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離散半導体製品（6133）

画像 製品番号 価格（USD） 量 ECAD 利用可能な数量 体重（ kg） MFR シリーズ パッケージ 製品ステータス 許容範囲 電圧 -定格 動作温度 取り付けタイプ パッケージ /ケース 基本製品番号 頻度 テクノロジー パワー -マックス サプライヤーデバイスパッケージ データシート ROHSステータス 水分感度レベル（MSL） ステータスに到達します その他の名前 ECCN htsus 標準パッケージ 構成 フェットタイプ 現在の評価（ amp） 現在-hold（ihmax） 現在 -テスト 電力 -出力 得 電源（ VDSS ）への排水 電流 -連続排水（ID @ @ 25°C ドライブ電圧（最大rds onmin rds on rds on max） @ id vgs vgs ゲートチャージ（ QG VGS （最大） ciss ）（ max @ vds フェット機能 電力散逸（最大） トライアックタイプ 電圧 -状態外 現在 -state（it （rms 電圧 -ゲートトリガー（ vgt ）（最大） 現在 -非担当者サージ50、60Hz 現在 -ゲートトリガー（ Igt ）（最大） ノイズ図 電圧 -フォワード（ vf ）（ max @ if 現在 - @ vr 電圧 -コレクターエミッタの分解（最大） 現在 -コレクター（IC ）（最大） 電圧 -テスト 現在 -コレクターカットオフ（最大） 電圧zener インピーダンス（最大）（ ZZT） トランジスタタイプ vce 飽和（max @ ib、ic DC電流ゲイン 頻度 -遷移 抵抗 -ベース（r1） 抵抗 -エミッターベース（r2）
1N4739A,133 NXP USA Inc. 1N4739a 、133 0.0400
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 ECAD 27 0.00000000 NXP USA Inc. - バルク アクティブ ±5％ -65°C〜200°C 穴を通して DO-204AL 、DO-41 、軸 1 W DO-41 ダウンロード ear99 8541.10.0050 7,969 1.2 V @ 200 mA 10 µA @ 7 V 9.1 v 5オーム
ON5239,135 NXP USA Inc. on5239,135 -
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 ECAD 2729 0.00000000 NXP USA Inc. - テープ＆リール（ tr） 廃止 表面マウント TO-261-4、TO-261AA on52 - - SC-73 - ROHS3準拠 1 （無制限） 影響を受けていない 934056911135 ear99 8541.29.0095 4,000 - - - - -
PMN34UN,135 NXP USA Inc. PMN34UN、135 -
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 ECAD 2155 0.00000000 NXP USA Inc. trenchmos™ テープ＆リール（ tr） 廃止 -55°C〜150°C 表面マウント SC-74、SOT-457 PMN3 モスフェット（金属酸化物） SC-74 ダウンロード ROHS3準拠 1 （無制限） 影響を受けていない ear99 8541.29.0095 10,000 nチャネル 30 V 4.9a（tc） 1.8V 、4.5V 46mohm @ 2a 、4.5V 700mv @ 1ma（タイプ） 9.9 NC @ 4.5 v ±8V 790 PF @ 25 V - 1.75W
PHD78NQ03LT,118 NXP USA Inc. PhD78NQ03LT 、118 -
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 ECAD 2348 0.00000000 NXP USA Inc. trenchmos™ テープ＆リール（ tr） 廃止 -55°C〜175°C 表面マウント to-252-3 PhD78 モスフェット（金属酸化物） dpak - ROHS3準拠 1 （無制限） 影響を受けていない ear99 8541.29.0095 2,500 nチャネル 25 v 75a（tc） 5V、10V 9mohm @ 25a 、10V 2V @ 1MA 11 NC @ 4.5 v ±20V 970 pf @ 12 v - 107W （TC）
PDTC115TE,115 NXP USA Inc. pdtc115te 、115 -
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 ECAD 4771 0.00000000 NXP USA Inc. - テープ＆リール（ tr） 廃止 表面マウント SC-75、SOT-416 PDTC115 150 MW SC-75 ダウンロード ROHS3準拠 1 （無制限） 影響を受けていない ear99 8541.21.0095 3,000 50 v 100 Ma 1µA npn-バイアス化 150MV @ 250µA 、5MA 100 @ 1MA 、5V 100 Kohms
MW6S004NT1 NXP USA Inc. MW6S004NT1 15.1400
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 ECAD 2137 0.00000000 NXP USA Inc. - テープ＆リール（ tr） アクティブ 68 v 表面マウント PLD-1.5 MW6S004 1.96GHz ldmos PLD-1.5 ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない ear99 8541.29.0075 1,000 - 50 Ma 4W 18db - 28 v
PMXB350UPE147 NXP USA Inc. PMXB350UPE147 -
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 ECAD 9685 0.00000000 NXP USA Inc. * バルク アクティブ ダウンロード 適用できない 1 （無制限） 未定義のベンダー ear99 8541.21.0095 5,000
BZV55-C27,135 NXP USA Inc. BZV55-C27,135 0.0200
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 ECAD 57 0.00000000 NXP USA Inc. - バルク アクティブ ±5％ -65°C〜200°C 表面マウント DO-213AC 、ミニメルフ、 SOD-80 500 MW llds;ミニフル ダウンロード ear99 8541.10.0050 1 900 mV @ 10 Ma 50 Na @ 18.9 v 27 v 80オーム
