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離散半導体製品（6133）

製品番号	価格（USD）	量	利用可能な数量	MFR	シリーズ	パッケージ	製品ステータス	電圧 -定格	動作温度	取り付けタイプ	パッケージ /ケース	基本製品番号	頻度	テクノロジー	パワー -マックス	サプライヤーデバイスパッケージ	データシート	ROHSステータス	水分感度レベル（MSL）	ステータスに到達します	その他の名前	ECCN	htsus	標準パッケージ	構成	フェットタイプ	現在の評価（ amp）	現在 -マックス	現在-hold（ihmax）	現在 -テスト	電力 -出力	得	電源（ VDSS ）への排水	電流 -連続排水（ID @ @ 25°C	ドライブ電圧（最大rds onmin rds on	rds on max） @ id vgs	vgs	ゲートチャージ（ QG	VGS （最大）	ciss ）（ max @ vds	フェット機能	電力散逸（最大）	トライアックタイプ	電圧 -オフ状態	現在 -state（it （rms	電圧 -ゲートトリガー（ vgt ）（最大）	現在 -非担当者サージ50、60Hz	現在 -ゲートトリガー（ Igt ）（最大）	ノイズ図	容量 @ vr、f	電圧 -コレクターエミッタの分解（最大）	現在 -コレクター（IC ）（最大）	電圧 -テスト	ダイオードタイプ	電圧 -ピークリバース（最大）	現在 -コレクターカットオフ（最大）	@ @ if、f	トランジスタタイプ	vce 飽和（max @ ib、ic	DC電流ゲイン	頻度 -遷移	抵抗 -ベース（r1）	抵抗 -エミッターベース（r2）	ノイズフィギュア（DBタイプ @ f）
IRF640,127	-	RFQ	6764	NXP USA Inc.	trenchmos™	チューブ	廃止		-55°C〜175°C	穴を通して	TO-220-3	IRF64		モスフェット（金属酸化物）		TO-220AB	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.29.0095	50		nチャネル							200 v	16a（tc）	10V	180mohm @ 8a、10V	4V @ 1MA	63 NC @ 10 V	±20V	1850 pf @ 25 v	-	136W
BC807-40W/MI135	0.0200	RFQ	7245	NXP USA Inc.	*	バルク	アクティブ										ダウンロード	適用できない	1 （無制限）	未定義のベンダー		ear99	8541.21.0075	10,000
BZB784-C9V1,115	0.0300	RFQ	11	NXP USA Inc.	*	バルク	アクティブ					BZB784					ダウンロード	ROHS3準拠		影響を受けていない		ear99	8541.10.0050	3,000
PBSS2515E、115	-	RFQ	5287	NXP USA Inc.	-	テープ＆リール（ tr）	廃止		150°C （TJ）	表面マウント	SC-75、SOT-416	PBSS2			250 MW	SC-75	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.21.0075	3,000																											15 V	500 Ma				100na（icbo）		npn	250mv @ 50ma 、500ma	150 @ 100MA 、2V	420MHz
BZX84-B5V6/DG/B4215	0.0700	RFQ	5471	NXP USA Inc.	*	バルク	アクティブ										ダウンロード					ear99	8541.10.0050	3,400
bap51-04w、115	-	RFQ	2553	NXP USA Inc.	-	テープ＆リール（ tr）	廃止		-65°C〜150°C		SC-70、SOT-323	BAP51				SC-70	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0070	3,000				50 Ma														240 MW								0.35pf @ 5V、1MHz				ピン-1ペアシリーズ接続	50V		2.5OHM @ 10MA 、100MHz
MRF7S18170HSR3	-	RFQ	8787	NXP USA Inc.	-	テープ＆リール（ tr）	廃止	65 v		表面マウント	NI-880S	MRF7	1.81GHz	ldmos		NI-880S	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.29.0075	250			-			1.4 a	50W	17.5dB																	-				28 v
PDTC123JE 、115	-	RFQ	9674	NXP USA Inc.	-	テープ＆リール（ tr）	廃止			表面マウント	SC-75、SOT-416	PDTC123			150 MW	SC-75	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.21.0095	3,000																											50 v	100 Ma				1µA		npn-バイアス化	100MV @ 250µA、5MA	100 @ 10ma 、5v		2.2 KOHMS	47 Kohms
2PD602AQ 、115	-	RFQ	2050	NXP USA Inc.	-	テープ＆リール（ tr）	廃止		150°C （TJ）	表面マウント	TO-236-3	2PD60			250 MW	SMT3; mpak	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.21.0075	12,000																											50 v	500 Ma				10na （icbo）		npn	600MV @ 30MA、300MA	85 @ 150ma 、10V	140MHz
