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離散半導体製品（6133）

画像 製品番号 価格（USD） 量 ECAD 利用可能な数量 体重（ kg） MFR シリーズ パッケージ 製品ステータス 許容範囲 動作温度 取り付けタイプ パッケージ /ケース 基本製品番号 テクノロジー パワー -マックス サプライヤーデバイスパッケージ データシート ROHSステータス ステータスに到達します ECCN htsus 標準パッケージ 構成 フェットタイプ 現在-hold（ihmax） 電源（ VDSS ）への排水 電流 -連続排水（ID @ @ 25°C ドライブ電圧（最大rds onmin rds on rds on max） @ id vgs vgs ゲートチャージ（ QG VGS （最大） ciss ）（ max @ vds フェット機能 電力散逸（最大） トライアックタイプ 電圧 -状態外 現在 -state（it （rms 電圧 -ゲートトリガー（ vgt ）（最大） 現在 -非担当者サージ50、60Hz 現在 -ゲートトリガー（ Igt ）（最大） 電圧 -フォワード（ vf ）（ max @ if 現在 - @ vr 電圧 -コレクターエミッタの分解（最大） 現在 -コレクター（IC ）（最大） 現在 -コレクターカットオフ（最大） 電圧zener インピーダンス（最大）（ ZZT） トランジスタタイプ vce 飽和（max @ ib、ic DC電流ゲイン 頻度 -遷移
BC807-40,235 NXP USA Inc. BC807-40,235 -
RFQ
 ECAD 2638 0.00000000 NXP USA Inc. aec-q101 バルク アクティブ 150°C （TJ） 表面マウント TO-236-3 250 MW SOT-23 ダウンロード 0000.00.0000 1 45 v 500 Ma 100na（icbo） PNP 700mv @ 50ma 、500ma 250 @ 100MA、1V 80MHz
BZX384-B2V7,115 NXP USA Inc. BZX384-B2V7,115 0.0200
RFQ
 ECAD 5773 0.00000000 NXP USA Inc. * バルク アクティブ BZX384 - ROHS3準拠 影響を受けていない ear99 8541.10.0050 3,000
BZX84J-C36,115 NXP USA Inc. BZX84J-C36,115 -
RFQ
 ECAD 6221 0.00000000 NXP USA Inc. * バルク アクティブ BZX84 ダウンロード ROHS3準拠 影響を受けていない ear99 8541.10.0050 3,000
BZT52H-C62,115 NXP USA Inc. BZT52H-C62,115 -
RFQ
 ECAD 9309 0.00000000 NXP USA Inc. * バルク アクティブ BZT52 - ROHS3準拠 影響を受けていない ear99 8541.10.0050 3,000
PZU15B,115 NXP USA Inc. PZU15B 、115 0.0300
RFQ
 ECAD 48 0.00000000 NXP USA Inc. * バルク アクティブ PZU15 ダウンロード ROHS3準拠 影響を受けていない ear99 8541.10.0050 3,000
PZU14B2,115 NXP USA Inc. PZU14B2,115 -
RFQ
 ECAD 1631 0.00000000 NXP USA Inc. * バルク アクティブ PZU14 ダウンロード ROHS3準拠 影響を受けていない ear99 8541.10.0050 3,000
PZU2.7B1A115 NXP USA Inc. PZU2.7B1A115 0.0200
RFQ
 ECAD 4989 0.00000000 NXP USA Inc. * バルク アクティブ ダウンロード ear99 8541.10.0050 8,950
PBLS2021D,115 NXP USA Inc. PBLS2021D 、115 -
RFQ
 ECAD 5929 0.00000000 NXP USA Inc. * バルク アクティブ PBLS20 ダウンロード ROHS3準拠 影響を受けていない ear99 8541.29.0095 3,000
PHD13005,127 NXP USA Inc. PhD13005,127 0.1900
RFQ
 ECAD 5 0.00000000 NXP USA Inc. * バルク アクティブ PhD13 ダウンロード ROHS3準拠 影響を受けていない ear99 8541.29.0095 1,000
PMST5089,115 NXP USA Inc. PMST5089,115 0.0200
RFQ
 ECAD 21 0.00000000 NXP USA Inc. * バルク アクティブ PMST5 ダウンロード ROHS3準拠 影響を受けていない ear99 8541.21.0075 3,000
PZU15B1A,115 NXP USA Inc. PZU15B1A 、115 0.0300
RFQ
 ECAD 12 0.00000000 NXP USA Inc. - バルク アクティブ ±2％ -55°C〜150°C 表面マウント SC-76、SOD-323 320 MW SOD-323 ダウンロード ear99 8541.10.0050 12,000 1.1 V @ 100 MA 50 na @ 11 v 15 V 15オーム
PBSS305NZ,135 NXP USA Inc. PBSS305NZ 、135 -
RFQ
 ECAD 4669 0.00000000 NXP USA Inc. * バルク アクティブ PBSS3 ダウンロード ROHS3準拠 影響を受けていない ear99 8541.29.0075 4,000
PMBS3906,235 NXP USA Inc. PMBS3906,235 0.0200
RFQ
 ECAD 38 0.00000000 NXP USA Inc. aec-q101 バルク アクティブ 150°C （TJ） 表面マウント TO-236-3 250 MW SOT-23 ダウンロード ear99 8541.21.0075 1 40 v 100 Ma 50na（icbo） PNP 400mv @ 5ma 、50ma 100 @ 10ma、1V 150MHz
PSMN3R5-80PS NXP USA Inc. psmn3r5-80ps -
RFQ
 ECAD 4544 0.00000000 NXP USA Inc. * バルク アクティブ ダウンロード ear99 8541.29.0095 1
BUK765R3-40E,118 NXP USA Inc. BUK765R3-40E 、118 -
RFQ
