画像 | 製品番号 | 価格(USD) | 量 | ECAD | 利用可能な数量 | 体重( kg) | MFR | シリーズ | パッケージ | 製品ステータス | 許容範囲 | 動作温度 | 取り付けタイプ | パッケージ /ケース | 基本製品番号 | テクノロジー | パワー -マックス | サプライヤーデバイスパッケージ | データシート | ROHSステータス | ステータスに到達します | ECCN | htsus | 標準パッケージ | 構成 | スピード | フェットタイプ | 現在-hold(ihmax) | 電源( VDSS )への排水 | 電流 -連続排水(ID @ @ 25°C | ドライブ電圧(最大rds onmin rds on | rds on max) @ id vgs | vgs | ゲートチャージ( QG | VGS (最大) | ciss )( max @ vds | フェット機能 | 電力散逸(最大) | トライアックタイプ | 電圧 -状態外 | 現在 -state(it (rms | 電圧 -ゲートトリガー( vgt )(最大) | 現在 -非担当者サージ50、60Hz | 現在 -ゲートトリガー( Igt )(最大) | 電圧 -状態( vtm )(最大) | 現在 -State | 現在 -オフステート(最大) | scrタイプ | 電圧-DC リバース( VR )(最大) | 電圧 -フォワード( vf )( max @ if | 逆回復時間( trr) | 現在 - @ vr | 動作温度 -ジャンクション | 現在 -平均修正( io) | 容量 @ vr、f | 電圧zener | インピーダンス(最大)( ZZT) |
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | BZX79-B13,143 | 0.0200 | ![]() | 150 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | - | バルク | アクティブ | ±2% | -65°C〜200°C | 穴を通して | do-204ah do-35 、軸 | 400 MW | ALF2 | ダウンロード | ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 900 mV @ 10 Ma | 100 Na @ 8 V | 13 v | 30オーム | ||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | BYC10D-600,127 | 0.3200 | ![]() | 5 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | - | バルク | アクティブ | 穴を通して | TO-220-2 | 標準 | TO-220AC | ダウンロード | ear99 | 8541.10.0080 | 740 | 高速回復= <500ns | 500 V | 2.5 V @ 10 a | 18 ns | 200 µA @ 600 V | 150°C (最大) | 10a | - | ||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | BZX79-B12,133 | - | ![]() | 2105 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | * | バルク | アクティブ | BZX79 | - | ROHS3準拠 | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0050 | 10,000 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | BZX79-C20,143 | 0.0200 | ![]() | 189 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | - | バルク | アクティブ | ±5% | -65°C〜200°C | 穴を通して | do-204ah do-35 、軸 | 400 MW | ALF2 | ダウンロード | ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 900 mV @ 10 Ma | 50 Na @ 14 V | 20 v | 55オーム | ||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | BT131-600/dg 、116 | 0.1000 | ![]() | 10 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | - | バルク | アクティブ | 125°C (TJ) | 穴を通して | to-226-3 | to-92-3 | ダウンロード | ear99 | 8541.30.0080 | 3,037 | シングル | 5 Ma | ロジック -敏感なゲート | 600 V | 1 a | 1.5 v | 12.5a、13.8a | 3 Ma | ||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | BUK7275-100A 、118 | - | ![]() | 4049 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | * | バルク | アクティブ | Buk72 | - | ROHS3準拠 | 影響を受けていない | ear99 | 8541.29.0095 | 2,500 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | 1N4736a 、113 | 0.0400 | ![]() | 148 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | * | バルク | アクティブ | 1N47 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0050 | 5,000 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | BT148-400R、127 | - | ![]() | 7550 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | - | バルク | アクティブ | -40°C〜125°C | 穴を通して | SOT-82 | SOT-82-3 | ダウンロード | ear99 | 8541.30.0080 | 1 | 6 Ma | 400 V | 4 a | 1.5 v | 35a、38a | 200 µA | 1.8 v | 2.5 a | 500 µA | 敏感なゲート | ||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | buk6607-55c 、118 | 0.8500 | ![]() | 400 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | Automotive、AEC-Q101 、TrenchMos™ | バルク | アクティブ | -55°C〜175°C | 表面マウント | TO-263-3 | モスフェット(金属酸化物) | d2pak | ダウンロード | ear99 | 8541.29.0095 | 400 | nチャネル | 55 v | 100a(tc) | 10V | 6.5mohm @ 25a 、10V | 2.8V @ 1MA | 82 NC @ 10 V | ±16V | 5160 PF @ 25 V | - | 158W | ||||||||||||||||||||||||||||
![]() | BAS116QA147 | 0.0300 | ![]() | 329 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | * | バルク | アクティブ | ダウンロード | ear99 | 8541.10.0070 | 1 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | BZV85-C12,133 | - | ![]() | 2768 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | * | バルク | アクティブ | BZV85 | - | ROHS3準拠 | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0050 | 5,000 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | BZV85-C15,113 | 0.0400 | ![]() | 15 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | * | バルク | アクティブ | BZV85 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0050 | 5,000 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | BZV85-C6V8,113 | 0.0400 | ![]() | 67 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | - | バルク | アクティブ | ±5% | -65°C〜200°C | 穴を通して | DO-204AL 、DO-41 、軸 | 1.3 w | DO-41 | ダウンロード | ear99 | 8541.10.0050 | 7,969 | 1 V @ 50 mA | 2 µA @ 4 V | 6.8 v | 3.5オーム | ||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | BZV85-C7V5,113 | 0.0400 | ![]() | 122 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | * | バルク | アクティブ | BZV85 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0050 | 5,000 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | BZX84J-C3V9,115 | - | ![]() | 4025 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | * | バルク | アクティブ | BZX84 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0050 | 3,000 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | BCM61B 、215 | - | ![]() | 5875 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | * | バルク | アクティブ | BCM61 | - | ROHS3準拠 | 影響を受けていない | ear99 | 8541.21.0075 | 3,000 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | BUK9226-75A/C1,118 | 1.0000 | ![]() | 4294 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | * | バルク | アクティブ | ダウンロード | 0000.00.0000 | 1 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | buk762r6-60e 、118 | - | ![]() | 6607 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | Automotive、AEC-Q101 、TrenchMos™ | バルク | アクティブ | -55°C〜175°C | 表面マウント | TO-263-3 | モスフェット(金属酸化物) | d2pak | ダウンロード | 0000.00.0000 | 1 | nチャネル | 60 V | 120a(tc) | 10V | 2.6mohm @ 25a 、10V | 4V @ 1MA | 140 NC @ 10 V | ±20V | 10170 PF @ 25 V | - | 324W | |||||||||||||||||||||||||||||
![]() | BZX79-C36,133 | 0.0200 | ![]() | 7293 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | * | バルク | アクティブ | BZX79 | - | ROHS3準拠 | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0050 | 10,000 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | 2PB709ARL 、215 | 0.0200 | ![]() | 199 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | * | バルク | アクティブ | 2pb70 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 影響を受けていない | ear99 | 8541.21.0095 | 3,000 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | BZX79-B27,133 | 0.0200 | ![]() | 37 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | - | バルク | アクティブ | ±2% | -65°C〜200°C | 穴を通して | do-204ah do-35 、軸 | 400 MW | ALF2 | ダウンロード | ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 900 mV @ 10 Ma | 50 Na @ 18.9 v | 27 v | 80オーム | ||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | BZX79-B7V5133 | - | ![]() | 8113 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | * | バルク | アクティブ | ダウンロード | ear99 | 8541.10.0050 | 1 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
BZB784-C5V6,115 | 1.0000 | ![]() | 2211 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | - | バルク | アクティブ | ±5% | - | 表面マウント | SC-70、SOT-323 | 350 MW | SOT-323 | ダウンロード | 0000.00.0000 | 1 | 1ペア共通アノード | 900 mV @ 10 Ma | 1 µA @ 2 V | 5.6 v | 40オーム | |||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | BZB84-C30,215 | 0.0200 | ![]() | 59 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | - | バルク | アクティブ | ±5% | - | 表面マウント | TO-236-3 | 300 MW | SOT-23 | ダウンロード | ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1ペア共通アノード | 900 mV @ 10 Ma | 50 Na @ 21 V | 30 V | 80オーム | |||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | BZX79-B3V6,143 | 0.0200 | ![]() | 20 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | - | バルク | アクティブ | ±2% | -65°C〜200°C | 穴を通して | do-204ah do-35 、軸 | 400 MW | ALF2 | ダウンロード | ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 900 mV @ 10 Ma | 5 µA @ 1 V | 3.6 v | 90オーム | ||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | BZX79-C27,143 | 0.0200 | ![]() | 194 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | * | バルク | アクティブ | BZX79 | - | ROHS3準拠 | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0050 | 5,000 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | PDTA143EU 、115 | - | ![]() | 8257 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | * | バルク | アクティブ | PDTA14 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 影響を受けていない | ear99 | 8541.21.0095 | 3,000 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | BAT721A 、215 | 0.0700 | ![]() | 458 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | * | バルク | アクティブ | BAT72 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0070 | 3,000 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | BZV55-C20135 | - | ![]() | 7644 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | * | バルク | アクティブ | ダウンロード | 0000.00.0000 | 1 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | NZX14B 、133 | 0.0200 | ![]() | 257 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | * | バルク | アクティブ | NZX1 | - | ROHS3準拠 | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0050 | 10,000 |
毎日の平均RFQボリューム
標準製品ユニット
世界的なメーカー
在庫倉庫