画像 | 製品番号 | 価格(USD) | 量 | ECAD | 利用可能な数量 | 体重( kg) | MFR | シリーズ | パッケージ | 製品ステータス | 許容範囲 | 電圧 -定格 | 動作温度 | 取り付けタイプ | パッケージ /ケース | 基本製品番号 | 頻度 | テクノロジー | パワー -マックス | サプライヤーデバイスパッケージ | データシート | ROHSステータス | 水分感度レベル(MSL) | ステータスに到達します | その他の名前 | ECCN | htsus | 標準パッケージ | 構成 | フェットタイプ | 現在の評価( amp) | 電力 -出力 | 得 | 電源( VDSS )への排水 | 電流 -連続排水(ID @ @ 25°C | ドライブ電圧(最大rds onmin rds on | rds on max) @ id vgs | vgs | ゲートチャージ( QG | VGS (最大) | ciss )( max @ vds | フェット機能 | 電力散逸(最大) | ノイズ図 | 電圧 -フォワード( vf )( max @ if | 現在 - @ vr | 容量 @ vr、f | 電圧 -コレクターエミッタの分解(最大) | 現在 -コレクター(IC )(最大) | ダイオードタイプ | 電圧 -ピークリバース(最大) | 現在 -コレクターカットオフ(最大) | 電圧zener | インピーダンス(最大)( ZZT) | トランジスタタイプ | vce 飽和(max @ ib、ic | DC電流ゲイン | 頻度 -遷移 | 抵抗 -ベース(r1) | 抵抗 -エミッターベース(r2) | ノイズフィギュア(DBタイプ @ f) | 静電容量比 | 静電容量比条件 | Q @ vr、f |
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | BZX79-C3V6,113 | 0.0200 | ![]() | 220 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | - | バルク | アクティブ | ±5% | -65°C〜200°C | 穴を通して | do-204ah do-35 、軸 | 400 MW | ALF2 | ダウンロード | ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 900 mV @ 10 Ma | 5 µA @ 1 V | 3.6 v | 90オーム | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
2PD1820AS 115 | 0.0300 | ![]() | 16 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | aec-q101 | バルク | アクティブ | 150°C (TJ) | 表面マウント | SC-70、SOT-323 | 200 MW | SOT-323 | ダウンロード | ear99 | 8541.21.0075 | 10,724 | 50 v | 500 Ma | 10na (icbo) | npn | 600MV @ 30MA、300MA | 170 @ 150ma 、10V | 150MHz | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | PDTA123EK 、115 | - | ![]() | 9921 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | - | テープ&リール( tr) | 廃止 | 表面マウント | TO-236-3 | PDTA123 | 250 MW | SMT3; mpak | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.21.0095 | 3,000 | 50 v | 100 Ma | 1µA | pnp-前バイアス | 150mv @ 500µa 、10ma | 30 @ 20MA 、5V | 2.2 KOHMS | 2.2 KOHMS | |||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | pht8n06lt 、135 | - | ![]() | 1176 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | trenchmos™ | テープ&リール( tr) | 廃止 | -55°C〜150°C | 表面マウント | TO-261-4、TO-261AA | PHT8 | モスフェット(金属酸化物) | SC-73 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.29.0095 | 4,000 | nチャネル | 55 v | 3.5a(ta) | 5V | 80mohm @ 5a 、5v | 2V @ 1MA | 11.2 NC @ 5 V | ±13V | 650 PF @ 25 V | - | 1.8W(タタ)、 8.3W (TC | |||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | PHPT60610NY115 | 0.2200 | ![]() | 38 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | * | バルク | アクティブ | ダウンロード | 適用できない | 1 (無制限) | 未定義のベンダー | ear99 | 8541.29.0075 | 1,343 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | BC51-16PASX | 0.0600 | ![]() | 2482 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | - | バルク | アクティブ | 150°C (TJ) | 表面マウント | 3-udfn露出パッド | 420 MW | DFN2020D-3 | ダウンロード | ear99 | 8541.29.0075 | 1 | 45 v | 1 a | 100na(icbo) | PNP | 500MV @ 50MA 、500MA | 63 @ 150MA 、2V | 145MHz | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | BZX84-C12,235 | - | ![]() | 9371 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | * | バルク | アクティブ | BZX84 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0050 | 10,000 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
