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離散半導体製品（6133）

画像 製品番号 価格（USD） 量 ECAD 利用可能な数量 体重（ kg） MFR シリーズ パッケージ 製品ステータス 許容範囲 電圧 -定格 動作温度 取り付けタイプ パッケージ /ケース 基本製品番号 頻度 テクノロジー パワー -マックス サプライヤーデバイスパッケージ データシート ROHSステータス 水分感度レベル（MSL） ステータスに到達します その他の名前 ECCN htsus 標準パッケージ 構成 スピード フェットタイプ 現在の評価（ amp） 現在-hold（ihmax） 現在 -テスト 電力 -出力 得 電源（ VDSS ）への排水 電流 -連続排水（ID @ @ 25°C ドライブ電圧（最大rds onmin rds on rds on max） @ id vgs vgs ゲートチャージ（ QG VGS （最大） ciss ）（ max @ vds フェット機能 電力散逸（最大） 電圧 -状態外 現在 -state（it （rms 電圧 -ゲートトリガー（ vgt ）（最大） 現在 -非担当者サージ50、60Hz 現在 -ゲートトリガー（ Igt ）（最大） 電圧 -状態（ vtm ）（最大） 現在 -State 現在 -オフステート（最大） scrタイプ ノイズ図 電圧-DC リバース（ VR ）（最大） 電圧 -フォワード（ vf ）（ max @ if 逆回復時間（ trr） 現在 - @ vr 動作温度 -ジャンクション 現在 -平均修正（ io） 容量 @ vr、f 電圧 -コレクターエミッタの分解（最大） 現在 -コレクター（IC ）（最大） 電圧 -テスト 現在 -コレクターカットオフ（最大） 電圧zener インピーダンス（最大）（ ZZT） トランジスタタイプ vce 飽和（max @ ib、ic DC電流ゲイン 頻度 -遷移 抵抗 -ベース（r1） ノイズフィギュア（DBタイプ @ f）
PVR100AZ-B3V0,115 NXP USA Inc. PVR100AZ-B3V0,115 -
RFQ
 ECAD 2613 0.00000000 NXP USA Inc. - テープ＆リール（ tr） 廃止 150°C （TJ） 表面マウント TO-261-4、TO-261AA PVR10 550 MW SC-73 ダウンロード ROHS3準拠 1 （無制限） 影響を受けていない ear99 8541.21.0095 1,000 45 v 100 Ma 100na（icbo） npn + zener - 160 @ 100MA、1V -
PDTA114TE,115 NXP USA Inc. PDTA114TE 、115 -
RFQ
 ECAD 4848 0.00000000 NXP USA Inc. - テープ＆リール（ tr） 廃止 表面マウント SC-75、SOT-416 PDTA114 150 MW SC-75 ダウンロード ROHS3準拠 1 （無制限） 影響を受けていない ear99 8541.21.0095 3,000 50 v 100 Ma 1µA pnp-前バイアス 150mv @ 500µa 、10ma 200 @ 1MA 、5V 10 Kohms
BUK663R5-30C,118 NXP USA Inc. buk663r5-30c、118 0.4300
RFQ
 ECAD 8 0.00000000 NXP USA Inc. * バルク アクティブ buk66 - ROHS3準拠 影響を受けていない ear99 8541.29.0075 800
BZX84J-B39115 NXP USA Inc. BZX84J-B39115 -
RFQ
 ECAD 9031 0.00000000 NXP USA Inc. * バルク アクティブ ダウンロード ear99 8541.10.0050 1
NUR460P/L02112 NXP USA Inc. nur460p/l02112 0.1400
RFQ
 ECAD 109 0.00000000 NXP USA Inc. * バルク アクティブ nur460 ダウンロード 適用できない 1 （無制限） 未定義のベンダー ear99 8542.39.0001 1
BZB784-C12,115 NXP USA Inc. BZB784-C12,115 -
RFQ
 ECAD 3062 0.00000000 NXP USA Inc. - バルク アクティブ ±5％ - 表面マウント SC-70、SOT-323 180 MW SOT-323 ダウンロード 0000.00.0000 1 1ペア共通アノード 900 mV @ 10 Ma 100 Na @ 8 V 12 v 25オーム
BZX284-C30,115 NXP USA Inc. BZX284-C30,115 -
RFQ
 ECAD 3462 0.00000000 NXP USA Inc. - テープ＆リール（ tr） 廃止 ±5％ -65°C〜150°C 表面マウント SOD-10 BZX284 400 MW SOD-10 ダウンロード ROHS3準拠 1 （無制限） 影響を受けていない ear99 8541.10.0050 3,000 1.1 V @ 100 MA 50 Na @ 21 V 30 V 40オーム
BAW62,133 NXP USA Inc. BAW62,133 -
RFQ
 ECAD 1966年年 0.00000000 NXP USA Inc. - テープ＆ボックス（ TB） アクティブ 穴を通して do-204ah do-35 、軸 BAW62 標準 ALF2 ダウンロード ROHS3準拠 1 （無制限） 影響を受けていない 933101220133 ear99 8541.10.0070 10,000 高速回復= <500ns 75 v 1 V @ 100 MA 4 ns 5 µA @ 75 V 200°C （最大） 250ma 2PF @ 0V、1MHz
BTA216X-800B/L02127 NXP USA Inc. BTA216X-800B/L02127 0.7200
