SIC
close
画像 製品番号 価格(USD) ECAD 利用可能な数量 体重( kg) MFR シリーズ パッケージ 製品ステータス 許容範囲 電圧 -定格 動作温度 取り付けタイプ パッケージ /ケース 基本製品番号 頻度 テクノロジー パワー -マックス サプライヤーデバイスパッケージ データシート ROHSステータス 水分感度レベル(MSL) ステータスに到達します ECCN htsus 標準パッケージ 構成 フェットタイプ 現在の評価( amp) 現在 -テスト 電力 -出力 電源( VDSS )への排水 電流 -連続排水(ID @ @ 25°C ドライブ電圧(最大rds onmin rds on rds on max) @ id vgs vgs ゲートチャージ( QG VGS (最大) ciss )( max @ vds フェット機能 電力散逸(最大) ノイズ図 電圧 -フォワード( vf )( max @ if 現在 - @ vr 電圧 -コレクターエミッタの分解(最大) 現在 -コレクター(IC )(最大) 電圧 -テスト 現在 -コレクターカットオフ(最大) 電圧zener インピーダンス(最大)( ZZT) トランジスタタイプ vce 飽和(max @ ib、ic DC電流ゲイン 頻度 -遷移 抵抗 -ベース(r1) 抵抗 -エミッターベース(r2)
BLF7G10L-250,112 NXP USA Inc. BLF7G10L-250,112 111.1200
RFQ
ECAD 78 0.00000000 NXP USA Inc. - チューブ アクティブ 65 v SOT-502A BLF7G10 920MHz〜960MHz ldmos LDのほとんど ダウンロード ROHS3準拠 1 (無制限) 未定義のベンダー ear99 0000.00.0000 1 - 1.8 a 60W 19.5dB - 30 V
PHD63NQ03LT,118 NXP USA Inc. phd63nq03lt 、118 -
RFQ
ECAD 7959 0.00000000 NXP USA Inc. trenchmos™ テープ&リール( tr) 廃止 -55°C〜175°C 表面マウント to-252-3 PhD63 モスフェット(金属酸化物) dpak ダウンロード ROHS3準拠 1 (無制限) 影響を受けていない ear99 8541.29.0095 10,000 nチャネル 30 V 68.9a 5V、10V 13mohm @ 25a 、10V 2.5V @ 1MA 9.6 NC @ 5 V ±20V 920 PF @ 25 V - 111W
BZB84-C12215 NXP USA Inc. BZB84-C12215 0.0200
RFQ
ECAD 81 0.00000000 NXP USA Inc. * バルク アクティブ ダウンロード ear99 8541.10.0050 1
PMV77EN215 NXP USA Inc. PMV77EN215 0.0500
RFQ
ECAD 21 0.00000000 NXP USA Inc. * バルク アクティブ - 適用できない 1 (無制限) 未定義のベンダー ear99 8541.21.0095 3,000
PMF3800SN,115 NXP USA Inc. PMF3800SN 、115 -
RFQ
ECAD 3059 0.00000000 NXP USA Inc. trenchmos™ テープ&リール( tr) 廃止 -55°C〜150°C 表面マウント SC-70、SOT-323 PMF38 モスフェット(金属酸化物) SC-70 - ROHS3準拠 1 (無制限) 影響を受けていない ear99 8541.21.0095 3,000 nチャネル 60 V 260ma(ta) 4.5V 、10V 4.5OHM @ 500MA 、10V 3.3V @ 1MA 0.85 NC @ 10 V ±15V 40 pf @ 10 v - 560MW
PMEG4005ESF315 NXP USA Inc. PMEG4005ESF315 0.0400
RFQ
ECAD 270 0.00000000 NXP USA Inc. * バルク アクティブ ダウンロード 適用できない 1 (無制限) 未定義のベンダー ear99 8541.10.0070 9,000
PZM16NB3,115 NXP USA Inc. PZM16NB3,115 -
RFQ
ECAD 4107 0.00000000 NXP USA Inc. - テープ&リール( tr) 廃止 ±2% -65°C〜150°C 表面マウント TO-236-3 PZM16 300 MW SMT3; mpak - ROHS3準拠 1 (無制限) 影響を受けていない ear99 8541.10.0050 3,000 1.1 V @ 100 MA 70 na @ 12 v 16 v 20オーム
2PA1774R,135 NXP USA Inc. 2PA1774R 、135 -
RFQ
ECAD 7710 0.00000000 NXP USA Inc. - テープ&リール( tr) 廃止 150°C (TJ) 表面マウント SC-75、SOT-416 2PA17 150 MW SC-75 ダウンロード ROHS3準拠 1 (無制限) 影響を受けていない ear99 8541.21.0075 10,000 50 v 150 Ma 100na(icbo) PNP 200mV @ 5MA 、50mA 180 @ 1MA 、6V 100MHz
