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離散半導体製品（6133）

画像 製品番号 価格（USD） 量 ECAD 利用可能な数量 体重（ kg） MFR シリーズ パッケージ 製品ステータス 許容範囲 電圧 -定格 動作温度 取り付けタイプ パッケージ /ケース 基本製品番号 頻度 テクノロジー パワー -マックス サプライヤーデバイスパッケージ データシート ROHSステータス 水分感度レベル（MSL） ステータスに到達します その他の名前 ECCN htsus 標準パッケージ 構成 スピード フェットタイプ 現在の評価（ amp） 現在-hold（ihmax） 現在 -テスト 電力 -出力 得 電源（ VDSS ）への排水 電流 -連続排水（ID @ @ 25°C ドライブ電圧（最大rds onmin rds on rds on max） @ id vgs vgs ゲートチャージ（ QG VGS （最大） ciss ）（ max @ vds フェット機能 電力散逸（最大） トライアックタイプ 電圧 -状態外 現在 -state（it （rms 電圧 -ゲートトリガー（ vgt ）（最大） 現在 -非担当者サージ50、60Hz 現在 -ゲートトリガー（ Igt ）（最大） 電圧 -状態（ vtm ）（最大） 現在 -State 現在 -オフステート（最大） scrタイプ ノイズ図 ダイオード構成 電圧-DC リバース（ VR ）（最大） 現在 -平均修正（ io ）（ダイオードあたり） 電圧 -フォワード（ vf ）（ max @ if 逆回復時間（ trr） 現在 - @ vr 動作温度 -ジャンクション 現在 -平均修正（ io） 容量 @ vr、f 電圧 -コレクターエミッタの分解（最大） 現在 -コレクター（IC ）（最大） 電圧 -テスト 電圧 -破壊（ V 現在の - ドレイン（IDSS @ vds（vgs = 0） 電圧-Cutoff（ VGSオフ） @ id 現在 -コレクターカットオフ（最大） 電圧zener インピーダンス（最大）（ ZZT） 抵抗-RDS （オン） トランジスタタイプ vce 飽和（max @ ib、ic DC電流ゲイン 頻度 -遷移 抵抗 -ベース（r1） 抵抗 -エミッターベース（r2） ノイズフィギュア（DBタイプ @ f）
MRF8P23080HR3 NXP USA Inc. MRF8P23080HR3 -
RFQ
 ECAD 3999 0.00000000 NXP USA Inc. - テープ＆リール（ tr） 廃止 65 v シャーシマウント NI-780-4 MRF8 2.3GHz ldmos NI-780-4 ダウンロード ROHS3準拠 1 （無制限） 影響を受けていない 935314247128 ear99 8541.29.0075 250 デュアル - 280 Ma 16W 14.6db - 28 v
PDTC144TMB315 NXP USA Inc. PDTC144TMB315 0.0200
RFQ
 ECAD 189 0.00000000 NXP USA Inc. * バルク アクティブ ダウンロード ear99 8541.21.0075 1
PMBFJ108,215 NXP USA Inc. PMBFJ108,215 -
RFQ
 ECAD 1537 0.00000000 NXP USA Inc. - テープ＆リール（ tr） 廃止 150°C （TJ） 表面マウント TO-236-3 PMBFJ1 250 MW SOT-23 ダウンロード ROHS3準拠 1 （無制限） 影響を受けていない ear99 8541.21.0095 3,000 nチャネル 25 v 30pf @ 10V 25 v 80ma @ 15 v 10 V @ 1 µA 8オーム
ON5441518 NXP USA Inc. on5441518 0.7300
RFQ
 ECAD 32 0.00000000 NXP USA Inc. * バルク アクティブ - 適用できない 1 （無制限） 未定義のベンダー ear99 8541.29.0095 2,000
BAV70W,115 NXP USA Inc. bav70w、115 0.0200
RFQ
 ECAD 5607 0.00000000 NXP USA Inc. * バルク アクティブ bav70 - ROHS3準拠 影響を受けていない ear99 8541.10.0070 3,000
BUK7Y7R2-60EX NXP USA Inc. buk7y7r2-60ex -
RFQ
 ECAD 2919 0.00000000 NXP USA Inc. - バルク アクティブ -55°C〜175°C 表面マウント SC-100 、SOT-669 モスフェット（金属酸化物） LFPAK56 、POWER-SO8 ダウンロード 0000.00.0000 1 nチャネル 60 V - 10V - - ±20V - 167W （TC）
BY459-1500,127 NXP USA Inc. BY459-1500,127 -
RFQ
 ECAD 5328 0.00000000 NXP USA Inc. - チューブ 廃止 穴を通して TO-220-2 BY45 標準 TO-220AC ダウンロード ROHS3準拠 1 （無制限） 影響を受けていない 934031220127 ear99 8541.10.0080 5,000 高速回復= <500ns 1500 v 1.3 V @ 6.5 a 350 ns 150°C （最大） 12a -
BFU590Q115 NXP USA Inc. BFU590Q115 0.5000
RFQ
 ECAD 106 0.00000000 NXP USA Inc. * バルク アクティブ ダウンロード 適用できない 1 （無制限） 未定義のベンダー ear99 8541.29.0075 1,000
PMEG2005AESF/S500315 NXP USA Inc. PMEG2005AESF/S500315 0.0300
RFQ
