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画像 製品番号 価格(USD) ECAD 利用可能な数量 体重( kg) MFR シリーズ パッケージ 製品ステータス 許容範囲 動作温度 取り付けタイプ パッケージ /ケース 基本製品番号 テクノロジー パワー -マックス サプライヤーデバイスパッケージ データシート ROHSステータス 水分感度レベル(MSL) ステータスに到達します ECCN htsus 標準パッケージ 構成 フェットタイプ 現在 -マックス 現在-hold(ihmax) 電源( VDSS )への排水 電流 -連続排水(ID @ @ 25°C ドライブ電圧(最大rds onmin rds on rds on max) @ id vgs vgs ゲートチャージ( QG VGS (最大) ciss )( max @ vds フェット機能 電力散逸(最大) トライアックタイプ 電圧 -状態外 現在 -state(it (rms 電圧 -ゲートトリガー( vgt )(最大) 現在 -非担当者サージ50、60Hz 現在 -ゲートトリガー( Igt )(最大) 電圧 -フォワード( vf )( max @ if 現在 - @ vr 容量 @ vr、f ダイオードタイプ 電圧 -ピークリバース(最大) 電圧zener インピーダンス(最大)( ZZT) @ @ if、f
BZV55-C9V1,135 NXP USA Inc. BZV55-C9V1,135 0.0200
RFQ
ECAD 105 0.00000000 NXP USA Inc. * バルク アクティブ BZV55 ダウンロード ROHS3準拠 影響を受けていない ear99 8541.10.0050 10,000
BUK7613-75B,118 NXP USA Inc. BUK7613-75B 、118 -
RFQ
ECAD 3611 0.00000000 NXP USA Inc. Automotive、AEC-Q101 、TrenchMos™ バルク アクティブ -55°C〜175°C 表面マウント TO-263-3 モスフェット(金属酸化物) d2pak ダウンロード ear99 8541.29.0095 1 nチャネル 75 v 75a(tc) 10V 13mohm @ 25a 、10V 4V @ 1MA 40 NC @ 10 V ±20V 2644 PF @ 25 V - 157W
BZX79-C2V4,143 NXP USA Inc. BZX79-C2V4,143 0.0200
RFQ
ECAD 218 0.00000000 NXP USA Inc. - バルク アクティブ ±5% -65°C〜200°C 穴を通して do-204ah do-35 、軸 400 MW ALF2 ダウンロード ear99 8541.10.0050 1 900 mV @ 10 Ma 50 µA @ 1 V 2.4 v 100オーム
NZX10A,133 NXP USA Inc. NZX10A 、133 0.0200
RFQ
ECAD 14 0.00000000 NXP USA Inc. * バルク アクティブ NZX1 - ROHS3準拠 影響を受けていない ear99 8541.10.0050 10,000
2PA1576R,115 NXP USA Inc. 2PA1576R 、115 -
RFQ
ECAD 5248 0.00000000 NXP USA Inc. * バルク アクティブ 2PA15 ダウンロード ROHS3準拠 影響を受けていない ear99 8541.21.0075 3,000
BZV55-C36,115 NXP USA Inc. BZV55-C36,115 -
RFQ
ECAD 9181 0.00000000 NXP USA Inc. * バルク アクティブ BZV55 ダウンロード ROHS3準拠 影響を受けていない ear99 8541.10.0050 2,500
BZX79-B2V4,133 NXP USA Inc. BZX79-B2V4,133 0.0200
RFQ
ECAD 95 0.00000000 NXP USA Inc. - バルク アクティブ ±2% -65°C〜200°C 穴を通して do-204ah do-35 、軸 400 MW ALF2 ダウンロード ear99 8541.10.0050 1 900 mV @ 10 Ma 50 µA @ 1 V 2.4 v 100オーム
BZB84-B4V7215 NXP USA Inc. BZB84-B4V7215 -
RFQ
ECAD 5507 0.00000000 NXP USA Inc. * バルク アクティブ ダウンロード ear99 8541.10.0050 1
BZB84-B22,215 NXP USA Inc. BZB84-B22,215 0.0300
RFQ
ECAD 62 0.00000000 NXP USA Inc. - バルク アクティブ ±2% - 表面マウント TO-236-3 300 MW SOT-23 ダウンロード ear99 8541.10.0050 11,823 1ペア共通アノード 900 mV @ 10 Ma 50 Na @ 15.4 v 22 v 55オーム
BZB84-B39,215 NXP USA Inc. BZB84-B39,215 0.0300
RFQ
ECAD 22 0.00000000 NXP USA Inc. - バルク アクティブ ±2% - 表面マウント TO-236-3 300 MW SOT-23 ダウンロード ear99 8541.10.0050 11,823 1ペア共通アノード 900 mV @ 10 Ma 50 Na @ 27.3 v 39 v 130オーム
2PD602ARL,215 NXP USA Inc. 2PD602ARL 、215 0.0300
RFQ
ECAD 534 0.00000000 NXP USA Inc. * バルク アクティブ 2PD60 ダウンロード ROHS3準拠 影響を受けていない ear99 8541.21.0075 3,000
PBSS5320T,215 NXP USA Inc. PBSS5320T 、215 -
RFQ
ECAD 9962 0.00000000 NXP USA Inc. * バルク アクティブ PBSS5 ダウンロード ROHS3準拠 影響を受けていない ear99 8541.29.0095 3,000
PMMT491A,235 NXP USA Inc. PMMT491A 、235 0.0400
RFQ
ECAD 10 0.00000000 NXP USA Inc. * バルク アクティブ PMMT4 ダウンロード ROHS3準拠 影響を受けていない ear99 8541.21.0075 10,000