BZX84J-B18,115 NXP USA Inc. BZX84J-B18,115 0.0300
RFQ
ECAD 7753 0.00000000 NXP USA Inc. * バルク アクティブ BZX84 ダウンロード ROHS3準拠 影響を受けていない ear99 8541.10.0050 3,000
2N7002E,215 NXP USA Inc. 2N7002E 、215 -
RFQ
ECAD 3055 0.00000000 NXP USA Inc. * バルク アクティブ 2N70 ダウンロード ROHS3準拠 影響を受けていない ear99 8541.21.0095 3,000
BAV23,235 NXP USA Inc. bav23,235 0.0400
RFQ
ECAD 28 0.00000000 NXP USA Inc. * バルク アクティブ bav2 ダウンロード ROHS3準拠 影響を受けていない ear99 8541.10.0070 10,000
J2A012YXZ/S1AY731J NXP USA Inc. J2A012YXZ/S1AY731J -
RFQ
ECAD 8326 0.00000000 NXP USA Inc. * テープ&リール( tr) 廃止 J2A0 - ROHS3準拠 1 (無制限) 影響を受けていない 廃止 0000.00.0000 2,500
MMRF2005GNR1 NXP USA Inc. MMRF2005GNR1 -
RFQ
ECAD 8019 0.00000000 NXP USA Inc. * テープ&リール( tr) 廃止 MMRF2 ダウンロード ROHS3準拠 3 (168 時間) 影響を受けていない ear99 8541.29.0075 500
NZX3V3B,133 NXP USA Inc. NZX3V3B 、133 -
RFQ
ECAD 9002 0.00000000 NXP USA Inc. * バルク アクティブ NZX3 - ROHS3準拠 影響を受けていない ear99 8541.10.0050 10,000
BUK7506-55B,127 NXP USA Inc. BUK7506-55B 、127 -
RFQ
ECAD 1235 0.00000000 NXP USA Inc. trenchmos™ チューブ 廃止 -55°C〜175°C 穴を通して TO-220-3 buk75 モスフェット(金属酸化物) TO-220AB ダウンロード ROHS3準拠 1 (無制限) 影響を受けていない ear99 8541.29.0095 50 nチャネル 55 v 75a(tc) 10V 6mohm @ 25a 、10V 4V @ 1MA 64 NC @ 10 V ±20V 5100 PF @ 25 V - 254W
PMBTA06/6235 NXP USA Inc. PMBTA06/6235 0.0200
RFQ
ECAD 170 0.00000000 NXP USA Inc. * バルク アクティブ ダウンロード 適用できない 1 (無制限) 未定義のベンダー ear99 8541.21.0075 10,000
BF1202WR,135 NXP USA Inc. BF1202WR 、135 -
RFQ
ECAD 5832 0.00000000 NXP USA Inc. - テープ&リール( tr) 廃止 10 v 表面マウント SC-82A 、SOT-343 BF120 400MHz モスフェット CMPAK-4 ダウンロード ROHS3準拠 1 (無制限) 影響を受けていない ear99 8541.21.0075 10,000 nチャネルデュアルゲート 30ma 12 Ma - 30.5dB 0.9db 5 v
BF245A,112 NXP USA Inc. BF245A 、112 -
RFQ
ECAD 4129 0.00000000 NXP USA Inc. - バルク 廃止 30 V 穴を通して to-226-3 BF245 100MHz jfet to-92-3 ダウンロード ROHS3準拠 1 (無制限) 影響を受けていない ear99 8541.21.0095 1,000 nチャネル 6.5mA - - 1.5dB 15 V
PZM2.7NB2,115 NXP USA Inc. PZM2.7NB2,115 -
RFQ
ECAD 6344 0.00000000 NXP USA Inc. - テープ&リール( tr) 廃止 ±2% -65°C〜150°C 表面マウント TO-236-3 PZM2.7 300 MW SMT3; mpak - ROHS3準拠 1 (無制限) 影響を受けていない ear99 8541.10.0050 3,000 1.1 V @ 100 MA 20 µA @ 1 V 2.7 v 100オーム
BYW29E-100,127 NXP USA Inc. BYW29E-100,127 0.3800
RFQ
ECAD 5 0.00000000 NXP USA Inc. * バルク アクティブ byw29 ダウンロード ROHS3準拠 影響を受けていない ear99 8541.10.0080 1,000
PH9030AL,115 NXP USA Inc. PH9030AL 、115 -
RFQ
ECAD 2505 0.00000000 NXP USA Inc. trenchmos™ テープ&リール( tr) 廃止 - 表面マウント SC-100 、SOT-669 PH90 モスフェット(金属酸化物) LFPAK56 、POWER-SO8 - ROHS3準拠 1 (無制限) 影響を受けていない ear99 8541.29.0095 1,500 nチャネル 30 V 61a(tc) 8mohm @ 15a 、10V 2.15V @ 1MA 17.8 NC @ 10 V 1006 PF @ 12 v - -
