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画像 製品番号 価格(USD) ECAD 利用可能な数量 体重( kg) MFR シリーズ パッケージ 製品ステータス 許容範囲 電圧 -定格 動作温度 取り付けタイプ パッケージ /ケース 基本製品番号 頻度 テクノロジー パワー -マックス サプライヤーデバイスパッケージ データシート ROHSステータス 水分感度レベル(MSL) ステータスに到達します その他の名前 ECCN htsus 標準パッケージ 構成 スピード フェットタイプ 現在の評価( amp) 現在-hold(ihmax) 現在 -テスト 電力 -出力 電源( VDSS )への排水 電流 -連続排水(ID @ @ 25°C ドライブ電圧(最大rds onmin rds on rds on max) @ id vgs vgs ゲートチャージ( QG VGS (最大) ciss )( max @ vds フェット機能 電力散逸(最大) 電圧 -オフ状態 現在 -state(it (rms 電圧 -ゲートトリガー( vgt )(最大) 現在 -非担当者サージ50、60Hz 現在 -ゲートトリガー( Igt )(最大) 電圧 -状態( vtm )(最大) 現在 -State 現在 -オフステート(最大) scrタイプ ノイズ図 電圧-DC リバース( VR )(最大) 電圧 -フォワード( vf )( max @ if 逆回復時間( trr) 現在 - @ vr 動作温度 -ジャンクション 現在 -平均修正( io) 容量 @ vr、f 電圧 -コレクターエミッタの分解(最大) 現在 -コレクター(IC )(最大) 電圧 -テスト ダイオードタイプ 電圧 -ピークリバース(最大) 現在 -コレクターカットオフ(最大) 電圧zener インピーダンス(最大)( ZZT) トランジスタタイプ vce 飽和(max @ ib、ic DC電流ゲイン 頻度 -遷移 抵抗 -ベース(r1) 抵抗 -エミッターベース(r2) ノイズフィギュア(DBタイプ @ f) 静電容量比 静電容量比条件 Q @ vr、f
MRF101AN NXP USA Inc. MRF101AN 26.4000
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ECAD 836 0.00000000 NXP USA Inc. - チューブ アクティブ 133 v TO-220-3 MRF101 1.8MHz〜250MHz ldmos TO-220-3 ダウンロード ROHS3準拠 1 (無制限) 影響を受けていない ear99 8541.29.0075 50 10µA 100 Ma 115W 21.1db - 50 v
PMST5550,135 NXP USA Inc. PMST5550,135 -
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ECAD 5130 0.00000000 NXP USA Inc. aec-q101 バルク アクティブ 150°C (TJ) 表面マウント SC-70、SOT-323 200 MW SOT-323 ダウンロード 0000.00.0000 1 140 v 300 Ma 100na(icbo) npn 250mv @ 5ma 、50ma 60 @ 10ma 、5v 300MHz
BB189,115 NXP USA Inc. BB189,115 -
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ECAD 5835 0.00000000 NXP USA Inc. - テープ&リール( tr) 廃止 -55°C〜125°C(TJ) 表面マウント SC-79、SOD-523 BB18 SOD-523 ダウンロード ROHS3準拠 1 (無制限) 影響を受けていない ear99 8541.10.0070 3,000 2.18pf @ 25V、1MHz シングル 32 v 6.3 C2/C25 -
MRF1513NT1 NXP USA Inc. MRF1513NT1 -
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ECAD 5131 0.00000000 NXP USA Inc. - テープ&リール( tr) 廃止 40 v 表面マウント PLD-1.5 MRF15 520MHz ldmos PLD-1.5 ダウンロード ROHS3準拠 3 (168 時間) 影響を受けていない ear99 8541.21.0075 1,000 2a 50 Ma 3W 15dB - 12.5 v
2PC1815GR,126 NXP USA Inc. 2PC1815GR、126 -
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ECAD 1982年年 0.00000000 NXP USA Inc. - テープ&ボックス( TB) 廃止 150°C (TJ) 穴を通して to-226-3 2PC18 500 MW to-92-3 ダウンロード ROHS3準拠 1 (無制限) 影響を受けていない ear99 8541.21.0095 2,000 50 v 150 Ma 100na(icbo) npn 300MV @ 10MA 、100mA 200 @ 2MA 、6V 80MHz
