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離散半導体製品（6133）
| 画像 | 製品番号 | 価格（USD） | 量 | ECAD | 利用可能な数量 | 体重（ kg） | MFR | シリーズ | パッケージ | 製品ステータス | 許容範囲 | 電圧 -定格 | 動作温度 | 取り付けタイプ | パッケージ /ケース | 基本製品番号 | 頻度 | テクノロジー | パワー -マックス | サプライヤーデバイスパッケージ | データシート | ROHSステータス | 水分感度レベル（MSL） | ステータスに到達します | ECCN | htsus | 標準パッケージ | 構成 | スピード | 現在の評価（ amp） | 現在 -テスト | 電力 -出力 | 得 | フェット機能 | ノイズ図 | 電圧-DC リバース（ VR ）（最大） | 電圧 -フォワード（ vf ）（ max @ if | 逆回復時間（ trr） | 現在 - @ vr | 動作温度 -ジャンクション | 現在 -平均修正（ io） | 容量 @ vr、f | 電圧 -コレクターエミッタの分解（最大） | 現在 -コレクター（IC ）（最大） | 電圧 -テスト | 現在 -コレクターカットオフ（最大） | 電圧zener | インピーダンス（最大）（ ZZT） | トランジスタタイプ | vce 飽和（max @ ib、ic | DC電流ゲイン | 頻度 -遷移 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 | PhD13005,127 | 0.1900 |  | 5 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | * | バルク | アクティブ | PhD13 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 影響を受けていない | ear99 | 8541.29.0095 | 1,000 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | PMST5089,115 | 0.0200 | | 21 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | * | バルク | アクティブ | PMST5 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 影響を受けていない | ear99 | 8541.21.0075 | 3,000 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | PZU15B1A 、115 | 0.0300 | | 12 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | - | バルク | アクティブ | ±2％ | -55°C〜150°C | 表面マウント | SC-76、SOD-323 | 320 MW | SOD-323 | ダウンロード | ear99 | 8541.10.0050 | 12,000 | 1.1 V @ 100 MA | 50 na @ 11 v | 15 V | 15オーム | |||||||||||||||||||||||||||||
 | nzx9v1a 、133 | 0.0200 | | 135 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | * | バルク | アクティブ | NZX9 | - | ROHS3準拠 | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0050 | 10,000 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | PMST5550,135 | - | | 5130 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | aec-q101 | バルク | アクティブ | 150°C （TJ） | 表面マウント | SC-70、SOT-323 | 200 MW | SOT-323 | ダウンロード | 0000.00.0000 | 1 | 140 v | 300 Ma | 100na（icbo） | npn | 250mv @ 5ma 、50ma | 60 @ 10ma 、5v | 300MHz | ||||||||||||||||||||||||||||
 | PMEG6020EPA115 | - | | 5188 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | - | バルク | アクティブ | 表面マウント | 3-powerudfn | PMEG6020 | ショットキー | 3-HUSON （2x2） | ダウンロード | ear99 | 8541.10.0080 | 1 | 高速回復= <500ns | 60 V | 575 mV @ 2 a | 78 ns | 250 µA @ 60 V | 150°C （最大） | 2a | 250pf @ 1V、1MHz | ||||||||||||||||||||||||||
| PZU5.6B3A115 | - | | 7245 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | * | バルク | アクティブ | ダウンロード | ear99 | 8541.10.0050 | 1 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | BZX84-B43,215 | 0.0200 | | 29 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | aec-q101 | バルク | アクティブ | ±2％ | -65°C〜150°C | 表面マウント | TO-236-3 | 250 MW | SOT-23 | ダウンロード | ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 900 mV @ 10 Ma | 50 Na @ 30.1 v | 43 v | 150オーム | |||||||||||||||||||||||||||||
 | BZX84-B4V3,215 | - | | 7220 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | * | バルク | アクティブ | BZX84 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0050 | 3,000 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| BZX585-C47,115 | - | | 7188 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | * | バルク | アクティブ | BZX585 | - | ROHS3準拠 | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0050 | 3,000 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| BZX79-B10,113 | - | | 6791 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | * | バルク | アクティブ | BZX79 | - | ROHS3準拠 | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0050 | 10,000 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| BYV32E-100,127 | 0.5400 | | 12 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | * | バルク | アクティブ | byv32 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0080 | 1,000 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | PZU13B3A 、115 | 0.0300 | | 17 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | - | バルク | アクティブ | ±2％ | -55°C〜150°C | 表面マウント | SC-76、SOD-323 | 320 MW | SOD-323 | ダウンロード | ear99 | 8541.10.0050 | 11,010 | 1.1 V @ 100 MA | 100 Na @ 10 V | 13 v | 10オーム | |||||||||||||||||||||||||||||
