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離散半導体製品（6133）
| 画像 | 製品番号 | 価格（USD） | 量 | ECAD | 利用可能な数量 | 体重（ kg） | MFR | シリーズ | パッケージ | 製品ステータス | 許容範囲 | 動作温度 | 取り付けタイプ | パッケージ /ケース | 基本製品番号 | テクノロジー | パワー -マックス | サプライヤーデバイスパッケージ | データシート | ROHSステータス | ステータスに到達します | ECCN | htsus | 標準パッケージ | 構成 | スピード | フェットタイプ | 現在-hold（ihmax） | 電源（ VDSS ）への排水 | 電流 -連続排水（ID @ @ 25°C | ドライブ電圧（最大rds onmin rds on | rds on max） @ id vgs | vgs | ゲートチャージ（ QG | VGS （最大） | ciss ）（ max @ vds | フェット機能 | 電力散逸（最大） | トライアックタイプ | 電圧 -状態外 | 現在 -state（it （rms | 電圧 -ゲートトリガー（ vgt ）（最大） | 現在 -非担当者サージ50、60Hz | 現在 -ゲートトリガー（ Igt ）（最大） | 電圧 -状態（ vtm ）（最大） | 現在 -State | 現在 -オフステート（最大） | scrタイプ | ダイオード構成 | 電圧-DC リバース（ VR ）（最大） | 現在 -平均修正（ io ）（ダイオードあたり） | 電圧 -フォワード（ vf ）（ max @ if | 逆回復時間（ trr） | 現在 - @ vr | 動作温度 -ジャンクション | 現在 -平均修正（ io） | 容量 @ vr、f | 電圧 -コレクターエミッタの分解（最大） | 現在 -コレクター（IC ）（最大） | 現在 -コレクターカットオフ（最大） | 電圧zener | インピーダンス（最大）（ ZZT） | トランジスタタイプ | vce 飽和（max @ ib、ic | DC電流ゲイン | 頻度 -遷移 | 抵抗 -ベース（r1） | 抵抗 -エミッターベース（r2） |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 | PBSS4260PAN | 1.0000 |  | 4486 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | * | バルク | アクティブ | ダウンロード | 0000.00.0000 | 1 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | PSMN041-80yl115 | 1.0000 | | 3638 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | * | バルク | アクティブ | ダウンロード | 0000.00.0000 | 1 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | BT151U-800C、 127 | - | | 4051 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | - | バルク | アクティブ | -40°C〜125°C | 穴を通して | to-251-3 | i-pak | ダウンロード | ear99 | 8541.30.0080 | 1 | 20 ma | 800 V | 12 a | 1.5 v | 100a 、110a | 15 Ma | 1.75 v | 7.5 a | 500 µA | 標準回復 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | PDTC143EMB315 | 0.0300 | | 119 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | * | バルク | アクティブ | ダウンロード | ear99 | 8541.21.0075 | 1 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| PBSS5130PAP 、115 | - | | 8857 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | - | バルク | アクティブ | 150°C （TJ） | 表面マウント | 6-ufdfn露出パッド | PBSS5130 | 510MW | 6-HUSON （2x2） | ダウンロード | ear99 | 8541.29.0075 | 1 | 30V | 1a | 100na（icbo） | 2 PNP （デュアル） | 280mv @ 50ma、1a | 170 @ 500MA 、2V | 125MHz | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| PDTC144WMB 、315 | 0.0300 | | 150 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | - | バルク | アクティブ | 表面マウント | SC-101 、SOT-883 | PDTC144 | 250 MW | DFN1006B-3 | ダウンロード | ear99 | 8541.21.0075 | 1 | 50 v | 100 Ma | 1µA | npn-バイアス化 | 150mv @ 500µa 、10ma | 60 @ 5MA 、5V | 230 MHz | 47 Kohms | 22 Kohms | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | BZV55-B15,115 | - | | 8767 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | * | バルク | アクティブ | BZV55 | - | ROHS3準拠 | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0050 | 2,500 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | BAT54S 、235 | 0.0200 | | 6647 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | aec-q101 | バルク | アクティブ | 表面マウント | TO-236-3 | BAT54 | ショットキー | SOT-23 | ダウンロード | ear99 | 8541.10.0070 | 7,900 | 小さな信号= <200ma（io ）、任意の速度 | 1ペアシリーズ接続 | 30 V | 200MA （DC） | 800 mV @ 100 Ma | 5 ns | 2 µA @ 25 V | 150°C （最大） | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | 2PD1820AS 115 | 0.0300 | | 16 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | aec-q101 | バルク | アクティブ | 150°C （TJ） | 表面マウント | SC-70、SOT-323 | 200 MW | SOT-323 | ダウンロード | ear99 | 8541.21.0075 | 10,724 | 50 v | 500 Ma | 10na （icbo） | npn | 600MV @ 30MA、300MA | 170 @ 150ma 、10V | 150MHz | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| PZU3.0B2A115 | 1.0000 | | 5060 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | * | バルク | アクティブ | ダウンロード | 0000.00.0000 | 1 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | pemb11,115 | - | | 3258 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | * | バルク | アクティブ | pemb1 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 影響を受けていない | ear99 | 8541.21.0095 | 4,000 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | BZX84-B22,215 | 0.0200 | | 154 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | * | バルク | アクティブ | BZX84 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0050 | 3,000 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | BZX585-B7V5135 | - | | 6405 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | * | バルク | アクティブ | ダウンロード | ear99 | 8541.10.0050 | 1 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| buk9y14-40b 、115 | - | | 1516 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | Automotive、AEC-Q101 、TrenchMos™ | バルク | アクティブ | -55°C〜175°C | 表面マウント | SC-100 、SOT-669 | モスフェット（金属酸化物） | LFPAK56 