.0080 527 シングル 60 Ma 標準 800 V 16 a 1.5 v 140a 、150a 50 Ma
PDTA114TEF,115 NXP USA Inc. pdta114tef 、115 -
RFQ
 ECAD 8225 0.00000000 NXP USA Inc. - テープ＆リール（ tr） 廃止 表面マウント SC-89 、SOT-490 PDTA114 150 MW SC-89 ダウンロード ROHS3準拠 1 （無制限） 影響を受けていない ear99 8541.21.0095 4,000 50 v 100 Ma 1µA pnp-前バイアス 150mv @ 500µa 、10ma 200 @ 1MA 、5V 10 Kohms
2PC1815Y,126 NXP USA Inc. 2PC1815Y、126 -
RFQ
 ECAD 1198 0.00000000 NXP USA Inc. - テープ＆ボックス（ TB） 廃止 150°C （TJ） 穴を通して to-226-3 2PC18 500 MW to-92-3 ダウンロード ROHS3準拠 1 （無制限） 影響を受けていない ear99 8541.21.0095 2,000 50 v 150 Ma 100na（icbo） npn 300MV @ 10MA 、100mA 120 @ 2MA 、6V 80MHz
A2T18S165-12SR3 NXP USA Inc. A2T18S165-12SR3 -
RFQ
 ECAD 3761 0.00000000 NXP USA Inc. - テープ＆リール（ tr） 廃止 65 v シャーシマウント NI-780-2S2L A2T18 1.805GHz1.995GHz ldmos NI-780-2S2L ダウンロード ROHS3準拠 適用できない 影響を受けていない 935316365128 ear99 8541.29.0075 250 10µA 800 Ma 148W 18db - 28 v
SI2304DS,215 NXP USA Inc. SI2304DS 、215 0.1400
RFQ
 ECAD 2 0.00000000 NXP USA Inc. * バルク アクティブ SI2 ダウンロード ROHS3準拠 影響を受けていない ear99 8541.29.0095 3,000
PVR100AZ-B12V,115 NXP USA Inc. PVR100AZ-B12V、115 -
RFQ
 ECAD 3139 0.00000000 NXP USA Inc. - テープ＆リール（ tr） 廃止 150°C （TJ） 表面マウント TO-261-4、TO-261AA PVR10 550 MW SC-73 ダウンロード ROHS3準拠 1 （無制限） 影響を受けていない ear99 8541.21.0095 1,000 45 v 100 Ma 100na（icbo） npn + zener - 160 @ 100MA、1V -
MRF6V12500GSR5 NXP USA Inc. MRF6V12500GSR5 581.4510
RFQ
 ECAD 5990 0.00000000 NXP USA Inc. - テープ＆リール（ tr） アクティブ 110 v 表面マウント NI-780GS-2L MRF6V12500 960MHz〜1.215GHz ldmos NI-780GS-2L - ROHS3準拠 適用できない 影響を受けていない 935326078178 ear99 8541.29.0075 50 200µA 200 ma - 19.7db - 50 v
ON5452,518 NXP USA Inc. on5452,518 -
RFQ
 ECAD 2217 0.00000000 NXP USA Inc. - テープ＆リール（ tr） アクティブ - on5452 - - - - ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない 934063298518 ear99 8541.29.0095 2,000 - - - - -
BZX84-C8V2,215 NXP USA Inc. BZX84-C8V2,215 0.0200
RFQ
 ECAD 7131 0.00000000 NXP USA Inc. aec-q101 バルク アクティブ ±5％ -65°C〜150°C 表面マウント TO-236-3 250 MW SOT-23 ダウンロード ear99 8541.10.0050 12,000 900 mV @ 10 Ma 700 na @ 5 v 8.2 v 15オーム
BZX384-B51,115 NXP USA Inc. BZX384-B51,115 -
RFQ
 ECAD 3114 0.00000000 NXP USA Inc. * バルク アクティブ BZX384 ダウンロード ROHS3準拠 影響を受けていない ear99 8541.10.0050 3,000
BFG410W,135 NXP USA Inc. BFG410W、135 -
RFQ
