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離散半導体製品（6133）
| 画像 | 製品番号 | 価格（USD） | 量 | ECAD | 利用可能な数量 | 体重（ kg） | MFR | シリーズ | パッケージ | 製品ステータス | 許容範囲 | 電圧 -定格 | 動作温度 | 取り付けタイプ | パッケージ /ケース | 基本製品番号 | 頻度 | テクノロジー | パワー -マックス | サプライヤーデバイスパッケージ | データシート | ROHSステータス | 水分感度レベル（MSL） | ステータスに到達します | その他の名前 | ECCN | htsus | 標準パッケージ | 構成 | スピード | フェットタイプ | 現在の評価（ amp） | 現在-hold（ihmax） | 現在 -テスト | 電力 -出力 | 得 | 電源（ VDSS ）への排水 | 電流 -連続排水（ID @ @ 25°C | ドライブ電圧（最大rds onmin rds on | rds on max） @ id vgs | vgs | ゲートチャージ（ QG | VGS （最大） | ciss ）（ max @ vds | フェット機能 | 電力散逸（最大） | 電圧 -状態外 | 現在 -state（it （rms | 電圧 -ゲートトリガー（ vgt ）（最大） | 現在 -非担当者サージ50、60Hz | 現在 -ゲートトリガー（ Igt ）（最大） | 電圧 -状態（ vtm ）（最大） | 現在 -State | 現在 -オフステート（最大） | scrタイプ | ノイズ図 | 電圧-DC リバース（ VR ）（最大） | 電圧 -フォワード（ vf ）（ max @ if | 逆回復時間（ trr） | 現在 - @ vr | 動作温度 -ジャンクション | 現在 -平均修正（ io） | 容量 @ vr、f | 電圧 -コレクターエミッタの分解（最大） | 現在 -コレクター（IC ）（最大） | 電圧 -テスト | 現在 -コレクターカットオフ（最大） | 電圧zener | インピーダンス（最大）（ ZZT） | トランジスタタイプ | vce 飽和（max @ ib、ic | DC電流ゲイン | 頻度 -遷移 | 抵抗 -ベース（r1） | 抵抗 -エミッターベース（r2） |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 | MRF24G300HR5 | 113.2852 |  | 3352 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | - | テープ＆リール（ tr） | アクティブ | 125 v | シャーシマウント | NI-780-4 | 2.4GHz〜2.5GHz | ガン | NI-780-4 | - | ROHS3準拠 | 影響を受けていない | 568-MRF24G300HR5TR | ear99 | 8541.29.0095 | 50 | 2 nチャネル | - | 300W | 15.2db | - | 48 v | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | PHB27NQ10T 、118 | - | | 7872 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | * | バルク | アクティブ | PHB27 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 影響を受けていない | ear99 | 8541.29.0095 | 800 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | PDTC115EK 、115 | - | | 3416 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | - | テープ＆リール（ tr） | 廃止 | 表面マウント | TO-236-3 | PDTC115 | 250 MW | SMT3; mpak | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 （無制限） | 影響を受けていない | ear99 | 8541.21.0095 | 3,000 | 50 v | 20 ma | 1µA | npn-バイアス化 | 150MV @ 250µA 、5MA | 80 @ 5MA 、5V | 100 Kohms | 100 Kohms | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | PBHV9115Z 、115 | - | | 6995 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | * | バルク | アクティブ | PBHV9 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 影響を受けていない | ear99 | 8541.29.0095 | 1,000 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | BAL99/DG/B2215 | 0.0200 | | 345 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | aec-q101 | バルク | アクティブ | 表面マウント | TO-236-3 | 標準 | SOT-23-3 | ダウンロード | 適用できない | 1 （無制限） | 未定義のベンダー | ear99 | 8541.10.0070 | 3,000 | 高速回復= <500ns | 80 v | 1.25 V @ 150 MA | 4 ns | 1 µA @ 70 V | 150°C （最大） | 250ma | 1.5pf @ 0V、1MHz | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | PMEG3005EJ 115 | 0.0500 | | 430 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | * | バルク | アクティブ | PMEG3005 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0070 | 3,000 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | MRF6S27050HSR5 | - | | 8775 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | - | テープ＆リール（ tr） | 廃止 | 68 v | シャーシマウント | NI-780S | MRF6 | 2.62GHz | ldmos | NI-780S | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 （無制限） | 影響を受けていない | ear99 | 8541.21.0075 | 50 | - | 500 Ma | 7W | 16dB | - | 28 v | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | buk7k134-100ex | - | | 1443 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | - | バルク | アクティブ | -55°C〜175°C | 表面マウント | SOT-205、8-LFPAK56 | buk7k134 | モスフェット（金属酸化物） | 