BF998,215	-	RFQ	7114	NXP USA Inc.	-	テープ＆リール（ tr）	廃止	12 v		表面マウント	to-253-4、to-253aa	BF998	200MHz	モスフェット		SOT-143B	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.21.0095	3,000	nチャネルデュアルゲート		30ma			10 Ma	-	-																	0.6dB				8 v
BUK7619-100B 、118	-	RFQ	6862	NXP USA Inc.	trenchmos™	テープ＆リール（ tr）	廃止		-55°C〜175°C	表面マウント	TO-263-3	Buk76		モスフェット（金属酸化物）		d2pak	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.29.0095	800		nチャネル							100 V	64a（tc）	10V	19mohm @ 25a 、10V	4V @ 1MA	53 NC @ 10 V	±20V	3400 PF @ 25 V	-	200W （TC）
PBSS9110S、126	-	RFQ	9446	NXP USA Inc.	-	テープ＆ボックス（ TB）	廃止		150°C （TJ）	穴を通して	to-226-3	PBSS9			830 MW	to-92-3	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.21.0075	2,000																											100 V	1 a				100NA		PNP	320MV @ 100MA、1a	150 @ 500MA 、5V	100MHz
MRF6P24190HR6	-	RFQ	9448	NXP USA Inc.	-	テープ＆リール（ tr）	廃止	68 v		シャーシマウント	NI-1230	MRF6	2.39GHz	ldmos		NI-1230	ダウンロード	ROHS3準拠	3 （168 時間）	影響を受けていない	935321194128	ear99	8541.29.0075	150			-			1.9 a	40W	14db																	-				28 v
PDTA124EK 、115	-	RFQ	8915	NXP USA Inc.	-	テープ＆リール（ tr）	廃止			表面マウント	TO-236-3	PDTA124			250 MW	SMT3; mpak	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.21.0095	9,000																											50 v	100 Ma				1µA		pnp-前バイアス	150mv @ 500µa 、10ma	60 @ 5MA 、5V		22 Kohms	22 Kohms
PDTA115TS、126	-	RFQ	3963	NXP USA Inc.	-	テープ＆ボックス（ TB）	廃止			穴を通して	to-226-3	PDTA115			500 MW	to-92-3	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.21.0095	2,000																											50 v	100 Ma				1µA		pnp-前バイアス	150MV @ 250µA 、5MA	100 @ 1MA 、5V		100 Kohms
BT139X-600F 、127	-	RFQ	4720	NXP USA Inc.	-	バルク	アクティブ		125°C （TJ）	穴を通して	TO-220-3 フルパック、分離タブ					TO-220F	ダウンロード					ear99	8541.30.0080	1	シングル				45 Ma														標準	600 V	16 a	1.5 v	155a 、170a	25 Ma
BFU580GX	0.8300	RFQ	999	NXP USA Inc.	-	テープ＆リール（ tr）	アクティブ		-40°C〜150°C （TJ	表面マウント	TO-261-4、TO-261AA	BFU580			1W	SC-73	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.29.0075	1,000								10.5db																			12V	60ma						npn		60 @ 30MA 、8V	11ghz			1.4db @ 1.8GHz
2N7002T 、215	-	RFQ	5316	NXP USA Inc.	-	テープ＆リール（ tr）	廃止		-55°C〜150°C	表面マウント	TO-236-3	2N70		モスフェット（金属酸化物）		SOT-23	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.21.0095	3,000		nチャネル							60 V	300ma（ta）	5V、10V	5OHM @ 500MA 、10V	2.5V @ 1MA		±20V	40 pf @ 10 v	-	830MW
1PS76SB10/6115	-	RFQ	5702	NXP USA Inc.	*	バルク	アクティブ					1ps76s					ダウンロード	適用できない	1 （無制限）	未定義のベンダー		ear99	8541.10.0070	3,000
