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画像 製品番号 価格(USD) ECAD 利用可能な数量 体重( kg) MFR シリーズ パッケージ 製品ステータス 許容範囲 電圧 -定格 動作温度 取り付けタイプ パッケージ /ケース 基本製品番号 頻度 テクノロジー パワー -マックス サプライヤーデバイスパッケージ データシート ROHSステータス 水分感度レベル(MSL) ステータスに到達します その他の名前 ECCN htsus 標準パッケージ 構成 スピード フェットタイプ 現在の評価( amp) 現在-hold(ihmax) 現在 -テスト 電力 -出力 電源( VDSS )への排水 電流 -連続排水(ID @ @ 25°C ドライブ電圧(最大rds onmin rds on rds on max) @ id vgs vgs ゲートチャージ( QG VGS (最大) ciss )( max @ vds フェット機能 電力散逸(最大) トライアックタイプ 電圧 -状態外 現在 -state(it (rms 電圧 -ゲートトリガー( vgt )(最大) 現在 -非担当者サージ50、60Hz 現在 -ゲートトリガー( Igt )(最大) ノイズ図 ダイオード構成 電圧-DC リバース( VR )(最大) 現在 -平均修正( io )(ダイオードあたり) 電圧 -フォワード( vf )( max @ if 逆回復時間( trr) 現在 - @ vr 動作温度 -ジャンクション 現在 -平均修正( io) 容量 @ vr、f 電圧 -コレクターエミッタの分解(最大) 現在 -コレクター(IC )(最大) 電圧 -テスト ダイオードタイプ 電圧 -ピークリバース(最大) 電圧 -破壊( V 現在の - ドレイン(IDSS @ vds(vgs = 0) 電圧-Cutoff( VGSオフ) @ id 現在 -コレクターカットオフ(最大) 電圧zener インピーダンス(最大)( ZZT) 抵抗-RDS (オン) トランジスタタイプ vce 飽和(max @ ib、ic DC電流ゲイン 頻度 -遷移 抵抗 -ベース(r1) 抵抗 -エミッターベース(r2) 静電容量比 静電容量比条件 Q @ vr、f
BZX84-C3V9,235 NXP USA Inc. BZX84-C3V9,235 0.0200
RFQ
ECAD 20 0.00000000 NXP USA Inc. aec-q101 バルク アクティブ ±5% -65°C〜150°C 表面マウント TO-236-3 250 MW SOT-23 ダウンロード ear99 8541.10.0050 1 900 mV @ 10 Ma 3 µA @ 1 V 3.9 v 90オーム
PDTC143XK,115 NXP USA Inc. PDTC143XK 、115 -
RFQ
ECAD 7787 0.00000000 NXP USA Inc. - テープ&リール( tr) 廃止 表面マウント TO-236-3 PDTC143 250 MW SMT3; mpak ダウンロード ROHS3準拠 1 (無制限) 影響を受けていない ear99 8541.21.0095 3,000 50 v 100 Ma 1µA npn-バイアス化 100MV @ 500µA 、10mA 50 @ 10ma 、5v 4.7 Kohms 10 Kohms
BAV199/ZLVL NXP USA Inc. bav199/zlvl -
RFQ
ECAD 9166 0.00000000 NXP USA Inc. - テープ&リール( tr) 廃止 表面マウント TO-236-3 bav199 標準 SOT-23 - ROHS3準拠 1 (無制限) 影響を受けていない ear99 8541.10.0070 10,000 小さな信号= <200ma(io )、任意の速度 1ペアシリーズ接続 75 v 160ma dc) 1.25 V @ 150 MA 3 µs 5 Na @ 75 V 150°C (最大)
PMBFJ108,215 NXP USA Inc. PMBFJ108,215 -
RFQ
ECAD 1537 0.00000000 NXP USA Inc. - テープ&リール( tr) 廃止 150°C (TJ) 表面マウント TO-236-3 PMBFJ1 250 MW SOT-23 ダウンロード ROHS3準拠 1 (無制限) 影響を受けていない ear99 8541.21.0095 3,000 nチャネル 25 v 30pf @ 10V 25 v 80ma @ 15 v 10 V @ 1 µA 8オーム
BC849CW,115 NXP USA Inc. BC849CW 、115 0.0200
RFQ
ECAD 15 0.00000000 NXP USA Inc. aec-q101 バルク アクティブ 150°C (TJ) 表面マウント SC-70、SOT-323 200 MW SOT-323 ダウンロード ear99 8541.21.0075 1 30 V 100 Ma 15NA npn 600MV @ 5MA 、100mA 420 @ 2MA 、5V 100MHz
BTA312X-800B,127 NXP USA Inc. BTA312X-800B 、127 0.5200
RFQ
ECAD 5 0.00000000 NXP USA Inc. - バルク アクティブ 125°C (TJ) 穴を通して TO-220-3 フルパック、分離タブ TO-220F ダウンロード ear99 8541.30.0080 577 シングル 60 Ma 標準 800 V 12 a 1.5 v 95a 、105a 50 Ma
PRLL4001,115 NXP USA Inc. PRLL4001,115 -
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ECAD 9868 0.00000000 NXP USA Inc. - テープ&リール( tr) 廃止 表面マウント SOD-87 PRLL40 標準 メルフ ダウンロード ROHS3準拠 1 (無制限) 影響を受けていない ear99 8541.10.0080 2,000 標準回復> 500ns 50 v 1.1 V @ 1 a 10 µA @ 50 V -65°C〜175°C - -
