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離散半導体製品（6133）
| 画像 | 製品番号 | 価格（USD） | 量 | ECAD | 利用可能な数量 | 体重（ kg） | MFR | シリーズ | パッケージ | 製品ステータス | 許容範囲 | 動作温度 | 取り付けタイプ | パッケージ /ケース | 基本製品番号 | テクノロジー | パワー -マックス | サプライヤーデバイスパッケージ | データシート | ROHSステータス | 水分感度レベル（MSL） | ステータスに到達します | ECCN | htsus | 標準パッケージ | 構成 | フェットタイプ | 現在-hold（ihmax） | 電源（ VDSS ）への排水 | 電流 -連続排水（ID @ @ 25°C | ドライブ電圧（最大rds onmin rds on | rds on max） @ id vgs | vgs | ゲートチャージ（ QG | VGS （最大） | ciss ）（ max @ vds | フェット機能 | 電力散逸（最大） | トライアックタイプ | 電圧 -状態外 | 現在 -state（it （rms | 電圧 -ゲートトリガー（ vgt ）（最大） | 現在 -非担当者サージ50、60Hz | 現在 -ゲートトリガー（ Igt ）（最大） | 電圧 -フォワード（ vf ）（ max @ if | 現在 - @ vr | 容量 @ vr、f | 電圧 -コレクターエミッタの分解（最大） | 現在 -コレクター（IC ）（最大） | ダイオードタイプ | 電圧 -ピークリバース（最大） | 現在 -コレクターカットオフ（最大） | 電圧zener | インピーダンス（最大）（ ZZT） | トランジスタタイプ | vce 飽和（max @ ib、ic | DC電流ゲイン | 頻度 -遷移 | 静電容量比 | 静電容量比条件 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 | BUK7237-55A 、118 | 0.3200 |  | 21 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | * | バルク | アクティブ | Buk72 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 影響を受けていない | ear99 | 8541.29.0095 | 2,500 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | NZX15A 、133 | - | | 8771 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | * | バルク | アクティブ | NZX1 | - | ROHS3準拠 | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0050 | 10,000 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | BT134-600,127 | - | | 1237 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | - | バルク | アクティブ | 125°C （TJ） | 穴を通して | SOT-82 | SOT-82-3 | ダウンロード | ear99 | 8541.30.0080 | 272 | シングル | 15 Ma | 標準 | 600 V | 4 a | 1.5 v | 25a 、27a | 35 Ma | |||||||||||||||||||||||||||||||||||
| BUK7214-75B 、118 | - | | 9154 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | * | バルク | アクティブ | Buk72 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 影響を受けていない | ear99 | 8541.29.0095 | 2,500 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| PDTC143ET235 | - | | 3530 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | * | バルク | アクティブ | ダウンロード | 0000.00.0000 | 1 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | BZX84J-C47,115 | 1.0000 | | 9081 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | aec-q101 | バルク | アクティブ | ±5％ | -65°C〜150°C | 表面マウント | SC-90、SOD-323F | BZX84J-C47 | 550 MW | SOD-323F | ダウンロード | 0000.00.0000 | 1 | 1.1 V @ 100 MA | 50 Na @ 32.9 v | 47 v | 90オーム | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | BZX79-C27,133 | 0.0200 | | 147 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | * | バルク | アクティブ | BZX79 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0050 | 10,000 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| BA891 | - | | 2033 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | * | バルク | アクティブ | ダウンロード | 0000.00.0000 | 1 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | 1PS76SB70,115 | 0.0400 | | 87 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | * | バルク | アクティブ | 1ps76 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0070 | 3,000 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | BC847BQAZ | - | | 9543 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | aec-q101 | バルク | アクティブ | 150°C （TJ） | 表面マウント | 3-XDFN露出パッド | 280 MW | DFN1010D-3 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 （無制限） | 影響を受けていない | ear99 | 8541.21.0095 | 1 | 45 v | 100 Ma | 15NA | npn | 400MV @ 5MA 、100mA | 200 @ 2MA 、5V | 100MHz | ||||||||||||||||||||||||||||||||
 | BZX84-C5V6,235 | 0.0200 | | 73 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | * | バルク | アクティブ | BZX84 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0050 | 10,000 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| BT138-800/dg、127 | 0.4700 | | 3 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | - | バルク | アクティブ | 125°C （TJ） | 穴を通して | TO-220-3 | TO-220AB | ダウンロード | ear99 | 8541.30.0080 | 642 | シングル | 30 Ma | 標準 | 800 V | 12 a | 1.5 v | 95a 、105a | 35 Ma | |||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | BB156135 | 0.2800 | | 7 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | - | バルク | アクティブ | -55°C〜125°C（TJ） | 表面マウント | SC-76、SOD-323 | SOD-323 | ダウンロード | ear99 | 8541.10.0070 | 1 | 5.4pf @ 7.5V、1MHz | シングル | 10 v | 3.9 | C1/C7.5 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | BB181 | - | | 6212 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | * | バルク | アクティブ | ダウンロード | 0000.00.0000 | 1 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | PMZB350UPE 、315 | - | | 1157 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | - | バルク | アクティブ | -55°C〜150°C | 表面マウント | 3-xfdfn | モスフェット（金属酸化物） | DFN1006B-3 | ダウンロード | 0000.00.0000 | 1 | pチャネル | 20 v | 1a（ta） | 1.8V 、4.5V | 450mohm @ 300ma 、4.5v | 950MV @ 250µA | 1.9 NC @ 4.5 v | ±8V | 127 PF @ 10 V | - | 360MW | ||||||||||||||||||||||||||||||||
