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離散半導体製品（6133）
| 画像 | 製品番号 | 価格（USD） | 量 | ECAD | 利用可能な数量 | 体重（ kg） | MFR | シリーズ | パッケージ | 製品ステータス | 許容範囲 | 電圧 -定格 | 動作温度 | 取り付けタイプ | パッケージ /ケース | 基本製品番号 | 頻度 | テクノロジー | パワー -マックス | サプライヤーデバイスパッケージ | データシート | ROHSステータス | 水分感度レベル（MSL） | ステータスに到達します | ECCN | htsus | 標準パッケージ | 構成 | スピード | 現在の評価（ amp） | 現在 -テスト | 電力 -出力 | 得 | ノイズ図 | 電圧-DC リバース（ VR ）（最大） | 電圧 -フォワード（ vf ）（ max @ if | 逆回復時間（ trr） | 現在 - @ vr | 動作温度 -ジャンクション | 現在 -平均修正（ io） | 容量 @ vr、f | 電圧 -テスト | 電圧zener | インピーダンス（最大）（ ZZT） |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 | BZV49-C18,115 | - |  | 8242 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | * | バルク | アクティブ | BZV49 | - | ROHS3準拠 | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0050 | 1,000 | ||||||||||||||||||||||||||||
 | BZV49-C56,115 | 0.1800 | | 16 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | - | バルク | アクティブ | ±5％ | -65°C〜150°C | 表面マウント | TO-243AA | 1 W | SOT-89 | ダウンロード | ear99 | 8541.10.0050 | 1,674 | 1 V @ 50 mA | 50 Na @ 39.2 v | 56 v | 200オーム | |||||||||||||||||||||
 | 1N4746a 、133 | 0.0400 | | 127 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | - | バルク | アクティブ | ±5％ | -65°C〜200°C | 穴を通して | DO-204AL 、DO-41 、軸 | 1 W | DO-41 | ダウンロード | ear99 | 8541.10.0050 | 7,969 | 1.2 V @ 200 mA | 5 µA @ 13.7 v | 18 v | 20オーム | |||||||||||||||||||||
 | PH5830DL 、115 | 0.2200 | | 106 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | * | バルク | アクティブ | - | 0000.00.0000 | 1 | ||||||||||||||||||||||||||||||||
| BUK762R6-40E118 | - | | 3400 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | * | バルク | アクティブ | - | 0000.00.0000 | 1 | ||||||||||||||||||||||||||||||||
 | PZU3.6B2,115 | - | | 9289 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | * | バルク | アクティブ | PZU3.6 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0050 | 3,000 | ||||||||||||||||||||||||||||
 | BZX84-A2V7,215 | 0.1100 | | 4 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | * | バルク | アクティブ | BZX84 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0050 | 3,000 | ||||||||||||||||||||||||||||
 | BZX84-C11,235 | 0.0200 | | 30 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | aec-q101 | バルク | アクティブ | ±5％ | -65°C〜150°C | 表面マウント | TO-236-3 | 250 MW | SOT-23 | ダウンロード | ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 900 mV @ 10 Ma | 100 Na @ 8 V | 11 v | 20オーム | |||||||||||||||||||||
| BZX84-C3V9,215 | 0.0200 | | 183 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | * | バルク | アクティブ | BZX84 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0050 | 3,000 | ||||||||||||||||||||||||||||
 | BZX84-C33,215 | 1.0000 | | 5847 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | aec-q101 | バルク | アクティブ | ±5％ | -65°C〜150°C | 表面マウント | TO-236-3 | 250 MW | TO-236AB | ダウンロード | 0000.00.0000 | 1 | 900 mV @ 10 Ma | 50 Na @ 23.1 v | 33 v | 80オーム | ||||||||||||||||||||||
 | byc5x-600,127 | - | | 2191 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | - | バルク | アクティブ | 穴を通して | TO-220-2フルパック | 標準 | TO-220F | ダウンロード | ear99 | 8541.10.0080 | 1 | 高速回復= <500ns | 500 V | 2.9 V @ 5 a | 50 ns | 100 µA @ 600 V | 150°C （最大） | 5a | - | |||||||||||||||||||
 | BZX884-B8V2,315 | - | | 2498 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | * | バルク | アクティブ | BZX884 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0050 | 10,000 | ||||||||||||||||||||||||||||
 | BZX84-C33/DG/B3215 | 0.0700 | | 8047 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | * | バルク | アクティブ | ダウンロード | ear99 | 8541.10.0050 | 3,800 | |||||||||||||||||||||||||||||||
 | BZT52H-C2V7,115 | 0.0200 | | 150 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | * | バルク | アクティブ | BZT52 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0050 | 3,000 | ||||||||||||||||||||||||||||
| BZX84-B16,215 | 0.0200 | | 78 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | * | バルク | アクティブ | BZX84 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0050 | 3,000 | ||||||||||||||||||||||||||||
