画像 | 製品番号 | 価格(USD) | 量 | ECAD | 利用可能な数量 | 体重( kg) | MFR | シリーズ | パッケージ | 製品ステータス | 許容範囲 | 動作温度 | 取り付けタイプ | パッケージ /ケース | 基本製品番号 | テクノロジー | パワー -マックス | サプライヤーデバイスパッケージ | データシート | ROHSステータス | ステータスに到達します | ECCN | htsus | 標準パッケージ | スピード | フェットタイプ | 電源( VDSS )への排水 | 電流 -連続排水(ID @ @ 25°C | ドライブ電圧(最大rds onmin rds on | rds on max) @ id vgs | vgs | ゲートチャージ( QG | VGS (最大) | ciss )( max @ vds | フェット機能 | 電力散逸(最大) | 電圧-DC リバース( VR )(最大) | 電圧 -フォワード( vf )( max @ if | 逆回復時間( trr) | 現在 - @ vr | 動作温度 -ジャンクション | 現在 -平均修正( io) | 容量 @ vr、f | 電圧 -コレクターエミッタの分解(最大) | 現在 -コレクター(IC )(最大) | 現在 -コレクターカットオフ(最大) | 電圧zener | インピーダンス(最大)( ZZT) | トランジスタタイプ | vce 飽和(max @ ib、ic | DC電流ゲイン | 頻度 -遷移 |
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![]() | BZX84-B3V3,215 | - | ![]() | 3419 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | * | バルク | アクティブ | BZX84 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0050 | 3,000 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | BZX585-C22,115 | 0.0300 | ![]() | 329 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | * | バルク | アクティブ | BZX585 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0050 | 3,000 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | BZV85-C12,133 | - | ![]() | 2768 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | * | バルク | アクティブ | BZV85 | - | ROHS3準拠 | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0050 | 5,000 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | BZV49-C18,115 | - | ![]() | 8242 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | * | バルク | アクティブ | BZV49 | - | ROHS3準拠 | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0050 | 1,000 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | buk762r6-60e 、118 | - | ![]() | 6607 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | Automotive、AEC-Q101 、TrenchMos™ | バルク | アクティブ | -55°C〜175°C | 表面マウント | TO-263-3 | モスフェット(金属酸化物) | d2pak | ダウンロード | 0000.00.0000 | 1 | nチャネル | 60 V | 120a(tc) | 10V | 2.6mohm @ 25a 、10V | 4V @ 1MA | 140 NC @ 10 V | ±20V | 10170 PF @ 25 V | - | 324W | ||||||||||||||||||||||||
![]() | PMEG4005EGW 、118 | - | ![]() | 5559 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | * | バルク | アクティブ | ダウンロード | 0000.00.0000 | 1 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | BUK7608-40B 、118 | 0.7600 | ![]() | 1 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | * | バルク | アクティブ | Buk76 | - | ROHS3準拠 | 影響を受けていない | ear99 | 8541.29.0095 | 800 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | BZX585-B3V6,135 | - | ![]() | 9599 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | - | バルク | アクティブ | ±2% | -65°C〜150°C | 表面マウント | SC-79、SOD-523 | 300 MW | SOD-523 | ダウンロード | ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.1 V @ 100 MA | 5 µA @ 1 V | 3.6 v | 90オーム | |||||||||||||||||||||||||||||
![]() | 1N4746a 、133 | 0.0400 | ![]() | 127 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | - | バルク | アクティブ | ±5% | -65°C〜200°C | 穴を通して | DO-204AL 、DO-41 、軸 | 1 W | DO-41 | ダウンロード | ear99 | 8541.10.0050 | 7,969 | 1.2 V @ 200 mA | 5 µA @ 13.7 v | 18 v | 20オーム | |||||||||||||||||||||||||||||
PMST5088,115 | 0.0200 | ![]() | 521 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | aec-q101 | バルク | アクティブ | 150°C (TJ) | 表面マウント | SC-70、SOT-323 | 200 MW | SOT-323 | ダウンロード | ear99 | 8541.21.0075 | 1 | 30 V | 100 Ma | 50na(icbo) | npn | 500MV @ 1MA 、10ma | 300 @ 100µA 、5V | 100MHz | ||||||||||||||||||||||||||||
![]() | BZX84-C11,235 | 0.0200 | ![]() | 30 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | aec-q101 | バルク | アクティブ | ±5% | -65°C〜150°C | 表面マウント | TO-236-3 | 250 MW | SOT-23 | ダウンロード | ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 900 mV @ 10 Ma | 100 Na @ 8 V | 11 v | 20オーム | |||||||||||||||||||||||||||||
![]() | BZX84-C3V9,215 | 0.0200 | ![]() | 183 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | * | バルク | アクティブ | BZX84 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0050 | 3,000 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | BZX84-C33,215 | 1.0000 | ![]() | 5847 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | aec-q101 | バルク | アクティブ | ±5% | -65°C〜150°C | 表面マウント | TO-236-3 | 250 MW | TO-236AB | ダウンロード | 0000.00.0000 | 1 | 900 mV @ 10 Ma | 50 Na @ 23.1 v | 33 v | 80オーム | ||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | BZX84-A2V7,215 | 0.1100 | ![]() | 4 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | * | バルク | アクティブ | BZX84 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0050 | 3,000 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | byc5x-600,127 | - | ![]() | 2191 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | - | バルク | アクティブ | 穴を通して | TO-220-2フルパック | 標準 | TO-220F | ダウンロード | ear99 | 8541.10.0080 | 1 | 高速回復= <500ns | 500 V | 2.9 V @ 5 a | 50 ns | 100 µA @ 600 V | 150°C (最大) | 5a | - | |||||||||||||||||||||||||||