PBHV9515QA147 NXP USA Inc. PBHV9515QA147 0.0800
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ECAD 55 0.00000000 NXP USA Inc. * バルク アクティブ ダウンロード 適用できない 1 (無制限) 未定義のベンダー ear99 8541.21.0095 3,974
ON5441518 NXP USA Inc. on5441518 0.7300
RFQ
ECAD 32 0.00000000 NXP USA Inc. * バルク アクティブ - 適用できない 1 (無制限) 未定義のベンダー ear99 8541.29.0095 2,000
AFT09S200W02NR3 NXP USA Inc. AFT09S200W02NR3 -
RFQ
ECAD 2548 0.00000000 NXP USA Inc. - テープ&リール( tr) 廃止 70 v 表面マウント OM-780-2 AFT09 960MHz ldmos OM-780-2 - ROHS3準拠 3 (168 時間) 影響を受けていない 935311675528 ear99 8541.29.0075 250 - 1.4 a 56W 19.2db - 28 v
PMEG2005AESF/S500315 NXP USA Inc. PMEG2005AESF/S500315 0.0300
RFQ
ECAD 846 0.00000000 NXP USA Inc. * バルク アクティブ ダウンロード 適用できない 1 (無制限) 未定義のベンダー ear99 8541.10.0070 9,000
BUK7Y7R2-60EX NXP USA Inc. buk7y7r2-60ex -
RFQ
ECAD 2919 0.00000000 NXP USA Inc. - バルク アクティブ -55°C〜175°C 表面マウント SC-100 、SOT-669 モスフェット(金属酸化物) LFPAK56 、POWER-SO8 ダウンロード 0000.00.0000 1 nチャネル 60 V - 10V - - ±20V - 167W
MRF5S21100HSR3 NXP USA Inc. MRF5S21100HSR3 -
RFQ
ECAD 5820 0.00000000 NXP USA Inc. - テープ&リール( tr) 廃止 65 v NI-780S MRF5 2.16GHz〜2.17GHz ldmos NI-780S ダウンロード ROHS3準拠 3 (168 時間) 影響を受けていない 5A991G 8541.29.0075 250 - 1.05 a 23W 13.5dB - 28 v
NX7002BKXB147 NXP USA Inc. NX7002BKXB147 0.0500
RFQ
ECAD 1 0.00000000 NXP USA Inc. * バルク アクティブ ダウンロード 適用できない 1 (無制限) 未定義のベンダー ear99 8541.21.0095 5,000
BFU590Q115 NXP USA Inc. BFU590Q115 0.5000
RFQ
ECAD 106 0.00000000 NXP USA Inc. * バルク アクティブ ダウンロード 適用できない 1 (無制限) 未定義のベンダー ear99 8541.29.0075 1,000
PMZ200UNE315 NXP USA Inc. PMZ200UNE315 -
RFQ
ECAD 8069 0.00000000 NXP USA Inc. * バルク アクティブ ダウンロード 適用できない 1 (無制限) 未定義のベンダー ear99 8541.21.0095 10,000
BUK7631-100E,118 NXP USA Inc. BUK7631-100E 、118 0.6100
RFQ
ECAD 1 0.00000000 NXP USA Inc. Automotive、AEC-Q101 、TrenchMos™ バルク アクティブ -55°C〜175°C 表面マウント TO-263-3 モスフェット(金属酸化物) d2pak ダウンロード ear99 8541.29.0095 532 nチャネル 100 V 34a(tc) 10V 31mohm @ 10a 、10v 4V @ 1MA 29.4 NC @ 10 V ±20V 1738 PF @ 25 V - 96W
PSMN070-200P,127-NXP NXP USA Inc. PSMN070-200P、127-NXP -
RFQ
ECAD 8242 0.00000000 NXP USA Inc. trenchmos™ バルク アクティブ -55°C〜175°C 穴を通して TO-220-3 モスフェット(金属酸化物) TO-220AB - ROHS3準拠 1 (無制限) 影響を受けた ear99 0000.00.0000 1,000 nチャネル 200 v 35a(tc) 10V 70mohm @ 17a 、10V 4V @ 1MA 77 NC @ 10 V ±20V 4570 PF @ 25 V - 250W
PHP71NQ03LT,127 NXP USA Inc. php71nq03lt 、127 -
RFQ
ECAD 4406 0.00000000 NXP USA Inc. trenchmos™ チューブ 廃止 -55°C〜175°C 穴を通して TO-220-3 php71 モスフェット(金属酸化物) TO-220AB ダウンロード ROHS3準拠 1 (無制限) 影響を受けていない ear99 8541.29.0095 50 nチャネル 30 V 75a(tc) 5V、10V 10mohm @ 25a 、10V 2.5V @ 1MA 13.2 NC @ 5 V ±20V 1220 PF @ 25 V - 120W (TC)
