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離散半導体製品（6133）

製品番号	価格（USD）	量	利用可能な数量	MFR	シリーズ	パッケージ	製品ステータス	電圧 -定格	動作温度	取り付けタイプ	パッケージ /ケース	基本製品番号	頻度	テクノロジー	パワー -マックス	サプライヤーデバイスパッケージ	データシート	ROHSステータス	水分感度レベル（MSL）	ステータスに到達します	その他の名前	ECCN	htsus	標準パッケージ	構成	スピード	フェットタイプ	現在の評価（ amp）	現在-hold（ihmax）	現在 -テスト	電力 -出力	得	電源（ VDSS ）への排水	電流 -連続排水（ID @ @ 25°C	ドライブ電圧（最大rds onmin rds on	rds on max） @ id vgs	vgs	ゲートチャージ（ QG	VGS （最大）	ciss ）（ max @ vds	フェット機能	電力散逸（最大）	電圧 -状態外	現在 -state（it （rms	電圧 -ゲートトリガー（ vgt ）（最大）	現在 -非担当者サージ50、60Hz	現在 -ゲートトリガー（ Igt ）（最大）	電圧 -状態（ vtm ）（最大）	現在 -State	現在 -オフステート（最大）	scrタイプ	ノイズ図	電圧-DC リバース（ VR ）（最大）	電圧 -フォワード（ vf ）（ max @ if	逆回復時間（ trr）	現在 - @ vr	動作温度 -ジャンクション	現在 -平均修正（ io）	容量 @ vr、f	電圧 -コレクターエミッタの分解（最大）	現在 -コレクター（IC ）（最大）	電圧 -テスト	現在 -コレクターカットオフ（最大）	トランジスタタイプ	vce 飽和（max @ ib、ic	DC電流ゲイン	頻度 -遷移	抵抗 -ベース（r1）	抵抗 -エミッターベース（r2）	ノイズフィギュア（DBタイプ @ f）
MRF7S18125AHSR5	-	RFQ	6379	NXP USA Inc.	-	テープ＆リール（ tr）	廃止	65 v		シャーシマウント	NI-780S	MRF7	1.88GHz	ldmos		NI-780S	ダウンロード	ROHS3準拠	3 （168 時間）	影響を受けていない		ear99	8541.29.0075	50				-		1.1 a	125W	17dB																				-										28 v
PEMT1,315	1.0000	RFQ	8345	NXP USA Inc.	-	バルク	アクティブ		150°C （TJ）	表面マウント	SOT-563、SOT-666	pemt1			300MW	SOT-666	ダウンロード					ear99	8541.21.0075	1																																				40V	100mA		100na（icbo）	2 PNP （デュアル）	200mV @ 5MA 、50mA	120 @ 1MA 、6V	100MHz
A2T21S161W12SR3	-	RFQ	6110	NXP USA Inc.	-	テープ＆リール（ tr）	廃止	28 v		シャーシマウント	NI-780-2S2L	A2T21	2.11GHz〜2.2GHz	ldmos		NI-780-2S2L	-	ROHS3準拠	適用できない	影響を受けていない	935363146128	ear99	8541.29.0075	250				-			38W	-																				-
PDTA123YT 、215	0.0200	RFQ	162	NXP USA Inc.	*	バルク	アクティブ					PDTA12					ダウンロード	ROHS3準拠		影響を受けていない		ear99	8541.21.0095	3,000
PDTC114TE 、115	-	RFQ	7639	NXP USA Inc.	-	テープ＆リール（ tr）	廃止			表面マウント	SC-75、SOT-416	PDTC114			150 MW	SC-75	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.21.0095	3,000																																				50 v	100 Ma		100na（icbo）	npn-バイアス化	150mv @ 500µa 、10ma	200 @ 1MA 、5V		10 Kohms
BFG520W/X、115	-	RFQ	6008	NXP USA Inc.	-	テープ＆リール（ tr）	廃止		175°C （TJ）	表面マウント	SOT-343逆ピン留め	BFG52			500MW	4-SO	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.21.0075	3,000								-																												15V	70ma			npn		60 @ 20MA 、6V	9GHz			1.1DB〜2.1DB @ 900MHz
PMEG2010EA115	-	RFQ	6667	NXP USA Inc.	-	バルク	アクティブ			表面マウント	SC-76、SOD-323			ショットキー		SOD-323	ダウンロード						0000.00.0000	1		高速回復= <500ns																											20 v	550 mV @ 1 a		50 µA @ 15 V	125°C （最大）	1a	25pf @ 5v、1MHz
BF1204,115	-	RFQ	8977	NXP USA Inc.	-	テープ＆リール（ tr）	廃止	10 v		表面マウント	6-TSSOP 、SC-88 、SOT-363	BF120	400MHz	モスフェット		6-tssop	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.21.0095	3,000	nチャネルデュアルゲート			30ma		12 Ma	-	30dB																				0.9db										5 v
