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離散半導体製品（6133）
| 画像 | 製品番号 | 価格（USD） | 量 | ECAD | 利用可能な数量 | 体重（ kg） | MFR | シリーズ | パッケージ | 製品ステータス | 許容範囲 | 動作温度 | 取り付けタイプ | パッケージ /ケース | 基本製品番号 | テクノロジー | パワー -マックス | サプライヤーデバイスパッケージ | データシート | ROHSステータス | ステータスに到達します | ECCN | htsus | 標準パッケージ | 構成 | スピード | フェットタイプ | 現在-hold（ihmax） | 電源（ VDSS ）への排水 | 電流 -連続排水（ID @ @ 25°C | ドライブ電圧（最大rds onmin rds on | rds on max） @ id vgs | vgs | ゲートチャージ（ QG | VGS （最大） | ciss ）（ max @ vds | フェット機能 | 電力散逸（最大） | トライアックタイプ | 電圧 -状態外 | 現在 -state（it （rms | 電圧 -ゲートトリガー（ vgt ）（最大） | 現在 -非担当者サージ50、60Hz | 現在 -ゲートトリガー（ Igt ）（最大） | ダイオード構成 | 電圧-DC リバース（ VR ）（最大） | 現在 -平均修正（ io ）（ダイオードあたり） | 電圧 -フォワード（ vf ）（ max @ if | 逆回復時間（ trr） | 現在 - @ vr | 動作温度 -ジャンクション | 電圧 -コレクターエミッタの分解（最大） | 現在 -コレクター（IC ）（最大） | 現在 -コレクターカットオフ（最大） | 電圧zener | インピーダンス（最大）（ ZZT） | トランジスタタイプ | vce 飽和（max @ ib、ic | DC電流ゲイン | 頻度 -遷移 | 抵抗 -ベース（r1） | 抵抗 -エミッターベース（r2） |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 | pemb1,115 | 0.0400 |  | 62 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | - | バルク | アクティブ | 表面マウント | SOT-563、SOT-666 | pemb1 | 300MW | SOT-666 | ダウンロード | ear99 | 8541.21.0095 | 1 | 50V | 100mA | 1µA | 2 pnp- バイアス（デュアル） | 150mv @ 500µa 、10ma | 60 @ 5MA 、5V | - | 22kohms | 22kohms | |||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | BC807-40,235 | - | | 2638 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | aec-q101 | バルク | アクティブ | 150°C （TJ） | 表面マウント | TO-236-3 | 250 MW | SOT-23 | ダウンロード | 0000.00.0000 | 1 | 45 v | 500 Ma | 100na（icbo） | PNP | 700mv @ 50ma 、500ma | 250 @ 100MA、1V | 80MHz | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | BZX384-B2V7,115 | 0.0200 | | 5773 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | * | バルク | アクティブ | BZX384 | - | ROHS3準拠 | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0050 | 3,000 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | BZX84J-C36,115 | - | | 6221 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | * | バルク | アクティブ | BZX84 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0050 | 3,000 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | BTA212-800B 、127 | 0.4500 | | 2 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | - | バルク | アクティブ | 125°C （TJ） | 穴を通して | TO-220-3 | TO-220AB | ダウンロード | ear99 | 8541.30.0080 | 481 | シングル | 60 Ma | 標準 | 800 V | 12 a | 1.5 v | 95a 、105a | 50 Ma | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | BZT52H-C2V7,115 | 0.0200 | | 150 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | * | バルク | アクティブ | BZT52 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0050 | 3,000 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | BZX585-B5V1,135 | 1.0000 | | 4600 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | - | バルク | アクティブ | ±2％ | -65°C〜150°C | 表面マウント | SC-79、SOD-523 | 300 MW | SOD-523 | ダウンロード | ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.1 V @ 100 MA | 2 µA @ 2 V | 5.1 v | 60オーム | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | BZX585-B30,115 | - | | 7758 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | * | バルク | アクティブ | BZX585 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0050 | 3,000 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | BZX84-B16,215 | 0.0200 | | 78 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | * | バルク | アクティブ | BZX84 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0050 | 3,000 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| BZX79-C4V3,133 | 0.0200 | | 54 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | * | バルク | アクティブ | BZX79 | - | ROHS3準拠 | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0050 | 10,000 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | BTA204W-600E、135 | 0.2300 | | 65 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | - | バルク | アクティブ | 125°C （TJ） | 表面マウント | TO-261-4、TO-261AA | SOT-223 | ダウンロード | ear99 | 8541.30.0080 | 1,312 | シングル | 12 Ma | ロジック -敏感なゲート | 600 V | 1 a | 1.5 v | 10a 、11a | 10 Ma | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | psmn021-100ylx | 1.0000 | | 2749 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | - | バルク | アクティブ | -55°C〜175°C | 表面マウント | SC-100 、SOT-669 | モスフェット（金属酸化物） | LFPAK56 、POWER-SO8 | ダウンロード | ear99 | 8541.29.0095 | 1 | nチャネル | 100 V | 49a（tc） | 5V、10V | 21.5mohm @ 15a 、10V | 2.1V @ 1MA | 65.6 NC @ 10 V | ±20V | 4640 PF @ 25 V | - | 147W | |||||||||||||||||||||||||||||||||
