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離散半導体製品（6133）

製品番号	価格（USD）	量	利用可能な数量	MFR	シリーズ	パッケージ	製品ステータス	許容範囲	電圧 -定格	動作温度	取り付けタイプ	パッケージ /ケース	基本製品番号	頻度	テクノロジー	パワー -マックス	サプライヤーデバイスパッケージ	データシート	ROHSステータス	水分感度レベル（MSL）	ステータスに到達します	その他の名前	ECCN	htsus	標準パッケージ	構成	フェットタイプ	現在の評価（ amp）	現在 -テスト	電力 -出力	得	電源（ VDSS ）への排水	電流 -連続排水（ID @ @ 25°C	ドライブ電圧（最大rds onmin rds on	rds on max） @ id vgs	vgs	ゲートチャージ（ QG	VGS （最大）	ciss ）（ max @ vds	フェット機能	電力散逸（最大）	トライアックタイプ	現在 -非担当者サージ50、60Hz	ノイズ図	電圧 -フォワード（ vf ）（ max @ if	現在 - @ vr	容量 @ vr、f	電圧 -コレクターエミッタの分解（最大）	現在 -コレクター（IC ）（最大）	電圧 -テスト	ダイオードタイプ	電圧 -ピークリバース（最大）	現在 -コレクターカットオフ（最大）	電圧zener	インピーダンス（最大）（ ZZT）	トランジスタタイプ	vce 飽和（max @ ib、ic	DC電流ゲイン	頻度 -遷移	抵抗 -ベース（r1）	抵抗 -エミッターベース（r2）	ノイズフィギュア（DBタイプ @ f）	静電容量比	静電容量比条件	Q @ vr、f
2PC1815Y 、412	-	RFQ	3623	NXP USA Inc.	-	チューブ	廃止			150°C （TJ）	穴を通して	to-226-3	2PC18			500 MW	to-92-3	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.21.0095	1,000																							50 v	150 Ma				100na（icbo）			npn	300MV @ 10MA 、100mA	120 @ 2MA 、6V	80MHz
MRF8S18120HSR3	-	RFQ	7139	NXP USA Inc.	-	テープ＆リール（ tr）	廃止		65 v		シャーシマウント	NI-780S	MRF8	1.81GHz	ldmos		NI-780S	ダウンロード	ROHS3準拠	3 （168 時間）	影響を受けていない		5A991G	8541.29.0075	250			-	800 Ma	72W	18.2db													-						28 v
2PC1815BL 、126	-	RFQ	4036	NXP USA Inc.	-	テープ＆ボックス（ TB）	廃止			150°C （TJ）	穴を通して	to-226-3	2PC18			500 MW	to-92-3	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.21.0095	2,000																							50 v	150 Ma				100na（icbo）			npn	300MV @ 10MA 、100mA	350 @ 2MA 、6V	80MHz
MRF6S19200HSR5	-	RFQ	7514	NXP USA Inc.	-	テープ＆リール（ tr）	廃止		66 v		シャーシマウント	NI-780S	MRF6	1.93GHz1.99GHz	ldmos		NI-780S	ダウンロード	ROHS3準拠	3 （168 時間）	影響を受けていない		ear99	8541.29.0075	50			-	1.6 a	56W	17.9db													-						28 v
PDZ4.7B/ZLF	-	RFQ	2271	NXP USA Inc.	*	テープ＆リール（ tr）	アクティブ						PDZ4.7					-	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない	934069111135	ear99	8541.10.0050	3,000
MRF8HP21130HSR3	-	RFQ	6037	NXP USA Inc.	-	テープ＆リール（ tr）	廃止		65 v		表面マウント	NI-780S-4L	MRF8	2.17GHz	ldmos		NI-780S-4L	-	ROHS3準拠	3 （168 時間）	影響を受けていない	935321595128	ear99	8541.29.0075	250	デュアル		-	360 Ma	28W	14db													-						28 v
BFS17A 、215	-	RFQ	6302	NXP USA Inc.	-	テープ＆リール（ tr）	廃止			150°C （TJ）	表面マウント	TO-236-3	BFS17			300MW	SOT-23	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.21.0075	3,000						-																	15V	25ma							npn		25 @ 2MA、1V	2.8GHz			2.5db @ 800MHz
MHT1108NT1	-	RFQ	4254	NXP USA Inc.	-	テープ＆リール（ tr）	廃止		65 v		表面マウント	16-vdfn露出パッド	MHT11	2.45GHz	ldmos		16-dfn （4x6）	ダウンロード		3 （168 時間）	影響を受けていない	935337042515	ear99	8541.29.0075	1,000			10µA	110 Ma	12.5W	18.6db													-						32 v