BT169H 、112	-	RFQ	7636	NXP USA Inc.	-	チューブ	廃止		-	穴を通して	to-226-3	BT169				to-92-3	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない	934061729112	ear99	8541.30.0080	5,000					3 Ma														800 V	800 Ma	800 mv	9a 、10a	100 µA	1.7 v	500 Ma	100 µA	敏感なゲート
MRF19085LR5	-	RFQ	3474	NXP USA Inc.	-	テープ＆リール（ tr）	廃止	65 v		シャーシマウント	SOT-957A	MRF19	1.93GHz1.99GHz	ldmos		NI-780H-2L	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8542.31.0001	50				-		850 Ma	18W	13dB																				-										26 v
MMRF1007HSR5	679.4412	RFQ	8500	NXP USA Inc.	-	テープ＆リール（ tr）	アクティブ	110 v			NI-1230-4S	MMRF1007	1.03GHz	ldmos		NI-1230-4S	ダウンロード	ROHS3準拠	適用できない	影響を受けていない	935320316178	ear99	8541.29.0075	50	デュアル			-		150 Ma	1000W	20db																				-										50 v
MRF18030ALSR5	-	RFQ	9311	NXP USA Inc.	-	テープ＆リール（ tr）	廃止	65 v		シャーシマウント	NI-400S	MRF18	1.81GHz1.88GHz	ldmos		NI-400S	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		5A991G	8542.31.0001	50				-		250 Ma	30W	14db																				-										26 v
buk652R0-30c、127	-	RFQ	3607	NXP USA Inc.	trenchmos™	チューブ	廃止		-55°C〜175°C	穴を通して	TO-220-3	buk65		モスフェット（金属酸化物）		TO-220AB	-	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.29.0095	50			nチャネル						30 V	120a（tc）	4.5V 、10V	2.2mohm @ 25a 、10V	2.8V @ 1MA	229 NC @ 10 V	±16V	14964 PF @ 25 V	-	306W
MRF8P23080HR3	-	RFQ	3999	NXP USA Inc.	-	テープ＆リール（ tr）	廃止	65 v		シャーシマウント	NI-780-4	MRF8	2.3GHz	ldmos		NI-780-4	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない	935314247128	ear99	8541.29.0075	250	デュアル			-		280 Ma	16W	14.6db																				-										28 v
PDTC143XK 、115	-	RFQ	7787	NXP USA Inc.	-	テープ＆リール（ tr）	廃止			表面マウント	TO-236-3	PDTC143			250 MW	SMT3; mpak	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.21.0095	3,000																																				50 v	100 Ma		1µA	npn-バイアス化	100MV @ 500µA 、10mA	50 @ 10ma 、5v		4.7 Kohms	10 Kohms
2PB709AR 、115	-	RFQ	6089	NXP USA Inc.	-	テープ＆リール（ tr）	廃止		150°C （TJ）	表面マウント	TO-236-3	2pb70			250 MW	SMT3; mpak	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.21.0095	15,000																																				45 v	100 Ma		10na （icbo）	PNP	500MV @ 10MA 、100mA	210 @ 2MA 、10V	70MHz
PMEG4005EPK 315	0.0500	RFQ	440	NXP USA Inc.	-	バルク	アクティブ			表面マウント	2-xdfn			ショットキー		DFN1608D-2	ダウンロード					ear99	8541.10.0070	6,086		高速回復= <500ns																											40 v	590 mV @ 500 Ma	2 ns	2 µA @ 10 V	150°C （最大）	500mA	30pf @ 1V、1MHz
buk6228-55c、118	0.2400	RFQ	2	NXP USA Inc.	Automotive、AEC-Q101 、TrenchMos™	バルク	アクティブ		-55°C〜175°C	表面マウント	to-252-3			モスフェット（金属酸化物）		dpak	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けた		ear99	0000.00.0000	1,268			nチャネル						55 v	31a（tc）	10V	29mohm @ 10a 、10V	2.8V @ 1MA	20.2 NC @ 10 V	±16V	1340 PF @ 25 V	-	60W （TC）
BC337-16,112	-	RFQ	2142	NXP USA Inc.	-	バルク	廃止		150°C （TJ）	穴を通して	to-226-3	BC33			625 MW	to-92-3	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.21.0075	1,000																																				45 v	500 Ma		100na（icbo）	npn	700mv @ 50ma 、500ma	100 @ 100MA、1V	100MHz