PBRP123ET,215 NXP USA Inc. PBRP123ET 、215 -
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 ECAD 3083 0.00000000 NXP USA Inc. * バルク アクティブ PBRP12 ダウンロード ROHS3準拠 影響を受けていない ear99 8541.29.0095 3,000
BZB784-C12,115 NXP USA Inc. BZB784-C12,115 -
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 ECAD 3062 0.00000000 NXP USA Inc. - バルク アクティブ ±5％ - 表面マウント SC-70、SOT-323 180 MW SOT-323 ダウンロード 0000.00.0000 1 1ペア共通アノード 900 mV @ 10 Ma 100 Na @ 8 V 12 v 25オーム
BF1208D,115 NXP USA Inc. BF1208D 、115 -
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 ECAD 7972 0.00000000 NXP USA Inc. - テープ＆リール（ tr） 廃止 6 v 表面マウント SOT-563、SOT-666 BF120 400MHz モスフェット SOT-666 ダウンロード ROHS3準拠 1 （無制限） 影響を受けていない ear99 8541.21.0095 4,000 nチャネルデュアルゲート 30ma 19 Ma - 32dB 0.9db 5 v
PDTC124TE,115 NXP USA Inc. PDTC124TE 、115 -
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 ECAD 1868年年 0.00000000 NXP USA Inc. - テープ＆リール（ tr） 廃止 表面マウント SC-75、SOT-416 PDTC124 150 MW SC-75 ダウンロード ROHS3準拠 1 （無制限） 影響を受けていない ear99 8541.21.0095 3,000 50 v 100 Ma 1µA npn-バイアス化 150mv @ 500µa 、10ma 100 @ 1MA 、5V 22 Kohms
OT355,127 NXP USA Inc. OT355,127 -
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 ECAD 4868 0.00000000 NXP USA Inc. - チューブ 廃止 - - - OT35 - - ROHS非準拠 1 （無制限） 影響を受けていない 934057936127 ear99 8541.30.0080 1,000 シングル 標準 -
BSS138BKW-B115 NXP USA Inc. BSS138BKW-B115 0.0300
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 ECAD 9273 0.00000000 NXP USA Inc. * バルク アクティブ ダウンロード 適用できない 1 （無制限） 未定義のベンダー ear99 8541.21.0095 1,899
PDTC124EK,115 NXP USA Inc. PDTC124EK 、115 -
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 ECAD 7515 0.00000000 NXP USA Inc. - テープ＆リール（ tr） 廃止 表面マウント TO-236-3 PDTC124 250 MW SMT3; mpak ダウンロード ROHS3準拠 1 （無制限） 影響を受けていない ear99 8541.21.0095 3,000 50 v 100 Ma 1µA npn-バイアス化 150mv @ 500µa 、10ma 60 @ 5MA 、5V 22 Kohms 22 Kohms
MRF7S19080HSR3 NXP USA Inc. MRF7S19080HSR3 -
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 ECAD 6781 0.00000000 NXP USA Inc. - テープ＆リール（ tr） 廃止 65 v シャーシマウント NI-780S MRF7 1.99GHz ldmos NI-780S ダウンロード ROHS3準拠 1 （無制限） 影響を受けていない 935319237128 ear99 8541.29.0075 250 - 750 Ma 24W 18db - 28 v
PEMD6,115 NXP USA Inc. PEMD6,115 -
RFQ
 ECAD 8814 0.00000000 NXP USA Inc. * バルク アクティブ PEMD6 ダウンロード ROHS3準拠 影響を受けていない ear99 8541.21.0095 4,000
PDZ3.9BGW,115 NXP USA Inc. PDZ3.9BGW、115 -
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 ECAD 7235 0.00000000 NXP USA Inc. * バルク アクティブ ダウンロード ear99 8541.10.0050 1
BSS84AK-B215 NXP USA Inc. BSS84AK-B215 -
RFQ
 ECAD 7547 0.00000000 NXP USA Inc. * バルク アクティブ ダウンロード 適用できない 1 （無制限） 未定義のベンダー ear99 8541.21.0095 3,000
PHB18NQ10T,118 NXP USA Inc. PHB18NQ10T 、118 0.4500
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 ECAD 1 0.00000000 NXP USA Inc. trenchmos™ バルク アクティブ -55°C〜175°C 表面マウント TO-263-3 モスフェット（金属酸化物） d2pak ダウンロード ear99 8541.29.0095 727 nチャネル 100 V 18a（tc） 10V 90mohm @ 9a、10V 4V @ 1MA 21 NC @ 10 V ±20V 633 PF @ 25 V - 79W
PDTC143XS,126 NXP USA Inc. PDTC143XS、126 -