BUK7E2R3-40E,127-NXP NXP USA Inc. buk7e2r3-40e、127-nxp 1.0000
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ECAD 4675 0.00000000 NXP USA Inc. Automotive、AEC-Q101 、TrenchMos™ チューブ アクティブ -55°C〜175°C 穴を通して To-262-3 Long Leads モスフェット(金属酸化物) i2pak - 適用できない 1 (無制限) 影響を受けた ear99 0000.00.0000 1 nチャネル 40 v 120a(tc) 10V 2.3mohm @ 25a 、10V 4V @ 1MA 109.2 NC @ 10 V ±20V 8500 PF @ 25 V - 293W
PDTC115TE,115 NXP USA Inc. pdtc115te 、115 -
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ECAD 4771 0.00000000 NXP USA Inc. - テープ&リール( tr) 廃止 表面マウント SC-75、SOT-416 PDTC115 150 MW SC-75 ダウンロード ROHS3準拠 1 (無制限) 影響を受けていない ear99 8541.21.0095 3,000 50 v 100 Ma 1µA npn-バイアス化 150MV @ 250µA 、5MA 100 @ 1MA 、5V 100 Kohms
BAS216,115 NXP USA Inc. BAS216,115 -
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ECAD 8529 0.00000000 NXP USA Inc. - テープ&リール( tr) 廃止 表面マウント SOD-10 BAS21 標準 SOD-10 ダウンロード ROHS3準拠 1 (無制限) 影響を受けていない ear99 8541.10.0070 3,000 高速回復= <500ns 75 v 1.25 V @ 150 MA 4 ns 1 µA @ 75 V 150°C (最大) 250ma 1.5pf @ 0V、1MHz
BZX284-C43,115 NXP USA Inc. BZX284-C43,115 -
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ECAD 6012 0.00000000 NXP USA Inc. - テープ&リール( tr) 廃止 ±5% -65°C〜150°C 表面マウント SOD-10 BZX284 400 MW SOD-10 ダウンロード ROHS3準拠 1 (無制限) 影響を受けていない ear99 8541.10.0050 3,000 1.1 V @ 100 MA 50 Na @ 30.1 v 43 v 80オーム
PSMN5R0-100ES NXP USA Inc. PSMN5R0-100ES -
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ECAD 5915 0.00000000 NXP USA Inc. * バルク アクティブ PSMN5R0 - ダウンロード ROHS3準拠 1 (無制限) 影響を受けた ear99 0000.00.0000 1 -
BAS40-05V115 NXP USA Inc. BAS40-05V115 -
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ECAD 3001 0.00000000 NXP USA Inc. * バルク アクティブ ダウンロード 0000.00.0000 1
BC846BW/ZL,135 NXP USA Inc. BC846BW/ZL 、135 0.0200
RFQ
ECAD 20 0.00000000 NXP USA Inc. * バルク アクティブ ダウンロード 0000.00.0000 15,000
BUK9Y59-60E/GFX NXP USA Inc. buk9y59-60e/gfx -
RFQ
ECAD 9584 0.00000000 NXP USA Inc. * テープ&リール( tr) 廃止 buk9 - ROHS3準拠 1 (無制限) 影響を受けていない 廃止 0000.00.0000 1,500
MHT1801A NXP USA Inc. MHT1801A 1.1400
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ECAD 9 0.00000000 NXP USA Inc. * バルク 新しいデザインではありません - 適用できない 未定義のベンダー リクエストに応じて利用可能な情報にアクセスしてください 2832-MHT1801A ear99 1
