SIC
close

離散半導体製品（6133）

画像 製品番号 価格（USD） 量 ECAD 利用可能な数量 体重（ kg） MFR シリーズ パッケージ 製品ステータス 許容範囲 電圧 -定格 動作温度 取り付けタイプ パッケージ /ケース 基本製品番号 頻度 テクノロジー パワー -マックス サプライヤーデバイスパッケージ データシート ROHSステータス 水分感度レベル（MSL） ステータスに到達します ECCN htsus 標準パッケージ 構成 スピード フェットタイプ 現在の評価（ amp） 現在-hold（ihmax） 現在 -テスト 電力 -出力 得 電源（ VDSS ）への排水 電流 -連続排水（ID @ @ 25°C ドライブ電圧（最大rds onmin rds on rds on max） @ id vgs vgs ゲートチャージ（ QG VGS （最大） ciss ）（ max @ vds フェット機能 電力散逸（最大） トライアックタイプ 電圧 -状態外 現在 -state（it （rms 電圧 -ゲートトリガー（ vgt ）（最大） 現在 -非担当者サージ50、60Hz 現在 -ゲートトリガー（ Igt ）（最大） 電圧 -状態（ vtm ）（最大） 現在 -State 現在 -オフステート（最大） scrタイプ ノイズ図 ダイオード構成 電圧-DC リバース（ VR ）（最大） 現在 -平均修正（ io ）（ダイオードあたり） 電圧 -フォワード（ vf ）（ max @ if 逆回復時間（ trr） 現在 - @ vr 動作温度 -ジャンクション 現在 -平均修正（ io） 容量 @ vr、f 電圧 -コレクターエミッタの分解（最大） 現在 -コレクター（IC ）（最大） 電圧 -テスト ダイオードタイプ 電圧 -ピークリバース（最大） 現在 -コレクターカットオフ（最大） 電圧zener インピーダンス（最大）（ ZZT） トランジスタタイプ vce 飽和（max @ ib、ic DC電流ゲイン 頻度 -遷移 抵抗 -ベース（r1） 抵抗 -エミッターベース（r2） ノイズフィギュア（DBタイプ @ f） 静電容量比 静電容量比条件 Q @ vr、f
BLF4G10LS-160,112 NXP USA Inc. BLF4G10LS-160,112 -
RFQ
 ECAD 6550 0.00000000 NXP USA Inc. - トレイ 廃止 65 v シャーシマウント SOT-502B BLF4 894.2MHz ldmos SOT502B ダウンロード ROHS3準拠 1 （無制限） 影響を受けていない ear99 8541.29.0075 60 15a 900 Ma 160W 19.7db - 28 v
MRFX1K80HR5 NXP USA Inc. MRFX1K80HR5 204.4600
RFQ
 ECAD 25 0.00000000 NXP USA Inc. - テープ＆リール（ tr） アクティブ 182 v シャーシマウント SOT-979A MRFX1 1.8MHz〜470MHz ldmos NI-1230-4H ダウンロード ROHS3準拠 適用できない 影響を受けていない ear99 8541.29.0075 50 デュアル 10µA 200 ma 1800w 24dB - 65 v
BFG21W,115 NXP USA Inc. BFG21W、115 -
RFQ
 ECAD 5608 0.00000000 NXP USA Inc. - テープ＆リール（ tr） 廃止 150°C （TJ） 表面マウント SC-82A 、SOT-343 BFG21 600MW CMPAK-4 ダウンロード ROHS3準拠 1 （無制限） 影響を受けていない ear99 8541.21.0075 3,000 - 4.5V 500mA npn 40 @ 200ma 、2V 18ghz -
BZX79-B3V0,133 NXP USA Inc. BZX79-B3V0,133 0.0200
RFQ
 ECAD 51 0.00000000 NXP USA Inc. - バルク アクティブ ±2％ -65°C〜200°C 穴を通して do-204ah do-35 、軸 400 MW ALF2 ダウンロード ear99 8541.10.0050 1 900 mV @ 10 Ma 10 µA @ 1 V 3 v 95オーム
BT151-500RT,127 NXP USA Inc. BT151-500RT 、127 0.2500
RFQ
