RFQ
ボム
お問い合わせ

Tel： +86-0755-83501315

メール：sales@sic-components.com

サインイン

日本語

離散半導体製品（6133）

製品番号	価格（USD）	量	利用可能な数量	MFR	シリーズ	パッケージ	製品ステータス	許容範囲	動作温度	取り付けタイプ	パッケージ /ケース	基本製品番号	テクノロジー	パワー -マックス	サプライヤーデバイスパッケージ	データシート	ROHSステータス	ステータスに到達します	ECCN	htsus	標準パッケージ	構成	スピード	現在-hold（ihmax）	電源（ VDSS ）への排水	電流 -連続排水（ID @ @ 25°C	rds on max） @ id vgs	vgs	ゲートチャージ（ QG	ciss ）（ max @ vds	フェット機能	トライアックタイプ	電圧 -状態外	現在 -state（it （rms	電圧 -ゲートトリガー（ vgt ）（最大）	現在 -非担当者サージ50、60Hz	現在 -ゲートトリガー（ Igt ）（最大）	ダイオード構成	電圧-DC リバース（ VR ）（最大）	現在 -平均修正（ io ）（ダイオードあたり）	電圧 -フォワード（ vf ）（ max @ if	逆回復時間（ trr）	現在 - @ vr	動作温度 -ジャンクション	現在 -平均修正（ io）	容量 @ vr、f	電圧 -コレクターエミッタの分解（最大）	現在 -コレクター（IC ）（最大）	現在 -コレクターカットオフ（最大）	電圧zener	インピーダンス（最大）（ ZZT）	トランジスタタイプ	vce 飽和（max @ ib、ic	DC電流ゲイン	頻度 -遷移
BZX585-C16,115	0.0300	RFQ	31	NXP USA Inc.	-	バルク	アクティブ	±5％	-65°C〜150°C	表面マウント	SC-79、SOD-523			300 MW	SOD-523	ダウンロード			ear99	8541.10.0050	10,764																				1.1 V @ 100 MA		50 Na @ 11.2 v							16 v	40オーム
BTA420X-800CT、127	1.0000	RFQ	3038	NXP USA Inc.	-	バルク	アクティブ		150°C （TJ）	穴を通して	TO-220-3 フルパック、分離タブ				TO-220F	ダウンロード			ear99	8541.30.0080	1	シングル		40 Ma								標準	800 V	20 a	1.5 v	200a 、220a	35 Ma
BZX84-C12,235	-	RFQ	9371	NXP USA Inc.	*	バルク	アクティブ					BZX84				ダウンロード	ROHS3準拠	影響を受けていない	ear99	8541.10.0050	10,000
AFT18HW355SR5,178	1.0000	RFQ	2872	NXP USA Inc.	*	バルク	アクティブ									ダウンロード				0000.00.0000	1
BAS19,235	-	RFQ	5775	NXP USA Inc.	-	バルク	アクティブ			表面マウント	TO-236-3		標準		SOT-23	ダウンロード			ear99	8541.10.0070	1		小さな信号= <200ma（io ）、任意の速度																100 V		1.25 V @ 200 mA	50 ns	100 Na @ 100 V	150°C （最大）	200mA	5PF @ 0V、1MHz
BCW70,235	0.0300	RFQ	30	NXP USA Inc.	*	バルク	アクティブ					BCW70				-	ROHS3準拠	影響を受けていない	ear99	8541.21.0075	10,000
BUK9640-100A 、118	-	RFQ	8854	NXP USA Inc.	*	バルク	アクティブ					Buk96				-	ROHS3準拠	影響を受けていない	ear99	8541.29.0095	800
BZX79-B10,143	0.0200	RFQ	175	NXP USA Inc.	-	バルク	アクティブ	±2％	-65°C〜200°C	穴を通して	do-204ah do-35 、軸			400 MW	ALF2	ダウンロード			ear99	8541.10.0050	1																				900 mV @ 10 Ma		200 Na @ 7 V							10 v	20オーム
BZX84-C10,235	-	RFQ	2160	NXP USA Inc.	*	バルク	アクティブ					BZX84				ダウンロード	ROHS3準拠	影響を受けていない	ear99	8541.10.0050	10,000
BTA316-800C、127	-	RFQ	6719	NXP USA Inc.	-	バルク	アクティブ		125°C （TJ）	穴を通して	TO-220-3				TO-220AB	ダウンロード			ear99	8541.30.0080	1	シングル		50 Ma								標準	800 V	16 a	1.5 v	140a 、150a	35 Ma
BZV49-C56,115	0.1800	RFQ	16	NXP USA Inc.	-	バルク	アクティブ	±5％	-65°C〜150°C	表面マウント	TO-243AA			1 W	SOT-89	ダウンロード			ear99	8541.10.0050	1,674																				1 V @ 50 mA		50 Na @ 39.2 v							56 v	200オーム
BT137B-600F 、118	1.0000	RFQ	2543	NXP USA Inc.	-	バルク	アクティブ		125°C （TJ）	表面マウント	TO-263-3				d2pak	ダウンロード			ear99	8541.30.0080	1	シングル		20 ma								標準	600 V	8 a	1.5 v	65a 、71a	25 Ma
buk7k5r6-30e、115	-	RFQ	6100	NXP USA Inc.	Automotive、AEC-Q101 、TrenchMos™	バルク	アクティブ		-55°C〜175°C	表面マウント	SOT-205、8-LFPAK56	buk7k5	モスフェット（金属酸化物）	64W	LFPAK56D	ダウンロード			ear99	8541.29.0095	1	2 nチャンネル（デュアル）			30V	40a	5.6mohm @ 25a 、10V	4V @ 1MA	29.7NC @ 10V	1969pf @ 25V	-