 ECAD 3258 0.00000000 NXP USA Inc. Automotive、AEC-Q101 、TrenchMos™ バルク アクティブ -55°C〜175°C 表面マウント TO-263-3 モスフェット（金属酸化物） d2pak ダウンロード ear99 8541.29.0095 1 nチャネル 40 v 75a（tc） 10V 4.9mohm @ 25a 、10V 4V @ 1MA 35.5 NC @ 10 V ±20V 2772 PF @ 25 V - 137W
BZX79-C56133 NXP USA Inc. BZX79-C56133 1.0000
RFQ
 ECAD 9093 0.00000000 NXP USA Inc. * バルク アクティブ ダウンロード ear99 8541.10.0050 1
2PD601ARL,215 NXP USA Inc. 2PD601ARL 、215 0.0200
RFQ
 ECAD 741 0.00000000 NXP USA Inc. * バルク アクティブ 2PD60 ダウンロード ROHS3準拠 影響を受けていない ear99 8541.21.0075 3,000
BZX84-B43,215 NXP USA Inc. BZX84-B43,215 0.0200
RFQ
 ECAD 29 0.00000000 NXP USA Inc. aec-q101 バルク アクティブ ±2％ -65°C〜150°C 表面マウント TO-236-3 250 MW SOT-23 ダウンロード ear99 8541.10.0050 1 900 mV @ 10 Ma 50 Na @ 30.1 v 43 v 150オーム
BZX84-B4V3,215 NXP USA Inc. BZX84-B4V3,215 -
RFQ
 ECAD 7220 0.00000000 NXP USA Inc. * バルク アクティブ BZX84 ダウンロード ROHS3準拠 影響を受けていない ear99 8541.10.0050 3,000
BZX585-C47,115 NXP USA Inc. BZX585-C47,115 -
RFQ
 ECAD 7188 0.00000000 NXP USA Inc. * バルク アクティブ BZX585 - ROHS3準拠 影響を受けていない ear99 8541.10.0050 3,000
BZX79-B10,113 NXP USA Inc. BZX79-B10,113 -
RFQ
 ECAD 6791 0.00000000 NXP USA Inc. * バルク アクティブ BZX79 - ROHS3準拠 影響を受けていない ear99 8541.10.0050 10,000
BYV32E-100,127 NXP USA Inc. BYV32E-100,127 0.5400
RFQ
 ECAD 12 0.00000000 NXP USA Inc. * バルク アクティブ byv32 ダウンロード ROHS3準拠 影響を受けていない ear99 8541.10.0080 1,000
PZU5.6B3A115 NXP USA Inc. PZU5.6B3A115 -
RFQ
 ECAD 7245 0.00000000 NXP USA Inc. * バルク アクティブ ダウンロード ear99 8541.10.0050 1
BZX79-B30,133 NXP USA Inc. BZX79-B30,133 0.0200
RFQ
 ECAD 48 0.00000000 NXP USA Inc. - バルク アクティブ ±2％ -65°C〜200°C 穴を通して do-204ah do-35 、軸 400 MW ALF2 ダウンロード ear99 8541.10.0050 1 900 mV @ 10 Ma 50 Na @ 21 V 30 V 80オーム
BZB84-B75,215 NXP USA Inc. BZB84-B75,215 0.0300
RFQ
 ECAD 77 0.00000000 NXP USA Inc. - バルク アクティブ ±2％ - 表面マウント TO-236-3 300 MW SOT-23 ダウンロード ear99 8541.10.0050 11,823 1ペア共通アノード 900 mV @ 10 Ma 50 Na @ 52.5 v 75 v 255オーム
BUJ403A/DG,127 NXP USA Inc. buj403a/dg、127 0.3800
RFQ
 ECAD 2 0.00000000 NXP USA Inc. - バルク アクティブ 150°C （TJ） 穴を通して TO-220-3 100 W TO-220AB ダウンロード ear99 8541.29.0095 760 550 V 6 a 100µA npn 1V @ 400MA 、2a 20 @ 500MA 、5V -
BAV170QA147 NXP USA Inc. bav170qa147 0.0300
RFQ
 ECAD 164 0.00000000 NXP USA Inc. * バルク アクティブ ダウンロード ear99 8541.10.0070 1
1PS70SB86,115 NXP USA Inc. 1PS70SB86,115 0.1000
RFQ
 ECAD 234 0.00000000 NXP USA Inc. * バルク アクティブ 1ps70 ダウンロード ROHS3準拠 影響を受けていない ear99 8541.10.0070 3,000
BCM856DS,115 NXP USA Inc. BCM856DS 、115 0.0700
RFQ
 ECAD 9281 0.00000000 NXP USA Inc. * バルク アクティブ BCM85 - ROHS3準拠 影響を受けていない ear99 8541.21.0075 3,000
BTA204-600E,127 NXP USA Inc. BTA204-600E、127 0.2700
RFQ
 ECAD 3 0.00000000 NXP USA Inc. - バルク アクティブ 125°C （TJ） 穴を通して TO-220-3 TO-220AB ダウンロード ear99 8541.30.0080 1,110 シングル 12 Ma ロジック -敏感なゲート 600 V 4 a 1.5 v 25a 、27a 10 Ma
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    毎日の平均RFQボリューム

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    標準製品ユニット

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    世界的なメーカー

  • In-stock Warehouse

    15,000 m2

    在庫倉庫

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