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離散半導体製品（6133）
| 画像 | 製品番号 | 価格（USD） | 量 | ECAD | 利用可能な数量 | 体重（ kg） | MFR | シリーズ | パッケージ | 製品ステータス | 許容範囲 | 電圧 -定格 | 動作温度 | 取り付けタイプ | パッケージ /ケース | 基本製品番号 | 頻度 | テクノロジー | パワー -マックス | サプライヤーデバイスパッケージ | データシート | ROHSステータス | 水分感度レベル（MSL） | ステータスに到達します | その他の名前 | ECCN | htsus | 標準パッケージ | 構成 | スピード | フェットタイプ | 現在の評価（ amp） | 現在-hold（ihmax） | 現在 -テスト | 電力 -出力 | 得 | 電源（ VDSS ）への排水 | 電流 -連続排水（ID @ @ 25°C | ドライブ電圧（最大rds onmin rds on | rds on max） @ id vgs | vgs | ゲートチャージ（ QG | VGS （最大） | ciss ）（ max @ vds | フェット機能 | 電力散逸（最大） | トライアックタイプ | 電圧 -状態外 | 現在 -state（it （rms | 電圧 -ゲートトリガー（ vgt ）（最大） | 現在 -非担当者サージ50、60Hz | 現在 -ゲートトリガー（ Igt ）（最大） | 電圧 -状態（ vtm ）（最大） | 現在 -State | 現在 -オフステート（最大） | scrタイプ | ノイズ図 | 電圧-DC リバース（ VR ）（最大） | 電圧 -フォワード（ vf ）（ max @ if | 逆回復時間（ trr） | 現在 - @ vr | 動作温度 -ジャンクション | 現在 -平均修正（ io） | 容量 @ vr、f | 電圧 -コレクターエミッタの分解（最大） | 現在 -コレクター（IC ）（最大） | 電圧 -テスト | 現在 -コレクターカットオフ（最大） | 電圧zener | インピーダンス（最大）（ ZZT） | トランジスタタイプ | vce 飽和（max @ ib、ic | DC電流ゲイン | 頻度 -遷移 | 抵抗 -ベース（r1） | 抵抗 -エミッターベース（r2） | ノイズフィギュア（DBタイプ @ f） |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 | NZX13A 、133 | - |  | 1703 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | * | バルク | アクティブ | NZX1 | - | ROHS3準拠 | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0050 | 10,000 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | BZX884-C68,315 | 0.0300 | | 103 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | * | バルク | アクティブ | BZX884 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0050 | 10,000 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | PEMH2,115 | 0.0600 | | 9821 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | - | バルク | アクティブ | 表面マウント | SOT-563、SOT-666 | PEMH2 | 300MW | SOT-666 | ダウンロード | ear99 | 8541.21.0075 | 960 | 50V | 100mA | 1µA | 2 npn- バイアス（デュアル） | 150mv @ 500µa 、10ma | 80 @ 5MA 、5V | - | 47kohms | 47kohms | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | PhD18NQ10T 、118 | - | | 5266 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | trenchmos™ | テープ＆リール（ tr） | 廃止 | -55°C〜175°C | 表面マウント | to-252-3 | PhD18 | モスフェット（金属酸化物） | dpak | ダウンロード | ROHS非準拠 | 1 （無制限） | 影響を受けていない | 934055700118 | ear99 | 8541.29.0095 | 2,500 | nチャネル | 100 V | 18a（tc） | 10V | 90mohm @ 9a、10V | 4V @ 1MA | 21 NC @ 10 V | ±20V | 633 PF @ 25 V | - | 79W | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | BC640,126 | - | | 7198 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | - | テープ＆ボックス（ TB） | 廃止 | 150°C （TJ） | 穴を通して | to-226-3 | BC64 | 830 MW | to-92-3 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 （無制限） | 影響を受けていない | ear99 | 8541.21.0075 | 2,000 | 80 v | 1 a | 100na（icbo） | PNP | 500MV @ 50MA 、500MA | 63 @ 150MA 、2V | 145MHz | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | buk7e07-55b、127 | - | | 7335 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | trenchmos™ | チューブ | 廃止 | -55°C〜175°C | 穴を通して | To-262-3 Long Leads | buk7 | モスフェット（金属酸化物） | i2pak | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 （無制限） | 影響を受けていない | ear99 | 8541.29.0095 | 50 | nチャネル | 55 v | 75a（tc） | 10V | 7.1mohm @ 25a 、10V | 4V @ 1MA | 53 NC @ 10 V | ±20V | 3760 PF @ 25 V | - | 203W | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| MMRF1006HSR5 | - | | 3075 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | - | テープ＆リール（ tr） | 廃止 | 120 v | NI-1230S-4 | MMRF1006 | 450MHz | ldmos | NI-1230S-4 | - | ROHS3準拠 | 適用できない | 影響を受けていない | 935311705178 | ear99 | 8541.29.0075 | 50 | - | 150 Ma | 1000W | 20db | - | 50 v | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | actt8b-800ctn118 | - | | 5442 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | * | バルク | アクティブ | ダウンロード | 適用できない | 3 （168 時間） | 未定義のベンダー | ear99 | 8541.30.0080 | 1 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| BT258S-800LT 、118 | - | | 1030 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | - | バルク | アクティブ | -40°C〜150°C | 表面マウント | to-252-3 | dpak | ダウンロード | ear99 | 8541.30.0080 | 135 | 6 Ma | 800 V | 8 a | 1.5 v | 75a 、82a | 50 µA | 1.6 v | 5 a | 2.5 Ma | 敏感なゲート | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| buk662R5-30c、118-nxp | - | | 5857 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | Automotive、AEC-Q101 、TrenchMos™ | バルク | アクティブ | -55°C〜175°C | 表面マウント | TO-263-3 | モスフェット（金属酸化物） | d2pak | - | ROHS3準拠 | 1 （無制限） | 影響を受けた | ear99 | 0000.00.0000 | 1 | nチャネル | 30 V | 100a（tc） | 10V | 2.8mohm @ 25a 、10V | 2.8V @ 1MA | 114 NC @ 10 V | ±16V | 6960 PF @ 25 V | - | 204W | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | PHB146NQ06LT 、118 | - | | 1453 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | trenchmos™ | テープ＆リール（ tr） | 廃止 | -55°C〜175°C | 表面マウント | TO-263-3 | PHB14 | モスフェット（金属酸化物） | d2pak | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 （無制限） | 影響を受けていない | ear99 | 8541.29.0095 | 800 | nチャネル | 55 v | 75a（tc） | 4.5V 、10V | 5.4mohm @ 25a 、10V | 2V @ 1MA | 60 NC @ 5 V | ±15V | 5675 PF @ 25 V | - | 250W | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | BFG520/X 、215 | - | | 3958 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | - | テープ＆リール（ tr） | 廃止 | 175°C （TJ） | 表面マウント | to-253-4、to-253aa | BFG52 | 300MW | SOT-143B | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 （無制限） | 影響を受けていない | ear99 | 8541.21.0075 | 3,000 | - | 15V | 70ma | npn | 60 @ 20MA 、6V | 9GHz | 1.1DB〜2.1DB @ 900MHz | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | Z0107NA 、116 | 0.1000 | | 99 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | - | バルク | アクティブ | 125°C （TJ） | 穴を通して | to-226-3 | to-92-3 | ダウンロード | ear99 | 8541.30.0080 | 2,404 | シングル | 10 Ma | ロジック -敏感なゲート | 800 V | 1 a | 1.3 v | 8a 、8.5a | 5 Ma | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | BZX384-C5V6/ZLX | - | | 3174 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | aec-q101 | テープ＆リール（ tr） | 廃止 | ±5％ | -65°C〜150°C | 表面マウント | SC-76、SOD-323 | BZX384 | 300 MW | SOD-323 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 （無制限） | 影響を受けていない | 934068953115 | 廃止 | 0000.00.0000 | 3,000 | 1.1 V @ 100 MA | 50 NA @ 700 mV | 5.6 v | 40オーム | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| BZX884-B15315 | - | | 5201 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | - | バルク | アクティブ | ±2％ | -65°C〜150°C | 表面マウント | SOD-882 | 250 MW | DFN1006-2 | - | 適用できない | 1 （無制限） | 未定義のベンダー | 1 | 900 mV @ 10 Ma | 50 Na @ 10.5 v | 15 V | 15オーム | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | PMDXB550UNE 、147 | 1.0000 | | 1879 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | * | バルク | アクティブ | PMDXB550 | - | ダウンロード | 適用できない | 1 （無制限） | 未定義のベンダー | ear99 | 8541.21.0095 | 1 | - | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | PDTD143XT215 | 0.0300 | | 3377 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | * | バルク | アクティブ | - | 適用できない | 1 （無制限） | 未定義のベンダー | ear99 | 8541.21.0075 | 8,030 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| BLF7G27LS-90P 、112 | 70.2800 | | 16 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | - | チューブ | アクティブ | 65 v | SOT-1121B | BLF7G27 | 2.5GHz〜2.7GHz | ldmos | LDのほとんど | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 （無制限） | 未定義のベンダー | ear99 | 0000.00.0000 | 1 | デュアル、共通のソース | 18a | 720 Ma | 16W | 18.5dB | - | 28 v | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| BC846B215 | - | | 5678 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | * | バルク | アクティブ | ダウンロード | 適用できない | 1 （無制限） | 未定義のベンダー | ear99 | 8541.21.0075 | 3,000 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | BUK7108-40AIE 、118 | 0.8100 | | 1 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | Automotive、AEC-Q101 、TrenchMos™ | バルク | アクティブ | -55°C〜175°C | 表面マウント | TO-263-5 | モスフェット（金属酸化物） | SOT-426 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 （無制限） | 影響を受けた | ear99 | 0000.00.0000 | 1 | nチャネル | 40 v | 75a（tc） | 10V | 8mohm @ 50a 、10V | 4V @ 1MA | 84 NC @ 10 V | ±20V | 3140 PF @ 25 V | 現在のセンシング | 221W | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | PMN70XPE 、115 | 0.0600 | | 50 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | - | バルク | アクティブ | -55°C〜150°C | 表面マウント | SC-74、SOT-457 | モスフェット（金属酸化物） | 6-tsop | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 （無制限） | 影響を受けていない | ear99 | 0000.00.0000 | 3,000 | pチャネル | 20 v | 3.2a（ta） | 2.5V 、4.5V | 85mohm @ 2a 、4.5V | 1.25V @ 250µA | 7.8 NC @ 4.5 v | ±12V | 602 PF @ 10 V | - | 500MW | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | BFU550A235 | - | | 6904 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | * | バルク | アクティブ | ダウンロード | 適用できない | 1 （無制限） | 未定義のベンダー | ear99 | 8541.21.0075 | 10,000 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | buk6215-75c、118 | - | | 4160 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | Automotive、AEC-Q101 、TrenchMos™ | バルク | アクティブ | -55°C〜175°C | 表面マウント | to-252-3 | モスフェット（金属酸化物） | dpak | - | ROHS3準拠 | 1 （無制限） | 影響を受けた | ear99 | 8541.29.0095 | 1 | nチャネル | 75 v | 57a（ta） | 15mohm @ 15a 、10V | 2.8V @ 1MA | 61.8 NC @ 10 V | ±16V | 3900 PF @ 25 V | - | 128W | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| blf8g10ls-160v、112 | 66.3900 | | 5 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | - | チューブ | アクティブ | 65 v | フランジマウント | SOT-502B | blf8 | 920MHz〜960MHz | ldmos | SOT502B | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 （無制限） | 未定義のベンダー | ear99 | 0000.00.0000 | 1 | 1.1 a | 35W | 19.7db | - | 30 V | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | BC856BM315 | 1.0000 | | 3844 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | * | バルク | アクティブ | BC856 | ダウンロード | 適用できない | 1 （無制限） | 未定義のベンダー | 10,000 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| PSMN3R5-80ES、127 | 1.4000 | | 4 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | * | チューブ | アクティブ | PSMN3 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 影響を受けていない | ear99 | 8541.29.0075 | 1,000 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| MRF8S21100HSR3,128 | - | | 6770 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | * | バルク | アクティブ | MRF8S21100 | - | ダウンロード | 適用できない | 1 （無制限） | 未定義のベンダー | 1 | - | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | BCP56-16H 、115 | - | | 5006 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | * | バルク | アクティブ | ダウンロード | 適用できない | 1 （無制限） | 未定義のベンダー | 1,000 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | byc10-600p127 | - | | 1710 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | - | バルク | アクティブ | 穴を通して | TO-220-2 | 標準 | TO-220AC | ダウンロード | 適用できない | 1 （無制限） | 未定義のベンダー | ear99 | 8541.10.0080 | 1 | 高速回復= <500ns | 600 V | 1.3 V @ 10 a | 12 ns | 10 µA @ 600 V | 175°C （最大） | 10a | - | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| PZU5.6BL315 | - | | 3584 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | - | バルク | アクティブ | ±5％ | -55°C〜150°C | 表面マウント | SOD-882 | 250 MW | DFN1006-2 | ダウンロード | 適用できない | 1 （無制限） | 未定義のベンダー | 1 | 1.1 V @ 100 MA | 1 µA @ 2.5 v | 5.6 v | 40オーム |
2000+
毎日の平均RFQボリューム
30,000,000
標準製品ユニット
2800+
世界的なメーカー
15,000 m2
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