PDTC114YT,215 NXP USA Inc. PDTC114YT 、215 -
RFQ
ECAD 6906 0.00000000 NXP USA Inc. * バルク アクティブ PDTC11 ダウンロード ROHS3準拠 影響を受けていない ear99 8541.21.0095 3,000
BB179B,315 NXP USA Inc. BB179B 、315 -
RFQ
ECAD 5917 0.00000000 NXP USA Inc. - テープ&リール( tr) 廃止 -55°C〜125°C(TJ) 表面マウント SC-79、SOD-523 BB17 SOD-523 ダウンロード ROHS3準拠 1 (無制限) 影響を受けていない ear99 8541.10.0070 8,000 2.25pf @ 28V、1MHz シングル 32 v 10 C1/C28 -
J111,126 NXP USA Inc. J111,126 -
RFQ
ECAD 1823年 0.00000000 NXP USA Inc. - カットテープ(CT) 廃止 150°C (TJ) 穴を通して to-226-3 J111 400 MW to-92-3 ダウンロード ROHS3準拠 1 (無制限) 影響を受けていない ear99 8541.21.0095 2,000 nチャネル 40 v 6pf @ 10V 40 v 20 ma @ 15 v 10 V @ 1 µA 30オーム
PH2369,112 NXP USA Inc. PH2369,112 -
RFQ
ECAD 7471 0.00000000 NXP USA Inc. - チューブ 廃止 150°C (TJ) 穴を通して to-226-3 PH23 500 MW to-92-3 ダウンロード ROHS3準拠 1 (無制限) 影響を受けていない ear99 8541.21.0075 1,000 15 V 200 ma 400na(icbo) npn 250MV @ 1MA 、10ma 40 @ 10ma、1V 500MHz
PHP45NQ11T,127 NXP USA Inc. php45nq11t 、127 0.4100
RFQ
ECAD 11 0.00000000 NXP USA Inc. * チューブ アクティブ php45 ダウンロード ROHS3準拠 影響を受けていない ear99 8541.29.0095 1,000
PDTA123YT,215 NXP USA Inc. PDTA123YT 、215 0.0200
RFQ
ECAD 162 0.00000000 NXP USA Inc. * バルク アクティブ PDTA12 ダウンロード ROHS3準拠 影響を受けていない ear99 8541.21.0095 3,000
PH4530L,115 NXP USA Inc. PH4530L 、115 -
RFQ
ECAD 5176 0.00000000 NXP USA Inc. trenchmos™ テープ&リール( tr) 廃止 -55°C〜150°C 表面マウント SC-100 、SOT-669 PH45 モスフェット(金属酸化物) LFPAK56 、POWER-SO8 ダウンロード ROHS3準拠 1 (無制限) 影響を受けていない ear99 8541.29.0095 1,500 nチャネル 30 V 80a(tc) 5V、10V 5.7mohm @ 15a 、10V 2V @ 1MA 23.5 NC @ 5 V ±20V 1972 pf @ 10 v - 62.5W
PMST3904,135 NXP USA Inc. PMST3904,135 -
RFQ
ECAD 2685 0.00000000 NXP USA Inc. * バルク アクティブ PMST3 ダウンロード ROHS3準拠 影響を受けていない ear99 8541.21.0075 10,000
BY329X-1500,127 NXP USA Inc. BY329X-1500,127 -
RFQ
ECAD 8881 0.00000000 NXP USA Inc. - チューブ 廃止 穴を通して TO-220-2フルパック BY32 標準 TO-220FP ダウンロード ROHS3準拠 1 (無制限) 影響を受けていない 934054895127 ear99 8541.10.0080 3,000 高速回復= <500ns 1500 v 1.45 V @ 6.5 a 230 ns 150°C (最大) 6a -
J2A012YXY/S1AY73AJ NXP USA Inc. J2A012YXY/S1AY73AJ -
RFQ
ECAD 1123 0.00000000 NXP USA Inc. * テープ&リール( tr) 廃止 J2A0 - ROHS3準拠 1 (無制限) 影響を受けていない 廃止 0000.00.0000 2,500
PDTC143ZEF,115 NXP USA Inc. PDTC143ZEF、115 -
RFQ
ECAD 4530 0.00000000 NXP USA Inc. - テープ&リール( tr) 廃止 表面マウント SC-89 、SOT-490 PDTC143 250 MW SC-89 ダウンロード ROHS3準拠 1 (無制限) 影響を受けていない ear99 8541.21.0095 4,000 50 v 100 Ma 1µA npn-バイアス化 100MV @ 250µA、5MA 100 @ 10ma 、5v 4.7 Kohms 47 Kohms
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    毎日の平均RFQボリューム

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    標準製品ユニット

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    世界的なメーカー

  • In-stock Warehouse

    15,000 m2

    在庫倉庫