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離散半導体製品（6133）

画像 製品番号 価格（USD） 量 ECAD 利用可能な数量 体重（ kg） MFR シリーズ パッケージ 製品ステータス 許容範囲 電圧 -定格 動作温度 取り付けタイプ パッケージ /ケース 基本製品番号 頻度 テクノロジー パワー -マックス サプライヤーデバイスパッケージ データシート ROHSステータス 水分感度レベル（MSL） ステータスに到達します その他の名前 ECCN htsus 標準パッケージ 構成 フェットタイプ 現在の評価（ amp） 現在-hold（ihmax） 現在 -テスト 電力 -出力 得 電源（ VDSS ）への排水 電流 -連続排水（ID @ @ 25°C ドライブ電圧（最大rds onmin rds on rds on max） @ id vgs vgs ゲートチャージ（ QG VGS （最大） ciss ）（ max @ vds フェット機能 電力散逸（最大） トライアックタイプ 電圧 -状態外 現在 -state（it （rms 電圧 -ゲートトリガー（ vgt ）（最大） 現在 -非担当者サージ50、60Hz 現在 -ゲートトリガー（ Igt ）（最大） ノイズ図 電圧 -フォワード（ vf ）（ max @ if 現在 - @ vr 電圧 -コレクターエミッタの分解（最大） 現在 -コレクター（IC ）（最大） 電圧 -テスト 現在 -コレクターカットオフ（最大） 電圧zener インピーダンス（最大）（ ZZT） トランジスタタイプ vce 飽和（max @ ib、ic DC電流ゲイン 頻度 -遷移 抵抗 -ベース（r1） 抵抗 -エミッターベース（r2）
BLF988S,112 NXP USA Inc. BLF988S 、112 509.2500
RFQ
 ECAD 20 0.00000000 NXP USA Inc. - チューブ アクティブ 110 v SOT539B 860MHz ldmos SOT539B ダウンロード ROHS3準拠 1 （無制限） 未定義のベンダー ear99 0000.00.0000 1 デュアル、共通のソース - 1.3 a 250W 20.8dB - 50 v
BUK6E2R3-40C,127 NXP USA Inc. buk6e2r3-40c、127 -
RFQ
 ECAD 7460 0.00000000 NXP USA Inc. * チューブ アクティブ buk6 - ROHS3準拠 影響を受けていない ear99 8541.29.0095 1,000
TYN16-600RT127 NXP USA Inc. Tyn16-600RT127 0.3100
RFQ
 ECAD 2 0.00000000 NXP USA Inc. * バルク アクティブ Tyn16 ダウンロード 適用できない 1 （無制限） 未定義のベンダー ear99 8541.30.0080 1
BUK6218-40C NXP USA Inc. buk6218-40c -
RFQ
 ECAD 6178 0.00000000 NXP USA Inc. Automotive、AEC-Q101 、TrenchMos™ バルク アクティブ -55°C〜175°C 表面マウント to-252-3 モスフェット（金属酸化物） dpak ダウンロード 適用できない 1 （無制限） 影響を受けた ear99 0000.00.0000 1 nチャネル 40 v 42a 10V 16mohm @ 10a 、10v 2.8V @ 1MA 22 NC @ 10 V 1170 PF @ 25 V 60W （TC）
BLF7G20LS-90P,112 NXP USA Inc. blf7g20ls-90p、112 64.1700
RFQ
 ECAD 100 0.00000000 NXP USA Inc. - チューブ アクティブ 65 v 表面マウント SOT-1121B 2.11GHz〜2.17GHz ldmos LDのほとんど ダウンロード ROHS3準拠 1 （無制限） 未定義のベンダー ear99 0000.00.0000 6 デュアル、共通のソース 2µA 550 Ma 90W 19.5dB - 28 v
BUK6E3R4-40C,127 NXP USA Inc. buk6e3r4-40c、127 0.5500
RFQ
 ECAD 4 0.00000000 NXP USA Inc. * チューブ アクティブ buk6 - ROHS3準拠 影響を受けていない ear99 8541.29.0095 1,000
BZX585-B3V9135 NXP USA Inc. BZX585-B3V9135 -
RFQ
 ECAD 3475 0.00000000 NXP USA Inc. - バルク アクティブ ±2％ -65°C〜150°C 表面マウント SC-79、SOD-523 300 MW SOD-523 - 適用できない 1 （無制限） 未定義のベンダー 1 1.1 V @ 100 MA 3 µA @ 1 V 3.9 v 90オーム
PMEG10020ELR115 NXP USA Inc. PMEG10020ELR115 1.0000
RFQ
 ECAD 7755 0.00000000 NXP USA Inc. * バルク アクティブ PMEG10020 ダウンロード 適用できない 1 （無制限） 未定義のベンダー ear99 8541.10.0080 1
PMV65UNE,215 NXP USA Inc. PMV65UNE 、215 -
RFQ
 ECAD 1184 0.00000000 NXP USA Inc. * バルク アクティブ PMV65 - ダウンロード 適用できない 1 （無制限） 未定義のベンダー ear99 8541.21.0095 1 -