![]() | BCV62A 、215 | - | ![]() | 5646 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | * | バルク | アクティブ | BCV62 | - | ROHS3準拠 | 影響を受けていない | ear99 | 8541.29.0095 | 3,000 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | BC52-16PA 、115 | - | ![]() | 9453 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | - | バルク | アクティブ | 150°C (TJ) | 表面マウント | 3-powerudfn | 420 MW | 3-HUSON (2x2) | ダウンロード | ear99 | 8541.29.0075 | 1 | 60 V | 1 a | 100na(icbo) | PNP | 500MV @ 50MA 、500MA | 63 @ 150MA 、2V | 145MHz | |||||||||||||||||||||||||||
![]() | BZX79-B22,143 | 0.0200 | ![]() | 45 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | - | バルク | アクティブ | ±2% | -65°C〜200°C | 穴を通して | do-204ah do-35 、軸 | 400 MW | ALF2 | ダウンロード | ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 900 mV @ 10 Ma | 50 Na @ 15.4 v | 22 v | 55オーム | |||||||||||||||||||||||||||||
![]() | BZX79-C13,143 | 0.0200 | ![]() | 375 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | - | バルク | アクティブ | ±5% | -65°C〜200°C | 穴を通して | do-204ah do-35 、軸 | 400 MW | ALF2 | ダウンロード | ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 900 mV @ 10 Ma | 100 Na @ 8 V | 13 v | 30オーム | |||||||||||||||||||||||||||||
![]() | NZX15B133 | 0.0200 | ![]() | 157 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | * | バルク | アクティブ | ダウンロード | ear99 | 8541.10.0050 | 1 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | BZX79-B68,133 | 0.0200 | ![]() | 119 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | - | バルク | アクティブ | ±2% | -65°C〜200°C | 穴を通して | do-204ah do-35 、軸 | 400 MW | ALF2 | ダウンロード | ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 900 mV @ 10 Ma | 50 Na @ 47.6 v | 68 v | 240オーム | |||||||||||||||||||||||||||||
![]() | BZX84J-C2V4115 | 0.0300 | ![]() | 19 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | * | バルク | アクティブ | ダウンロード | ear99 | 8541.10.0050 | 11,823 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | BZX79-C9V1,113 | 0.0200 | ![]() | 180 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | * | バルク | アクティブ | BZX79 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0050 | 10,000 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | buk9e04-40a 、127 | - | ![]() | 7608 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | Automotive、AEC-Q101 、TrenchMos™ | バルク | 廃止 | -55°C〜175°C | 穴を通して | To-262-3 Long Leads | モスフェット(金属酸化物) | i2pak | ダウンロード | ear99 | 8541.29.0095 | 84 | nチャネル | 40 v | 75a(tc) | 4.3V 、10V | 4mohm @ 25a 、10V | 2V @ 1MA | 128 NC @ 5 V | ±15V | 8260 PF @ 25 V | - | 300W (TC) | |||||||||||||||||||||||
2PB709ARW 、115 | 0.0200 | ![]() | 18 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | aec-q101 | バルク | アクティブ | 150°C (TJ) | 表面マウント | SC-70、SOT-323 | 200 MW | SOT-323 | ダウンロード | ear99 | 8541.21.0095 | 1 | 45 v | 100 Ma | 10na (icbo) | PNP | 500MV @ 10MA 、100mA | 210 @ 2MA 、10V | 70MHz | ||||||||||||||||||||||||||||
![]() | BZX884-B8V2,315 | - | ![]() | 2498 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | * | バルク | アクティブ | BZX884 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0050 | 10,000 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | BZX84-C33/DG/B3215 | 0.0700 | ![]() | 8047 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | * | バルク | アクティブ | ダウンロード | ear99 | 8541.10.0050 | 3,800 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | PZU4.3B3,115 | 0.0400 | ![]() | 162 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | * | バルク | アクティブ | PZU4.3 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0050 | 3,000 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | BZX84J-B3V6,115 | - | ![]() | 5658 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | aec-q101 | バルク | アクティブ | ±2% | -65°C〜150°C | 表面マウント | SC-90、SOD-323F | 550 MW | SOD-323F | ダウンロード | ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.1 V @ 100 MA | 5 µA @ 1 V | 3.6 v | 90オーム | |||||||||||||||||||||||||||||
![]() | BZX84J-C6V2,115 | 0.0300 | ![]() | 1255 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | aec-q101 | バルク | アクティブ | ±5% | -65°C〜150°C | 表面マウント | SC-90、SOD-323F | 550 MW | SOD-323F | ダウンロード | ear99 | 8541.10.0050 | 4,515 | 1.1 V @ 100 MA | 3 µA @ 4 V | 6.2 v | 10オーム |
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