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離散半導体製品（6133）
| 画像 | 製品番号 | 価格（USD） | 量 | ECAD | 利用可能な数量 | 体重（ kg） | MFR | シリーズ | パッケージ | 製品ステータス | 許容範囲 | 動作温度 | 取り付けタイプ | パッケージ /ケース | 基本製品番号 | テクノロジー | パワー -マックス | サプライヤーデバイスパッケージ | データシート | ROHSステータス | 水分感度レベル（MSL） | ステータスに到達します | ECCN | htsus | 標準パッケージ | 構成 | スピード | フェットタイプ | 現在-hold（ihmax） | 電源（ VDSS ）への排水 | 電流 -連続排水（ID @ @ 25°C | ドライブ電圧（最大rds onmin rds on | rds on max） @ id vgs | vgs | ゲートチャージ（ QG | VGS （最大） | ciss ）（ max @ vds | フェット機能 | 電力散逸（最大） | トライアックタイプ | 電圧 -状態外 | 現在 -state（it （rms | 電圧 -ゲートトリガー（ vgt ）（最大） | 現在 -非担当者サージ50、60Hz | 現在 -ゲートトリガー（ Igt ）（最大） | 電圧-DC リバース（ VR ）（最大） | 電圧 -フォワード（ vf ）（ max @ if | 逆回復時間（ trr） | 現在 - @ vr | 動作温度 -ジャンクション | 現在 -平均修正（ io） | 容量 @ vr、f | 電圧 -コレクターエミッタの分解（最大） | 現在 -コレクター（IC ）（最大） | 現在 -コレクターカットオフ（最大） | 電圧zener | インピーダンス（最大）（ ZZT） | トランジスタタイプ | vce 飽和（max @ ib、ic | DC電流ゲイン | 頻度 -遷移 | 抵抗 -ベース（r1） | 抵抗 -エミッターベース（r2） |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 | BZB84-B5V6215 | - |  | 3555 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | * | バルク | アクティブ | ダウンロード | ear99 | 8541.10.0050 | 1 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | PUMD12,135 | - | | 1806 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | - | バルク | アクティブ | 表面マウント | 6-TSSOP 、SC-88 、SOT-363 | PUMD12 | 300MW | SOT-363 | ダウンロード | ear99 | 8541.21.0075 | 5,209 | 50V | 100mA | 1µA | 1 npn、1 pnp- バイアス前（デュアル） | 150mv @ 500µa 、10ma | 80 @ 5MA 、5V | 230MHz、180MHz | 47kohms | 47kohms | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | PMEG4010EPK 315 | - | | 8619 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | - | バルク | アクティブ | 表面マウント | 2-xdfn | ショットキー | DFN1608D-2 | ダウンロード | 0000.00.0000 | 1 | 高速回復= <500ns | 40 v | 600 mV @ 1 a | 3 ns | 4 µA @ 1 V | 150°C （最大） | 1a | 60pf @ 1V、1MHz | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| PZU7.5B2A115 | - | | 6880 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | * | バルク | アクティブ | ダウンロード | 0000.00.0000 | 1 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | PZU9.1B3,115 | 0.0400 | | 17 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | * | バルク | アクティブ | PZU9.1 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0050 | 3,000 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | BYW29E-100,127 | 0.3800 | | 5 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | * | バルク | アクティブ | byw29 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0080 | 1,000 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | PSMN4R3-80PS | - | | 5756 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | * | バルク | アクティブ | ダウンロード | 0000.00.0000 | 1 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| PSMN4R5-30YLC 、115 | - | | 9887 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | * | バルク | アクティブ | PSMN4 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 影響を受けていない | ear99 | 8541.29.0095 | 1,500 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | NZH24C 、115 | - | | 6728 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | * | バルク | アクティブ | NZH2 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0050 | 3,000 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | Z0109NA0,412 | 0.1200 | | 3 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | - | バルク | アクティブ | 125°C （TJ） | 穴を通して | to-226-3 | to-92-3 | ダウンロード | ear99 | 8541.30.0080 | 2,502 | シングル | 10 Ma | ロジック -敏感なゲート | 800 V | 1 a | 1.3 v | 12.5a、13.8a | 10 Ma | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| BZX884-C6V8315 | - | | 8846 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | * | バルク | アクティブ | ダウンロード | 0000.00.0000 | 1 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| PZU20B2A 、115 | - | | 1115 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | - | バルク | アクティブ | ±2％ | -55°C〜150°C | 表面マウント | SC-76、SOD-323 | PZU20 | 320 MW | SOD-323 | ダウンロード | 0000.00.0000 | 1 | 1.1 V @ 100 MA | 50 Na @ 15 V | 20 v | 20オーム | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| NZX4V3D 、133 | 0.0200 | | 123 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | * | バルク | アクティブ | NZX4 | - | ROHS3準拠 | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0050 | 10,000 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | PDTC144WU 、115 | 0.0200 | | 57 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | - | バルク | アクティブ | 表面マウント | SC-70、SOT-323 | PDTC144 | 200 MW | SOT-323 | ダウンロード | ear99 | 8541.21.0095 | 1 | 50 v | 100 Ma | 1µA | npn-バイアス化 | 150mv @ 500µa 、10ma | 60 @ 5MA 、5V | 47 Kohms | 22 Kohms | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| NZX3V9A 