bfu730f、115	0.6700	RFQ	89	NXP USA Inc.	-	テープ＆リール（ tr）	アクティブ		150°C （TJ）	表面マウント	SOT-343F	BFU730			197mw	4-dfp	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.21.0075	3,000								-																			2.8V	30ma						npn		205 @ 2MA 、2V	55GHz			0.8db〜1.3db @ 5.8GHz〜12GHz
MRF6V13250HR5	-	RFQ	3701	NXP USA Inc.	-	テープ＆リール（ tr）	廃止	120 v		シャーシマウント	SOT-957A	MRF6	1.3GHz	ldmos		NI-780H-2L	-	ROHS3準拠	3 （168 時間）	影響を受けていない	935314557178	ear99	8541.29.0075	50			-			100 Ma	250W	22.7db																	-				50 v
2PB709ART 、235	0.0200	RFQ	7556	NXP USA Inc.	*	バルク	アクティブ					2pb70					ダウンロード	ROHS3準拠		影響を受けていない		ear99	8541.29.0095	10,000
PDTA124ES、126	-	RFQ	7510	NXP USA Inc.	-	テープ＆ボックス（ TB）	廃止			穴を通して	to-226-3	PDTA124			500 MW	to-92-3	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.21.0095	2,000																											50 v	100 Ma				1µA		pnp-前バイアス	150mv @ 500µa 、10ma	60 @ 5MA 、5V		22 Kohms	22 Kohms
BLS2731-10,114	-	RFQ	9526	NXP USA Inc.	-	トレイ	廃止		200°C （TJ）	表面マウント	SOT-445C	BLS2			145W	CDFM2	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.29.0075	4								10db																			75V	1.5a						npn		40 @ 250MA 、5V	3.1GHz			-
PN2222A 、412	-	RFQ	5961	NXP USA Inc.	-	バルク	廃止		150°C （TJ）	穴を通して	to-226-3	PN22			500 MW	to-92-3	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.21.0075	5,000																											40 v	600 Ma				10na （icbo）		npn	1V @ 50ma 、500ma	100 @ 150ma 、10V	300MHz
PDTC124TE 、115	-	RFQ	1868年年	NXP USA Inc.	-	テープ＆リール（ tr）	廃止			表面マウント	SC-75、SOT-416	PDTC124			150 MW	SC-75	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.21.0095	3,000																											50 v	100 Ma				1µA		npn-バイアス化	150mv @ 500µa 、10ma	100 @ 1MA 、5V		22 Kohms
PDTA113EE 、115	-	RFQ	5506	NXP USA Inc.	-	テープ＆リール（ tr）	廃止			表面マウント	SC-75、SOT-416	PDTA113			150 MW	SC-75	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.21.0095	3,000																											50 v	100 Ma				1µA		pnp-前バイアス	150mv @ 1.5ma 、30ma	30 @ 40ma 、5v		1 KOHMS	1 KOHMS
BC879,112	-	RFQ	5165	NXP USA Inc.	-	バルク	廃止		150°C （TJ）	穴を通して	to-226-3	BC87			830 MW	to-92-3	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.21.0075	1,000																											80 v	1 a				50NA		npn-ダーリントン	1.8V @ 1MA、1a	2000 @ 500MA 、10V	200MHz
phx8nq11t 、127	-	RFQ	7652	NXP USA Inc.	trenchmos™	チューブ	廃止		-55°C〜150°C	穴を通して	TO-220-3 フルパック、分離タブ	PHX8		モスフェット（金属酸化物）		TO-220F	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.29.0095	50		nチャネル							110 v	7.5a	10V	180mohm @ 6a 、10V	4V @ 1MA	14.7 NC @ 10 V	±20V	360 PF @ 25 V	-	27.7W
PBLS2004D 、115	0.0700	RFQ	15	NXP USA Inc.	*	バルク	アクティブ			表面マウント	SC-74、SOT-457	PBLS20				SC-74	ダウンロード	ROHS3準拠		影響を受けていない		ear99	8541.21.0075	3,000

2000+
毎日の平均RFQボリューム
30,000,000
標準製品ユニット
2800+
世界的なメーカー
15,000 m²
在庫倉庫

離散半導体製品（6133）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²