 | PZU18B2A 、115 | 0.0300 | | 33 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | * | バルク | アクティブ | PZU18 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0050 | 3,000 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | BZX79-B30,133 | 0.0200 | | 48 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | - | バルク | アクティブ | ±2％ | -65°C〜200°C | 穴を通して | do-204ah do-35 、軸 | 400 MW | ALF2 | ダウンロード | ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 900 mV @ 10 Ma | 50 Na @ 21 V | 30 V | 80オーム | |||||||||||||||||||||||||||||
| BZB84-B75,215 | 0.0300 | | 77 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | - | バルク | アクティブ | ±2％ | - | 表面マウント | TO-236-3 | 300 MW | SOT-23 | ダウンロード | ear99 | 8541.10.0050 | 11,823 | 1ペア共通アノード | 900 mV @ 10 Ma | 50 Na @ 52.5 v | 75 v | 255オーム | ||||||||||||||||||||||||||||
 | buj403a/dg、127 | 0.3800 | | 2 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | - | バルク | アクティブ | 150°C （TJ） | 穴を通して | TO-220-3 | 100 W | TO-220AB | ダウンロード | ear99 | 8541.29.0095 | 760 | 550 V | 6 a | 100µA | npn | 1V @ 400MA 、2a | 20 @ 500MA 、5V | - | |||||||||||||||||||||||||||
 | bav170qa147 | 0.0300 | | 164 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | * | バルク | アクティブ | ダウンロード | ear99 | 8541.10.0070 | 1 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | 1PS70SB86,115 | 0.1000 | | 234 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | * | バルク | アクティブ | 1ps70 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0070 | 3,000 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| BCM856DS 、115 | 0.0700 | | 9281 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | * | バルク | アクティブ | BCM85 | - | ROHS3準拠 | 影響を受けていない | ear99 | 8541.21.0075 | 3,000 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| BZX84-C4V7,215 | 0.0200 | | 1 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | aec-q101 | バルク | アクティブ | ±5％ | -65°C〜150°C | 表面マウント | TO-236-3 | 250 MW | SOT-23 | ダウンロード | ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 900 mV @ 10 Ma | 3 µA @ 2 V | 4.7 v | 80オーム | |||||||||||||||||||||||||||||
| BZX79-B5V6,143 | 0.0200 | | 40 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | - | バルク | アクティブ | ±2％ | -65°C〜200°C | 穴を通して | do-204ah do-35 、軸 | 400 MW | ALF2 | ダウンロード | ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 900 mV @ 10 Ma | 1 µA @ 2 V | 5.6 v | 40オーム | |||||||||||||||||||||||||||||
| BZX79-B6V8,113 | 0.0200 | | 130 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | - | バルク | アクティブ | ±2％ | -65°C〜200°C | 穴を通して | do-204ah do-35 、軸 | 400 MW | ALF2 | ダウンロード | ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 900 mV @ 10 Ma | 2 µA @ 4 V | 6.8 v | 15オーム | |||||||||||||||||||||||||||||
 | BSS84AKW 、115 | 1.0000 | | 7745 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | * | バルク | アクティブ | BSS84 | - | ダウンロード | 0000.00.0000 | 1 | - | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| buj106a、127 | 0.3400 | | 955 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | - | バルク | アクティブ | 150°C （TJ） | 穴を通して | TO-220-3 | 80 w | TO-220AB | ダウンロード | ear99 | 8541.29.0095 | 642 | 400 V | 10 a | 100µA | npn | 1V @ 1.2a 、6a | 14 @ 500MA 、5V | - | |||||||||||||||||||||||||||
 | BCX56-16115 | 1.0000 | | 7300 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | - | バルク | アクティブ | 150°C （TJ） | 表面マウント | TO-243AA | 500 MW | SOT-89 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 （無制限） | 影響を受けていない | ear99 | 8541.29.0075 | 1 | 80 v | 1 a | 100na（icbo） | npn | 500MV @ 50MA 、500MA | 100 @ 150ma 、2V | 180MHz | ||||||||||||||||||||||||
 | BZV55-C13,115 | - | | 7686 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | * | バルク | アクティブ | BZV55 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0050 | 2,500 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| BC846BW 、115 | - | | 1435 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | * | バルク | アクティブ | BC84 | - | ROHS3準拠 | 影響を受けていない | ear99 | 8541.21.0075 | 3,000 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| BZB84-C22,215 | - | | 3508 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | - | バルク | アクティブ | ±5％ | - | 表面マウント | TO-236-3 | 300 MW | SOT-23 | ダウンロード | ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1ペア共通アノード | 900 mV @ 10 Ma | 50 Na @ 15.4 v | 22 v | 55オーム | ||||||||||||||||||||||||||||
 | CLF1G0035-100PU | 263.3300 | | 25 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | - | バルク | アクティブ | 150 v | シャーシマウント | SOT-1228A | 3GHz | ガン・ヘムト | LDのほとんど | ダウンロード | ear99 | 8541.29.0075 | 1 | - | 100 Ma | 100W | 14db | - | 50 v |
2000+
毎日の平均RFQボリューム
30,000,000
標準製品ユニット
2800+
世界的なメーカー
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