、133 | 0.0200 | | 109 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | * | バルク | アクティブ | NZX3 | - | ROHS3準拠 | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0050 | 10,000 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | BZX585-C13,115 | - | | 2279 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | - | バルク | アクティブ | ±5％ | -65°C〜150°C | 表面マウント | SC-79、SOD-523 | 300 MW | SOD-523 | ダウンロード | ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.1 V @ 100 MA | 100 µA @ 8 V | 13 v | 10オーム | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | PDTC144EU 、115 | - | | 2105 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | * | バルク | アクティブ | PDTC14 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 影響を受けていない | ear99 | 8541.21.0095 | 3,000 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| BC858W 、135 | 0.0200 | | 65 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | aec-q101 | バルク | アクティブ | 150°C （TJ） | 表面マウント | SC-70、SOT-323 | 200 MW | SOT-323 | ダウンロード | ear99 | 8541.21.0075 | 1 | 30 V | 100 Ma | 15NA | PNP | 600MV @ 5MA 、100mA | 125 @ 2MA 、5V | 100MHz | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | BAW101S 、115 | 0.0300 | | 11 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | * | バルク | アクティブ | BAW10 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0070 | 3,000 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | BC51-10PA 、115 | 0.0600 | | 77 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | - | バルク | アクティブ | 150°C （TJ） | 表面マウント | 3-powerudfn | 420 MW | 3-HUSON （2x2） | ダウンロード | ear99 | 8541.29.0075 | 1 | 45 v | 1 a | 100na（icbo） | PNP | 500MV @ 50MA 、500MA | 63 @ 150MA 、2V | 145MHz | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| MRFE6VP61K25NR6528 | - | | 8607 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | * | バルク | アクティブ | ダウンロード | 0000.00.0000 | 1 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | PMBT4401,215 | 0.0200 | | 4172 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | * | バルク | アクティブ | PMBT4 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 影響を受けていない | ear99 | 8541.21.0075 | 3,000 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| psmn2r6-30ylc 、115 | - | | 8994 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | * | バルク | アクティブ | PSMN2 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 影響を受けていない | ear99 | 8541.29.0075 | 1,500 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | BZT52H-B3V0,115 | 0.0200 | | 1 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | aec-q101 | バルク | アクティブ | ±2％ | -65°C〜150°C（Ta） | 表面マウント | SOD-123F | BZT52 | 375 MW | SOD-123F | ダウンロード | ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 900 mV @ 10 Ma | 10 µA @ 1 V | 3 v | 95オーム | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| BZT52H-B3V9,115 | - | | 7649 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | * | バルク | アクティブ | BZT52 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0050 | 3,000 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | buk9c10-55bit/a 、11 | - | | 6548 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | トレンチプラス | バルク | 廃止 | -55°C〜175°C | 表面マウント | TO-263-7 | モスフェット（金属酸化物） | D2PAK-7 | ダウンロード | ear99 | 8541.29.0095 | 1 | nチャネル | 55 v | 75a（ta） | 4.5V 、10V | 9mohm @ 10a 、10V | 2V @ 1MA | 51 NC @ 5 V | ±15V | 4667 PF @ 25 V | - | 194w | ||||||||||||||||||||||||||||||||||
| BZX84-B3V9,215 | - | | 6176 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | * | バルク | アクティブ | BZX84 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0050 | 3,000 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | buk9637-100e 、118 | 0.5600 | | 5896 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | Automotive、AEC-Q101 、TrenchMos™ | バルク | アクティブ | -55°C〜175°C | 表面マウント | TO-263-3 | モスフェット（金属酸化物） | d2pak | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 （無制限） | 影響を受けていない | ear99 | 8541.29.0075 | 1 | nチャネル | 100 V | 31a（tc） | 5V、10V | 36mohm @ 10a 、10V | 2.1V @ 1MA | 22.8 NC @ 5 V | ±10V | 2681 PF @ 25 V | - | 96W | |||||||||||||||||||||||||||||||
| BCW72,215 | - | | 1959年年 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | * | バルク | アクティブ | BCW72 | - | ROHS3準拠 | 影響を受けていない | ear99 | 8541.21.0075 | 3,000 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | BAS321115 | - | | 3009 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | * | バルク | アクティブ | ダウンロード | ear99 | 8541.10.0070 | 1 |
2000+
毎日の平均RFQボリューム
30,000,000
標準製品ユニット
2800+
世界的なメーカー
15,000 m2
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