Z0103MA0,412 NXP USA Inc. Z0103MA0,412 1.0000
RFQ
ECAD 3340 0.00000000 NXP USA Inc. - バルク アクティブ 125°C (TJ) 穴を通して to-226-3 to-92-3 ダウンロード ear99 8541.30.0080 1 シングル 7 Ma ロジック -敏感なゲート 600 V 1 a 1.3 v 12.5a、13.8a 3 Ma
BZX84-C8V2,235 NXP USA Inc. BZX84-C8V2,235 0.0200
RFQ
ECAD 300 0.00000000 NXP USA Inc. * バルク アクティブ BZX84 ダウンロード ROHS3準拠 影響を受けていない ear99 8541.10.0050 10,000
BSP41,115 NXP USA Inc. BSP41,115 0.1700
RFQ
ECAD 113 0.00000000 NXP USA Inc. * バルク アクティブ BSP4 - ROHS3準拠 影響を受けていない ear99 8541.29.0095 1,000
NZX4V3A,133 NXP USA Inc. NZX4V3A 、133 0.0200
RFQ
ECAD 98 0.00000000 NXP USA Inc. * バルク アクティブ NZX4 - ROHS3準拠 影響を受けていない ear99 8541.10.0050 10,000
BA591115 NXP USA Inc. BA591115 0.0500
RFQ
ECAD 527 0.00000000 NXP USA Inc. - バルク アクティブ -65°C〜150°C SC-76、SOD-323 SOD-323 ダウンロード ear99 8541.10.0070 5,912 100 Ma 500 MW 0.9pf @ 3V、1MHz 標準 -シングル 35V 500mohm @ 10ma 、100MHz
PHP27NQ11T,127 NXP USA Inc. php27nq11t 、127 -
RFQ
ECAD 7740 0.00000000 NXP USA Inc. * バルク アクティブ php27 ダウンロード ROHS3準拠 影響を受けていない ear99 8541.29.0095 1,000
PDTC115TMB315 NXP USA Inc. PDTC115TMB315 0.0200
RFQ
ECAD 129 0.00000000 NXP USA Inc. * バルク アクティブ ダウンロード ear99 8541.21.0075 1
PZU3.6B2A115 NXP USA Inc. PZU3.6B2A115 -
RFQ
ECAD 9355 0.00000000 NXP USA Inc. aec-q101 バルク アクティブ ±2% 150°C (TJ) 表面マウント SC-76、SOD-323 320 MW SOD-323 ダウンロード ROHS3準拠 1 (無制限) 影響を受けていない ear99 8541.10.0050 1 1.1 V @ 100 MA 5 µA @ 1 V 3.6 v 90オーム
PEMB3,115 NXP USA Inc. pemb3,115 -
RFQ
ECAD 4481 0.00000000 NXP USA Inc. * バルク アクティブ pemb3 ダウンロード ROHS3準拠 影響を受けていない ear99 8541.21.0095 4,000
BZX79-B18,143 NXP USA Inc. BZX79-B18,143 0.0200
RFQ
ECAD 101 0.00000000 NXP USA Inc. - バルク アクティブ ±2% -65°C〜200°C 穴を通して do-204ah do-35 、軸 400 MW ALF2 ダウンロード ear99 8541.10.0050 1 900 mV @ 10 Ma 50 Na @ 12.6 v 18 v 45オーム
BZX84-C5V1/DG/B4215 NXP USA Inc. BZX84-C5V1/DG/B4215 0.0700
RFQ
ECAD 2731 0.00000000 NXP USA Inc. * バルク アクティブ ダウンロード ear99 8541.10.0050 3,520
PEMH11,115 NXP USA Inc. PEMH11,115 -
RFQ
ECAD 6906 0.00000000 NXP USA Inc. * バルク アクティブ pemh1 ダウンロード ROHS3準拠 影響を受けていない ear99 8541.21.0095 4,000
NX2301P215 NXP USA Inc. NX2301P215 -
RFQ
ECAD 7829 0.00000000 NXP USA Inc. * バルク アクティブ ダウンロード 0000.00.0000 1
PDTA123TT,215 NXP USA Inc. PDTA123TT 215 -
RFQ
ECAD 9748 0.00000000 NXP USA Inc. * バルク アクティブ PDTA12 ダウンロード ROHS3準拠 影響を受けていない ear99 8541.21.0095 3,000
PDZ33BGW115 NXP USA Inc. PDZ33BGW115 -
RFQ
ECAD 6092 0.00000000 NXP USA Inc. * バルク アクティブ ダウンロード ear99 8541.10.0050 1
PDZ3.3B145 NXP USA Inc. PDZ3.3B145 1.0000
RFQ
ECAD 3306 0.00000000 NXP USA Inc. * バルク アクティブ ダウンロード ear99 8541.10.0050 1
BZX79-B11,133 NXP USA Inc. BZX79-B11,133 -
RFQ
ECAD 5498 0.00000000 NXP USA Inc. * バルク アクティブ BZX79 - ROHS3準拠 影響を受けていない ear99 8541.10.0050 10,000
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    毎日の平均RFQボリューム

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    標準製品ユニット

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    世界的なメーカー

  • In-stock Warehouse

    15,000 m2

    在庫倉庫