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離散半導体製品（6133）
| 画像 | 製品番号 | 価格（USD） | 量 | ECAD | 利用可能な数量 | 体重（ kg） | MFR | シリーズ | パッケージ | 製品ステータス | 許容範囲 | 動作温度 | 取り付けタイプ | パッケージ /ケース | 基本製品番号 | テクノロジー | パワー -マックス | サプライヤーデバイスパッケージ | データシート | ROHSステータス | 水分感度レベル（MSL） | ステータスに到達します | ECCN | htsus | 標準パッケージ | 構成 | スピード | フェットタイプ | 現在-hold（ihmax） | 電源（ VDSS ）への排水 | 電流 -連続排水（ID @ @ 25°C | ドライブ電圧（最大rds onmin rds on | rds on max） @ id vgs | vgs | ゲートチャージ（ QG | VGS （最大） | ciss ）（ max @ vds | フェット機能 | 電力散逸（最大） | トライアックタイプ | 電圧 -状態外 | 現在 -state（it （rms | 電圧 -ゲートトリガー（ vgt ）（最大） | 現在 -非担当者サージ50、60Hz | 現在 -ゲートトリガー（ Igt ）（最大） | ダイオード構成 | 電圧-DC リバース（ VR ）（最大） | 現在 -平均修正（ io ）（ダイオードあたり） | 電圧 -フォワード（ vf ）（ max @ if | 現在 - @ vr | 動作温度 -ジャンクション | 容量 @ vr、f | 電圧 -コレクターエミッタの分解（最大） | 現在 -コレクター（IC ）（最大） | ダイオードタイプ | 電圧 -ピークリバース（最大） | 現在 -コレクターカットオフ（最大） | 電圧zener | インピーダンス（最大）（ ZZT） | トランジスタタイプ | vce 飽和（max @ ib、ic | DC電流ゲイン | 頻度 -遷移 | 抵抗 -ベース（r1） | 抵抗 -エミッターベース（r2） | 静電容量比 | 静電容量比条件 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 | BZX84-C5V6,235 | 0.0200 |  | 73 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | * | バルク | アクティブ | BZX84 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0050 | 10,000 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | nzx2v4b、133 | 0.0200 | | 134 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | * | バルク | アクティブ | NZX2 | - | ROHS3準拠 | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0050 | 10,000 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | PHB21N06LT 、118 | 0.3700 | | 978 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | trenchmos™ | バルク | アクティブ | -55°C〜175°C | 表面マウント | TO-263-3 | モスフェット（金属酸化物） | d2pak | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 （無制限） | 影響を受けていない | ear99 | 8541.29.0075 | 1 | nチャネル | 55 v | 19a（tc） | 5V、10V | 70mohm @ 10a 、10V | 2V @ 1MA | 9.4 NC @ 5 V | ±15V | 650 PF @ 25 V | - | 56W （TC） | |||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | PZU16B3,115 | - | | 3131 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | * | バルク | アクティブ | PZU16 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0050 | 3,000 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | PDZ27B 、115 | - | | 5041 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | * | バルク | アクティブ | PDZ27 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0050 | 3,000 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| BFS20,215 | - | | 2658 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | * | バルク | アクティブ | BFS20 | - | ROHS3準拠 | 影響を受けていない | ear99 | 8541.29.0095 | 3,000 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | BCW31,215 | 0.0300 | | 42 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | aec-q101 | バルク | アクティブ | 150°C （TJ） | 表面マウント | TO-236-3 | 250 MW | SOT-23 | ダウンロード | 0000.00.0000 | 11,493 | 32 v | 100 Ma | 100na（icbo） | npn | 210MV @ 2.5MA 、50MA | 110 @ 2MA 、5V | 100MHz | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | BB156135 | 0.2800 | | 7 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | - | バルク | アクティブ | -55°C〜125°C（TJ） | 表面マウント | SC-76、SOD-323 | SOD-323 | ダウンロード | ear99 | 8541.10.0070 | 1 | 5.4pf @ 7.5V、1MHz | シングル | 10 v | 3.9 | C1/C7.5 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | BB181 | - | | 6212 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | * | バルク | アクティブ | ダウンロード | 0000.00.0000 | 1 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| BUK765R2-40B 、118 | 0.7900 | | 13 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | Automotive、AEC-Q101 、TrenchMos™ | バルク | アクティブ | -55°C〜175°C | 表面マウント | TO-263-3 | モスフェット（金属酸化物） | d2pak | ダウンロード | ear99 | 8541.29.0095 | 379 | nチャネル | 40 v | 75a（tc） | 10V | 5.2mohm @ 25a 、10V | 4V @ 1MA | 52 NC @ 10 V | ±20V | 3789 PF @ 25 V | - | 203W | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | BZX79-C3V6,113 | 0.0200 | | 220 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | - | バルク | アクティブ | ±5％ | -65°C〜200°C | 穴を通して | do-204ah do-35 、軸 | 400 MW | ALF2 | ダウンロード | ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 900 mV @ 10 Ma | 5 µA @ 1 V | 3.6 v | 90オーム | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | PDTA123EMB 315 | 0.0300 | | 139 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | - | バルク | アクティブ | 表面マウント | SC-101 、SOT-883 | PDTA123 | 250 MW | DFN1006B-3 | ダウンロード | ear99 | 8541.21.0075 | 1 | 50 v | 100 Ma | 1µA | pnp-前バイアス | 150mv @ 500µa 、10ma | 30 @ 20MA 、5V | 180 MHz | 2.2 KOHMS | 2.2 KOHMS | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | BZT52-C33115 | 1.0000 | | 3831 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | BZT52 | バルク | アクティブ | ±6.06％ | 150°C （TJ） | 表面マウント | SOD-123 | BZT52 | 350 MW | SOD-123 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 （無制限） | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 900 mV @ 10 Ma | 50 Na @ 23.1 v | 33 v | 40オーム | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | PMEG6002TV 、115 | - | | 6226 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | - | バルク | アクティブ | 表面マウント | SOT-563、SOT-666 | PMEG6002 | ショットキー | SOT-666 | ダウンロード | ear99 | 8541.10.0070 | 1 | 小さな信号= <200ma（io ）、任意の速度 | 2独立 | 60 V | 200MA （DC） | 600 mV @ 200 mA | 100 µA @ 60 V | 150°C （最大） | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| NZX33A 、133 | 0.0200 | | 60 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | * | バルク | アクティブ | NZX3 | - | ROHS3準拠 | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0050 | 10,000 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| pemb1,115 | 0.0400 | | 62 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | - | バルク | アクティブ | 表面マウント | SOT-563、SOT-666 | pemb1 | 300MW | SOT-666 | ダウンロード | ear99 | 8541.21.0095 | 1 | 50V | 100mA | 1µA | 2 pnp- バイアス（デュアル） | 150mv @ 500µa 、10ma | 60 @ 5MA 、5V | - | 22kohms | 22kohms | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| PEMD3,315 | - | | 7626 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | - | バルク | アクティブ | 表面マウント | SOT-563、SOT-666 | PEMD3 | 300MW | SOT-666 | ダウンロード | ear99 | 8541.21.0095 | 1 | 50V | 100mA | 1µA | 1 npn、1 pnp- バイアス前（デュアル） | 150mv @ 500µa 、10ma | 30 @ 5MA 、5V | - | 10kohms | 10kohms | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | BTA212-800B 、127 | 0.4500 | | 2 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | - | バルク | アクティブ | 125°C （TJ） | 穴を通して | TO-220-3 | TO-220AB | ダウンロード | ear99 | 8541.30.0080 | 481 | シングル | 60 Ma | 標準 | 800 V | 12 a | 1.5 v | 95a 、105a | 50 Ma | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | BZT52H-C2V7,115 | 0.0200 | | 150 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | * | バルク | アクティブ | BZT52 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0050 | 3,000 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | BZX585-B5V1,135 | 1.0000 | | 4600 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | - | バルク | アクティブ | ±2％ | -65°C〜150°C | 表面マウント | SC-79、SOD-523 | 300 MW | SOD-523 | ダウンロード | ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.1 V @ 100 MA | 2 µA @ 2 V | 5.1 v | 60オーム | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | BZX585-B30,115 | - | | 7758 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | * | バルク | アクティブ | BZX585 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0050 | 3,000 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| BZX84-B16,215 | 0.0200 | | 78 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | * | バルク | アクティブ | BZX84 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0050 | 3,000 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| BZX79-C4V3,133 | 0.0200 | | 54 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | * | バルク | アクティブ | BZX79 | - | ROHS3準拠 | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0050 | 10,000 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | BC846DS | 1.0000 | | 5637 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | * | バルク | アクティブ | ダウンロード | 0000.00.0000 | 1 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| BZT52H-C43,115 | 0.0200 | | 31 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | * | バルク | アクティブ | BZT52 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0050 | 3,000 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | BZV49-C10,115 | 0.1800 | | 2 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | * | バルク | アクティブ | BZV49 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0050 | 1,000 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| BZV55-C2V7,115 | - | | 9353 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | * | バルク | アクティブ | BZV55 | - | ROHS3準拠 | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0050 | 2,500 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| BZB84-C20,215 | 0.0200 | | 29 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | - | バルク | アクティブ | ±5％ | - | 表面マウント | TO-236-3 | 300 MW | SOT-23 | ダウンロード | ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1ペア共通アノード | 900 mV @ 10 Ma | 50 Na @ 14 V | 20 v | 55オーム | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| BZV90-C51115 | - | | 7283 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | * | バルク | アクティブ | ダウンロード | 0000.00.0000 | 1 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | BZV90-C9V1,115 | - | | 9630 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | * | バルク | アクティブ | BZV90 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0050 | 1,000 |
2000+
毎日の平均RFQボリューム
30,000,000
標準製品ユニット
2800+
世界的なメーカー
15,000 m2
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