 ECAD 6 0.00000000 NXP USA Inc. - バルク アクティブ -40°C〜125°C 穴を通して TO-220-3 TO-220AB ダウンロード ear99 8541.30.0080 1,180 20 ma 500 V 12.5 a 1.5 v 120a 、132a 15 Ma 1.75 v 8 a 500 µA 標準回復
PDTC123TT,215 NXP USA Inc. PDTC123TT 215 0.0200
RFQ
 ECAD 42 0.00000000 NXP USA Inc. - バルク アクティブ 表面マウント TO-236-3 PDTC123 250 MW SOT-23 ダウンロード ear99 8541.21.0095 1 50 v 100 Ma 1µA npn-バイアス化 150mv @ 500µa 、10ma 30 @ 20MA 、5V 2.2 KOHMS
MRF5S9100NR1 NXP USA Inc. MRF5S9100NR1 -
RFQ
 ECAD 9156 0.00000000 NXP USA Inc. - テープ＆リール（ tr） 廃止 68 v 表面マウント TO-270AB MRF5 880MHz ldmos TO-270 WB-4 ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない ear99 8541.29.0075 500 - 950 Ma 20W 19.5dB - 26 v
BLF4G20LS-130,112 NXP USA Inc. BLF4G20LS-130,112 -
RFQ
 ECAD 8910 0.00000000 NXP USA Inc. - トレイ 廃止 65 v シャーシマウント SOT-502B BLF4 1.93GHz1.99GHz ldmos SOT502B ダウンロード ROHS3準拠 1 （無制限） 影響を受けていない ear99 8541.29.0075 60 15a 900 Ma 130W 14.6db - 28 v
PDTC144VMB315 NXP USA Inc. PDTC144VMB315 0.0200
RFQ
 ECAD 20 0.00000000 NXP USA Inc. * バルク アクティブ ダウンロード ear99 8541.21.0075 1
PDTC123ES,126 NXP USA Inc. PDTC123ES、126 -
RFQ
 ECAD 1267 0.00000000 NXP USA Inc. - テープ＆ボックス（ TB） 廃止 穴を通して to-226-3 PDTC123 500 MW to-92-3 ダウンロード ROHS3準拠 1 （無制限） 影響を受けていない ear99 8541.21.0095 2,000 50 v 100 Ma 1µA npn-バイアス化 150mv @ 500µa 、10ma 30 @ 20MA 、5V 2.2 KOHMS 2.2 KOHMS
PBR941,215 NXP USA Inc. PBR941,215 -
RFQ
 ECAD 1630 0.00000000 NXP USA Inc. - テープ＆リール（ tr） 廃止 175°C （TJ） 表面マウント TO-236-3 PBR94 360MW SOT-23 ダウンロード ROHS3準拠 1 （無制限） 影響を受けていない ear99 8541.21.0075 3,000 - 10V 50ma npn 50 @ 5MA 、6V 8GHz 1.4DB〜2DB @ 1GHz〜2GHz
PHPT61002PYC115 NXP USA Inc. PHPT61002PYC115 -
RFQ
 ECAD 3504 0.00000000 NXP USA Inc. * バルク アクティブ ダウンロード 適用できない 1 （無制限） 未定義のベンダー ear99 8541.29.0075 1,500
BUK7608-55,118 NXP USA Inc. BUK7608-55,118 -
RFQ
 ECAD 4884 0.00000000 NXP USA Inc. Automotive、AEC-Q101 、TrenchMos™ テープ＆リール（ tr） 廃止 -55°C〜175°C 表面マウント TO-263-3 Buk76 モスフェット（金属酸化物） d2pak ダウンロード ROHS3準拠 1 （無制限） 影響を受けていない ear99 8541.29.0095 800 nチャネル 55 v 75a（tc） 10V 8mohm @ 25a 、10V 4V @ 1MA ±16V 4500 PF @ 25 V - 187W
PHD20N06T,118 NXP USA Inc. PhD20N06T 、118 0.2300
RFQ