、POWER-SO8 | ダウンロード | ear99 | 8541.29.0095 | 1 | nチャネル | 40 v | 56a（tc） | 5V | 11mohm @ 20a 、10V | 2V @ 1MA | 21 NC @ 5 V | ±15V | 1800 pf @ 25 v | - | 85W | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | 1PS66SB82115 | 0.0800 | | 97 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | * | バルク | アクティブ | 1ps66 | ダウンロード | ear99 | 8541.10.0070 | 1 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | bav170m315 | 0.0200 | | 480 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | * | バルク | アクティブ | ダウンロード | ear99 | 8541.10.0070 | 1 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | BT131-600,116 | 0.1200 | | 7 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | - | バルク | アクティブ | 125°C （TJ） | 穴を通して | to-226-3 | to-92-3 | ダウンロード | ear99 | 8541.30.0080 | 2,404 | シングル | 5 Ma | ロジック -敏感なゲート | 600 V | 1 a | 1.5 v | 12.5a、13.8a | 3 Ma | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | BZB984-C11,115 | 0.0400 | | 209 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | - | バルク | アクティブ | ±5％ | - | 表面マウント | SOT-663 | 265 MW | SOT-663 | ダウンロード | ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1ペア共通アノード | 900 mV @ 10 Ma | 100 Na @ 8 V | 11 v | 10オーム | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | BTA312X-800B 、127 | 0.5200 | | 5 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | - | バルク | アクティブ | 125°C （TJ） | 穴を通して | TO-220-3 フルパック、分離タブ | TO-220F | ダウンロード | ear99 | 8541.30.0080 | 577 | シングル | 60 Ma | 標準 | 800 V | 12 a | 1.5 v | 95a 、105a | 50 Ma | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | BZX585-C4V7,115 | - | | 5880 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | * | バルク | アクティブ | BZX585 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0050 | 3,000 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| BTA2008-800E 、412 | 0.1600 | | 9 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | - | バルク | アクティブ | 125°C （TJ） | 穴を通して | to-226-3 | to-92-3 | ダウンロード | ear99 | 8541.30.0080 | 1,847 | シングル | 12 Ma | ロジック -敏感なゲート | 800 V | 800 Ma | 2 v | 9a 、10a | 10 Ma | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| BB208-03 | 1.0000 | | 7378 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | * | バルク | アクティブ | ダウンロード | 0000.00.0000 | 1 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| BZX585-C11,135 | - | | 2201 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | - | バルク | アクティブ | ±5％ | -65°C〜150°C | 表面マウント | SC-79、SOD-523 | 300 MW | SOD-523 | ダウンロード | ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.1 V @ 100 MA | 100 µA @ 8 V | 11 v | 10オーム | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | PZU7.5B1,115 | - | | 5301 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | * | バルク | アクティブ | PZU7.5 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0050 | 3,000 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | PBLS4001Y 、115 | 0.0700 | | 345 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | * | バルク | アクティブ | PBLS40 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 影響を受けていない | ear99 | 8541.21.0075 | 3,000 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| BZX585-C2V7,115 | 0.0300 | | 99 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | - | バルク | アクティブ | ±5％ | -65°C〜150°C | 表面マウント | SC-79、SOD-523 | 300 MW | SOD-523 | ダウンロード | ear99 | 8541.10.0050 | 10,764 | 1.1 V @ 100 MA | 20 µA @ 1 V | 2.7 v | 100オーム | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | byc8dx-600,127 | 0.4100 | | 4 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | - | バルク | アクティブ | 穴を通して | TO-220-2フルパック | 標準 | TO-220F | ダウンロード | ear99 | 8541.10.0080 | 740 | 高速回復= <500ns | 600 V | 2.9 V @ 8 a | 20 ns | 40 µA @ 600 V | 150°C （最大） | 8a | - | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | NZX12D133 | 0.0200 | | 8309 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | * | バルク | アクティブ | ダウンロード | ear99 | 8541.10.0050 | 10,840 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | buk969r3-100e、118 | 1.1100 | | 8475 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | Automotive、AEC-Q101 、TrenchMos™ | バルク | アクティブ | -55°C〜175°C | 表面マウント | TO-263-3 | モスフェット（金属酸化物） | d2pak | ダウンロード | ear99 | 8541.29.0095 | 1 | nチャネル | 100 V | 100a（tc） | 5V、10V | 8.9mohm @ 25a 、10V | 2.1V @ 1MA | 94.3 NC @ 5 V | ±10V | 11650 PF @ 25 V | - | 263W | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| BZX384-C2V7,115 | 0.0200 | | 5558 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | * | バルク | アクティブ | BZX384 | - | ROHS3準拠 | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0050 | 3,000 |
2000+
毎日の平均RFQボリューム
30,000,000
標準製品ユニット
2800+
世界的なメーカー
15,000 m2
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