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離散半導体製品（6133）

画像 製品番号 価格（USD） 量 ECAD 利用可能な数量 体重（ kg） MFR シリーズ パッケージ 製品ステータス 許容範囲 電圧 -定格 動作温度 取り付けタイプ パッケージ /ケース 基本製品番号 頻度 テクノロジー パワー -マックス サプライヤーデバイスパッケージ データシート ROHSステータス 水分感度レベル（MSL） ステータスに到達します その他の名前 ECCN htsus 標準パッケージ 構成 スピード フェットタイプ 現在の評価（ amp） 現在 -マックス 現在 -テスト 電力 -出力 得 電源（ VDSS ）への排水 電流 -連続排水（ID @ @ 25°C ドライブ電圧（最大rds onmin rds on rds on max） @ id vgs vgs ゲートチャージ（ QG VGS （最大） ciss ）（ max @ vds フェット機能 電力散逸（最大） ノイズ図 ダイオード構成 電圧-DC リバース（ VR ）（最大） 現在 -平均修正（ io ）（ダイオードあたり） 電圧 -フォワード（ vf ）（ max @ if 逆回復時間（ trr） 現在 - @ vr 動作温度 -ジャンクション 容量 @ vr、f 電圧 -コレクターエミッタの分解（最大） 現在 -コレクター（IC ）（最大） 電圧 -テスト ダイオードタイプ 電圧 -ピークリバース（最大） 現在 -コレクターカットオフ（最大） 電圧zener インピーダンス（最大）（ ZZT） @ @ if、f トランジスタタイプ vce 飽和（max @ ib、ic DC電流ゲイン 頻度 -遷移 ノイズフィギュア（DBタイプ @ f） 静電容量比 静電容量比条件 Q @ vr、f
BCX17,235 NXP USA Inc. BCX17,235 0.0300
RFQ
 ECAD 133 0.00000000 NXP USA Inc. aec-q101 バルク アクティブ 150°C （TJ） 表面マウント TO-236-3 250 MW SOT-23 ダウンロード ear99 8541.21.0095 10,927 45 v 500 Ma 100na（icbo） PNP 620MV @ 50MA 、500MA 100 @ 100MA、1V 80MHz
BCW60B,215 NXP USA Inc. BCW60B 、215 0.0300
RFQ
 ECAD 36 0.00000000 NXP USA Inc. * バルク アクティブ BCW60 - ROHS3準拠 影響を受けていない ear99 8541.21.0075 3,000
BUK7L06-34ARC,127 NXP USA Inc. buk7l06-34ARC 、127 -
RFQ
 ECAD 2374 0.00000000 NXP USA Inc. trenchmos™ チューブ 廃止 -55°C〜175°C 穴を通して TO-220-3 buk7 モスフェット（金属酸化物） TO-220AB ダウンロード ROHS3準拠 1 （無制限） 影響を受けていない ear99 8541.29.0095 50 nチャネル 34 v 75a（tc） 10V 6mohm @ 30a 、10V 3.8V @ 1MA 82 NC @ 10 V ±20V 4533 PF @ 25 V - 250W
BZB984-C11,115 NXP USA Inc. BZB984-C11,115 0.0400
RFQ
 ECAD 209 0.00000000 NXP USA Inc. - バルク アクティブ ±5％ - 表面マウント SOT-663 265 MW SOT-663 ダウンロード ear99 8541.10.0050 1 1ペア共通アノード 900 mV @ 10 Ma 100 Na @ 8 V 11 v 10オーム
MHT1801A NXP USA Inc. MHT1801A 1.1400
RFQ
 ECAD 9 0.00000000 NXP USA Inc. * バルク 新しいデザインではありません - 適用できない 未定義のベンダー リクエストに応じて利用可能な情報にアクセスしてください 2832-MHT1801A ear99 1
1N4739A,133 NXP USA Inc. 1N4739a 、133 0.0400
RFQ
 ECAD 27 0.00000000 NXP USA Inc. - バルク アクティブ ±5％ -65°C〜200°C 穴を通して DO-204AL 、DO-41 、軸 1 W DO-41 ダウンロード ear99 8541.10.0050 7,969 1.2 V @ 200 mA 10 µA @ 7 V 9.1 v 5オーム
BUK953R2-40E,127 NXP USA Inc. BUK953R2-40E 、127 -
RFQ
 ECAD 9912 0.00000000 NXP USA Inc. trenchmos™ チューブ 廃止 -55°C〜175°C 穴を通して TO-220-3 buk95 モスフェット（金属酸化物） TO-220AB ダウンロード ROHS3準拠 1 （無制限） 影響を受けていない ear99 8541.29.0095 50 nチャネル 40 v 100a（tc） 5V、10V 2.8mohm @ 25a 、10V 2.1V @ 1MA 69.5 NC @ 5 V ±10V 9150 PF @ 25 V - 234W
BB131,135 NXP USA Inc. BB131,135 -
RFQ
 ECAD 8349 0.00000000 NXP USA Inc. - テープ＆リール（ tr） 廃止 -55°C〜125°C（TJ） 表面マウント SC-76、SOD-323 BB131 SOD-323 ダウンロード ROHS3準拠 1 （無制限） 影響を受けていない ear99 8541.10.0070 10,000 1.055pf @ 28V、1MHz シングル 30 V 16 C0.5/C28 -
BFG25A/X,215 NXP USA Inc. BFG25A/X、215 -
RFQ