BC847W 、135 | 0.0200 | ![]() | 650 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | aec-q101 | バルク | アクティブ | 150°C (TJ) | 表面マウント | SC-70、SOT-323 | 200 MW | SOT-323 | ダウンロード | ear99 | 8541.21.0075 | 1 | 45 v | 100 Ma | 15NA | npn | 400MV @ 5MA 、100mA | 110 @ 2MA 、5V | 100MHz | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | PDTA114ym 、315 | - | ![]() | 7076 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | * | バルク | アクティブ | PDTA11 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 影響を受けていない | ear99 | 8541.21.0095 | 10,000 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | BC847W 、115 | - | ![]() | 3403 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | * | バルク | アクティブ | BC84 | - | ROHS3準拠 | 影響を受けていない | ear99 | 8541.21.0095 | 3,000 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | pemb9,315 | 0.0700 | ![]() | 594 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | * | バルク | アクティブ | pemb9 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 影響を受けていない | ear99 | 8541.21.0075 | 8,000 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | BC52-16PA 、115 | - | ![]() | 9453 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | - | バルク | アクティブ | 150°C (TJ) | 表面マウント | 3-powerudfn | 420 MW | 3-HUSON (2x2) | ダウンロード | ear99 | 8541.29.0075 | 1 | 60 V | 1 a | 100na(icbo) | PNP | 500MV @ 50MA 、500MA | 63 @ 150MA 、2V | 145MHz | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | BSS84AKW 、115 | 1.0000 | ![]() | 7745 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | * | バルク | アクティブ | BSS84 | - | ダウンロード | 0000.00.0000 | 1 | - | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | BC56PAS115 | - | ![]() | 8724 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | * | バルク | アクティブ | ダウンロード | 適用できない | 1 (無制限) | 未定義のベンダー | ear99 | 8541.21.0075 | 3,000 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | PDTA113EE 、115 | - | ![]() | 5506 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | - | テープ&リール( tr) | 廃止 | 表面マウント | SC-75、SOT-416 | PDTA113 | 150 MW | SC-75 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.21.0095 | 3,000 | 50 v | 100 Ma | 1µA | pnp-前バイアス | 150mv @ 1.5ma 、30ma | 30 @ 40ma 、5v | 1 KOHMS | 1 KOHMS | |||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | BFG93A/X、215 | - | ![]() | 4423 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | - | テープ&リール( tr) | 廃止 | 175°C (TJ) | 表面マウント | to-253-4、to-253aa | BFG93 | 300MW | SOT-143B | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.21.0075 | 3,000 | - | 12V | 35ma | npn | 40 @ 30MA 、5V | 6GHz | 1.7db〜2.3db @ 1GHz〜2GHz | |||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | PDTC124EK 、115 | - | ![]() | 7515 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | - | テープ&リール( tr) | 廃止 | 表面マウント | TO-236-3 | PDTC124 | 250 MW | SMT3; mpak | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.21.0095 | 3,000 | 50 v | 100 Ma | 1µA | npn-バイアス化 | 150mv @ 500µa 、10ma | 60 @ 5MA 、5V | 22 Kohms | 22 Kohms | |||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | 2pb709aqw、115 | - | ![]() | 6686 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | - | テープ&リール( tr) | 廃止 | 150°C (TJ) | 表面マウント | TO-236-3 | 2pb70 | 200 MW | SMT3; mpak | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.21.0095 | 3,000 | 45 v | 100 Ma | 10na (icbo) | PNP | 500MV @ 10MA 、100mA | 160 @ 2MA 、10V | 60MHz | |||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | BZX84-C5V6,235 | 0.0200 | ![]() | 73 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | * | バルク | アクティブ | BZX84 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0050 | 10,000 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | BC846BW/ZL115 | 0.0200 | ![]() | 285 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | * | バルク | アクティブ | ダウンロード | 適用できない | 1 (無制限) | 未定義のベンダー | ear99 | 8541.21.0075 | 3,000 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | PHM30NQ10T 、518 | - | ![]() | 3144 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | trenchmos™ | テープ&リール( tr) | 廃止 | -55°C〜150°C | 表面マウント | 8-vdfn露出パッド | phm30 | モスフェット(金属酸化物) | 8-HVSON | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.29.0095 | 2,500 | nチャネル | 100 V | 37.6a | 10V | 20mohm @ 18a 、10V | 4V @ 1MA | 53.7 NC @ 10 V | ±20V | 3600 PF @ 25 V | - | 62.5W | |||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | 2PD601ARL 、215 | 0.0200 | ![]() | 741 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | * | バルク | アクティブ | 2PD60 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 影響を受けていない | ear99 | 8541.21.0075 | 3,000 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | BZB84-C4V3,215 | 0.0200 | ![]() | 183 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | - | バルク | アクティブ | ±5% | - | 表面マウント | TO-236-3 | 300 MW | SOT-23 | ダウンロード | ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1ペア共通アノード | 900 mV @ 10 Ma | 3 µA @ 1 V | 4.3 v | 90オーム | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | PHK31NQ03LT 、518 | - | ![]() | 9829 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | * | バルク | アクティブ | PHK31 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 影響を受けていない | ear99 | 8541.29.0095 | 2,500 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | BB208-03,135 | - | ![]() | 7903 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | - | テープ&リール( tr) | 廃止 | -55°C〜125°C(TJ) | 表面マウント | SC-76、SOD-323 | BB20 | SOD-323 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0070 | 10,000 | 5.4pf @ 7.5V、1MHz | シングル | 10 v | 5.2 | C1/C7.5 | - | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | PEMH2,115 | 0.0600 | ![]() | 9821 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | - | バルク | アクティブ | 表面マウント | SOT-563、SOT-666 | PEMH2 | 300MW | SOT-666 | ダウンロード | ear99 | 8541.21.0075 | 960 | 50V | 100mA | 1µA | 2 npn- バイアス(デュアル) | 150mv @ 500µa 、10ma | 80 @ 5MA 、5V | - | 47kohms | 47kohms | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | BFG97,115 | - | ![]() | 4153 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | - | テープ&リール( tr) | 廃止 | 175°C (TJ) | 表面マウント | TO-261-4、TO-261AA | BFG97 | 1W | SC-73 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.29.0075 | 1,000 | - | 15V | 100mA | npn | 25 @ 70ma 、10V | 5.5GHz | - | |||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | PhD37N06LT 、118 | - | ![]() | 6789 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | trenchmos™ | テープ&リール( tr) | 廃止 | -55°C〜175°C | 表面マウント | to-252-3 | PhD37 | モスフェット(金属酸化物) | dpak | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.29.0095 | 2,500 | nチャネル | 55 v | 37a(tc) | 5V、10V | 32mohm @ 17a 、10V | 2V @ 1MA | 22.5 NC @ 5 V | ±13V | 1400 PF @ 25 V | - | 100W (TC) | |||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | MMRF5016HSR5 | - | ![]() | 7750 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | - | テープ&リール( tr) | 廃止 | 48 v | 表面マウント | NI-400S-2S | MMRF5 | 1.8GHz〜2.2GHz | hemt | NI-400S-2S | - | 1 (無制限) | 影響を受けていない | 935331343528 | 廃止 | 0000.00.0000 | 250 | - | 32W | - | - | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | BZX84-B30,215 | - | ![]() | 4012 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | * | バルク | アクティブ | BZX84 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0050 | 3,000 |
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