BC547C 、116	-	RFQ	4767	NXP USA Inc.	-	テープ＆リール（ tr）	廃止			150°C （TJ）	穴を通して	to-226-3	BC54			500 MW	to-92-3	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.21.0075	2,000																							45 v	100 Ma				15NA			npn	400MV @ 5MA 、100mA	420 @ 2MA 、5V	100MHz
PHB193NQ06T 、118	-	RFQ	2839	NXP USA Inc.	trenchmos™	テープ＆リール（ tr）	廃止			-55°C〜175°C	表面マウント	TO-263-3	PHB19		モスフェット（金属酸化物）		d2pak	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.29.0095	800		nチャネル					55 v	75a（tc）	10V	4mohm @ 25a 、10V	4V @ 1MA	85.6 NC @ 10 V	±20V	5082 PF @ 25 V	-	300W （TC）
PZM3.6NB2A 、115	-	RFQ	1796	NXP USA Inc.	-	テープ＆リール（ tr）	廃止	±3％		-	表面マウント	TO-236-3	PZM3.6			220 MW	SMT3; mpak	-	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0050	3,000																				1.1 V @ 100 MA	5 µA @ 1 V								3.6 v	90オーム
BUK7212-55B 、118	-	RFQ	7007	NXP USA Inc.	*	バルク	アクティブ						Buk72					-	ROHS3準拠		影響を受けていない		ear99	8541.29.0095	2,500
A2T21S260W12NR3	-	RFQ	9301	NXP USA Inc.	-	テープ＆リール（ tr）	廃止		65 v		シャーシマウント	OM-880X-2L2L	A2T21	2.11GHz〜2.2GHz	ldmos		OM-880X-2L2L	ダウンロード	ROHS3準拠	3 （168 時間）	影響を受けていない	935339757528	ear99	8541.29.0075	250			10µA	1.6 a	218W	17.9db													-						28 v
BTA316-600B 、127	-	RFQ	8385	NXP USA Inc.	*	バルク	アクティブ						BTA31					ダウンロード	ROHS3準拠		影響を受けていない		ear99	8541.30.0080	1,000
PDTC143TS、126	-	RFQ	1916年年	NXP USA Inc.	-	テープ＆ボックス（ TB）	廃止				穴を通して	to-226-3	PDTC143			500 MW	to-92-3	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.21.0095	2,000																							50 v	100 Ma				1µA			npn-バイアス化	100MV @ 250µA、5MA	200 @ 1MA 、5V		4.7 Kohms
OT380,116	-	RFQ	5764	NXP USA Inc.	-	テープ＆リール（ tr）	アクティブ			-	穴を通して	to-226-3	OT380				to-92-3	-	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない	934056295116	ear99	8541.30.0080	10,000	シングル																標準	-
MRF5S21100HSR3	-	RFQ	5820	NXP USA Inc.	-	テープ＆リール（ tr）	廃止		65 v			NI-780S	MRF5	2.16GHz〜2.17GHz	ldmos		NI-780S	ダウンロード	ROHS3準拠	3 （168 時間）	影響を受けていない		5A991G	8541.29.0075	250			-	1.05 a	23W	13.5dB													-						28 v
MRF7S19120NR1	-	RFQ	3931	NXP USA Inc.	-	テープ＆リール（ tr）	廃止		65 v		表面マウント	TO-270AB	MRF7	1.99GHz	ldmos		TO-270 WB-4	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない	935322767528	ear99	8541.29.0075	500			-	1.2 a	36W	18db													-						28 v
PMEG4030ER/DG/B2,1	-	RFQ	7402	NXP USA Inc.	*	バルク	廃止						PMEG4					-	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		廃止	0000.00.0000	1
2PC1815GR、126	-	RFQ	1982年年	NXP USA Inc.	-	テープ＆ボックス（ TB）	廃止			150°C （TJ）	穴を通して	to-226-3	2PC18			500 MW	to-92-3	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.21.0095	2,000																							50 v	150 Ma				100na（icbo）			npn	300MV @ 10MA 、100mA	200 @ 2MA 、6V	80MHz