 ECAD 6334 0.00000000 NXP USA Inc. trenchmos™ バルク アクティブ -55°C〜175°C 表面マウント to-252-3 モスフェット（金属酸化物） dpak ダウンロード ROHS3準拠 1 （無制限） 影響を受けていない ear99 8541.29.0075 1 nチャネル 55 v 18a（tc） 10V 77mohm @ 10a 、10V 4V @ 1MA 11 NC @ 10 V ±20V 422 PF @ 25 V - 51W （TC）
BZX79-C18,143 NXP USA Inc. BZX79-C18,143 0.0200
RFQ
 ECAD 212 0.00000000 NXP USA Inc. * バルク アクティブ BZX79 - ROHS3準拠 影響を受けていない ear99 8541.10.0050 5,000
PMEG045V050EPD146 NXP USA Inc. PMEG045V050EPD146 -
RFQ
 ECAD 3918 0.00000000 NXP USA Inc. * バルク アクティブ ダウンロード 適用できない 1 （無制限） 未定義のベンダー ear99 8541.10.0080 1,500
BZX84-B10,235 NXP USA Inc. BZX84-B10,235 0.0200
RFQ
 ECAD 130 0.00000000 NXP USA Inc. aec-q101 バルク アクティブ ±2％ -65°C〜150°C 表面マウント TO-236-3 250 MW SOT-23 ダウンロード ear99 8541.10.0050 1 900 mV @ 10 Ma 200 Na @ 7 V 10 v 20オーム
PBSS302PZ,135 NXP USA Inc. PBSS302PZ 、135 -
RFQ
 ECAD 9222 0.00000000 NXP USA Inc. * バルク アクティブ PBSS3 ダウンロード ROHS3準拠 影響を受けていない ear99 8541.29.0075 4,000
BZX79-C4V3,143 NXP USA Inc. BZX79-C4V3,143 0.0200
RFQ
 ECAD 199 0.00000000 NXP USA Inc. - バルク アクティブ ±5％ -65°C〜200°C 穴を通して do-204ah do-35 、軸 400 MW ALF2 ダウンロード ear99 8541.10.0050 1 900 mV @ 10 Ma 3 µA @ 1 V 4.3 v 90オーム
MRF7S19080HSR5 NXP USA Inc. MRF7S19080HSR5 -
RFQ
 ECAD 6765 0.00000000 NXP USA Inc. - テープ＆リール（ tr） 廃止 65 v シャーシマウント NI-780S MRF7 1.99GHz ldmos NI-780S ダウンロード ROHS3準拠 1 （無制限） 影響を受けていない ear99 8541.29.0075 50 - 750 Ma 24W 18db - 28 v
MW6S010GMR1 NXP USA Inc. MW6S010GMR1 -
RFQ
 ECAD 8184 0.00000000 NXP USA Inc. - テープ＆リール（ tr） 廃止 68 v 表面マウント TO-270BA MW6S010 960MHz ldmos TO-270-2カモメ ダウンロード ROHS3準拠 1 （無制限） 影響を受けていない ear99 8541.29.0075 500 - 125 Ma 10W 18db - 28 v
BAS321/ZLF NXP USA Inc. BAS321/ZLF -
RFQ
 ECAD 1381 0.00000000 NXP USA Inc. - テープ＆リール（ tr） 廃止 表面マウント SC-76、SOD-323 BAS32 標準 SOD-323 - ROHS3準拠 1 （無制限） 影響を受けていない ear99 8541.10.0070 10,000 高速回復= <500ns 200 v 1.25 V @ 200 mA 50 ns 100 na @ 200 v 150°C （最大） 250ma 2PF @ 0V、1MHz
AFT18S230SR5 NXP USA Inc. AFT18S230SR5 128.1500
RFQ
 ECAD 10 0.00000000 NXP USA Inc. - テープ＆リール（ tr） 廃止 65 v 表面マウント NI-780S-6 AFT18 1.88GHz ldmos NI-780S-6 - ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない 5A991G 8541.29.0095 50 - 1.8 a 50W 19db - 28 v
