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離散半導体製品（6133）
| 画像 | 製品番号 | 価格（USD） | 量 | ECAD | 利用可能な数量 | 体重（ kg） | MFR | シリーズ | パッケージ | 製品ステータス | 許容範囲 | 動作温度 | 取り付けタイプ | パッケージ /ケース | 基本製品番号 | テクノロジー | パワー -マックス | サプライヤーデバイスパッケージ | データシート | ROHSステータス | ステータスに到達します | ECCN | htsus | 標準パッケージ | フェットタイプ | 現在-hold（ihmax） | 電源（ VDSS ）への排水 | 電流 -連続排水（ID @ @ 25°C | ドライブ電圧（最大rds onmin rds on | rds on max） @ id vgs | vgs | ゲートチャージ（ QG | VGS （最大） | ciss ）（ max @ vds | フェット機能 | 電力散逸（最大） | 電圧 -状態外 | 現在 -state（it （rms | 電圧 -ゲートトリガー（ vgt ）（最大） | 現在 -非担当者サージ50、60Hz | 現在 -ゲートトリガー（ Igt ）（最大） | 電圧 -状態（ vtm ）（最大） | 現在 -State | 現在 -オフステート（最大） | scrタイプ | 電圧 -フォワード（ vf ）（ max @ if | 現在 - @ vr | 電圧 -コレクターエミッタの分解（最大） | 現在 -コレクター（IC ）（最大） | 現在 -コレクターカットオフ（最大） | 電圧zener | インピーダンス（最大）（ ZZT） | トランジスタタイプ | vce 飽和（max @ ib、ic | DC電流ゲイン | 頻度 -遷移 | 抵抗 -ベース（r1） | 抵抗 -エミッターベース（r2） |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 | PDZ12B/S911115 | 0.0200 |  | 9811 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | * | バルク | アクティブ | ダウンロード | ear99 | 8541.10.0050 | 4,600 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | PMBS3904,235 | 0.0200 | | 820 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | * | バルク | アクティブ | PMBS3904 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 影響を受けていない | ear99 | 8541.21.0075 | 10,000 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| PMBS3904,215 | 0.0200 | | 201 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | * | バルク | アクティブ | PMBS3904 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 影響を受けていない | ear99 | 8541.21.0075 | 3,000 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | PDTA113EU 、115 | 0.0200 | | 430 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | - | バルク | アクティブ | 表面マウント | SC-70、SOT-323 | PDTA113 | 200 MW | SOT-323 | ダウンロード | ear99 | 8541.21.0095 | 1 | 50 v | 100 Ma | 1µA | pnp-前バイアス | 150mv @ 1.5ma 、30ma | 30 @ 40ma 、5v | 1 KOHMS | 1 KOHMS | ||||||||||||||||||||||||||||||||
 | NZX12B133 | 1.0000 | | 4588 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | * | バルク | アクティブ | ダウンロード | ear99 | 8541.10.0050 | 1 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | BAT74V115 | 0.0600 | | 5612 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | * | バルク | アクティブ | ダウンロード | ear99 | 8541.10.0070 | 3,400 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| PDTB114EUF | - | | 3279 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | - | バルク | アクティブ | 表面マウント | SC-70、SOT-323 | PDTB114 | 300 MW | SOT-323 | ダウンロード | ear99 | 8541.21.0075 | 1 | 50 v | 500 Ma | 500na | npn-バイアス化 | 100MV @ 2.5MA 、50mA | 70 @ 50MA 、5V | 140 MHz | 10 Kohms | 10 Kohms | |||||||||||||||||||||||||||||||
| BZX84-B5V1,215 | 0.0200 | | 4217 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | * | バルク | アクティブ | BZX84 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0050 | 3,000 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | EC103D1,116 | 1.0000 | | 3613 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | - | バルク | アクティブ | - | 穴を通して | to-226-3 | to-92-3 | ダウンロード | ear99 | 8541.30.0080 | 1 | 5 Ma | 400 V | 800 Ma | 800 mv | 8a 、9a | 12 µA | 1.35 v | 500 Ma | 100 µA | 敏感なゲート | |||||||||||||||||||||||||||||||
 | BZV55-B43,115 | - | | 8000 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | * | バルク | アクティブ | BZV55 | - | ROHS3準拠 | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0050 | 2,500 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | 2PB709ART 、215 | 0.0200 | | 366 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | aec-q101 | バルク | アクティブ | 150°C （TJ） | 表面マウント | TO-236-3 | 250 MW | SOT-23 | ダウンロード | ear99 | 8541.21.0095 | 1 | 45 v | 100 Ma | 10na （icbo） | PNP | 500MV @ 10MA 、100mA | 210 @ 2MA 、10V | 70MHz | |||||||||||||||||||||||||||||||||
| BZB784-C2V4,115 | 0.0300 | | 23 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | * | バルク | アクティブ | BZB784 | - | ROHS3準拠 | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0050 | 3,000 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | NZX15B133 | 0.0200 | | 157 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | * | バルク | アクティブ | ダウンロード | ear99 | 8541.10.0050 | 1 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | PSMN7R8-120PSQ | - | | 2412 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | - | バルク | アクティブ | -55°C〜175°C | 穴を通して | To-262-3 Long Leads | モスフェット（金属酸化物） | i2pak | ダウンロード | ear99 | 8541.29.0095 | 177 | nチャネル | 120 v | 70a | 10V | 7.9mohm @ 25a 、10V | 4V @ 1MA | 167 NC @ 10 V | ±20V | 9473 PF @ 60 V | - | 349W | |||||||||||||||||||||||||||||
