RFQ
ボム
お問い合わせ

Tel： +86-0755-83501315

メール：sales@sic-components.com

サインイン

日本語

離散半導体製品（6133）

製品番号	価格（USD）	量	利用可能な数量	MFR	シリーズ	パッケージ	製品ステータス	許容範囲	動作温度	取り付けタイプ	パッケージ /ケース	基本製品番号	テクノロジー	パワー -マックス	サプライヤーデバイスパッケージ	データシート	ROHSステータス	水分感度レベル（MSL）	ステータスに到達します	ECCN	htsus	標準パッケージ	構成	スピード	フェットタイプ	現在-hold（ihmax）	電源（ VDSS ）への排水	電流 -連続排水（ID @ @ 25°C	ドライブ電圧（最大rds onmin rds on	rds on max） @ id vgs	vgs	ゲートチャージ（ QG	VGS （最大）	ciss ）（ max @ vds	フェット機能	電力散逸（最大）	電圧 -状態外	現在 -state（it （rms	電圧 -ゲートトリガー（ vgt ）（最大）	現在 -非担当者サージ50、60Hz	現在 -ゲートトリガー（ Igt ）（最大）	電圧 -状態（ vtm ）（最大）	現在 -State	現在 -オフステート（最大）	scrタイプ	電圧-DC リバース（ VR ）（最大）	電圧 -フォワード（ vf ）（ max @ if	現在 - @ vr	動作温度 -ジャンクション	現在 -平均修正（ io）	容量 @ vr、f	電圧 -コレクターエミッタの分解（最大）	現在 -コレクター（IC ）（最大）	現在 -コレクターカットオフ（最大）	電圧zener	インピーダンス（最大）（ ZZT）	トランジスタタイプ	vce 飽和（max @ ib、ic	DC電流ゲイン	頻度 -遷移	抵抗 -ベース（r1）	抵抗 -エミッターベース（r2）
BC53-16PA 、115	-	RFQ	8453	NXP USA Inc.	-	バルク	アクティブ		150°C （TJ）	表面マウント	3-powerudfn	BC53		420 MW	3-HUSON （2x2）	ダウンロード					0000.00.0000	1																														80 v	1 a	100na（icbo）			PNP	500MV @ 50MA 、500MA	63 @ 150MA 、2V	145MHz
BZX585-B4V3,115	-	RFQ	3051	NXP USA Inc.	-	バルク	アクティブ	±2％	-65°C〜150°C	表面マウント	SC-79、SOD-523			300 MW	SOD-523	ダウンロード				ear99	8541.10.0050	1																									1.1 V @ 100 MA	3 µA @ 1 V							4.3 v	90オーム
BZX585-C15135	-	RFQ	6479	NXP USA Inc.	aec-q101	バルク	アクティブ	±5％	-65°C〜150°C	表面マウント	SC-79、SOD-523			300 MW	SOD-523	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない	ear99	8541.10.0070	1																									1.1 V @ 100 MA	50 Na @ 10.5 v							15 V	15オーム
PMEG3005EB115	-	RFQ	9127	NXP USA Inc.	-	バルク	アクティブ			表面マウント	SC-79、SOD-523	PMEG3005	ショットキー		SOD-523	ダウンロード				ear99	8541.10.0070	1		高速回復= <500ns																						30 V	500 mV @ 500 Ma	500 µA @ 30 V	150°C （最大）	500mA	30pf @ 1V、1MHz
EC103D1,116	1.0000	RFQ	3613	NXP USA Inc.	-	バルク	アクティブ		-	穴を通して	to-226-3				to-92-3	ダウンロード				ear99	8541.30.0080	1				5 Ma											400 V	800 Ma	800 mv	8a 、9a	12 µA	1.35 v	500 Ma	100 µA	敏感なゲート
PhD13003C、126	0.0600	RFQ	22	NXP USA Inc.	*	バルク	アクティブ					PhD13				ダウンロード	ROHS3準拠		影響を受けていない	ear99	8541.29.0095	2,000
PZU12B 、115	-	RFQ	4309	NXP USA Inc.	*	バルク	アクティブ					PZU12				ダウンロード	ROHS3準拠		影響を受けていない	ear99	8541.10.0050	3,000
PBRP113ZT 、215	0.0400	RFQ	21	NXP USA Inc.	-	バルク	アクティブ			表面マウント	TO-236-3	PBRP113		250 MW	SOT-23	ダウンロード				ear99	8541.21.0095	8,362																														40 v	600 Ma	500na			pnp-前バイアス	750mv @ 6ma 、600ma	230 @ 300MA 、5V		1 KOHMS	10 Kohms
BZV55-B43,115	-	RFQ	8000	NXP USA Inc.	*	バルク	アクティブ					BZV55				-	ROHS3準拠		影響を受けていない	ear99	8541.10.0050	2,500
2PB709ART 、215	0.0200	RFQ	366	NXP USA Inc.	aec-q101	バルク	アクティブ		150°C （TJ）	表面マウント	TO-236-3			250 MW	SOT-23	ダウンロード				ear99	8541.21.0095	1																														45 v	100 Ma	10na （icbo）			PNP	500MV @ 10MA 、100mA	210 @ 2MA 、10V	70MHz
BZB784-C2V4,115	0.0300	RFQ	23	NXP USA Inc.	*	バルク	アクティブ					BZB784				-	ROHS3準拠		影響を受けていない	ear99	8541.10.0050	3,000