| PZU8.2B1,115 | - | | 9675 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | * | バルク | アクティブ | PZU8.2 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0050 | 3,000 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| BZX79-C56133 | 1.0000 | | 9093 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | * | バルク | アクティブ | ダウンロード | ear99 | 8541.10.0050 | 1 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| 2PD601ARL 、215 | 0.0200 | | 741 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | * | バルク | アクティブ | 2PD60 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 影響を受けていない | ear99 | 8541.21.0075 | 3,000 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| BZV55-C2V7,115 | - | | 9353 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | * | バルク | アクティブ | BZV55 | - | ROHS3準拠 | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0050 | 2,500 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| BZB84-C20,215 | 0.0200 | | 29 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | - | バルク | アクティブ | ±5％ | - | 表面マウント | TO-236-3 | 300 MW | SOT-23 | ダウンロード | ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1ペア共通アノード | 900 mV @ 10 Ma | 50 Na @ 14 V | 20 v | 55オーム | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| BZV90-C51115 | - | | 7283 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | * | バルク | アクティブ | ダウンロード | 0000.00.0000 | 1 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | BZV90-C9V1,115 | - | | 9630 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | * | バルク | アクティブ | BZV90 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0050 | 1,000 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| NZX24B 、133 | 0.0200 | | 27 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | * | バルク | アクティブ | NZX2 | - | ROHS3準拠 | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0050 | 10,000 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| BZV55-B22,115 | - | | 1708 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | - | バルク | アクティブ | ±2％ | -65°C〜200°C | 表面マウント | DO-213AC 、ミニメルフ、 SOD-80 | 500 MW | llds;ミニフル | ダウンロード | ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 900 mV @ 10 Ma | 50 Na @ 15.4 v | 22 v | 55オーム | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| PMBD354,215 | 0.0800 | | 37 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | * | バルク | アクティブ | PMBD3 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0070 | 3,000 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| BZX84J-C5V6,115 | - | | 3433 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | * | バルク | アクティブ | BZX84 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0050 | 3,000 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| BCV47,215 | - | | 2332 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | * | バルク | アクティブ | BCV47 | - | ROHS3準拠 | 影響を受けていない | ear99 | 8541.21.0075 | 3,000 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | BZV90-C24,115 | 0.1700 | | 18 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | - | バルク | アクティブ | ±5％ | -65°C〜150°C | 表面マウント | TO-261-4、TO-261AA | 1.5 w | SOT-223 | ダウンロード | ear99 | 8541.10.0050 | 1,745 | 1 V @ 50 mA | 50 Na @ 16.8 v | 24 v | 70オーム | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| BZX79-C3V9,133 | 0.0200 | | 195 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | * | バルク | アクティブ | BZX79 | - | ROHS3準拠 | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0050 | 10,000 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| BZX79-C4V7,133 | 0.0200 | | 281 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | * | バルク | アクティブ | BZX79 | - | ROHS3準拠 | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0050 | 10,000 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | 1N4746a 、113 | 0.0400 | | 214 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | * | バルク | アクティブ | 1N47 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0050 | 5,000 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| BYV32E-150,127 | - | | 4003 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | - | バルク | アクティブ | 穴を通して | TO-220-3 | byv32 | 標準 | TO-220AB | ダウンロード | ear99 | 8541.10.0080 | 1 | 高速回復= <500ns | 1ペア共通カソード | 150 v | 20a | 1.15 V @ 20 a | 25 ns | 30 µA @ 150 V | 150°C （最大） | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| BC817-25W 、115 | 0.0200 | | 4296 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | * | バルク | アクティブ | BC817 | - | ROHS3準拠 | 影響を受けていない | ear99 | 8541.21.0075 | 3,000 |
2000+
毎日の平均RFQボリューム
30,000,000
標準製品ユニット
2800+
世界的なメーカー
15,000 m2
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