 ECAD 7089 0.00000000 NXP USA Inc. - テープ＆リール（ tr） 廃止 150°C （TJ） 表面マウント SC-82A 、SOT-343 BFG41 54MW CMPAK-4 ダウンロード ROHS3準拠 1 （無制限） 影響を受けていない 934047460135 ear99 8541.21.0075 10,000 21dB 4.5V 12ma npn 50 @ 10ma 、2v 22GHz 0.9db〜1.2db @ 900MHz〜2GHz
NZH3V6B,115 NXP USA Inc. NZH3V6B 、115 0.0300
RFQ
 ECAD 61 0.00000000 NXP USA Inc. * バルク アクティブ NZH3 ダウンロード ROHS3準拠 影響を受けていない ear99 8541.10.0050 3,000
BC327-40,112 NXP USA Inc. BC327-40,112 -
RFQ
 ECAD 3118 0.00000000 NXP USA Inc. - バルク 廃止 150°C （TJ） 穴を通して to-226-3 BC32 625 MW to-92-3 ダウンロード ROHS3準拠 1 （無制限） 影響を受けていない ear99 8541.21.0095 1,000 45 v 500 Ma 100na（icbo） PNP 700mv @ 50ma 、500ma 250 @ 100MA、1V 80MHz
MRF6V10010NR4 NXP USA Inc. MRF6V10010NR4 94.7400
RFQ
 ECAD 212 0.00000000 NXP USA Inc. - テープ＆リール（ tr） アクティブ 100 V 表面マウント PLD-1.5 MRF6V10010 1.09GHz ldmos PLD-1.5 ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない ear99 8541.29.0075 100 - 10 Ma 10W 25dB - 50 v
BZV90-C4V7,115 NXP USA Inc. BZV90-C4V7,115 -
RFQ
 ECAD 7715 0.00000000 NXP USA Inc. * バルク アクティブ BZV90 ダウンロード ROHS3準拠 影響を受けていない ear99 8541.10.0050 1,000
PSMN004-36B,118 NXP USA Inc. PSMN004-36B 、118 -
RFQ
 ECAD 1460 0.00000000 NXP USA Inc. trenchmos™ テープ＆リール（ tr） 廃止 -55°C〜175°C 表面マウント TO-263-3 psmn0 モスフェット（金属酸化物） d2pak ダウンロード ROHS3準拠 1 （無制限） 影響を受けていない ear99 8541.29.0095 800 nチャネル 36 v 75a（tc） 4.5V 、10V 4mohm @ 25a 、10V 2V @ 1MA 97 NC @ 5 V ±15V 6000 PF @ 20 V - 230W
BZX79-C6V2,143 NXP USA Inc. BZX79-C6V2,143 0.0200
RFQ
 ECAD 160 0.00000000 NXP USA Inc. - バルク アクティブ ±5％ -65°C〜200°C 穴を通して do-204ah do-35 、軸 400 MW ALF2 ダウンロード ear99 8541.10.0050 1 900 mV @ 10 Ma 3 µA @ 4 V 6.2 v 10オーム
BZX84-C15/LF1R NXP USA Inc. BZX84-C15/LF1R -
RFQ
 ECAD 9298 0.00000000 NXP USA Inc. aec-q101 テープ＆リール（ tr） アクティブ ±5％ -65°C〜150°C 表面マウント TO-236-3 BZX84-C15 250 MW SOT-23 ダウンロード ROHS3準拠 1 （無制限） 影響を受けていない 934069441215 ear99 8541.10.0050 3,000 900 mV @ 10 Ma 50 Na @ 10.5 v 15 V 30オーム
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    毎日の平均RFQボリューム

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    標準製品ユニット

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    世界的なメーカー

  • In-stock Warehouse

    15,000 m2

    在庫倉庫

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AD9208BBPZ-3000

196-LFBGA露出パッド

数量：1

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