 ECAD 846 0.00000000 NXP USA Inc. * バルク アクティブ ダウンロード 適用できない 1 （無制限） 未定義のベンダー ear99 8541.10.0070 9,000
AFT26HW050GSR3 NXP USA Inc. AFT26HW050GSR3 -
RFQ
 ECAD 8825 0.00000000 NXP USA Inc. - テープ＆リール（ tr） 廃止 65 v 表面マウント NI-780GS-4L4L AFT26 2.69GHz ldmos NI-780GS-4L4L ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない 935323329128 5A991G 8541.29.0040 250 デュアル - 100 Ma 9W 14.2db - 28 v
AFT09S200W02NR3 NXP USA Inc. AFT09S200W02NR3 -
RFQ
 ECAD 2548 0.00000000 NXP USA Inc. - テープ＆リール（ tr） 廃止 70 v 表面マウント OM-780-2 AFT09 960MHz ldmos OM-780-2 - ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない 935311675528 ear99 8541.29.0075 250 - 1.4 a 56W 19.2db - 28 v
BTA312X-800B,127 NXP USA Inc. BTA312X-800B 、127 0.5200
RFQ
 ECAD 5 0.00000000 NXP USA Inc. - バルク アクティブ 125°C （TJ） 穴を通して TO-220-3 フルパック、分離タブ TO-220F ダウンロード ear99 8541.30.0080 577 シングル 60 Ma 標準 800 V 12 a 1.5 v 95a 、105a 50 Ma
MRF5S21100HSR3 NXP USA Inc. MRF5S21100HSR3 -
RFQ
 ECAD 5820 0.00000000 NXP USA Inc. - テープ＆リール（ tr） 廃止 65 v NI-780S MRF5 2.16GHz〜2.17GHz ldmos NI-780S ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない 5A991G 8541.29.0075 250 - 1.05 a 23W 13.5dB - 28 v
NX7002BKXB147 NXP USA Inc. NX7002BKXB147 0.0500
RFQ
 ECAD 1 0.00000000 NXP USA Inc. * バルク アクティブ ダウンロード 適用できない 1 （無制限） 未定義のベンダー ear99 8541.21.0095 5,000
BZX84-C3V9,235 NXP USA Inc. BZX84-C3V9,235 0.0200
RFQ
 ECAD 20 0.00000000 NXP USA Inc. aec-q101 バルク アクティブ ±5％ -65°C〜150°C 表面マウント TO-236-3 250 MW SOT-23 ダウンロード ear99 8541.10.0050 1 900 mV @ 10 Ma 3 µA @ 1 V 3.9 v 90オーム
PDTC143XK,115 NXP USA Inc. PDTC143XK 、115 -
RFQ
 ECAD 7787 0.00000000 NXP USA Inc. - テープ＆リール（ tr） 廃止 表面マウント TO-236-3 PDTC143 250 MW SMT3; mpak ダウンロード ROHS3準拠 1 （無制限） 影響を受けていない ear99 8541.21.0095 3,000 50 v 100 Ma 1µA npn-バイアス化 100MV @ 500µA 、10mA 50 @ 10ma 、5v 4.7 Kohms 10 Kohms
BC849CW,115 NXP USA Inc. BC849CW 、115 0.0200
RFQ
 ECAD 15 0.00000000 NXP USA Inc. aec-q101 バルク アクティブ 150°C （TJ） 表面マウント SC-70、SOT-323 200 MW SOT-323 ダウンロード ear99 8541.21.0075 1 30 V 100 Ma 15NA npn 600MV @ 5MA 、100mA 420 @ 2MA 、5V 100MHz
BT169H,112 NXP USA Inc. BT169H 、112 -
RFQ
 ECAD 7636 0.00000000 NXP USA Inc. - チューブ 廃止 - 穴を通して to-226-3 BT169 to-92-3 ダウンロード ROHS3準拠 1 （無制限） 影響を受けていない 934061729112 ear99 8541.30.0080 5,000 3 Ma 800 V 800 Ma 800 mv 9a 、10a 100 µA 1.7 v 500 Ma 100 µA 敏感なゲート
MRFG35010R1 NXP USA Inc. MRFG35010R1 -
RFQ
 ECAD 9778 0.00000000 NXP USA Inc. - テープ＆リール（ tr） 廃止 15 V シャーシマウント NI-360HF MRFG35 3.55GHz フェットフェット NI-360HF ダウンロード ROHS3準拠 1 （無制限） 影響を受けていない ear99 8541.21.0075 500 - 180 Ma 10W 10db - 12 v
BUK9510-100B,127 NXP USA Inc. BUK9510-100B 、127 0.7700
RFQ
 ECAD 10 0.00000000 NXP USA Inc. * チューブ アクティブ buk95 ダウンロード ROHS3準拠 影響を受けていない ear99 8541.29.0095 1,000
BFG10W/X,115 NXP USA Inc. BFG10W/X、115 -
RFQ