PMST5550,135	-	RFQ	5130	NXP USA Inc.	aec-q101	バルク	アクティブ			150°C （TJ）	表面マウント	SC-70、SOT-323				200 MW	SOT-323	ダウンロード						0000.00.0000	1																							140 v	300 Ma				100na（icbo）			npn	250mv @ 5ma 、50ma	60 @ 10ma 、5v	300MHz
pdtc115te 、115	-	RFQ	4771	NXP USA Inc.	-	テープ＆リール（ tr）	廃止				表面マウント	SC-75、SOT-416	PDTC115			150 MW	SC-75	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.21.0095	3,000																							50 v	100 Ma				1µA			npn-バイアス化	150MV @ 250µA 、5MA	100 @ 1MA 、5V		100 Kohms
MRF1513NT1	-	RFQ	5131	NXP USA Inc.	-	テープ＆リール（ tr）	廃止		40 v		表面マウント	PLD-1.5	MRF15	520MHz	ldmos		PLD-1.5	ダウンロード	ROHS3準拠	3 （168 時間）	影響を受けていない		ear99	8541.21.0075	1,000			2a	50 Ma	3W	15dB													-						12.5 v
BB189,115	-	RFQ	5835	NXP USA Inc.	-	テープ＆リール（ tr）	廃止			-55°C〜125°C（TJ）	表面マウント	SC-79、SOD-523	BB18				SOD-523	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0070	3,000																						2.18pf @ 25V、1MHz				シングル	32 v											6.3	C2/C25	-
MRF101AN	26.4000	RFQ	836	NXP USA Inc.	-	チューブ	アクティブ		133 v			TO-220-3	MRF101	1.8MHz〜250MHz	ldmos		TO-220-3	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.29.0075	50			10µA	100 Ma	115W	21.1db													-						50 v
buk7e2r3-40e、127-nxp	1.0000	RFQ	4675	NXP USA Inc.	Automotive、AEC-Q101 、TrenchMos™	チューブ	アクティブ			-55°C〜175°C	穴を通して	To-262-3 Long Leads			モスフェット（金属酸化物）		i2pak	-	適用できない	1 （無制限）	影響を受けた		ear99	0000.00.0000	1		nチャネル					40 v	120a（tc）	10V	2.3mohm @ 25a 、10V	4V @ 1MA	109.2 NC @ 10 V	±20V	8500 PF @ 25 V	-	293W
PBSS4160PAN 115	0.1300	RFQ	22	NXP USA Inc.	-	バルク	アクティブ			150°C （TJ）	表面マウント	6-ufdfn露出パッド	PBSS4160			510MW	6-HUSON （2x2）	ダウンロード					ear99	8541.29.0075	2,314																							60V	1a				100na（icbo）			2 NPN （デュアル）	120mv @ 50ma 、500ma	150 @ 500MA 、2V	175MHz
BB131,135	-	RFQ	8349	NXP USA Inc.	-	テープ＆リール（ tr）	廃止			-55°C〜125°C（TJ）	表面マウント	SC-76、SOD-323	BB131				SOD-323	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0070	10,000																						1.055pf @ 28V、1MHz				シングル	30 V											16	C0.5/C28	-
MRFE6S8046NR1	-	RFQ	1997年年	NXP USA Inc.	-	テープ＆リール（ tr）	廃止		66 v		表面マウント	TO-270AB	Mrfe6	894MHz	ldmos		TO-270 WB-4	ダウンロード	ROHS3準拠	3 （168 時間）	影響を受けていない		5A991G	8541.29.0075	500			-	300 Ma	35.5W	19.8db													-						28 v
PDTC123EE 、115	-	RFQ	3304	NXP USA Inc.	-	テープ＆リール（ tr）	廃止				表面マウント	SC-75、SOT-416	PDTC123			150 MW	SC-75	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.21.0095	3,000																							50 v	100 Ma				1µA			npn-バイアス化	150mv @ 500µa 、10ma	30 @ 20MA 、5V		2.2 KOHMS	2.2 KOHMS

2000+
毎日の平均RFQボリューム
30,000,000
標準製品ユニット
2800+
世界的なメーカー
15,000 m²
在庫倉庫

離散半導体製品（6133）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²