NZX15B133	0.0200	RFQ	157	NXP USA Inc.	*	バルク	アクティブ									ダウンロード				ear99	8541.10.0050	1
PSMN7R8-120PSQ	-	RFQ	2412	NXP USA Inc.	-	バルク	アクティブ		-55°C〜175°C	穴を通して	To-262-3 Long Leads		モスフェット（金属酸化物）		i2pak	ダウンロード				ear99	8541.29.0095	177			nチャネル		120 v	70a	10V	7.9mohm @ 25a 、10V	4V @ 1MA	167 NC @ 10 V	±20V	9473 PF @ 60 V	-	349W
BAT86,113	0.0800	RFQ	21	NXP USA Inc.	*	バルク	アクティブ					BAT86				ダウンロード	ROHS3準拠		影響を受けていない	ear99	8541.10.0070	10,000
BZX79-B68,133	0.0200	RFQ	119	NXP USA Inc.	-	バルク	アクティブ	±2％	-65°C〜200°C	穴を通して	do-204ah do-35 、軸			400 MW	ALF2	ダウンロード				ear99	8541.10.0050	1																									900 mV @ 10 Ma	50 Na @ 47.6 v							68 v	240オーム
BZX84J-C2V4115	0.0300	RFQ	19	NXP USA Inc.	*	バルク	アクティブ									ダウンロード				ear99	8541.10.0050	11,823
BZV85-C4V7,113	0.0400	RFQ	100	NXP USA Inc.	-	バルク	アクティブ	±5％	-65°C〜200°C	穴を通して	DO-204AL 、DO-41 、軸			1.3 w	DO-41	ダウンロード				ear99	8541.10.0050	1																									1 V @ 50 mA	3 µA @ 1 V							4.7 v	13オーム
BZX884-B51315	-	RFQ	7740	NXP USA Inc.	*	バルク	アクティブ									ダウンロード					0000.00.0000	1
buk7y98-80e、115	-	RFQ	2693	NXP USA Inc.	*	バルク	アクティブ									ダウンロード					0000.00.0000	1
BZX79-C9V1,113	0.0200	RFQ	180	NXP USA Inc.	*	バルク	アクティブ					BZX79				ダウンロード	ROHS3準拠		影響を受けていない	ear99	8541.10.0050	10,000
BZT52-C9V1115	-	RFQ	8128	NXP USA Inc.	*	バルク	アクティブ					BZT52				ダウンロード				ear99	8541.10.0050	1
BZX84-A12215	-	RFQ	7332	NXP USA Inc.	*	バルク	アクティブ									ダウンロード				ear99	8541.10.0050	1
bc857bw、135	0.0200	RFQ	23	NXP USA Inc.	*	バルク	アクティブ					BC857				-	ROHS3準拠		影響を受けていない	ear99	8541.21.0075	10,000
BZX84J-B6V8,115	0.0300	RFQ	224	NXP USA Inc.	*	バルク	アクティブ					BZX84				ダウンロード	ROHS3準拠		影響を受けていない	ear99	8541.10.0050	3,000
2PB709ARW 、115	0.0200	RFQ	18	NXP USA Inc.	aec-q101	バルク	アクティブ		150°C （TJ）	表面マウント	SC-70、SOT-323			200 MW	SOT-323	ダウンロード				ear99	8541.21.0095	1																														45 v	100 Ma	10na （icbo）			PNP	500MV @ 10MA 、100mA	210 @ 2MA 、10V	70MHz
BZV55-C3V3,115	-	RFQ	3236	NXP USA Inc.	*	バルク	アクティブ					BZV55				ダウンロード	ROHS3準拠		影響を受けていない	ear99	8541.10.0050	2,500
BZB84-C4V3,215	0.0200	RFQ	183	NXP USA Inc.	-	バルク	アクティブ	±5％	-	表面マウント	TO-236-3			300 MW	SOT-23	ダウンロード				ear99	8541.10.0050	1	1ペア共通アノード																								900 mV @ 10 Ma	3 µA @ 1 V							4.3 v	90オーム
BZX84J-B3V0,115	0.0300	RFQ	32	NXP USA Inc.	aec-q101	バルク	アクティブ	±2％	-65°C〜150°C	表面マウント	SC-90、SOD-323F			550 MW	SOD-323F	ダウンロード				ear99	8541.10.0050	1																									1.1 V @ 100 MA	10 µA @ 1 V							3 v	95オーム
BZX84J-B3V6,115	-	RFQ	5658	NXP USA Inc.	aec-q101	バルク	アクティブ	±2％	-65°C〜150°C	表面マウント	SC-90、SOD-323F			550 MW	SOD-323F	ダウンロード				ear99	8541.10.0050	1																									1.1 V @ 100 MA	5 µA @ 1 V							3.6 v	90オーム
PZU22B1,115	-	RFQ	5878	NXP USA Inc.	*	バルク	アクティブ					PZU22				ダウンロード	ROHS3準拠		影響を受けていない	ear99	8541.10.0050	3,000

2000+
毎日の平均RFQボリューム
30,000,000
標準製品ユニット
2800+
世界的なメーカー
15,000 m²
在庫倉庫

離散半導体製品（6133）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²