 ECAD 2510 0.00000000 NXP USA Inc. - テープ＆リール（ tr） 廃止 175°C （TJ） 表面マウント SOT-343逆ピン留め BFG10 400MW 4-SO ダウンロード ROHS3準拠 1 （無制限） 影響を受けていない ear99 8541.21.0095 3,000 - 10V 250ma npn 25 @ 50ma 、5V 1.9GHz -
BZX79-B13,143 NXP USA Inc. BZX79-B13,143 0.0200
RFQ
 ECAD 150 0.00000000 NXP USA Inc. - バルク アクティブ ±2％ -65°C〜200°C 穴を通して do-204ah do-35 、軸 400 MW ALF2 ダウンロード ear99 8541.10.0050 1 900 mV @ 10 Ma 100 Na @ 8 V 13 v 30オーム
1PS301/ZLX NXP USA Inc. 1PS301/ZLX -
RFQ
 ECAD 4847 0.00000000 NXP USA Inc. - テープ＆リール（ tr） 廃止 表面マウント SC-70、SOT-323 1PS301 標準 SC-70 - ROHS3準拠 1 （無制限） 影響を受けていない ear99 8541.10.0070 3,000 標準回復> 500ns 1ペア共通カソード 80 v 250ma dc） 1.2 V @ 100 MA 4 ns 500 NA @ 80 V 150°C （最大）
PDTC123EE,115 NXP USA Inc. PDTC123EE 、115 -
RFQ
 ECAD 3304 0.00000000 NXP USA Inc. - テープ＆リール（ tr） 廃止 表面マウント SC-75、SOT-416 PDTC123 150 MW SC-75 ダウンロード ROHS3準拠 1 （無制限） 影響を受けていない ear99 8541.21.0095 3,000 50 v 100 Ma 1µA npn-バイアス化 150mv @ 500µa 、10ma 30 @ 20MA 、5V 2.2 KOHMS 2.2 KOHMS
MRF8P23080HSR3 NXP USA Inc. MRF8P23080HSR3 -
RFQ
 ECAD 7619 0.00000000 NXP USA Inc. - テープ＆リール（ tr） 廃止 65 v 表面マウント NI-780S-4L MRF8 2.3GHz ldmos NI-780S-4L ダウンロード ROHS3準拠 1 （無制限） 影響を受けていない 935321471128 ear99 8541.29.0075 250 デュアル - 280 Ma 16W 14.6db - 28 v
PMBT6428,215 NXP USA Inc. PMBT6428,215 0.0200
RFQ
 ECAD 5168 0.00000000 NXP USA Inc. * バルク アクティブ PMBT6 ダウンロード ROHS3準拠 影響を受けていない ear99 8541.21.0075 3,000
BUK7575-55A,127 NXP USA Inc. BUK7575-55A 、127 1.0000
RFQ
 ECAD 8603 0.00000000 NXP USA Inc. trenchmos™ チューブ 廃止 -55°C〜175°C 穴を通して TO-220-3 モスフェット（金属酸化物） TO-220AB - ROHS3準拠 ear99 8541.29.0095 50 nチャネル 55 v 20.3a 10V 75mohm @ 10a 、10V 4V @ 1MA ±20V 483 PF @ 25 V - 62W
MRF9080LR5 NXP USA Inc. MRF9080LR5 -
RFQ
 ECAD 4727 0.00000000 NXP USA Inc. - テープ＆リール（ tr） 廃止 65 v シャーシマウント SOT-957A MRF90 960MHz ldmos NI-780H-2L - ROHS3準拠 1 （無制限） 影響を受けていない ear99 8541.21.0075 50 - 600 Ma 70W 18.5dB - 26 v
PDTC114YT,215 NXP USA Inc. PDTC114YT 、215 -
RFQ
 ECAD 6906 0.00000000 NXP USA Inc. * バルク アクティブ PDTC11 ダウンロード ROHS3準拠 影響を受けていない ear99 8541.21.0095 3,000
PHP71NQ03LT,127 NXP USA Inc. php71nq03lt 、127 -
RFQ
 ECAD 4406 0.00000000 NXP USA Inc. trenchmos™ チューブ 廃止 -55°C〜175°C 穴を通して TO-220-3 php71 モスフェット（金属酸化物） TO-220AB ダウンロード ROHS3準拠 1 （無制限） 影響を受けていない ear99 8541.29.0095 50 nチャネル 30 V 75a（tc） 5V、10V 10mohm @ 25a 、10V 2.5V @ 1MA 13.2 NC @ 5 V ±20V 1220 PF @ 25 V - 120W
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    毎日の平均RFQボリューム

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    標準製品ユニット

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    世界的なメーカー

  • In-stock Warehouse

    15,000 m2

    在庫倉庫

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AD9208BBPZ-3000

196-LFBGA露出パッド

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