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離散半導体製品（6133）
| 画像 | 製品番号 | 価格（USD） | 量 | ECAD | 利用可能な数量 | 体重（ kg） | MFR | シリーズ | パッケージ | 製品ステータス | 許容範囲 | 電圧 -定格 | 動作温度 | 取り付けタイプ | パッケージ /ケース | 基本製品番号 | 頻度 | テクノロジー | パワー -マックス | サプライヤーデバイスパッケージ | データシート | ROHSステータス | ステータスに到達します | ECCN | htsus | 標準パッケージ | 構成 | フェットタイプ | 現在の評価（ amp） | 現在 -テスト | 電力 -出力 | 得 | 電源（ VDSS ）への排水 | 電流 -連続排水（ID @ @ 25°C | ドライブ電圧（最大rds onmin rds on | rds on max） @ id vgs | vgs | ゲートチャージ（ QG | VGS （最大） | ciss ）（ max @ vds | フェット機能 | 電力散逸（最大） | ノイズ図 | 電圧 -フォワード（ vf ）（ max @ if | 現在 - @ vr | 電圧 -コレクターエミッタの分解（最大） | 現在 -コレクター（IC ）（最大） | 電圧 -テスト | 現在 -コレクターカットオフ（最大） | 電圧zener | インピーダンス（最大）（ ZZT） | トランジスタタイプ | vce 飽和（max @ ib、ic | DC電流ゲイン | 頻度 -遷移 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 | PSMN041-80yl115 | 1.0000 |  | 3638 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | * | バルク | アクティブ | ダウンロード | 0000.00.0000 | 1 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | BSS84AKM、315 | - | | 1687 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | Automotive、AEC-Q101 、TrenchMos™ | バルク | アクティブ | -55°C〜150°C | 表面マウント | SC-101 、SOT-883 | モスフェット（金属酸化物） | DFN1006-3 | ダウンロード | ear99 | 8541.21.0095 | 1 | pチャネル | 50 v | 230ma（ta） | 10V | 7.5OHM @ 100MA 、10V | 2.1V @ 250µA | 0.35 NC @ 5 V | ±20V | 36 PF @ 25 V | - | 340MW | ||||||||||||||||||||||||||
 | BZV49-C56,115 | 0.1800 | | 16 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | - | バルク | アクティブ | ±5％ | -65°C〜150°C | 表面マウント | TO-243AA | 1 W | SOT-89 | ダウンロード | ear99 | 8541.10.0050 | 1,674 | 1 V @ 50 mA | 50 Na @ 39.2 v | 56 v | 200オーム | ||||||||||||||||||||||||||||||||
 | NZX5V6A 、133 | 0.0200 | | 1369 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | * | バルク | アクティブ | NZX5 | - | ROHS3準拠 | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0050 | 10,000 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| NZX6V8C 、133 | 0.0200 | | 48 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | * | バルク | アクティブ | NZX6 | - | ROHS3準拠 | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0050 | 10,000 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | BZX84-C43,215 | 0.0200 | | 720 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | aec-q101 | バルク | アクティブ | ±5％ | -65°C〜150°C | 表面マウント | TO-236-3 | 250 MW | SOT-23 | ダウンロード | ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 900 mV @ 10 Ma | 50 Na @ 30.1 v | 43 v | 150オーム | ||||||||||||||||||||||||||||||||
 | BZX84J-C20,115 | - | | 2285 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | * | バルク | アクティブ | BZX84 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0050 | 3,000 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| PMEG3005EJ 115 | 0.0500 | | 430 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | * | バルク | アクティブ | PMEG3005 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0070 | 3,000 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | BZV55-C2V4135 | - | | 1614 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | * | バルク | アクティブ | ダウンロード | ear99 | 8541.10.0050 | 1 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | BZX79-C2V7,133 | 0.0200 | | 209 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | * | バルク | アクティブ | BZX79 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0050 | 10,000 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| blf6g27ls-40p、112 | 75.6200 | | 40 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | - | バルク | アクティブ | 65 v | 表面マウント | SOT-1121B | 2.5GHz〜2.7GHz | ldmos | LDのほとんど | ダウンロード | ear99 | 8541.29.0075 | 4 | デュアル、共通のソース | - | 450 Ma | 12W | 17.5dB | - | 28 v | |||||||||||||||||||||||||||||
 | PZU24B3A 、115 | 0.0300 | | 49 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | - | バルク | アクティブ | ±2％ | -55°C〜150°C | 表面マウント | SC-76、SOD-323 | 320 MW | SOD-323 | ダウンロード | ear99 | 8541.10.0050 | 11,010 | 1.1 V @ 100 MA | 50 na @ 19 v | 24 v | 30オーム | ||||||||||||||||||||||||||||||||
 | BZX79-B24143 | 0.0200 | | 124 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | * | バルク | アクティブ | ダウンロード | ear99 | 8541.10.0050 | 1 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | BZX585-B6V8,135 | - | | 7620 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | * | バルク | アクティブ | BZX585 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0050 | 10,000 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| BZX884-B36,315 | - | | 7820 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | - | バルク | アクティブ | ±2％ | -65°C〜150°C | 表面マウント | SOD-882 | 250 MW | DFN1006-2 | ダウンロード | ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 900 mV @ 10 Ma | 50 Na @ 25.2 v | 36 v | 90オーム | ||||||||||||||||||||||||||||||||