BFG520/X,215 NXP USA Inc. BFG520/X 、215 -
RFQ
ECAD 3958 0.00000000 NXP USA Inc. - テープ&リール( tr) 廃止 175°C (TJ) 表面マウント to-253-4、to-253aa BFG52 300MW SOT-143B ダウンロード ROHS3準拠 1 (無制限) 影響を受けていない ear99 8541.21.0075 3,000 - 15V 70ma npn 60 @ 20MA 、6V 9GHz 1.1DB〜2.1DB @ 900MHz
MRF6S19200HSR5 NXP USA Inc. MRF6S19200HSR5 -
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ECAD 7514 0.00000000 NXP USA Inc. - テープ&リール( tr) 廃止 66 v シャーシマウント NI-780S MRF6 1.93GHz1.99GHz ldmos NI-780S ダウンロード ROHS3準拠 3 (168 時間) 影響を受けていない ear99 8541.29.0075 50 - 1.6 a 56W 17.9db - 28 v
MRF8HP21130HSR3 NXP USA Inc. MRF8HP21130HSR3 -
RFQ
ECAD 6037 0.00000000 NXP USA Inc. - テープ&リール( tr) 廃止 65 v 表面マウント NI-780S-4L MRF8 2.17GHz ldmos NI-780S-4L - ROHS3準拠 3 (168 時間) 影響を受けていない 935321595128 ear99 8541.29.0075 250 デュアル - 360 Ma 28W 14db - 28 v
BZX84-C6V8/LF1VL NXP USA Inc. BZX84-C6V8/LF1VL -
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ECAD 6257 0.00000000 NXP USA Inc. aec-q101 テープ&リール( tr) アクティブ ±5% -65°C〜150°C 表面マウント TO-236-3 BZX84-C6V8 250 MW SOT-23 ダウンロード ROHS3準拠 1 (無制限) 影響を受けていない 934069503235 ear99 8541.10.0050 3,000 900 mV @ 10 Ma 2 µA @ 4 V 6.8 v 15オーム
PDZ4.7B/ZLF NXP USA Inc. PDZ4.7B/ZLF -
RFQ
ECAD 2271 0.00000000 NXP USA Inc. * テープ&リール( tr) アクティブ PDZ4.7 - ROHS3準拠 1 (無制限) 影響を受けていない 934069111135 ear99 8541.10.0050 3,000
BT169H,112 NXP USA Inc. BT169H 、112 -
RFQ
ECAD 7636 0.00000000 NXP USA Inc. - チューブ 廃止 - 穴を通して to-226-3 BT169 to-92-3 ダウンロード ROHS3準拠 1 (無制限) 影響を受けていない 934061729112 ear99 8541.30.0080 5,000 3 Ma 800 V 800 Ma 800 mv 9a 、10a 100 µA 1.7 v 500 Ma 100 µA 敏感なゲート
2PC1815Y,412 NXP USA Inc. 2PC1815Y 、412 -
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ECAD 3623 0.00000000 NXP USA Inc. - チューブ 廃止 150°C (TJ) 穴を通して to-226-3 2PC18 500 MW to-92-3 ダウンロード ROHS3準拠 1 (無制限) 影響を受けていない ear99 8541.21.0095 1,000 50 v 150 Ma 100na(icbo) npn 300MV @ 10MA 、100mA 120 @ 2MA 、6V 80MHz
1PS76SB10/6135 NXP USA Inc. 1PS76SB10/6135 -
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ECAD 3524 0.00000000 NXP USA Inc. * バルク アクティブ 1ps76s - 適用できない 1 (無制限) 未定義のベンダー ear99 8541.10.0070 10,000
BFS17A,215 NXP USA Inc. BFS17A 、215 -
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ECAD 6302 0.00000000 NXP USA Inc. - テープ&リール( tr) 廃止 150°C (TJ) 表面マウント TO-236-3 BFS17 300MW SOT-23 ダウンロード ROHS3準拠 1 (無制限) 影響を受けていない ear99 8541.21.0075 3,000 - 15V 25ma npn 25 @ 2MA、1V 2.8GHz 2.5db @ 800MHz