buk7e11-55b、127	-	RFQ	6209	NXP USA Inc.	trenchmos™	チューブ	廃止		-55°C〜175°C	穴を通して	To-262-3 Long Leads	buk7		モスフェット（金属酸化物）		i2pak	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.29.0095	50			nチャネル						55 v	75a（tc）	10V	11mohm @ 25a 、10V	4V @ 1MA	37 NC @ 10 V	±20V	2604 PF @ 25 V	-	157W
BUK753R1-40B 、127	-	RFQ	3949	NXP USA Inc.	trenchmos™	チューブ	廃止		-55°C〜175°C	穴を通して	TO-220-3	buk75		モスフェット（金属酸化物）		TO-220AB	-	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.29.0095	50			nチャネル						40 v	75a（tc）	10V	3.1mohm @ 25a 、10V	4V @ 1MA	94 NC @ 10 V	±20V	6808 PF @ 25 V	-	300W （TC）
BSP60,115	1.0000	RFQ	9998	NXP USA Inc.	aec-q101	バルク	アクティブ		150°C （TJ）	表面マウント	TO-261-4、TO-261AA				1.25 w	SOT-223	ダウンロード						0000.00.0000	1																																				45 v	1 a		50NA	pnp-ダーリントン	1.3V @ 500µA 、500mA	2000 @ 500MA 、10V	200MHz
bc856at、115	-	RFQ	5889	NXP USA Inc.	aec-q101	テープ＆リール（ tr）	廃止		150°C （TJ）	表面マウント	SC-75、SOT-416	BC856			150 MW	SC-75	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.21.0075	3,000																																				65 v	100 Ma		15NA	PNP	400MV @ 5MA 、100mA	125 @ 2MA 、5V	100MHz
PBHV8515QA147	0.1000	RFQ	5	NXP USA Inc.	*	バルク	アクティブ										ダウンロード	適用できない	1 （無制限）	未定義のベンダー		ear99	8541.21.0095	5,000
BUK9635-100A 、118	-	RFQ	5660	NXP USA Inc.	trenchmos™	テープ＆リール（ tr）	廃止		-55°C〜175°C	表面マウント	TO-263-3	Buk96		モスフェット（金属酸化物）		d2pak	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.29.0095	800			nチャネル						100 V	41a（tc）	4.5V 、10V	34mohm @ 25a 、10V	2V @ 1MA		±10V	3573 PF @ 25 V	-	149W
buk6c2r1-55c、118-nx	-	RFQ	1965年年	NXP USA Inc.	Automotive、AEC-Q101 、TrenchMos™	バルク	アクティブ		-55°C〜175°C	表面マウント	TO-263-7			モスフェット（金属酸化物）		D2PAK-7	-	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けた		ear99	0000.00.0000	1			nチャネル						55 v	228a（tc）	10V	2.3mohm @ 90a 、10V	2.8V @ 1MA	253 NC @ 10 V	±16V	16000 pf @ 25 V	-	300W （TC）
PSMN013-100ES、127	0.6300	RFQ	3	NXP USA Inc.	*	チューブ	アクティブ					psmn0					ダウンロード	ROHS3準拠		影響を受けていない		ear99	8541.29.0075	1,000
PBSM5240PF 、115	-	RFQ	4526	NXP USA Inc.	*	バルク	アクティブ					PBSM5					ダウンロード	ROHS3準拠		影響を受けていない		ear99	8541.29.0095	3,000
PDTA114TE 、115	-	RFQ	4848	NXP USA Inc.	-	テープ＆リール（ tr）	廃止			表面マウント	SC-75、SOT-416	PDTA114			150 MW	SC-75	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.21.0095	3,000																																				50 v	100 Ma		1µA	pnp-前バイアス	150mv @ 500µa 、10ma	200 @ 1MA 、5V		10 Kohms
2PB1219AR/ZLX	-	RFQ	3503	NXP USA Inc.	-	テープ＆リール（ tr）	廃止			表面マウント	SC-70、SOT-323	2pb12				SC-70	-	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない	934069197115	廃止	0000.00.0000	10,000

2000+
毎日の平均RFQボリューム
30,000,000
標準製品ユニット
2800+
世界的なメーカー
15,000 m²
在庫倉庫

離散半導体製品（6133）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²