 ECAD 6277 0.00000000 NXP USA Inc. - テープ＆リール（ tr） 廃止 175°C （TJ） 表面マウント to-253-4、to-253aa BFG25 32MW SOT-143B ダウンロード ROHS3準拠 1 （無制限） 影響を受けていない ear99 8541.21.0095 3,000 - 5V 6.5mA npn 50 @ 500µA、1V 5GHz 1.8db〜2db @ 1GHz
MRF9085LSR5 NXP USA Inc. MRF9085LSR5 -
RFQ
 ECAD 7837 0.00000000 NXP USA Inc. - テープ＆リール（ tr） 廃止 65 v シャーシマウント NI-780S MRF90 880MHz ldmos NI-780S ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない ear99 8542.31.0001 50 - 700 Ma 90W 17.9db - 26 v
PZU3.0DB2,115 NXP USA Inc. PZU3.0DB2,115 1.0000
RFQ
 ECAD 7873 0.00000000 NXP USA Inc. - バルク 廃止 ±2％ -55°C〜150°C 表面マウント 5-TSSOP 、SC-70-5 、SOT-353 250 MW 5-tssop ダウンロード ear99 8541.10.0050 1 2独立 900 mV @ 10 Ma 10 µA @ 1 V 3 v 95オーム
BUK653R7-30C,127 NXP USA Inc. buk653r7-30c、127 -
RFQ
 ECAD 4875 0.00000000 NXP USA Inc. trenchmos™ チューブ 廃止 -55°C〜175°C 穴を通して TO-220-3 buk65 モスフェット（金属酸化物） TO-220AB - ROHS非準拠 1 （無制限） 影響を受けていない ear99 8541.29.0095 50 nチャネル 30 V 100a（tc） 4.5V 、10V 3.9mohm @ 25a 、10V 2.8V @ 1MA 78 NC @ 10 V ±16V 4707 PF @ 25 V - 158W
A2V07H525-04NR6 NXP USA Inc. A2V07H525-04NR6 98.0779
RFQ
 ECAD 9206 0.00000000 NXP USA Inc. - テープ＆リール（ tr） アクティブ 105 v 表面マウント OM-1230-4L A2V07 595MHz〜851MHz ldmos OM-1230-4L ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない 935339924528 ear99 8541.29.0075 150 10µA 700 Ma 120W 17.5dB - 48 v
MRF8P29300HSR6 NXP USA Inc. MRF8P29300HSR6 -
RFQ
 ECAD 6068 0.00000000 NXP USA Inc. - テープ＆リール（ tr） 廃止 65 v シャーシマウント NI-1230S MRF8 2.9GHz ldmos NI-1230S - ROHS3準拠 適用できない 影響を受けていない 935310588128 ear99 8541.29.0075 150 デュアル - 100 Ma 320W 13.3db - 30 V
BZT52H-B2V7,115 NXP USA Inc. BZT52H-B2V7,115 0.0200
RFQ
 ECAD 96 0.00000000 NXP USA Inc. aec-q101 バルク アクティブ ±2％ -65°C〜150°C（Ta） 表面マウント SOD-123F BZT52 375 MW SOD-123F ダウンロード ear99 8541.10.0050 1 900 mV @ 10 Ma 20 µA @ 1 V 2.7 v 83オーム
MRF7S18170HR3 NXP USA Inc. MRF7S18170HR3 -
RFQ
 ECAD 6537 0.00000000 NXP USA Inc. - テープ＆リール（ tr） 廃止 65 v シャーシマウント SOT-957A MRF7 1.81GHz ldmos NI-880H-2L ダウンロード ROHS3準拠 1 （無制限） 影響を受けていない ear99 8541.21.0075 250 - 1.4 a 50W 17.5dB - 28 v
BZX79-B27,133 NXP USA Inc. BZX79-B27,133 0.0200
RFQ
 ECAD 37 0.00000000 NXP USA Inc. - バルク アクティブ ±2％ -65°C〜200°C 穴を通して do-204ah do-35 、軸 400 MW ALF2 ダウンロード ear99 8541.10.0050 1 900 mV @ 10 Ma 50 Na @ 18.9 v 27 v 80オーム
BZB84-B8V2,215 NXP USA Inc. BZB84-B8V2,215 -
RFQ
 ECAD 6976 0.00000000 NXP USA Inc. * バルク アクティブ BZB84 - ROHS3準拠 影響を受けていない ear99 8541.10.0050 3,000
BCP69-16/S500115 NXP USA Inc. BCP69-16/S500115 0.0600
RFQ
 ECAD 7 0.00000000 NXP USA Inc. * バルク アクティブ ダウンロード 適用できない 1 （無制限） 未定義のベンダー ear99 8541.29.0075 4,683
PZU16B3,115 NXP USA Inc. PZU16B3,115 -
RFQ
 ECAD 3131 0.00000000 NXP USA Inc. * バルク アクティブ PZU16 ダウンロード ROHS3準拠 影響を受けていない ear99 8541.10.0050 3,000
MRF6S9130HR5 NXP USA Inc. MRF6S9130HR5 -
RFQ
