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離散半導体製品（6133）
| 画像 | 製品番号 | 価格（USD） | 量 | ECAD | 利用可能な数量 | 体重（ kg） | MFR | シリーズ | パッケージ | 製品ステータス | 許容範囲 | 動作温度 | 取り付けタイプ | パッケージ /ケース | 基本製品番号 | テクノロジー | パワー -マックス | サプライヤーデバイスパッケージ | データシート | ROHSステータス | 水分感度レベル（MSL） | ステータスに到達します | ECCN | htsus | 標準パッケージ | 構成 | スピード | フェットタイプ | 現在-hold（ihmax） | 電源（ VDSS ）への排水 | 電流 -連続排水（ID @ @ 25°C | ドライブ電圧（最大rds onmin rds on | rds on max） @ id vgs | vgs | ゲートチャージ（ QG | VGS （最大） | ciss ）（ max @ vds | フェット機能 | 電力散逸（最大） | トライアックタイプ | 電圧 -状態外 | 現在 -state（it （rms | 電圧 -ゲートトリガー（ vgt ）（最大） | 現在 -非担当者サージ50、60Hz | 現在 -ゲートトリガー（ Igt ）（最大） | ダイオード構成 | 電圧-DC リバース（ VR ）（最大） | 現在 -平均修正（ io ）（ダイオードあたり） | 電圧 -フォワード（ vf ）（ max @ if | 逆回復時間（ trr） | 現在 - @ vr | 動作温度 -ジャンクション | 電圧 -コレクターエミッタの分解（最大） | 現在 -コレクター（IC ）（最大） | 現在 -コレクターカットオフ（最大） | 電圧zener | インピーダンス（最大）（ ZZT） | トランジスタタイプ | vce 飽和（max @ ib、ic | DC電流ゲイン | 頻度 -遷移 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 | BZB984-C8V2115 | - |  | 8086 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | * | バルク | アクティブ | ダウンロード | ear99 | 8541.10.0050 | 1 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | BZX585-C4V7,135 | 0.0300 | | 2042 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | * | バルク | アクティブ | BZX585 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0050 | 10,000 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | BZX84J-C5V6,115 | - | | 3433 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | * | バルク | アクティブ | BZX84 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0050 | 3,000 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | BCV47,215 | - | | 2332 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | * | バルク | アクティブ | BCV47 | - | ROHS3準拠 | 影響を受けていない | ear99 | 8541.21.0075 | 3,000 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | BZV90-C24,115 | 0.1700 | | 18 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | - | バルク | アクティブ | ±5％ | -65°C〜150°C | 表面マウント | TO-261-4、TO-261AA | 1.5 w | SOT-223 | ダウンロード | ear99 | 8541.10.0050 | 1,745 | 1 V @ 50 mA | 50 Na @ 16.8 v | 24 v | 70オーム | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| BZX79-C3V9,133 | 0.0200 | | 195 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | * | バルク | アクティブ | BZX79 | - | ROHS3準拠 | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0050 | 10,000 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | BZV49-C3V3,115 | - | | 7991 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | * | バルク | アクティブ | BZV49 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0050 | 1,000 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| PMEG2005ELD 、315 | - | | 3428 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | * | バルク | アクティブ | PMEG2 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0070 | 10,000 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | ACT108-600E 、412 | 0.1400 | | 75 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | - | バルク | アクティブ | 125°C （TJ） | 穴を通して | to-226-3 | to-92-3 | ダウンロード | ear99 | 8541.30.0080 | 1,697 | シングル | 25 Ma | ロジック -敏感なゲート | 600 V | 800 Ma | 1 v | 8a 、8.8a | 10 Ma | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | BZX884-B3V0,315 | 1.0000 | | 8176 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | - | バルク | アクティブ | ±2％ | -65°C〜150°C | 表面マウント | SOD-882 | 250 MW | DFN1006-2 | ダウンロード | 0000.00.0000 | 1 | 900 mV @ 10 Ma | 10 µA @ 1 V | 3 v | 95オーム | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | buk7y7r2-60ex | - | | 2919 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | - | バルク | アクティブ | -55°C〜175°C | 表面マウント | SC-100 、SOT-669 | モスフェット（金属酸化物） | LFPAK56 、POWER-SO8 | ダウンロード | 0000.00.0000 | 1 | nチャネル | 60 V | - | 10V | - | - | ±20V | - | 167W （TC） | |||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | BC69PASX | 0.0700 | | 100 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | - | バルク | アクティブ | 150°C （TJ） | 表面マウント | 3-udfn露出パッド | 420 MW | DFN2020D-3 | ダウンロード | ear99 | 8541.29.0075 | 1 | 20 v | 2 a | 100na（icbo） | PNP | 600mv @ 200ma 、2a | 85 @ 500MA、1V | 140MHz | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| BZX884-C4V3315 | - | | 6967 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | * | バルク | アクティブ | ダウンロード | 0000.00.0000 | 1 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | BUK9615-100E 、118 | - | | 6859 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | Automotive、AEC-Q101 、TrenchMos™ | バルク | アクティブ | -55°C〜175°C | 表面マウント | TO-263-3 | モスフェット（金属酸化物） | d2pak | ダウンロード | ear99 | 8541.29.0095 | 1 | nチャネル | 100 V | 66a（tc） | 5V、10V | 14mohm @ 15a 、10V | 2.1V @ 1MA | 60 NC @ 5 V | ±10V | 6813 PF @ 25 V | - | 182W | ||||||||||||||||||||||||||||||||