BZX79-C30,133 NXP USA Inc. BZX79-C30,133 0.0200
RFQ
 ECAD 87 0.00000000 NXP USA Inc. * バルク アクティブ BZX79 - ROHS3準拠 影響を受けていない ear99 8541.10.0050 10,000
PDTA115TT,215 NXP USA Inc. PDTA115TT 、215 -
RFQ
 ECAD 3574 0.00000000 NXP USA Inc. * バルク アクティブ PDTA11 ダウンロード ROHS3準拠 影響を受けていない ear99 8541.21.0095 3,000
BYV42G-200,127 NXP USA Inc. BYV42G-200,127 -
RFQ
 ECAD 4544 0.00000000 NXP USA Inc. - バルク アクティブ 穴を通して To-262-3 Long Leads byv42 標準 i2pak（to-262） ダウンロード ear99 8541.10.0080 1 高速回復= <500ns 1ペア共通カソード 200 v 15a 850 mV @ 15 a 28 ns 100 µA @ 200 V 150°C （最大）
ACT108-600E,126 NXP USA Inc. ACT108-600E、126 0.1700
RFQ
 ECAD 10 0.00000000 NXP USA Inc. - バルク アクティブ 125°C （TJ） 穴を通して to-226-3 to-92-3 ダウンロード ear99 8541.30.0080 1,799 シングル 25 Ma ロジック -敏感なゲート 600 V 800 Ma 1 v 8a 、8.8a 10 Ma
BAV70T,115 NXP USA Inc. bav70t 、115 -
RFQ
 ECAD 1421 0.00000000 NXP USA Inc. - テープ＆リール（ tr） 廃止 表面マウント SC-75、SOT-416 bav70 標準 SC-75 ダウンロード ROHS3準拠 1 （無制限） 影響を受けていない ear99 8541.10.0070 3,000 小さな信号= <200ma（io ）、任意の速度 1ペア共通カソード 100 V 150ma dc） 1.25 V @ 150 MA 4 ns 500 NA @ 80 V 150°C （最大）
MRF19090SR3 NXP USA Inc. MRF19090SR3 -
RFQ
 ECAD 1022 0.00000000 NXP USA Inc. - テープ＆リール（ tr） 廃止 65 v 表面マウント NI-880S MRF19 1.93GHz ldmos NI-880S ダウンロード ROHS3準拠 1 （無制限） 影響を受けていない ear99 8541.21.0075 250 - 750 Ma 90W 11.5dB - 26 v
BB135,135 NXP USA Inc. BB135,135 0.0779
RFQ
 ECAD 6155 0.00000000 NXP USA Inc. - テープ＆リール（ tr） アクティブ -55°C〜125°C（TJ） 表面マウント SC-76、SOD-323 BB135 SOD-323 ダウンロード ROHS3準拠 1 （無制限） 影響を受けていない ear99 8541.10.0070 10,000 2.1pf @ 28V、1MHz シングル 30 V 12 C0.5/C28 -
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    毎日の平均RFQボリューム

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    標準製品ユニット

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    世界的なメーカー

  • In-stock Warehouse

    15,000 m2

    在庫倉庫

RFQリスト（0アイテム）
カートリスト（0アイテム）
Wishlistウィッシュリスト（0アイテム）
SIC
AD9208BBPZ-3000

196-LFBGA露出パッド

数量：1

リストを比較する（0アイテム）
Enterを押して検索するか、ESCを閉じます