 | BAT86,113 | 0.0800 | | 21 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | * | バルク | アクティブ | BAT86 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0070 | 10,000 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| BZX79-B68,133 | 0.0200 | | 119 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | - | バルク | アクティブ | ±2％ | -65°C〜200°C | 穴を通して | do-204ah do-35 、軸 | 400 MW | ALF2 | ダウンロード | ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 900 mV @ 10 Ma | 50 Na @ 47.6 v | 68 v | 240オーム | |||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | BZX84J-C2V4115 | 0.0300 | | 19 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | * | バルク | アクティブ | ダウンロード | ear99 | 8541.10.0050 | 11,823 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | BZV85-C4V7,113 | 0.0400 | | 100 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | - | バルク | アクティブ | ±5％ | -65°C〜200°C | 穴を通して | DO-204AL 、DO-41 、軸 | 1.3 w | DO-41 | ダウンロード | ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1 V @ 50 mA | 3 µA @ 1 V | 4.7 v | 13オーム | |||||||||||||||||||||||||||||||||||
| BZX884-B51315 | - | | 7740 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | * | バルク | アクティブ | ダウンロード | 0000.00.0000 | 1 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | buk7y98-80e、115 | - | | 2693 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | * | バルク | アクティブ | ダウンロード | 0000.00.0000 | 1 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | BZX79-C9V1,113 | 0.0200 | | 180 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | * | バルク | アクティブ | BZX79 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0050 | 10,000 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| BZT52-C9V1115 | - | | 8128 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | * | バルク | アクティブ | BZT52 | ダウンロード | ear99 | 8541.10.0050 | 1 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | BZX84-A12215 | - | | 7332 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | * | バルク | アクティブ | ダウンロード | ear99 | 8541.10.0050 | 1 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | buk9e04-40a 、127 | - | | 7608 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | Automotive、AEC-Q101 、TrenchMos™ | バルク | 廃止 | -55°C〜175°C | 穴を通して | To-262-3 Long Leads | モスフェット（金属酸化物） | i2pak | ダウンロード | ear99 | 8541.29.0095 | 84 | nチャネル | 40 v | 75a（tc） | 4.3V 、10V | 4mohm @ 25a 、10V | 2V @ 1MA | 128 NC @ 5 V | ±15V | 8260 PF @ 25 V | - | 300W （TC） | |||||||||||||||||||||||||||||
| bc857bw、135 | 0.0200 | | 23 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | * | バルク | アクティブ | BC857 | - | ROHS3準拠 | 影響を受けていない | ear99 | 8541.21.0075 | 10,000 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | BZX84J-B6V8,115 | 0.0300 | | 224 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | * | バルク | アクティブ | BZX84 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0050 | 3,000 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| 2PB709ARW 、115 | 0.0200 | | 18 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | aec-q101 | バルク | アクティブ | 150°C （TJ） | 表面マウント | SC-70、SOT-323 | 200 MW | SOT-323 | ダウンロード | ear99 | 8541.21.0095 | 1 | 45 v | 100 Ma | 10na （icbo） | PNP | 500MV @ 10MA 、100mA | 210 @ 2MA 、10V | 70MHz | |||||||||||||||||||||||||||||||||
| nzx2v7c、133 | 0.0200 | | 94 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | * | バルク | アクティブ | NZX2 | - | ROHS3準拠 | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0050 | 10,000 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | PUMX1,115 | - | | 5735 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | * | バルク | アクティブ | pumx1 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 影響を受けていない | ear99 | 8541.21.0095 | 3,000 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | PhD13003C、126 | 0.0600 | | 22 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | * | バルク | アクティブ | PhD13 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 影響を受けていない | ear99 | 8541.29.0095 | 2,000 |
2000+
毎日の平均RFQボリューム
30,000,000
標準製品ユニット
2800+
世界的なメーカー
15,000 m2
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