 | BC817-16W 、135 | 0.0200 | | 40 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | aec-q101 | バルク | アクティブ | 150°C （TJ） | 表面マウント | SC-70、SOT-323 | BC817 | 200 MW | SOT-323 | ダウンロード | ear99 | 8541.21.0075 | 1 | 45 v | 500 Ma | 100na（icbo） | npn | 700mv @ 50ma 、500ma | 100 @ 100MA、1V | 100MHz | |||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | BYV32E-150,127 | - | | 4003 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | - | バルク | アクティブ | 穴を通して | TO-220-3 | byv32 | 標準 | TO-220AB | ダウンロード | ear99 | 8541.10.0080 | 1 | 高速回復= <500ns | 1ペア共通カソード | 150 v | 20a | 1.15 V @ 20 a | 25 ns | 30 µA @ 150 V | 150°C （最大） | |||||||||||||||||||||||||||||||||||
| BC817-25W 、115 | 0.0200 | | 4296 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | * | バルク | アクティブ | BC817 | - | ROHS3準拠 | 影響を受けていない | ear99 | 8541.21.0075 | 3,000 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| PZU6.8B2,115 | - | | 9523 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | * | バルク | アクティブ | PZU6.8 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0050 | 3,000 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| BZX384-C7V5,115 | 0.0200 | | 5480 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | * | バルク | アクティブ | BZX384 | - | ROHS3準拠 | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0050 | 3,000 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| PSMN028-100ys 、115 | - | | 5277 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | * | バルク | アクティブ | psmn0 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 影響を受けていない | ear99 | 8541.29.0095 | 1,500 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | BTA410Y-600CT、127 | 1.0000 | | 1033 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | - | バルク | アクティブ | 150°C （TJ） | 穴を通して | TO-220-3分離タブ | TO-220AB | ダウンロード | 0000.00.0000 | 1 | シングル | 35 Ma | 標準 | 600 V | 10 a | 1.5 v | 100a 、110a | 35 Ma | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | BZX84-A4V7,215 | - | | 9157 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | * | バルク | アクティブ | BZX84 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0050 | 3,000 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | PDTA114ym 、315 | - | | 7076 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | * | バルク | アクティブ | PDTA11 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 影響を受けていない | ear99 | 8541.21.0095 | 10,000 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| BTA212B-600F 、118 | - | | 7375 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | - | バルク | アクティブ | 125°C （TJ） | 表面マウント | TO-263-3 | d2pak | ダウンロード | ear99 | 8541.30.0080 | 134 | シングル | 30 Ma | 標準 | 600 V | 12 a | 1.5 v | 95a 、105a | 25 Ma | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| PMBTA42,185 | 0.0200 | | 4801 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | * | バルク | アクティブ | PMBTA | ダウンロード | ROHS3準拠 | 影響を受けていない | ear99 | 8541.21.0095 | 30,000 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | phd97nq03lt 、118 | 0.3100 | | 5 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | * | バルク | アクティブ | PhD97 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 影響を受けていない | ear99 | 8541.29.0095 | 2,500 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| PH2625L 、115 | 0.3000 | | 5 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | * | バルク | アクティブ | PH26 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 影響を受けていない | ear99 | 8541.29.0095 | 1,500 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | PHK12NQ03LT 、518 | - | | 3662 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | * | バルク | アクティブ | PHK12 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 影響を受けていない | ear99 | 8541.29.0095 | 2,500 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | BZV90-C39115 | - | | 4179 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | - | バルク | アクティブ | ±5％ | -65°C〜150°C | 表面マウント | TO-261-4、TO-261AA | 1.5 w | SOT-223 | ダウンロード | 適用できない | 1 （無制限） | 未定義のベンダー | ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1 V @ 50 mA | 50 Na @ 27.3 v | 39 v | 130オーム | |||||||||||||||||||||||||||||||||||
| BUK7575-100A、127 | 0.3300 | | 10 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | Automotive、AEC-Q101 、TrenchMos™ | チューブ | アクティブ | -55°C〜175°C | 穴を通して | TO-220-3 | モスフェット（金属酸化物） | TO-220AB | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 （無制限） | 影響を受けていない | ear99 | 0000.00.0000 | 1 | nチャネル | 100 V | 23a（ta） | 75mohm @ 13a 、10V | 4V @ 1MA | ±20V | 1210 pf @ 25 v | - | 99W |
2000+
毎日の平均RFQボリューム
30,000,000
標準製品ユニット
2800+
世界的なメーカー
15,000 m2
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