 | PZU4.3B1,115 | - | | 5801 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | * | バルク | アクティブ | PZU4.3 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0050 | 3,000 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | PEMH1,115 | - | | 2295 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | * | バルク | アクティブ | pemh1 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 影響を受けていない | ear99 | 8541.21.0095 | 4,000 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | 2PA1774SMB 、315 | 0.0600 | | 127 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | aec-q101 | バルク | アクティブ | 150°C （TJ） | 表面マウント | SC-101 、SOT-883 | 250 MW | DFN1006-3 | ダウンロード | ear99 | 8541.21.0075 | 1 | 40 v | 100 Ma | 100na（icbo） | PNP | 200mV @ 5MA 、50mA | 270 @ 1MA 、6V | 100MHz | |||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | 1N4740A 、113 | 0.0400 | | 306 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | * | バルク | アクティブ | 1N47 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0050 | 5,000 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| AFT20S015NR1528 | - | | 6830 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | * | バルク | アクティブ | ダウンロード | 0000.00.0000 | 1 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | buk969r0-60e 、118 | - | | 8852 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | Automotive、AEC-Q101 、TrenchMos™ | バルク | アクティブ | -55°C〜175°C | 表面マウント | TO-263-3 | モスフェット（金属酸化物） | d2pak | ダウンロード | ear99 | 8541.29.0095 | 1 | nチャネル | 60 V | 75a（tc） | 5V | 8mohm @ 20a 、10V | 2.1V @ 1MA | 29.8 NC @ 5 V | ±10V | 4350 PF @ 25 V | - | 137W | |||||||||||||||||||||||||||||||
 | PMST6428,135 | 0.0200 | | 688 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | aec-q101 | バルク | アクティブ | 150°C （TJ） | 表面マウント | SC-70、SOT-323 | 200 MW | SOT-323 | ダウンロード | ear99 | 8541.21.0075 | 1 | 50 v | 100 Ma | 10na （icbo） | npn | 600MV @ 5MA 、100mA | 250 @ 100µA 、5V | 700MHz | |||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | BZX84-A6V8,215 | 1.0000 | | 9016 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | aec-q101 | バルク | アクティブ | ±1％ | -65°C〜150°C | 表面マウント | TO-236-3 | 250 MW | SOT-23 | ダウンロード | 0000.00.0000 | 1 | 900 mV @ 10 Ma | 2 µA @ 4 V | 6.8 v | 15オーム | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | BZV55-B5V6,135 | 0.0200 | | 60 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | * | バルク | アクティブ | BZV55 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0050 | 10,000 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| bc860bw、115 | 0.0200 | | 108 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | aec-q101 | バルク | アクティブ | 150°C （TJ） | 表面マウント | SC-70、SOT-323 | 200 MW | SOT-323 | ダウンロード | ear99 | 8541.21.0075 | 1 | 45 v | 100 Ma | 15NA | PNP | 650mv @ 5ma 、100ma | 220 @ 2MA 、5V | 100MHz | |||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | PDTC143EU 、115 | - | | 4960 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | * | バルク | アクティブ | PDTC14 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 影響を受けていない | ear99 | 8541.21.0095 | 3,000 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| NZX27X 、133 | 0.0200 | | 119 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | * | バルク | アクティブ | NZX2 | - | ROHS3準拠 | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0050 | 10,000 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | BZV90-C5V1135 | - | | 7568 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | * | バルク | アクティブ | ダウンロード | ear99 | 8541.10.0050 | 1 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| NZX5V6A 、133 | 0.0200 | | 1369 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | * | バルク | アクティブ | NZX5 | - | ROHS3準拠 | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0050 | 10,000 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | BC69-16PASX | 0.0700 | | 63 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | - | バルク | アクティブ | 150°C （TJ） | 表面マウント | 3-udfn露出パッド | 420 MW | DFN2020D-3 | ダウンロード | ear99 | 8541.29.0075 | 1 | 20 v | 2 a | 100na（icbo） | PNP | 600mv @ 200ma 、2a | 85 @ 500MA、1V | 140MHz |
2000+
毎日の平均RFQボリューム
30,000,000
標準製品ユニット
2800+
世界的なメーカー
15,000 m2
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