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離散半導体製品（6133）
| 画像 | 製品番号 | 価格（USD） | 量 | ECAD | 利用可能な数量 | 体重（ kg） | MFR | シリーズ | パッケージ | 製品ステータス | 許容範囲 | 動作温度 | 取り付けタイプ | パッケージ /ケース | 基本製品番号 | テクノロジー | パワー -マックス | サプライヤーデバイスパッケージ | データシート | ROHSステータス | 水分感度レベル（MSL） | ステータスに到達します | ECCN | htsus | 標準パッケージ | 構成 | スピード | フェットタイプ | 現在-hold（ihmax） | 電源（ VDSS ）への排水 | 電流 -連続排水（ID @ @ 25°C | ドライブ電圧（最大rds onmin rds on | rds on max） @ id vgs | vgs | ゲートチャージ（ QG | VGS （最大） | ciss ）（ max @ vds | フェット機能 | 電力散逸（最大） | トライアックタイプ | 電圧 -状態外 | 現在 -state（it （rms | 電圧 -ゲートトリガー（ vgt ）（最大） | 現在 -非担当者サージ50、60Hz | 現在 -ゲートトリガー（ Igt ）（最大） | 電圧-DC リバース（ VR ）（最大） | 電圧 -フォワード（ vf ）（ max @ if | 逆回復時間（ trr） | 現在 - @ vr | 動作温度 -ジャンクション | 現在 -平均修正（ io） | 容量 @ vr、f | 電圧 -コレクターエミッタの分解（最大） | 現在 -コレクター（IC ）（最大） | 現在 -コレクターカットオフ（最大） | 電圧zener | インピーダンス（最大）（ ZZT） | トランジスタタイプ | vce 飽和（max @ ib、ic | DC電流ゲイン | 頻度 -遷移 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 | BZX79-C68,113 | 0.0200 |  | 261 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | * | バルク | アクティブ | BZX79 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0050 | 10,000 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | BZX79-C75143 | 0.0200 | | 4739 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | * | バルク | アクティブ | ダウンロード | ear99 | 8541.10.0050 | 1 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | TDZ7V5J115 | - | | 8458 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | 自動車、AEC-Q101 、TDZXJ | バルク | アクティブ | ±2％ | -55°C〜150°C | 表面マウント | SC-90、SOD-323F | TDZ7V5 | 500 MW | SOD-323F | ダウンロード | ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.1 V @ 100 MA | 1 µA @ 5 V | 7.5 v | 10オーム | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | PZU15BL 、315 | 1.0000 | | 7780 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | - | バルク | アクティブ | ±5％ | -55°C〜150°C | 表面マウント | SOD-882 | 250 MW | DFN1006-2 | ダウンロード | ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.1 V @ 100 MA | 50 na @ 11 v | 15 V | 15オーム | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | BT136-600/dg、127 | 1.0000 | | 9564 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | - | バルク | アクティブ | 125°C （TJ） | 穴を通して | TO-220-3 | TO-220AB | ダウンロード | ear99 | 8541.30.0080 | 1 | シングル | 15 Ma | 標準 | 600 V | 4 a | 1.5 v | 25a 、27a | 35 Ma | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | BUK7606-55B 、118 | - | | 1447 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | Automotive、AEC-Q101 、TrenchMos™ | バルク | アクティブ | -55°C〜175°C | 表面マウント | TO-263-3 | モスフェット（金属酸化物） | d2pak | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 （無制限） | 影響を受けていない | ear99 | 8541.29.0075 | 1 | nチャネル | 55 v | 75a（tc） | 10V | 6mohm @ 25a 、10V | 4V @ 1MA | 64 NC @ 10 V | ±20V | 5100 PF @ 25 V | - | 254W | |||||||||||||||||||||||||||||
 | BCW60C235 | 0.0200 | | 6766 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | * | バルク | アクティブ | ダウンロード | ear99 | 8541.21.0075 | 10,000 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | BZX384-B43,115 | - | | 4179 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | * | バルク | アクティブ | BZX384 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0050 | 3,000 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| BZT52H-B2V7,115 | 0.0200 | | 96 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | aec-q101 | バルク | アクティブ | ±2％ | -65°C〜150°C（Ta） | 表面マウント | SOD-123F | BZT52 | 375 MW | SOD-123F | ダウンロード | ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 900 mV @ 10 Ma | 20 µA @ 1 V | 2.7 v | 83オーム | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| PUMD9115 | - | | 1095 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | * | バルク | アクティブ | ダウンロード | 0000.00.0000 | 1 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | BC846AW135 | 0.0200 | | 209 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | * | バルク | アクティブ | ダウンロード | ear99 | 8541.21.0075 | 1 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | BZX84-B27,215 | 0.0200 | | 43 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | * | バルク | アクティブ | BZX84 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0050 | 3,000 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | BZX585-C2V7,115 | 0.0300 | | 99 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | - | バルク | アクティブ | ±5％ | -65°C〜150°C | 表面マウント | SC-79、SOD-523 | 300 MW | SOD-523 | ダウンロード | ear99 | 8541.10.0050 | 10,764 | 1.1 V @ 100 MA | 20 µA @ 1 V | 2.7 v | 100オーム | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | byc8dx-600,127 | 0.4100 | | 4 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | - | バルク | アクティブ | 穴を通して | TO-220-2フルパック | 標準 | TO-220F | ダウンロード | ear99 | 8541.10.0080 | 740 | 高速回復= <500ns | 600 V | 2.9 V @ 8 a | 20 ns | 40 µA @ 600 V | 150°C （最大） | 8a | - | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | NZX12D133 | 0.0200 | | 8309 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | * | バルク | アクティブ | ダウンロード | ear99 | 8541.10.0050 | 10,840 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| PMEG3002AELD 、315 | 0.0400 | | 640 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | * | バルク | アクティブ | PMEG3002 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0070 | 10,000 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| PMMT591A 、215 | - | | 7320 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | * | バルク | アクティブ | PMMT5 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 影響を受けていない | ear99 | 8541.21.0095 | 3,000 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | BZX84-C3V9,235 | 0.0200 | | 20 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | aec-q101 | バルク | アクティブ | ±5％ | -65°C〜150°C | 表面マウント | TO-236-3 | 250 MW | SOT-23 | ダウンロード | ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 900 mV @ 10 Ma | 3 µA @ 1 V | 3.9 v | 90オーム | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| BF550,215 | - | | 6379 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | * | バルク | アクティブ | BF550 | - | ROHS3準拠 | 影響を受けていない | ear99 | 8541.29.0095 | 3,000 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | PMPB13XNE 、115 | 0.1100 | | 18 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | - | バルク | アクティブ | -55°C〜150°C | 表面マウント | 6-XFDFN露出パッド | PMPB13 | モスフェット（金属酸化物） | DFN1010B-6 | ダウンロード | ear99 | 8541.29.0095 | 2,876 | nチャネル | 30 V | 8a（ta） | 1.8V 、4.5V | 16mohm @ 8a 、4.5V | 900MV @ 250µA | 36 NC @ 4.5 v | ±12V | 2195 PF @ 15 V | - | 1.7W （TA ）、 12.5W （TC | |||||||||||||||||||||||||||||||
| MRF24301HR5178 | 1.0000 | | 9953 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | * | バルク | アクティブ | ダウンロード | 0000.00.0000 | 1 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| nzx6v2e、133 | 0.0200 | | 44 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | * | バルク | アクティブ | NZX6 | - | ROHS3準拠 | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0050 | 10,000 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| PDZ3.9BGW、115 | - | | 7235 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | * | バルク | アクティブ | ダウンロード | ear99 | 8541.10.0050 | 1 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| nzx6v8b、133 | - | | 3660 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | * | バルク | アクティブ | NZX6 | - | ROHS3準拠 | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0050 | 10,000 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | PZU15B2A115 | - | | 8364 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | * | バルク | アクティブ | ダウンロード | ear99 | 8541.10.0050 | 1 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| PBSS4230PANP 、115 | 0.1600 | | 21 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | - | バルク | アクティブ | 150°C （TJ） | 表面マウント | 6-ufdfn露出パッド | PBSS4230 | 510MW | 6-HUSON （2x2） | ダウンロード | ear99 | 8541.29.0075 | 1,868 | 30V | 2a | 100na（icbo） | NPN、PNP | 290MV @ 200MA 、2a | 200 @ 1a 、2V | 120MHz | |||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | PSMN8R040PS127 | - | | 9657 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | - | バルク | アクティブ | -55°C〜175°C | 穴を通して | TO-220-3 | モスフェット（金属酸化物） | TO-220AB | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 （無制限） | 影響を受けていない | ear99 | 8541.29.0075 | 1 | nチャネル | 40 v | 77a（ta） | 7.6mohm @ 25a 、10V | 4V @ 1MA | 21 NC @ 10 V | ±20V | 1262 PF @ 12 v | - | 86W | ||||||||||||||||||||||||||||||
| PZU5.1BA115 | 1.0000 | | 3750 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | * | バルク | アクティブ | ダウンロード | 0000.00.0000 | 1 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | PHB45NQ10T、118 | - | | 5158 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | * | バルク | アクティブ | PHB45 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 影響を受けていない | ear99 | 8541.29.0095 | 800 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | NZH22C 、115 | - | | 6433 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | * | バルク | アクティブ | NZH2 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0050 | 3,000 |
2000+
毎日の平均RFQボリューム
30,000,000
標準製品ユニット
2800+
世界的なメーカー
15,000 m2
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