PMEG45T15EPD146 NXP USA Inc. PMEG45T15EPD146 0.3000
RFQ
ECAD 243 0.00000000 NXP USA Inc. * バルク アクティブ ダウンロード 適用できない 1 (無制限) 未定義のベンダー ear99 8541.10.0080 1,500
BUK7507-30B,127 NXP USA Inc. BUK7507-30B 、127 0.4100
RFQ
ECAD 4 0.00000000 NXP USA Inc. trenchmos™ チューブ アクティブ -55°C〜175°C 穴を通して TO-220-3 モスフェット(金属酸化物) TO-220AB ダウンロード ROHS3準拠 1 (無制限) 影響を受けていない ear99 0000.00.0000 1 nチャネル 30 V 75a(tc) 10V 7mohm @ 25a 、10V 4V @ 1MA 36 NC @ 10 V ±20V 2427 PF @ 25 V - 157W
PDTC123JU NXP USA Inc. PDTC123JU 1.0000
RFQ
ECAD 9906 0.00000000 NXP USA Inc. * バルク アクティブ PDTC123 ダウンロード 0000.00.0000 1
BZX84-C3V0/DG/B3215 NXP USA Inc. BZX84-C3V0/DG/B3215 0.0200
RFQ
ECAD 159 0.00000000 NXP USA Inc. * バルク アクティブ ダウンロード 適用できない 1 (無制限) 未定義のベンダー ear99 8541.10.0050 3,000
AFM907NT1 NXP USA Inc. AFM907NT1 3.1800
RFQ
ECAD 499 0.00000000 NXP USA Inc. - テープ&リール( tr) アクティブ 30 V 表面マウント 16-vdfn露出パッド AFM907 136MHz〜941MHz ldmos 16-dfn (4x6) ダウンロード ROHS3準拠 1 (無制限) 影響を受けていない ear99 8541.29.0075 1,000 10µA 100 Ma 8.4W - - 10.8 v
PDTC114EK,135 NXP USA Inc. PDTC114EK 、135 -
RFQ
ECAD 4217 0.00000000 NXP USA Inc. - テープ&リール( tr) 廃止 表面マウント TO-236-3 PDTC114 250 MW SMT3; mpak ダウンロード ROHS3準拠 1 (無制限) 影響を受けていない ear99 8541.21.0095 10,000 50 v 100 Ma 1µA npn-バイアス化 150mv @ 500µa 、10ma 30 @ 5MA 、5V 10 Kohms 10 Kohms
BUK652R6-40C,127 NXP USA Inc. BUK652R6-40C 、127 -
RFQ
ECAD 2814 0.00000000 NXP USA Inc. trenchmos™ チューブ 廃止 -55°C〜175°C 穴を通して TO-220-3 buk65 モスフェット(金属酸化物) TO-220AB ダウンロード ROHS非準拠 1 (無制限) 影響を受けていない ear99 8541.29.0095 50 nチャネル 40 v 120a(tc) 4.5V 、10V 2.7mohm @ 25a 、10V 2.8V @ 1MA 199 NC @ 10 V ±16V 11334 PF @ 25 V - 263W
PHE13009/DG,127 NXP USA Inc. Phe13009/dg、127 0.3200
RFQ
ECAD 4 0.00000000 NXP USA Inc. - バルク アクティブ 150°C (TJ) 穴を通して TO-220-3 80 w TO-220AB ダウンロード ear99 8541.29.0095 902 400 V 12 a 100µA npn 2V @ 1.6a 、8a 8 @ 5a 、5V -
PMBT6429,215 NXP USA Inc. PMBT6429,215 0.0200
RFQ
ECAD 91 0.00000000 NXP USA Inc. aec-q101 バルク アクティブ 150°C (TJ) 表面マウント TO-236-3 250 MW SOT-23 ダウンロード ear99 8541.21.0075 1 45 v 100 Ma 10na (icbo) npn 600MV @ 5MA 、100mA 500 @ 100µA 、5V 700MHz
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    毎日の平均RFQボリューム

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    標準製品ユニット

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    世界的なメーカー

  • In-stock Warehouse

    15,000 m2

    在庫倉庫