画像 | 製品番号 | 価格(USD) | 量 | ECAD | 利用可能な数量 | 体重( kg) | MFR | シリーズ | パッケージ | 製品ステータス | 許容範囲 | 電圧 -定格 | 動作温度 | 取り付けタイプ | パッケージ /ケース | 基本製品番号 | 頻度 | テクノロジー | パワー -マックス | サプライヤーデバイスパッケージ | データシート | ROHSステータス | 水分感度レベル(MSL) | ステータスに到達します | ECCN | htsus | 標準パッケージ | 構成 | フェットタイプ | 現在の評価( amp) | 現在 -テスト | 電力 -出力 | 得 | 電源( VDSS )への排水 | 電流 -連続排水(ID @ @ 25°C | ドライブ電圧(最大rds onmin rds on | rds on max) @ id vgs | vgs | ゲートチャージ( QG | VGS (最大) | ciss )( max @ vds | フェット機能 | 電力散逸(最大) | ノイズ図 | 電圧 -フォワード( vf )( max @ if | 現在 - @ vr | 電圧 -コレクターエミッタの分解(最大) | 現在 -コレクター(IC )(最大) | 電圧 -テスト | 現在 -コレクターカットオフ(最大) | 電圧zener | インピーダンス(最大)( ZZT) | トランジスタタイプ | vce 飽和(max @ ib、ic | DC電流ゲイン | 頻度 -遷移 | 抵抗 -ベース(r1) | 抵抗 -エミッターベース(r2) |
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | BLF7G10L-250,112 | 111.1200 | ![]() | 78 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | - | チューブ | アクティブ | 65 v | SOT-502A | BLF7G10 | 920MHz〜960MHz | ldmos | LDのほとんど | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 未定義のベンダー | ear99 | 0000.00.0000 | 1 | - | 1.8 a | 60W | 19.5dB | - | 30 V | ||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | phd63nq03lt 、118 | - | ![]() | 7959 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | trenchmos™ | テープ&リール( tr) | 廃止 | -55°C〜175°C | 表面マウント | to-252-3 | PhD63 | モスフェット(金属酸化物) | dpak | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.29.0095 | 10,000 | nチャネル | 30 V | 68.9a | 5V、10V | 13mohm @ 25a 、10V | 2.5V @ 1MA | 9.6 NC @ 5 V | ±20V | 920 PF @ 25 V | - | 111W | |||||||||||||||||||||||||
![]() | BZB84-C12215 | 0.0200 | ![]() | 81 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | * | バルク | アクティブ | ダウンロード | ear99 | 8541.10.0050 | 1 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | PMV77EN215 | 0.0500 | ![]() | 21 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | * | バルク | アクティブ | - | 適用できない | 1 (無制限) | 未定義のベンダー | ear99 | 8541.21.0095 | 3,000 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | PMF3800SN 、115 | - | ![]() | 3059 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | trenchmos™ | テープ&リール( tr) | 廃止 | -55°C〜150°C | 表面マウント | SC-70、SOT-323 | PMF38 | モスフェット(金属酸化物) | SC-70 | - | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.21.0095 | 3,000 | nチャネル | 60 V | 260ma(ta) | 4.5V 、10V | 4.5OHM @ 500MA 、10V | 3.3V @ 1MA | 0.85 NC @ 10 V | ±15V | 40 pf @ 10 v | - | 560MW | |||||||||||||||||||||||||
![]() | PMEG4005ESF315 | 0.0400 | ![]() | 270 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | * | バルク | アクティブ | ダウンロード | 適用できない | 1 (無制限) | 未定義のベンダー | ear99 | 8541.10.0070 | 9,000 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | PZM16NB3,115 | - | ![]() | 4107 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | - | テープ&リール( tr) | 廃止 | ±2% | -65°C〜150°C | 表面マウント | TO-236-3 | PZM16 | 300 MW | SMT3; mpak | - | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0050 | 3,000 | 1.1 V @ 100 MA | 70 na @ 12 v | 16 v | 20オーム | |||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | 2PA1774R 、135 | - | ![]() | 7710 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | - | テープ&リール( tr) | 廃止 | 150°C (TJ) | 表面マウント | SC-75、SOT-416 | 2PA17 | 150 MW | SC-75 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.21.0075 | 10,000 | 50 v | 150 Ma | 100na(icbo) | PNP | 200mV @ 5MA 、50mA | 180 @ 1MA 、6V | 100MHz | |||||||||||||||||||||||||||||
![]() | BZX84J-B18,115 | 0.0300 | ![]() | 7753 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | * | バルク | アクティブ | BZX84 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0050 | 3,000 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | 2N7002E 、215 | - | ![]() | 3055 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | * | バルク | アクティブ | 2N70 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 影響を受けていない | ear99 | 8541.21.0095 | 3,000 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | bav23,235 | 0.0400 | ![]() | 28 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | * | バルク | アクティブ | bav2 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0070 | 10,000 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | J2A012YXZ/S1AY731J | - | ![]() | 8326 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | * | テープ&リール( tr) | 廃止 | J2A0 | - | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | 廃止 | 0000.00.0000 | 2,500 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | MMRF2005GNR1 | - | ![]() | 8019 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | * | テープ&リール( tr) | 廃止 | MMRF2 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.29.0075 | 500 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | NZX3V3B 、133 | - | ![]() | 9002 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | * | バルク | アクティブ | NZX3 | - | ROHS3準拠 | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0050 | 10,000 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | BUK7506-55B 、127 | - | ![]() | 1235 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | trenchmos™ | チューブ | 廃止 | -55°C〜175°C | 穴を通して | TO-220-3 | buk75 | モスフェット(金属酸化物) | TO-220AB | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.29.0095 | 50 | nチャネル | 55 v | 75a(tc) | 10V | 6mohm @ 25a 、10V | 4V @ 1MA | 64 NC @ 10 V | ±20V | 5100 PF @ 25 V | - | 254W | |||||||||||||||||||||||||