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 ECAD 3635 0.00000000 NXP USA Inc. - テープ＆ボックス（ TB） 廃止 穴を通して to-226-3 PDTC143 500 MW to-92-3 ダウンロード ROHS3準拠 1 （無制限） 影響を受けていない ear99 8541.21.0095 2,000 50 v 100 Ma 1µA npn-バイアス化 100MV @ 500µA 、10mA 50 @ 10ma 、5v 4.7 Kohms 10 Kohms
2PB710ASL/ZLR NXP USA Inc. 2PB710ASL/ZLR -
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 ECAD 6880 0.00000000 NXP USA Inc. * テープ＆リール（ tr） 廃止 2pb71 - ROHS3準拠 1 （無制限） 影響を受けていない ear99 8541.21.0075 3,000
BUK9514-55A,127 NXP USA Inc. BUK9514-55A、127 0.4000
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 ECAD 7 0.00000000 NXP USA Inc. trenchmos™ チューブ アクティブ -55°C〜175°C 穴を通して TO-220-3 モスフェット（金属酸化物） TO-220AB ダウンロード ROHS3準拠 1 （無制限） 影響を受けていない ear99 0000.00.0000 1 nチャネル 55 v 73a（tc） 4.5V 、10V 13mohm @ 25a 、10V 2V @ 1MA ±10V 3307 PF @ 25 V - 149W
PDTC115TM,315 NXP USA Inc. PDTC115TM 315 0.0300
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 ECAD 94 0.00000000 NXP USA Inc. * バルク アクティブ PDTC11 ダウンロード ROHS3準拠 影響を受けていない ear99 8541.21.0095 10,000
AFV10700HSR5 NXP USA Inc. AFV10700HSR5 503.6126
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 ECAD 1060 0.00000000 NXP USA Inc. - テープ＆リール（ tr） アクティブ 105 v 表面マウント NI-780S-4L AFV10700 1.03GHz1.09GHz ldmos NI-780S-4L ダウンロード ROHS3準拠 適用できない 影響を受けていない ear99 8541.29.0075 50 デュアル 10µA 100 Ma 770W 19.2db - 50 v
BT1308-600D,412 NXP USA Inc. BT1308-600D 、412 -
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 ECAD 7408 0.00000000 NXP USA Inc. - バルク 廃止 125°C （TJ） 穴を通して to-226-3 BT130 to-92-3 ダウンロード ROHS3準拠 1 （無制限） 影響を受けていない ear99 8541.30.0080 1,000 シングル 10 Ma ロジック -敏感なゲート 600 V 800 Ma 2 v 9a 、10a 5 Ma
OT380,116 NXP USA Inc. OT380,116 -
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 ECAD 5764 0.00000000 NXP USA Inc. - テープ＆リール（ tr） アクティブ - 穴を通して to-226-3 OT380 to-92-3 - ROHS3準拠 1 （無制限） 影響を受けていない 934056295116 ear99 8541.30.0080 10,000 シングル 標準 -
BZX284-B2V7,115 NXP USA Inc. BZX284-B2V7,115 -
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 ECAD 2394 0.00000000 NXP USA Inc. - テープ＆リール（ tr） 廃止 ±2％ -65°C〜150°C 表面マウント SOD-10 BZX284 400 MW SOD-10 ダウンロード ROHS3準拠 1 （無制限） 影響を受けていない ear99 8541.10.0050 3,000 1.1 V @ 100 MA 20 µA @ 1 V 2.7 v 100オーム
PZM6.2NB3,115 NXP USA Inc. PZM6.2NB3,115 -
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 ECAD 4654 0.00000000 NXP USA Inc. - テープ＆リール（ tr） 廃止 ±2％ -65°C〜150°C 表面マウント TO-236-3 PZM6.2 300 MW SMT3; mpak - ROHS3準拠 1 （無制限） 影響を受けていない ear99 8541.10.0050 3,000 1.1 V @ 100 MA 2 µA @ 3.5 v 6.8 v 15オーム
BF422,116 NXP USA Inc. BF422,116 -
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 ECAD 8206 0.00000000 NXP USA Inc. - テープ＆リール（ tr） 廃止 150°C （TJ） 穴を通して to-226-3 BF422 830 MW to-92-3 ダウンロード ROHS3準拠 1 （無制限） 影響を受けていない ear99 8541.21.0095 2,000 250 v 50 Ma 10na （icbo） npn 600mv @ 5ma 、30ma 50 @ 25ma 、20V 60MHz
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    毎日の平均RFQボリューム

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    標準製品ユニット

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    世界的なメーカー

  • In-stock Warehouse

    15,000 m2

    在庫倉庫

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