PDTD113ZU115 NXP USA Inc. PDTD113ZU115 0.0400
RFQ
 ECAD 1867年 0.00000000 NXP USA Inc. * バルク アクティブ ダウンロード 適用できない 1 （無制限） 未定義のベンダー ear99 8541.21.0075 5,340
PSMN070-200B,118 NXP USA Inc. PSMN070-200B 、118 -
RFQ
 ECAD 3268 0.00000000 NXP USA Inc. * バルク アクティブ psmn0 ダウンロード ROHS3準拠 影響を受けていない ear99 8541.29.0095 800
PSMN1R6-30PL,127 NXP USA Inc. PSMN1R6-30PL、127 1.1600
RFQ
 ECAD 12 0.00000000 NXP USA Inc. * チューブ アクティブ PSMN1 ダウンロード ROHS3準拠 影響を受けていない ear99 8541.29.0095 1,000
BUK9E1R9-40E NXP USA Inc. buk9e1r9-40e 1.0000
RFQ
 ECAD 1158 0.00000000 NXP USA Inc. * バルク アクティブ - 適用できない 1 （無制限） 影響を受けていない ear99 0000.00.0000 1
BLF8G10LS-270V,112 NXP USA Inc. blf8g10ls-270v、112 79.6700
RFQ
 ECAD 13 0.00000000 NXP USA Inc. - チューブ アクティブ 65 v SOT-1244B blf8 871.5MHz〜891.5MHz ldmos CDFM6 ダウンロード ROHS3準拠 1 （無制限） 未定義のベンダー ear99 0000.00.0000 5 - 2 a 67W 19.5dB - 28 v
PH3120L,115-NXP NXP USA Inc. PH3120L 、115-NXP -
RFQ
 ECAD 3809 0.00000000 NXP USA Inc. trenchmos™ バルク アクティブ -55°C〜150°C 表面マウント SC-100 、SOT-669 モスフェット（金属酸化物） LFPAK56 、POWER-SO8 - ROHS3準拠 1 （無制限） 影響を受けた ear99 0000.00.0000 1,500 nチャネル 20 v 100a（tc） 4.5V 、10V 2.65mohm @ 25a 、10V 2V @ 1MA 48.5 NC @ 4.5 v ±20V 4457 PF @ 10 V - 62.5W
PSMN070-200P,127-NXP NXP USA Inc. PSMN070-200P、127-NXP -
RFQ
 ECAD 8242 0.00000000 NXP USA Inc. trenchmos™ バルク アクティブ -55°C〜175°C 穴を通して TO-220-3 モスフェット（金属酸化物） TO-220AB - ROHS3準拠 1 （無制限） 影響を受けた ear99 0000.00.0000 1,000 nチャネル 200 v 35a（tc） 10V 70mohm @ 17a 、10V 4V @ 1MA 77 NC @ 10 V ±20V 4570 PF @ 25 V - 250W
BUK7E5R2-100E,127-NXP NXP USA Inc. buk7e5r2-100e、127-nxp 1.0000
RFQ
 ECAD 7907 0.00000000 NXP USA Inc. Automotive、AEC-Q101 、TrenchMos™ チューブ アクティブ -55°C〜175°C 穴を通して To-262-3 Long Leads モスフェット（金属酸化物） i2pak - ROHS3準拠 1 （無制限） 影響を受けた ear99 0000.00.0000 1 nチャネル 100 V 120a（tc） 10V 5.2mohm @ 25a 、10V 4V @ 1MA 180 NC @ 10 V ±20V 11810 PF @ 25 V - 349W
PBLS1503V,115-NXP NXP USA Inc. PBLS1503V 、115-NXP 0.0700
RFQ
 ECAD 12 0.00000000 NXP USA Inc. - バルク アクティブ 表面マウント SOT-563、SOT-666 PBLS1503 300MW SOT-666 ダウンロード ROHS3準拠 1 （無制限） 影響を受けていない ear99 0000.00.0000 4,000 50V、 15V 100MA 、500mA 1µA 、100NA 1 NPN 事前にバイアス、 1 PNP 150MV @ 500µA、 10MA / 250MV @ 50MA 、500MA 30 @ 5ma 、5v / 200 @ 10ma 、2v 280MHz 10kohms 10kohms
PMEG050V150EPD146 NXP USA Inc. PMEG050V150EPD146 0.3300
RFQ
 ECAD 1 0.00000000 NXP USA Inc. * バルク アクティブ ダウンロード 適用できない 1 （無制限） 未定義のベンダー ear99 8541.10.0080 1,500
BTA312B-600CT,118 NXP USA Inc. BTA312B-600CT 、118 -
RFQ
 ECAD 8852 0.00000000 NXP USA Inc. - バルク アクティブ 150°C （TJ） 表面マウント TO-263-3 d2pak ダウンロード ear99 8541.30.0080 1 シングル 35 Ma 標準 600 V 12 a 1.5 v 95a 、105a 35 Ma
