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離散半導体製品（6133）
| 画像 | 製品番号 | 価格（USD） | 量 | ECAD | 利用可能な数量 | 体重（ kg） | MFR | シリーズ | パッケージ | 製品ステータス | 許容範囲 | 電圧 -定格 | 動作温度 | 取り付けタイプ | パッケージ /ケース | 基本製品番号 | 頻度 | テクノロジー | パワー -マックス | サプライヤーデバイスパッケージ | データシート | ROHSステータス | 水分感度レベル（MSL） | ステータスに到達します | ECCN | htsus | 標準パッケージ | 構成 | スピード | フェットタイプ | 現在の評価（ amp） | 現在-hold（ihmax） | 現在 -テスト | 電力 -出力 | 得 | 電源（ VDSS ）への排水 | 電流 -連続排水（ID @ @ 25°C | ドライブ電圧（最大rds onmin rds on | rds on max） @ id vgs | vgs | ゲートチャージ（ QG | VGS （最大） | ciss ）（ max @ vds | フェット機能 | 電力散逸（最大） | トライアックタイプ | 電圧 -状態外 | 現在 -state（it （rms | 電圧 -ゲートトリガー（ vgt ）（最大） | 現在 -非担当者サージ50、60Hz | 現在 -ゲートトリガー（ Igt ）（最大） | 電圧 -状態（ vtm ）（最大） | 現在 -State | 現在 -オフステート（最大） | scrタイプ | ノイズ図 | 電圧-DC リバース（ VR ）（最大） | 電圧 -フォワード（ vf ）（ max @ if | 逆回復時間（ trr） | 現在 - @ vr | 動作温度 -ジャンクション | 現在 -平均修正（ io） | 容量 @ vr、f | 電圧 -コレクターエミッタの分解（最大） | 現在 -コレクター（IC ）（最大） | 電圧 -テスト | 現在 -コレクターカットオフ（最大） | 電圧zener | インピーダンス（最大）（ ZZT） | トランジスタタイプ | vce 飽和（max @ ib、ic | DC電流ゲイン | 抵抗 -ベース（r1） | 抵抗 -エミッターベース（r2） |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 | PSMN015-110P 、127 | - |  | 5936 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | * | バルク | アクティブ | psmn0 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 影響を受けていない | ear99 | 8541.29.0095 | 1,000 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | BZX79-C2V7,133 | 0.0200 | | 209 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | * | バルク | アクティブ | BZX79 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0050 | 10,000 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | BAW56W、115 | 0.0200 | | 800 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | * | バルク | アクティブ | BAW56W | - | ROHS3準拠 | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0070 | 3,000 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | PZU24B3A 、115 | 0.0300 | | 49 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | - | バルク | アクティブ | ±2％ | -55°C〜150°C | 表面マウント | SC-76、SOD-323 | 320 MW | SOD-323 | ダウンロード | ear99 | 8541.10.0050 | 11,010 | 1.1 V @ 100 MA | 50 na @ 19 v | 24 v | 30オーム | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | BZX884-C4V7,315 | - | | 5954 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | - | バルク | アクティブ | ±5％ | -65°C〜150°C | 表面マウント | SOD-882 | 250 MW | DFN1006-2 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 （無制限） | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0070 | 1,416 | 900 mV @ 10 Ma | 3 µA @ 2 V | 4.7 v | 80オーム | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| BZT52H-C13,115 | 0.0200 | | 65 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | * | バルク | アクティブ | BZT52 | - | ROHS3準拠 | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0050 | 3,000 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | PEMD18,115 | - | | 9747 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | * | バルク | アクティブ | PEMD1 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 影響を受けていない | ear99 | 8541.21.0095 | 4,000 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| NZX15C 、133 | 0.0200 | | 55 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | * | バルク | アクティブ | NZX1 | - | ROHS3準拠 | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0050 | 10,000 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| NZX2V7A 、133 | 0.0200 | | 70 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | * | バルク | アクティブ | NZX2 | - | ROHS3準拠 | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0050 | 10,000 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| PEMH24,115 | 0.0400 | | 20 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | * | バルク | アクティブ | PEMH2 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 影響を受けていない | ear99 | 8541.21.0095 | 4,000 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | psmn014-80ylx | 1.0000 | | 6224 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | - | バルク | アクティブ | -55°C〜175°C | 表面マウント | SC-100 、SOT-669 | モスフェット（金属酸化物） | LFPAK56 、POWER-SO8 | ダウンロード | ear99 | 8541.29.0095 | 1 | nチャネル | 80 v | 62a（tc） | 5V、10V | 14mohm @ 15a 、10V | 2.1V @ 1MA | 28.9 NC @ 5 V | ±20V | 4640 PF @ 25 V | - | 147W | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| psmn2r9-25ylc | 1.0000 | | 9589 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | * | バルク | アクティブ | ダウンロード | 0000.00.0000 | 1 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | PDZ12B/S911115 | 0.0200 | | 9811 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | * | バルク | アクティブ | ダウンロード | ear99 | 8541.10.0050 | 4,600 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | PDTA144TM 、315 | 0.0300 | | 158 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | * | バルク | アクティブ | PDTA14 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 影響を受けていない | ear99 | 8541.21.0095 | 10,000 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | PMP4501Y 