 ECAD 3487 0.00000000 NXP USA Inc. - テープ＆リール（ tr） 廃止 68 v シャーシマウント SOT-957A MRF6 880MHz ldmos NI-780H-2L ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない ear99 8541.29.0075 50 - 950 Ma 27W 19.2db - 28 v
MRF6V3090NBR5578 NXP USA Inc. MRF6V3090NBR5578 -
RFQ
 ECAD 3344 0.00000000 NXP USA Inc. * バルク アクティブ - 適用できない 1 （無制限） 未定義のベンダー ear99 8541.29.0075 1
BZX884-C68,315 NXP USA Inc. BZX884-C68,315 0.0300
RFQ
 ECAD 103 0.00000000 NXP USA Inc. * バルク アクティブ BZX884 ダウンロード ROHS3準拠 影響を受けていない ear99 8541.10.0050 10,000
2PB709ARW,115 NXP USA Inc. 2PB709ARW 、115 0.0200
RFQ
 ECAD 18 0.00000000 NXP USA Inc. aec-q101 バルク アクティブ 150°C （TJ） 表面マウント SC-70、SOT-323 200 MW SOT-323 ダウンロード ear99 8541.21.0095 1 45 v 100 Ma 10na （icbo） PNP 500MV @ 10MA 、100mA 210 @ 2MA 、10V 70MHz
BUK952R3-40E,127 NXP USA Inc. buk952r3-40e、127 -
RFQ
 ECAD 8266 0.00000000 NXP USA Inc. trenchmos™ チューブ 廃止 -55°C〜175°C 穴を通して TO-220-3 buk95 モスフェット（金属酸化物） TO-220AB ダウンロード ROHS3準拠 1 （無制限） 影響を受けていない ear99 8541.29.0095 50 nチャネル 40 v 120a（tc） 5V、10V 2.2mohm @ 25a 、10V 2.1V @ 1MA 87.8 NC @ 5 V ±10V 13160 PF @ 25 V - 293W
MRFE6VP61K25NR6 NXP USA Inc. MRFE6VP61K25NR6 182.7500
RFQ
 ECAD 1 0.00000000 NXP USA Inc. - テープ＆リール（ tr） アクティブ 133 v 表面マウント OM-1230-4L Mrfe6 230MHz ldmos OM-1230-4L ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない ear99 8541.29.0075 150 デュアル - 100 Ma 1250W 23dB - 50 v
BAV99W/MI135 NXP USA Inc. bav99w/mi135 -
RFQ
 ECAD 4781 0.00000000 NXP USA Inc. aec-q101 バルク アクティブ 表面マウント SC-70、SOT-323 bav99 標準 SOT-323 ダウンロード 適用できない 1 （無制限） 未定義のベンダー ear99 8541.10.0070 10,000 小さな信号= <200ma（io ）、任意の速度 1ペアシリーズ接続 100 V 150ma dc） 1.25 V @ 150 MA 4 ns 500 NA @ 80 V 150°C （最大）
PMN34LN,135 NXP USA Inc. PMN34LN 、135 -
RFQ
 ECAD 2284 0.00000000 NXP USA Inc. trenchmos™ テープ＆リール（ tr） 廃止 -55°C〜150°C 表面マウント SC-74、SOT-457 PMN3 モスフェット（金属酸化物） SC-74 ダウンロード ROHS3準拠 1 （無制限） 影響を受けていない ear99 8541.29.0095 10,000 nチャネル 20 v 5.7a（tc） 4.5V 、10V 34mohm @ 2.5a 、10V 2V @ 1MA 13.1 NC @ 10 V ±15V 500 PF @ 20 V - 1.75W
BAP65-05,215 NXP USA Inc. BAP65-05,215 -
RFQ
 ECAD 1707 0.00000000 NXP USA Inc. - テープ＆リール（ tr） 廃止 -65°C〜150°C TO-236-3 BAP65 SOT-23 ダウンロード ROHS3準拠 1 （無制限） 影響を受けていない ear99 8541.10.0070 3,000 100 Ma 250 MW 0.425pf @ 20V、1MHz ピン-1ペア共通カソード 30V 350mohm @ 100ma 、100mhz
BC807-25/6215 NXP USA Inc. BC807-25/6215 0.0200
RFQ
 ECAD 21 0.00000000 NXP USA Inc. * バルク アクティブ ダウンロード 適用できない 1 （無制限） 未定義のベンダー ear99 8541.21.0075 15,000
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    毎日の平均RFQボリューム

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    標準製品ユニット

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    世界的なメーカー

  • In-stock Warehouse

    15,000 m2

    在庫倉庫

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AD9208BBPZ-3000

196-LFBGA露出パッド

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