RFQ
 ECAD 3 0.00000000 NXP USA Inc. * バルク アクティブ ダウンロード 適用できない 1 （無制限） 未定義のベンダー ear99 8541.30.0080 1
PHK24NQ04LT,518 NXP USA Inc. PHK24NQ04LT 、518 -
RFQ
 ECAD 1983年年 0.00000000 NXP USA Inc. trenchmos™ テープ＆リール（ tr） 廃止 -55°C〜150°C 表面マウント 8-SOIC （0.154 "、幅3.90mm） PHK24 モスフェット（金属酸化物） 8-SO ダウンロード ROHS3準拠 2（1 年） 影響を受けていない ear99 8541.29.0095 2,500 nチャネル 40 v 21.2a 4.5V 、10V 7.7mohm @ 14a 、10V 2V @ 1MA 64 NC @ 10 V ±20V 2985 PF @ 25 V - 6.25W
PMEG045T150EPD139 NXP USA Inc. PMEG045T150EPD139 -
RFQ
 ECAD 5553 0.00000000 NXP USA Inc. * バルク アクティブ ダウンロード 適用できない 1 （無制限） 未定義のベンダー ear99 8541.10.0080 5,000
BZX84-C2V7/DG/B2215 NXP USA Inc. BZX84-C2V7/DG/B2215 1.0000
RFQ
 ECAD 7362 0.00000000 NXP USA Inc. * バルク アクティブ ダウンロード 適用できない 1 （無制限） 未定義のベンダー ear99 8541.10.0050 3,000
PEMF21,115 NXP USA Inc. PEMF21,115 -
RFQ
 ECAD 7225 0.00000000 NXP USA Inc. * バルク アクティブ PEMF2 ダウンロード ROHS3準拠 影響を受けていない ear99 8541.21.0095 4,000
PEMT1,315 NXP USA Inc. PEMT1,315 1.0000
RFQ
 ECAD 8345 0.00000000 NXP USA Inc. - バルク アクティブ 150°C （TJ） 表面マウント SOT-563、SOT-666 pemt1 300MW SOT-666 ダウンロード ear99 8541.21.0075 1 40V 100mA 100na（icbo） 2 PNP （デュアル） 200mV @ 5MA 、50mA 120 @ 1MA 、6V 100MHz
PUMB2,115 NXP USA Inc. PUMB2,115 -
RFQ
 ECAD 1278 0.00000000 NXP USA Inc. * バルク アクティブ Pumb2 ダウンロード ROHS3準拠 影響を受けていない ear99 8541.21.0095 3,000
MRF7S18125AHSR5 NXP USA Inc. MRF7S18125AHSR5 -
RFQ
 ECAD 6379 0.00000000 NXP USA Inc. - テープ＆リール（ tr） 廃止 65 v シャーシマウント NI-780S MRF7 1.88GHz ldmos NI-780S ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない ear99 8541.29.0075 50 - 1.1 a 125W 17dB - 28 v
PMEG2010EA115 NXP USA Inc. PMEG2010EA115 -
RFQ
 ECAD 6667 0.00000000 NXP USA Inc. - バルク アクティブ 表面マウント SC-76、SOD-323 ショットキー SOD-323 ダウンロード 0000.00.0000 1 高速回復= <500ns 20 v 550 mV @ 1 a 50 µA @ 15 V 125°C （最大） 1a 25pf @ 5v、1MHz
PHM15NQ20T,518 NXP USA Inc. PHM15NQ20T 、518 -
RFQ
 ECAD 4755 0.00000000 NXP USA Inc. trenchmos™ テープ＆リール（ tr） 廃止 -55°C〜150°C 表面マウント 8-vdfn露出パッド PHM15 モスフェット（金属酸化物） 8-HVSON ダウンロード ROHS3準拠 1 （無制限） 影響を受けていない ear99 8541.29.0095 2,500 nチャネル 200 v 17.5a 10V 85mohm @ 15a 、10V 4V @ 1MA 40 NC @ 10 V ±20V 2170 PF @ 30 V - 62.5W
A2T26H165-24SR3128 NXP USA Inc. A2T26H165-24SR3128 127.1600
RFQ
 ECAD 497 0.00000000 NXP USA Inc. * バルク アクティブ ダウンロード ear99 8541.29.0075 1
PDTA123YT,215 NXP USA Inc. PDTA123YT 、215 0.0200
RFQ
 ECAD 162 0.00000000 NXP USA Inc. * バルク アクティブ PDTA12 ダウンロード ROHS3準拠 影響を受けていない ear99 8541.21.0095 3,000
BAT54SW,115 NXP USA Inc. BAT54SW 、115 -
RFQ
 ECAD 7472 0.00000000 NXP USA Inc. * バルク アクティブ BAT54 ダウンロード ROHS3準拠 影響を受けていない ear99 8541.10.0070 3,000
BT169H,112 NXP USA Inc. BT169H 、112 -
RFQ