MRF8S18120HSR3 NXP USA Inc. MRF8S18120HSR3 -
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ECAD 7139 0.00000000 NXP USA Inc. - テープ&リール( tr) 廃止 65 v シャーシマウント NI-780S MRF8 1.81GHz ldmos NI-780S ダウンロード ROHS3準拠 3 (168 時間) 影響を受けていない 5A991G 8541.29.0075 250 - 800 Ma 72W 18.2db - 28 v
2PC1815BL,126 NXP USA Inc. 2PC1815BL 、126 -
RFQ
ECAD 4036 0.00000000 NXP USA Inc. - テープ&ボックス( TB) 廃止 150°C (TJ) 穴を通して to-226-3 2PC18 500 MW to-92-3 ダウンロード ROHS3準拠 1 (無制限) 影響を受けていない ear99 8541.21.0095 2,000 50 v 150 Ma 100na(icbo) npn 300MV @ 10MA 、100mA 350 @ 2MA 、6V 80MHz
BC547C,116 NXP USA Inc. BC547C 、116 -
RFQ
ECAD 4767 0.00000000 NXP USA Inc. - テープ&リール( tr) 廃止 150°C (TJ) 穴を通して to-226-3 BC54 500 MW to-92-3 ダウンロード ROHS3準拠 1 (無制限) 影響を受けていない ear99 8541.21.0075 2,000 45 v 100 Ma 15NA npn 400MV @ 5MA 、100mA 420 @ 2MA 、5V 100MHz
BY329X-1500,127 NXP USA Inc. BY329X-1500,127 -
RFQ
ECAD 8881 0.00000000 NXP USA Inc. - チューブ 廃止 穴を通して TO-220-2フルパック BY32 標準 TO-220FP ダウンロード ROHS3準拠 1 (無制限) 影響を受けていない 934054895127 ear99 8541.10.0080 3,000 高速回復= <500ns 1500 v 1.45 V @ 6.5 a 230 ns 150°C (最大) 6a -
PDTC123EE,115 NXP USA Inc. PDTC123EE 、115 -
RFQ
ECAD 3304 0.00000000 NXP USA Inc. - テープ&リール( tr) 廃止 表面マウント SC-75、SOT-416 PDTC123 150 MW SC-75 ダウンロード ROHS3準拠 1 (無制限) 影響を受けていない ear99 8541.21.0095 3,000 50 v 100 Ma 1µA npn-バイアス化 150mv @ 500µa 、10ma 30 @ 20MA 、5V 2.2 KOHMS 2.2 KOHMS
PMN27XPE115 NXP USA Inc. PMN27XPE115 0.2100
RFQ
ECAD 34 0.00000000 NXP USA Inc. - バルク アクティブ -55°C〜150°C 表面マウント SC-74、SOT-457 モスフェット(金属酸化物) 6-tsop ダウンロード 適用できない 1 (無制限) 未定義のベンダー ear99 8541.21.0095 1 pチャネル 20 v 4.4a(ta) 2.5V 、4.5V 30mohm @ 3a 、4.5v 1.25V @ 250µA 22.5 NC @ 4.5 v ±12V 1770 pf @ 10 v - 530MW
AFV10700HSR5 NXP USA Inc. AFV10700HSR5 503.6126
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ECAD 1060 0.00000000 NXP USA Inc. - テープ&リール( tr) アクティブ 105 v 表面マウント NI-780S-4L AFV10700 1.03GHz1.09GHz ldmos NI-780S-4L ダウンロード ROHS3準拠 適用できない 影響を受けていない ear99 8541.29.0075 50 デュアル 10µA 100 Ma 770W 19.2db - 50 v
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    毎日の平均RFQボリューム

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    標準製品ユニット

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    世界的なメーカー

  • In-stock Warehouse

    15,000 m2

    在庫倉庫