、115 | - | | 9797 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | * | バルク | アクティブ | PMP4 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 影響を受けていない | ear99 | 8541.29.0095 | 3,000 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | PMBS3904,235 | 0.0200 | | 820 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | * | バルク | アクティブ | PMBS3904 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 影響を受けていない | ear99 | 8541.21.0075 | 10,000 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| PMBS3904,215 | 0.0200 | | 201 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | * | バルク | アクティブ | PMBS3904 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 影響を受けていない | ear99 | 8541.21.0075 | 3,000 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | PDTA113EU 、115 | 0.0200 | | 430 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | - | バルク | アクティブ | 表面マウント | SC-70、SOT-323 | PDTA113 | 200 MW | SOT-323 | ダウンロード | ear99 | 8541.21.0095 | 1 | 50 v | 100 Ma | 1µA | pnp-前バイアス | 150mv @ 1.5ma 、30ma | 30 @ 40ma 、5v | 1 KOHMS | 1 KOHMS | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| PDTD113ZT 、215 | 0.0300 | | 9940 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | * | バルク | アクティブ | PDTD11 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 影響を受けていない | ear99 | 8541.21.0095 | 3,000 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| blf6g27ls-40p、112 | 75.6200 | | 40 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | - | バルク | アクティブ | 65 v | 表面マウント | SOT-1121B | 2.5GHz〜2.7GHz | ldmos | LDのほとんど | ダウンロード | ear99 | 8541.29.0075 | 4 | デュアル、共通のソース | - | 450 Ma | 12W | 17.5dB | - | 28 v | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | PMEG3002ESFYL | 0.0400 | | 18 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | - | バルク | アクティブ | 表面マウント | 0201 （0603 メトリック） | PMEG3002 | ショットキー | DSN0603-2 | ダウンロード | ear99 | 8541.10.0070 | 1 | 小さな信号= <200ma（io ）、任意の速度 | 30 V | 535 mV @ 200 Ma | 1.42 ns | 9 µA @ 30 V | 150°C （最大） | 200mA | 21pf @ 1V、1MHz | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | NZH15B 、115 | 0.0300 | | 738 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | * | バルク | アクティブ | NZH1 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0050 | 3,000 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| NZH6V2B 、115 | - | | 8204 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | * | バルク | アクティブ | NZH6 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0050 | 3,000 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | BZX79-C13,143 | 0.0200 | | 375 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | - | バルク | アクティブ | ±5％ | -65°C〜200°C | 穴を通して | do-204ah do-35 、軸 | 400 MW | ALF2 | ダウンロード | ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 900 mV @ 10 Ma | 100 Na @ 8 V | 13 v | 30オーム | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | buk6c3r3-75c 、118 | - | | 3614 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | Automotive、AEC-Q101 、TrenchMos™ | バルク | 廃止 | -55°C〜175°C | 表面マウント | TO-263-7 | モスフェット（金属酸化物） | D2PAK-7 | ダウンロード | ear99 | 8541.29.0095 | 1 | nチャネル | 75 v | 181a（tc） | 10V | 3.4mohm @ 90a 、10V | 2.8V @ 1MA | 253 NC @ 10 V | ±16V | 15800 PF @ 25 V | - | 300W （TC） | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | BT169D-L 、112 | - | | 1241 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | - | バルク | アクティブ | - | 穴を通して | TO-226-3 | to-92-3 | ダウンロード | ear99 | 8541.30.0080 | 1 | 5 Ma | 400 V | 800 Ma | 800 mv | 8a 、9a | 50 µA | 1.7 v | 500 Ma | 100 µA | 敏感なゲート | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | BT136X-600,127 | 0.2500 | | 1 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | - | バルク | アクティブ | 125°C （TJ） | 穴を通して | TO-220-3 フルパック、分離タブ | TO-220F | ダウンロード | ear99 | 8541.30.0080 | 1,184 | シングル | 15 Ma | 標準 | 600 V | 4 a | 1.5 v | 25a 、27a | 35 Ma | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | BZX79-B22,143 | 0.0200 | | 45 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | - | バルク | アクティブ | ±2％ | -65°C〜200°C | 穴を通して | do-204ah do-35 、軸 | 400 MW | ALF2 | ダウンロード | ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 900 mV @ 10 Ma | 50 Na @ 15.4 v | 22 v | 55オーム | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| BZX79-B2V4143 | - | | 4217 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | * | バルク | アクティブ | ダウンロード | ear99 | 8541.10.0050 | 1 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | 1N4728A 、133 | 0.0400 | | 52 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | - | バルク | アクティブ | ±5％ | -65°C〜200°C | 穴を通して | DO-204AL 、DO-41 、軸 | 1 W | DO-41 | ダウンロード | ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.2 V @ 200 mA | 100 µA @ 1 V | 3.3 v | 10オーム |
2000+
毎日の平均RFQボリューム
30,000,000
標準製品ユニット
2800+
世界的なメーカー
15,000 m2
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