 ECAD 7636 0.00000000 NXP USA Inc. - チューブ 廃止 - 穴を通して to-226-3 BT169 to-92-3 ダウンロード ROHS3準拠 1 （無制限） 影響を受けていない 934061729112 ear99 8541.30.0080 5,000 3 Ma 800 V 800 Ma 800 mv 9a 、10a 100 µA 1.7 v 500 Ma 100 µA 敏感なゲート
BFG520W/X,115 NXP USA Inc. BFG520W/X、115 -
RFQ
 ECAD 6008 0.00000000 NXP USA Inc. - テープ＆リール（ tr） 廃止 175°C （TJ） 表面マウント SOT-343逆ピン留め BFG52 500MW 4-SO ダウンロード ROHS3準拠 1 （無制限） 影響を受けていない ear99 8541.21.0075 3,000 - 15V 70ma npn 60 @ 20MA 、6V 9GHz 1.1DB〜2.1DB @ 900MHz
BUK753R1-40B,127 NXP USA Inc. BUK753R1-40B 、127 -
RFQ
 ECAD 3949 0.00000000 NXP USA Inc. trenchmos™ チューブ 廃止 -55°C〜175°C 穴を通して TO-220-3 buk75 モスフェット（金属酸化物） TO-220AB - ROHS3準拠 1 （無制限） 影響を受けていない ear99 8541.29.0095 50 nチャネル 40 v 75a（tc） 10V 3.1mohm @ 25a 、10V 4V @ 1MA 94 NC @ 10 V ±20V 6808 PF @ 25 V - 300W （TC）
BUK6C2R1-55C,118-NX NXP USA Inc. buk6c2r1-55c、118-nx -
RFQ
 ECAD 1965年年 0.00000000 NXP USA Inc. Automotive、AEC-Q101 、TrenchMos™ バルク アクティブ -55°C〜175°C 表面マウント TO-263-7 モスフェット（金属酸化物） D2PAK-7 - ROHS3準拠 1 （無制限） 影響を受けた ear99 0000.00.0000 1 nチャネル 55 v 228a（tc） 10V 2.3mohm @ 90a 、10V 2.8V @ 1MA 253 NC @ 10 V ±16V 16000 pf @ 25 V - 300W （TC）
BF1204,115 NXP USA Inc. BF1204,115 -
RFQ
 ECAD 8977 0.00000000 NXP USA Inc. - テープ＆リール（ tr） 廃止 10 v 表面マウント 6-TSSOP 、SC-88 、SOT-363 BF120 400MHz モスフェット 6-tssop ダウンロード ROHS3準拠 1 （無制限） 影響を受けていない ear99 8541.21.0095 3,000 nチャネルデュアルゲート 30ma 12 Ma - 30dB 0.9db 5 v
BSP60,115 NXP USA Inc. BSP60,115 1.0000
RFQ
 ECAD 9998 0.00000000 NXP USA Inc. aec-q101 バルク アクティブ 150°C （TJ） 表面マウント TO-261-4、TO-261AA 1.25 w SOT-223 ダウンロード 0000.00.0000 1 45 v 1 a 50NA pnp-ダーリントン 1.3V @ 500µA 、500mA 2000 @ 500MA 、10V 200MHz
PDTC114TE,115 NXP USA Inc. PDTC114TE 、115 -
RFQ
 ECAD 7639 0.00000000 NXP USA Inc. - テープ＆リール（ tr） 廃止 表面マウント SC-75、SOT-416 PDTC114 150 MW SC-75 ダウンロード ROHS3準拠 1 （無制限） 影響を受けていない ear99 8541.21.0095 3,000 50 v 100 Ma 100na（icbo） npn-バイアス化 150mv @ 500µa 、10ma 200 @ 1MA 、5V 10 Kohms
A2T21S161W12SR3 NXP USA Inc. A2T21S161W12SR3 -
RFQ
 ECAD 6110 0.00000000 NXP USA Inc. - テープ＆リール（ tr） 廃止 28 v シャーシマウント NI-780-2S2L A2T21 2.11GHz〜2.2GHz ldmos NI-780-2S2L - ROHS3準拠 適用できない 影響を受けていない 935363146128 ear99 8541.29.0075 250 - 38W - -
MRF19085LR5 NXP USA Inc. MRF19085LR5 -
RFQ
 ECAD 3474 0.00000000 NXP USA Inc. - テープ＆リール（ tr） 廃止 65 v シャーシマウント SOT-957A MRF19 1.93GHz1.99GHz ldmos NI-780H-2L ダウンロード ROHS3準拠 1 （無制限） 影響を受けていない ear99 8542.31.0001 50 - 850 Ma 18W 13dB - 26 v
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    毎日の平均RFQボリューム

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    標準製品ユニット

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    世界的なメーカー

  • In-stock Warehouse

    15,000 m2

    在庫倉庫

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AD9208BBPZ-3000

196-LFBGA露出パッド

数量：1

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