32W | LFPAK56D | ダウンロード | ear99 | 8541.29.0095 | 1 | 2 nチャンネル（デュアル） | 100V | 9.8a | 121mohm @ 5a 、10V | 4V @ 1MA | 10.5NC @ 10V | 564pf @ 25V | - | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | BF513,215 | - | | 8650 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | - | テープ＆リール（ tr） | 廃止 | 20 v | 表面マウント | TO-236-3 | BF513 | 100MHz | jfet | SOT-23 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 （無制限） | 影響を受けていない | ear99 | 8541.21.0095 | 3,000 | nチャネル | 30ma | 5 Ma | - | - | 1.5dB | 10 v | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | EC103D1,116 | 1.0000 | | 3613 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | - | バルク | アクティブ | - | 穴を通して | to-226-3 | to-92-3 | ダウンロード | ear99 | 8541.30.0080 | 1 | 5 Ma | 400 V | 800 Ma | 800 mv | 8a 、9a | 12 µA | 1.35 v | 500 Ma | 100 µA | 敏感なゲート | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | BUK7524-55,127 | - | | 2151 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | trenchmos™ | チューブ | 廃止 | -55°C〜175°C | 穴を通して | TO-220-3 | buk75 | モスフェット（金属酸化物） | TO-220AB | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 （無制限） | 影響を受けていない | 934045180127 | ear99 | 8541.29.0095 | 1,000 | nチャネル | 55 v | 45a（tc） | 10V | 24mohm @ 25a 、10V | 4V @ 1MA | ±16V | 1500 PF @ 25 V | - | 103W | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| A2T07D160W04SR3128 | 78.2500 | | 1 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | * | バルク | アクティブ | ダウンロード | 適用できない | 1 （無制限） | 未定義のベンダー | ear99 | 8541.29.0095 | 250 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | PDTA143EE 、115 | - | | 1396 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | - | テープ＆リール（ tr） | 廃止 | 表面マウント | SC-75、SOT-416 | PDTA143 | 150 MW | SC-75 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 （無制限） | 影響を受けていない | ear99 | 8541.21.0095 | 3,000 | 50 v | 100 Ma | 1µA | pnp-前バイアス | 150mv @ 500µa 、10ma | 30 @ 10ma 、5v | 4.7 Kohms | 4.7 Kohms | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | BZX585-C68,115 | - | | 6760 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | * | バルク | アクティブ | BZX585 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0050 | 3,000 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| MRF6P3300HR5 | - | | 7928 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | - | テープ＆リール（ tr） | 廃止 | 68 v | シャーシマウント | NI-860C3 | MRF6 | 857MHz〜863MHz | ldmos | NI-860C3 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 （168 時間） | 影響を受けていない | ear99 | 8541.29.0075 | 50 | - | 1.6 a | 270w | 20.2db | - | 32 v | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | MMRF1004GNR1 | 24.8182 | | 2878 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | - | テープ＆リール（ tr） | アクティブ | 68 v | 表面マウント | TO-270BA | MMRF1004 | 2.17GHz | ldmos | TO-270-2カモメ | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 （168 時間） | 影響を受けていない | 935320363528 | ear99 | 8541.29.0075 | 500 | - | 130 Ma | 10W | 15.5dB | - | 28 v | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | PMDPB30XN/S711115 | - | | 5269 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | * | バルク | アクティブ | ダウンロード | 適用できない | 1 （無制限） | 未定義のベンダー | ear99 | 8541.21.0095 | 3,000 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| BCM856DS 、115 | 0.0700 | | 9281 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | * | バルク | アクティブ | BCM85 | - | ROHS3準拠 | 影響を受けていない | ear99 | 8541.21.0075 | 3,000 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| NX7002AK.R | - | | 7279 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | * | バルク | 廃止 | NX70 | - | ROHS3準拠 | 1 （無制限） | 影響を受けていない | 廃止 | 0000.00.0000 | 1 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| PLVA653A 、215 | 0.0500 | | 7286 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | * | バルク | アクティブ | PLVA6 | - | ROHS3準拠 | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0050 | 3,000 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| BZX84J-C5V6,115 | - | | 3433 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | * | バルク | アクティブ | BZX84 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0050 | 3,000 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | PZM3.0NB1,115 | - | | 3742 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | - | テープ＆リール（ tr） | 廃止 | ±2％ | -65°C〜150°C | 表面マウント | TO-236-3 | PZM3.0 | 300 MW | SMT3; mpak | - | ROHS3準拠 | 1 （無制限） | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0050 | 3,000 | 1.1 V @ 100 MA | 10 µA @ 1 V | 3 v | 95オーム | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | MMRF1310HR5 | 115.0100 | | 50 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | - | テープ＆リール（ tr） | アクティブ | 133 v | シャーシマウント | NI-780-4 | MMRF1310 | 230MHz | ldmos | NI-780-4 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 （無制限） | 影響を受けていない | ear99 | 8541.29.0075 | 50 | デュアル | - | 100 Ma | 300W | 26.5dB | - | 50 v | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| PZM3.6NB 、115 | - | | 1201 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | - | テープ＆リール（ tr） | 廃止 | ±5％ | -65°C〜150°C | 表面マウント | TO-236-3 | PZM3.6 | 300 MW | SMT3; mpak | - | ROHS3準拠 | 1 （無制限） | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0050 | 3,000 | 1.1 V @ 100 MA | 5 µA @ 1 V | 3.6 v | 90オーム | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | BZX585-B4V3,115 | - | | 3051 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | - | バルク | アクティブ | ±2％ | -65°C〜150°C | 表面マウント | SC-79、SOD-523 | 300 MW | SOD-523 | ダウンロード | ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.1 V @ 100 MA | 3 µA @ 1 V | 4.3 v | 90オーム | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | BZX84-C43,215 | 0.0200 | | 720 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | aec-q101 | バルク | アクティブ | ±5％ | -65°C〜150°C | 表面マウント | TO-236-3 | 250 MW | SOT-23 | ダウンロード | ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 900 mV @ 10 Ma | 50 Na @ 30.1 v | 43 v | 150オーム | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| BZT52H-C62,115 | - | | 9309 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | * | バルク | アクティブ | BZT52 | - | ROHS3準拠 | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0050 | 3,000 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | PMP5501V、115 | - | | 6787 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | * | バルク | アクティブ | PMP5 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 影響を受けていない | ear99 | 8541.21.0075 | 4,000 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | BC51-10PASX | 0.0600 | | 84 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | - | バルク | アクティブ | 150°C （TJ） | 表面マウント | 3-udfn露出パッド | 420 MW | DFN2020D-3 | ダウンロード | ear99 | 8541.29.0075 | 1 | 45 v | 1 a | 100na（icbo） | PNP | 500MV @ 50MA 、500MA | 63 @ 150MA 、2V | 145MHz | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | PBSS4032SP、115 | - | | 7442 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | * | バルク | アクティブ | PBSS4 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 影響を受けていない | ear99 | 8541.21.0095 | 1,000 |
2000+
毎日の平均RFQボリューム
30,000,000
標準製品ユニット
2800+
世界的なメーカー
15,000 m2
在庫倉庫
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