| BZX79-C4V3,133 | 0.0200 | | 54 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | * | バルク | アクティブ | BZX79 | - | ROHS3準拠 | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0050 | 10,000 | ||||||||||||||||||||||||||||
| 2PD601ARL 、215 | 0.0200 | | 741 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | * | バルク | アクティブ | 2PD60 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 影響を受けていない | ear99 | 8541.21.0075 | 3,000 | ||||||||||||||||||||||||||||
| BZX84J-C5V6,115 | - | | 3433 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | * | バルク | アクティブ | BZX84 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0050 | 3,000 | ||||||||||||||||||||||||||||
 | BZV90-C24,115 | 0.1700 | | 18 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | - | バルク | アクティブ | ±5％ | -65°C〜150°C | 表面マウント | TO-261-4、TO-261AA | 1.5 w | SOT-223 | ダウンロード | ear99 | 8541.10.0050 | 1,745 | 1 V @ 50 mA | 50 Na @ 16.8 v | 24 v | 70オーム | |||||||||||||||||||||
| BZX79-C3V9,133 | 0.0200 | | 195 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | * | バルク | アクティブ | BZX79 | - | ROHS3準拠 | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0050 | 10,000 | ||||||||||||||||||||||||||||
| psmn1r2-30ylc 、115 | - | | 4700 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | * | バルク | アクティブ | PSMN1 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 影響を受けていない | ear99 | 8541.29.0095 | 1,500 | ||||||||||||||||||||||||||||
 | BZX384-C22,115 | - | | 7085 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | * | バルク | アクティブ | BZX384 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0050 | 3,000 | ||||||||||||||||||||||||||||
 | BZX585-B2V4135 | 1.0000 | | 4054 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | aec-q101 | バルク | アクティブ | ±2％ | -65°C〜150°C | 表面マウント | SC-79、SOD-523 | 300 MW | SOD-523 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 （無制限） | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0070 | 1 | 1.1 V @ 100 MA | 50 µA @ 1 V | 2.4 v | 100オーム | ||||||||||||||||||
| BZB984-C4V3,115 | 0.0400 | | 36 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | * | バルク | アクティブ | BZB984 | - | ROHS3準拠 | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0050 | 4,000 | ||||||||||||||||||||||||||||
| BZX884-C4V3315 | - | | 6967 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | * | バルク | アクティブ | ダウンロード | 0000.00.0000 | 1 | ||||||||||||||||||||||||||||||||
 | BZX79-C2V7,133 | 0.0200 | | 209 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | * | バルク | アクティブ | BZX79 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0050 | 10,000 | ||||||||||||||||||||||||||||
 | PZU24B3A 、115 | 0.0300 | | 49 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | - | バルク | アクティブ | ±2％ | -55°C〜150°C | 表面マウント | SC-76、SOD-323 | 320 MW | SOD-323 | ダウンロード | ear99 | 8541.10.0050 | 11,010 | 1.1 V @ 100 MA | 50 na @ 19 v | 24 v | 30オーム | |||||||||||||||||||||
| blf6g27ls-40p、112 | 75.6200 | | 40 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | - | バルク | アクティブ | 65 v | 表面マウント | SOT-1121B | 2.5GHz〜2.7GHz | ldmos | LDのほとんど | ダウンロード | ear99 | 8541.29.0075 | 4 | デュアル、共通のソース | - | 450 Ma | 12W | 17.5dB | - | 28 v | ||||||||||||||||||
 | BZX79-C13,143 | 0.0200 | | 375 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | - | バルク | アクティブ | ±5％ | -65°C〜200°C | 穴を通して | do-204ah do-35 、軸 | 400 MW | ALF2 | ダウンロード | ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 900 mV @ 10 Ma | 100 Na @ 8 V | 13 v | 30オーム | |||||||||||||||||||||
 | BZX79-B22,143 | 0.0200 | | 45 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | - | バルク | アクティブ | ±2％ | -65°C〜200°C | 穴を通して | do-204ah do-35 、軸 | 400 MW | ALF2 | ダウンロード | ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 900 mV @ 10 Ma | 50 Na @ 15.4 v | 22 v | 55オーム |
2000+
毎日の平均RFQボリューム
30,000,000
標準製品ユニット
2800+
世界的なメーカー
15,000 m2
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