BZX79-C5V1,143	0.0200	RFQ	131	NXP USA Inc.	-	バルク	アクティブ	±5％	-65°C〜200°C	穴を通して	do-204ah do-35 、軸			400 MW	ALF2	ダウンロード			ear99	8541.10.0050	1																				900 mV @ 10 Ma		2 µA @ 2 V							5.1 v	60オーム
BZX884-B3V9,315	-	RFQ	7950	NXP USA Inc.	-	バルク	アクティブ	±2％	-65°C〜150°C	表面マウント	SOD-882			250 MW	DFN1006-2	ダウンロード				0000.00.0000	1																				900 mV @ 10 Ma		3 µA @ 1 V							3.9 v	90オーム
BAS70-04235	-	RFQ	6813	NXP USA Inc.	*	バルク	アクティブ									ダウンロード			ear99	8541.10.0070	1
BAS28,235	0.0400	RFQ	746	NXP USA Inc.	-	バルク	アクティブ			表面マウント	to-253-4、to-253aa	BAS28	標準		SOT-143B	ダウンロード			ear99	8541.10.0070	7,713		高速回復= <500ns															2独立	75 v	215ma dc）	1.25 V @ 150 MA	4 ns	1 µA @ 75 V	150°C （最大）
BZX84-C6V2,215	0.0200	RFQ	363	NXP USA Inc.	*	バルク	アクティブ					BZX84				ダウンロード	ROHS3準拠	影響を受けていない	ear99	8541.10.0050	3,000
BZX79-B36,133	0.0200	RFQ	16	NXP USA Inc.	-	バルク	アクティブ	±2％	-65°C〜200°C	穴を通して	do-204ah do-35 、軸			400 MW	ALF2	ダウンロード			ear99	8541.10.0050	16,000																				900 mV @ 10 Ma		50 Na @ 25.2 v							36 v	90オーム
BZX79-B3V3,133	0.0200	RFQ	70	NXP USA Inc.	-	バルク	アクティブ	±2％	-65°C〜200°C	穴を通して	do-204ah do-35 、軸			400 MW	ALF2	ダウンロード			ear99	8541.10.0050	1																				900 mV @ 10 Ma		5 µA @ 1 V							3.3 v	95オーム
BZX884-B6V8,315	-	RFQ	1719	NXP USA Inc.	*	バルク	アクティブ					BZX884				ダウンロード	ROHS3準拠	影響を受けていない	ear99	8541.10.0050	10,000
1N4746a 、133	0.0400	RFQ	127	NXP USA Inc.	-	バルク	アクティブ	±5％	-65°C〜200°C	穴を通して	DO-204AL 、DO-41 、軸			1 W	DO-41	ダウンロード			ear99	8541.10.0050	7,969																				1.2 V @ 200 mA		5 µA @ 13.7 v							18 v	20オーム
PZU3.0DB2,115	1.0000	RFQ	7873	NXP USA Inc.	-	バルク	廃止	±2％	-55°C〜150°C	表面マウント	5-TSSOP 、SC-70-5 、SOT-353			250 MW	5-tssop	ダウンロード			ear99	8541.10.0050	1	2独立																			900 mV @ 10 Ma		10 µA @ 1 V							3 v	95オーム
1N4747a 、113	0.0400	RFQ	290	NXP USA Inc.	*	バルク	アクティブ					1N47				ダウンロード	ROHS3準拠	影響を受けていない	ear99	8541.10.0050	5,000
PH5830DL 、115	0.2200	RFQ	106	NXP USA Inc.	*	バルク	アクティブ									-				0000.00.0000	1
BZX79-C36143	0.0200	RFQ	55	NXP USA Inc.	*	バルク	アクティブ									ダウンロード			ear99	8541.10.0050	1
BUK762R6-40E118	-	RFQ	3400	NXP USA Inc.	*	バルク	アクティブ									-				0000.00.0000	1
PMST6429,115	0.0200	RFQ	941	NXP USA Inc.	aec-q101	バルク	アクティブ		150°C （TJ）	表面マウント	SC-70、SOT-323			200 MW	SOT-323	ダウンロード			ear99	8541.21.0075	1																										45 v	100 Ma	10na （icbo）			npn	600MV @ 5MA 、100mA	500 @ 100µA 、5V	700MHz
PMBS3906,215	-	RFQ	2870	NXP USA Inc.	*	バルク	アクティブ					PMBS3				ダウンロード	ROHS3準拠	影響を受けていない	ear99	8541.21.0095	3,000
PZU30BA115	-	RFQ	3019	NXP USA Inc.	*	バルク	アクティブ									ダウンロード			ear99	8541.10.0050	1

2000+
毎日の平均RFQボリューム
30,000,000
標準製品ユニット
2800+
世界的なメーカー
15,000 m²
在庫倉庫

離散半導体製品（6133）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²