BZX84-B3V6,215 NXP USA Inc. BZX84-B3V6,215 0.0200
RFQ
 ECAD 176 0.00000000 NXP USA Inc. * バルク アクティブ BZX84 ダウンロード ROHS3準拠 影響を受けていない ear99 8541.10.0050 3,000
BUK7905-40AIE,127 NXP USA Inc. buk7905-40aie 、127 -
RFQ
 ECAD 7293 0.00000000 NXP USA Inc. * バルク アクティブ buk79 - ROHS3準拠 影響を受けていない ear99 8541.29.0095 1,000
BC850BW,115 NXP USA Inc. bc850bw、115 -
RFQ
 ECAD 3870 0.00000000 NXP USA Inc. * バルク アクティブ BC85 - ROHS3準拠 影響を受けていない ear99 8541.21.0095 3,000
PSMN5R6-100XS,127 NXP USA Inc. PSMN5R6-100XS、127 -
RFQ
 ECAD 3010 0.00000000 NXP USA Inc. - チューブ 廃止 -55°C〜175°C 穴を通して TO-220-3 フルパック、分離タブ psmn5 モスフェット（金属酸化物） TO-220F - ROHS3準拠 1 （無制限） 影響を受けていない ear99 8541.29.0095 50 nチャネル 100 V 61.8a 10V 5.6mohm @ 15a 、10V 4V @ 1MA 145 NC @ 10 V ±20V 8061 PF @ 50 V - 60W （TC）
BTA310X-600D,127 NXP USA Inc. BTA310X-600D、127 0.4100
RFQ
 ECAD 4 0.00000000 NXP USA Inc. - バルク アクティブ 125°C （TJ） 穴を通して TO-220-3 フルパック、分離タブ TO-220F ダウンロード ear99 8541.30.0080 628 シングル 10 Ma ロジック -敏感なゲート 600 V 10 a 1.5 v 85a 、93a 5 Ma
PDTB113ES,126 NXP USA Inc. PDTB113ES、126 -
RFQ
 ECAD 3482 0.00000000 NXP USA Inc. - テープ＆ボックス（ TB） 廃止 穴を通して to-226-3 PDTB113 500 MW to-92-3 ダウンロード ROHS3準拠 1 （無制限） 影響を受けていない ear99 8541.21.0095 2,000 50 v 500 Ma 500na pnp-前バイアス 300MV @ 2.5MA 、50mA 33 @ 50ma 、5V 1 KOHMS 1 KOHMS
BLC8G24LS-240AVU NXP USA Inc. BLC8G24LS-240AVU -
RFQ
 ECAD 4646 0.00000000 NXP USA Inc. - トレイ アクティブ 65 v シャーシマウント SOT-1252-1 BLC8 2.3GHz〜2.4GHz ldmos SOT1252-1 ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない 934067995112 ear99 8541.29.0075 20 デュアル - 800 Ma 63W 15dB - 30 V
NZX13A,133 NXP USA Inc. NZX13A 、133 -
RFQ
 ECAD 1703 0.00000000 NXP USA Inc. * バルク アクティブ NZX1 - ROHS3準拠 影響を受けていない ear99 8541.10.0050 10,000
BZX884-C68,315 NXP USA Inc. BZX884-C68,315 0.0300
RFQ
 ECAD 103 0.00000000 NXP USA Inc. * バルク アクティブ BZX884 ダウンロード ROHS3準拠 影響を受けていない ear99 8541.10.0050 10,000
PEMH2,115 NXP USA Inc. PEMH2,115 0.0600
RFQ
 ECAD 9821 0.00000000 NXP USA Inc. - バルク アクティブ 表面マウント SOT-563、SOT-666 PEMH2 300MW SOT-666 ダウンロード ear99 8541.21.0075 960 50V 100mA 1µA 2 npn- バイアス（デュアル） 150mv @ 500µa 、10ma 80 @ 5MA 、5V - 47kohms 47kohms
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    毎日の平均RFQボリューム

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    標準製品ユニット

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    世界的なメーカー

  • In-stock Warehouse

    15,000 m2

    在庫倉庫

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196-LFBGA露出パッド

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