| PZU9.1b 、115 | - | | 3096 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | * | バルク | アクティブ | PZU9.1 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0050 | 3,000 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | buk6607-75c、118 | - | | 9969 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | Automotive、AEC-Q101 、TrenchMos™ | バルク | アクティブ | -55°C〜175°C | 表面マウント | TO-263-3 | モスフェット（金属酸化物） | d2pak | ダウンロード | ear99 | 8541.29.0095 | 1 | nチャネル | 75 v | 100a（tc） | 10V | 7mohm @ 25a 、10V | 2.8V @ 1MA | 123 NC @ 10 V | ±16V | 7600 PF @ 25 V | - | 204W | ||||||||||||||||||||||||||
| BZX84-C4V7,215 | 0.0200 | | 1 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | aec-q101 | バルク | アクティブ | ±5％ | -65°C〜150°C | 表面マウント | TO-236-3 | 250 MW | SOT-23 | ダウンロード | ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 900 mV @ 10 Ma | 3 µA @ 2 V | 4.7 v | 80オーム | ||||||||||||||||||||||||||||||||
 | BZX84-B3V3,215 | - | | 3419 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | * | バルク | アクティブ | BZX84 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0050 | 3,000 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | BZX585-C22,115 | 0.0300 | | 329 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | * | バルク | アクティブ | BZX585 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0050 | 3,000 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| BZV85-C12,133 | - | | 2768 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | * | バルク | アクティブ | BZV85 | - | ROHS3準拠 | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0050 | 5,000 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| BZV49-C18,115 | - | | 8242 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | * | バルク | アクティブ | BZV49 | - | ROHS3準拠 | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0050 | 1,000 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| buk762r6-60e 、118 | - | | 6607 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | Automotive、AEC-Q101 、TrenchMos™ | バルク | アクティブ | -55°C〜175°C | 表面マウント | TO-263-3 | モスフェット（金属酸化物） | d2pak | ダウンロード | 0000.00.0000 | 1 | nチャネル | 60 V | 120a（tc） | 10V | 2.6mohm @ 25a 、10V | 4V @ 1MA | 140 NC @ 10 V | ±20V | 10170 PF @ 25 V | - | 324W | |||||||||||||||||||||||||||
| PMEG4005EGW 、118 | - | | 5559 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | * | バルク | アクティブ | ダウンロード | 0000.00.0000 | 1 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| BUK7608-40B 、118 | 0.7600 | | 1 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | * | バルク | アクティブ | Buk76 | - | ROHS3準拠 | 影響を受けていない | ear99 | 8541.29.0095 | 800 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | 1N4746a 、133 | 0.0400 | | 127 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | - | バルク | アクティブ | ±5％ | -65°C〜200°C | 穴を通して | DO-204AL 、DO-41 、軸 | 1 W | DO-41 | ダウンロード | ear99 | 8541.10.0050 | 7,969 | 1.2 V @ 200 mA | 5 µA @ 13.7 v | 18 v | 20オーム | ||||||||||||||||||||||||||||||||
 | PMST5088,115 | 0.0200 | | 521 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | aec-q101 | バルク | アクティブ | 150°C （TJ） | 表面マウント | SC-70、SOT-323 | 200 MW | SOT-323 | ダウンロード | ear99 | 8541.21.0075 | 1 | 30 V | 100 Ma | 50na（icbo） | npn | 500MV @ 1MA 、10ma | 300 @ 100µA 、5V | 100MHz | ||||||||||||||||||||||||||||||
| BZX84-C11,235 | 0.0200 | | 30 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | aec-q101 | バルク | アクティブ | ±5％ | -65°C〜150°C | 表面マウント | TO-236-3 | 250 MW | SOT-23 | ダウンロード | ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 900 mV @ 10 Ma | 100 Na @ 8 V | 11 v | 20オーム | ||||||||||||||||||||||||||||||||
| BZX84-C3V9,215 | 0.0200 | | 183 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | * | バルク | アクティブ | BZX84 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0050 | 3,000 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | BZX84-C33,215 | 1.0000 | | 5847 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | aec-q101 | バルク | アクティブ | ±5％ | -65°C〜150°C | 表面マウント | TO-236-3 | 250 MW | TO-236AB | ダウンロード | 0000.00.0000 | 1 | 900 mV @ 10 Ma | 50 Na @ 23.1 v | 33 v | 80オーム |
2000+
毎日の平均RFQボリューム
30,000,000
標準製品ユニット
2800+
世界的なメーカー
15,000 m2
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