![]() | PMBTA06/6235 | 0.0200 | ![]() | 170 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | * | バルク | アクティブ | ダウンロード | 適用できない | 1 (無制限) | 未定義のベンダー | ear99 | 8541.21.0075 | 10,000 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | BF1202WR 、135 | - | ![]() | 5832 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | - | テープ&リール( tr) | 廃止 | 10 v | 表面マウント | SC-82A 、SOT-343 | BF120 | 400MHz | モスフェット | CMPAK-4 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.21.0075 | 10,000 | nチャネルデュアルゲート | 30ma | 12 Ma | - | 30.5dB | 0.9db | 5 v | ||||||||||||||||||||||||||||
![]() | BF245A 、112 | - | ![]() | 4129 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | - | バルク | 廃止 | 30 V | 穴を通して | to-226-3 | BF245 | 100MHz | jfet | to-92-3 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.21.0095 | 1,000 | nチャネル | 6.5mA | - | - | 1.5dB | 15 V | |||||||||||||||||||||||||||||
![]() | PZM2.7NB2,115 | - | ![]() | 6344 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | - | テープ&リール( tr) | 廃止 | ±2% | -65°C〜150°C | 表面マウント | TO-236-3 | PZM2.7 | 300 MW | SMT3; mpak | - | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0050 | 3,000 | 1.1 V @ 100 MA | 20 µA @ 1 V | 2.7 v | 100オーム | |||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | BYW29E-100,127 | 0.3800 | ![]() | 5 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | * | バルク | アクティブ | byw29 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0080 | 1,000 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
PH9030AL 、115 | - | ![]() | 2505 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | trenchmos™ | テープ&リール( tr) | 廃止 | - | 表面マウント | SC-100 、SOT-669 | PH90 | モスフェット(金属酸化物) | LFPAK56 、POWER-SO8 | - | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.29.0095 | 1,500 | nチャネル | 30 V | 61a(tc) | 8mohm @ 15a 、10V | 2.15V @ 1MA | 17.8 NC @ 10 V | 1006 PF @ 12 v | - | - | ||||||||||||||||||||||||||||
![]() | PMEG45T15EPD146 | 0.3000 | ![]() | 243 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | * | バルク | アクティブ | ダウンロード | 適用できない | 1 (無制限) | 未定義のベンダー | ear99 | 8541.10.0080 | 1,500 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | BUK7507-30B 、127 | 0.4100 | ![]() | 4 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | trenchmos™ | チューブ | アクティブ | -55°C〜175°C | 穴を通して | TO-220-3 | モスフェット(金属酸化物) | TO-220AB | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 0000.00.0000 | 1 | nチャネル | 30 V | 75a(tc) | 10V | 7mohm @ 25a 、10V | 4V @ 1MA | 36 NC @ 10 V | ±20V | 2427 PF @ 25 V | - | 157W | ||||||||||||||||||||||||||
![]() | PDTC123JU | 1.0000 | ![]() | 9906 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | * | バルク | アクティブ | PDTC123 | ダウンロード | 0000.00.0000 | 1 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | BZX84-C3V0/DG/B3215 | 0.0200 | ![]() | 159 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | * | バルク | アクティブ | ダウンロード | 適用できない | 1 (無制限) | 未定義のベンダー | ear99 | 8541.10.0050 | 3,000 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | AFM907NT1 | 3.1800 | ![]() | 499 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | 30 V | 表面マウント | 16-vdfn露出パッド | AFM907 | 136MHz〜941MHz | ldmos | 16-dfn (4x6) | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.29.0075 | 1,000 | 10µA | 100 Ma | 8.4W | - | - | 10.8 v | |||||||||||||||||||||||||||||
![]() | PDTC114EK 、135 | - | ![]() | 4217 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | - | テープ&リール( tr) | 廃止 | 表面マウント | TO-236-3 | PDTC114 | 250 MW | SMT3; mpak | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.21.0095 | 10,000 | 50 v | 100 Ma | 1µA | npn-バイアス化 | 150mv @ 500µa 、10ma | 30 @ 5MA 、5V | 10 Kohms | 10 Kohms | |||||||||||||||||||||||||||||
![]() | BUK652R6-40C 、127 | - | ![]() | 2814 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | trenchmos™ | チューブ | 廃止 | -55°C〜175°C | 穴を通して | TO-220-3 | buk65 | モスフェット(金属酸化物) | TO-220AB | ダウンロード | ROHS非準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.29.0095 | 50 | nチャネル | 40 v | 120a(tc) | 4.5V 、10V | 2.7mohm @ 25a 、10V | 2.8V @ 1MA | 199 NC @ 10 V | ±16V | 11334 PF @ 25 V | - | 263W | |||||||||||||||||||||||||
![]() | Phe13009/dg、127 | 0.3200 | ![]() | 4 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | - | バルク | アクティブ | 150°C (TJ) | 穴を通して | TO-220-3 | 80 w | TO-220AB | ダウンロード | ear99 | 8541.29.0095 | 902 | 400 V | 12 a | 100µA | npn | 2V @ 1.6a 、8a | 8 @ 5a 、5V | - | |||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | PMBT6429,215 | 0.0200 | ![]() | 91 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | aec-q101 | バルク | アクティブ | 150°C (TJ) | 表面マウント | TO-236-3 | 250 MW | SOT-23 | ダウンロード | ear99 | 8541.21.0075 | 1 | 45 v | 100 Ma | 10na (icbo) | npn | 600MV @ 5MA 、100mA | 500 @ 100µA 、5V | 700MHz |
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