画像 | 製品番号 | 価格(USD) | 量 | ECAD | 利用可能な数量 | 体重( kg) | MFR | シリーズ | パッケージ | 製品ステータス | 許容範囲 | 電圧 -定格 | 動作温度 | 取り付けタイプ | パッケージ /ケース | 基本製品番号 | 入力タイプ | 頻度 | テクノロジー | パワー -マックス | サプライヤーデバイスパッケージ | データシート | ROHSステータス | 水分感度レベル(MSL) | ステータスに到達します | その他の名前 | ECCN | htsus | 標準パッケージ | 構成 | スピード | フェットタイプ | 現在の評価( amp) | テスト条件 | 現在 -テスト | 電力 -出力 | 得 | 電源( VDSS )への排水 | 電流 -連続排水(ID @ @ 25°C | ドライブ電圧(最大rds onmin rds on | rds on max) @ id vgs | vgs | ゲートチャージ( QG | VGS (最大) | ciss )( max @ vds | フェット機能 | 電力散逸(最大) | ノイズ図 | 電圧-DC リバース( VR )(最大) | 電圧 -フォワード( vf )( max @ if | 逆回復時間( trr) | 現在 - @ vr | 動作温度 -ジャンクション | 現在 -平均修正( io) | 容量 @ vr、f | IGBTタイプ | 電圧 -コレクターエミッタの分解(最大) | 現在 -コレクター(IC )(最大) | 現在 -コレクターパルス( icm) | vce(on max) @ vge | エネルギーの切り替え | ゲートチャージ | TD (オン/オフ) @ 25°C | 電圧 -テスト | 現在 -コレクターカットオフ(最大) | 電圧zener | インピーダンス(最大)( ZZT) | トランジスタタイプ | vce 飽和(max @ ib、ic | DC電流ゲイン | 頻度 -遷移 | ノイズフィギュア(DBタイプ @ f) |
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | BZB984-C6V8,115 | 0.0400 | ![]() | 7 | 0.00000000 | NXP半導体 | - | バルク | アクティブ | ±5% | - | 表面マウント | SOT-663 | 265 MW | SOT-663 | ダウンロード | 1 (無制限) | 影響を受けていない | 2156-BZB984-C6V8,115-954 | 1 | 1ペア共通アノード | 900 mV @ 10 Ma | 2 µA @ 4 V | 6.8 v | 6オーム | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | stgwt20v60df | 1.5200 | ![]() | 600 | 0.00000000 | NXP半導体 | - | バルク | 廃止 | -55°C〜175°C | 穴を通して | to-3p-3、SC-65-3 | 標準 | 167 w | to-3p-3 | - | 2156-STGWT20V60DF | 198 | 400V、20A 、15V | 40 ns | トレンチフィールドストップ | 600 V | 40 a | 80 a | 2.2V @ 15V 、20a | 200µj(オン)、130µj(オフ) | 116 NC | 38ns/149ns | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | BZX884-B68,315 | 0.0300 | ![]() | 30 | 0.00000000 | NXP半導体 | - | バルク | アクティブ | ±2% | -65°C〜150°C | 表面マウント | SOD-882 | 250 MW | DFN1006-2 | ダウンロード | 1 (無制限) | 影響を受けていない | 2156-BZX884-B68,315-954 | ear99 | 8541.10.0070 | 1 | 900 mV @ 10 Ma | 50 Na @ 47.6 v | 68 v | 240オーム | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | PZU4.7B2L 、315 | - | ![]() | 5218 | 0.00000000 | NXP半導体 | - | バルク | アクティブ | ±2% | -55°C〜150°C | 表面マウント | SOD-882 | PZU4.7 | 250 MW | DFN1006-2 | ダウンロード | 0000.00.0000 | 1 | 1.1 V @ 100 MA | 2 µA @ 1 V | 4.7 v | 80オーム | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | BZV55-C3V6,115 | 0.0200 | ![]() | 132 | 0.00000000 | NXP半導体 | - | バルク | アクティブ | ±5% | -65°C〜200°C | 表面マウント | DO-213AC 、ミニメルフ、 SOD-80 | 500 MW | llds;ミニフル | ダウンロード | 1 (無制限) | 影響を受けていない | 2156-BZV55-C3V6,115-954 | 1 | 900 mV @ 10 Ma | 5 µA @ 1 V | 3.6 v | 90オーム | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | AFT27S010NT1 | 10.3900 | ![]() | 2 | 0.00000000 | NXP半導体 | - | バルク | 廃止 | 65 v | 表面マウント | PLD-1.5W | 728MHz〜3.6GHz | ldmos | PLD-1.5W | - | ROHS非準拠 | 未定義のベンダー | 2156-FAFT27S010NT1 | ear99 | 8541.29.0075 | 1 | 10µA | 90 Ma | 1.26W | 21.7db | - | 28 v | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | PBR941 | 0.2500 | ![]() | 175 | 0.00000000 | NXP半導体 | - | テープ&リール( tr) | 廃止 | 150°C (TJ) | 表面マウント | TO-236-3 | 360MW | TO-236AB | - | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | リクエストに応じて利用可能な情報にアクセスしてください | 2832-PBR941TR | ear99 | 8541.21.0075 | 2,000 | 16dB | 10V | 50ma | npn | 100 @ 5MA 、6V | 9GHz | 1.5db〜2.1db @ 1GHz〜2GHz | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | PDTC143ZMB 、315 | 0.0300 | ![]() | 126 | 0.00000000 | NXP半導体 | * | バルク | アクティブ | ダウンロード | 1 (無制限) | 影響を受けていない | 2156-PDTC143ZMB 、315-954 | 1 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | TDZ5V6J/ZL、135 | 0.0300 | ![]() | 1 | 0.00000000 | NXP半導体 | 自動車、AEC-Q101 、TDZXJ | バルク | アクティブ | ±2% | -55°C〜150°C | 表面マウント | SC-90、SOD-323F | TDZ5v6 | 500 MW | SOD-323F | ダウンロード | 未定義のベンダー | 影響を受けていない | 2156-TDZ5V6J/ZL 、135-954 | 1 | 1.1 V @ 100 MA | 10 µA @ 2.5 v | 5.6 v | 40オーム | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | PMXB40UNE/S500Z | - | ![]() | 2461 | 0.00000000 | NXP半導体 | - | バルク | アクティブ | -55°C〜150°C | 表面マウント | 3-XDFN露出パッド | モスフェット(金属酸化物) | DFN1010D-3 | - | 2156-PMXB40UNE/S500Z | 1 | nチャネル | 12 v | 3.2a(ta) | 1.2V 、4.5V | 45mohm @ 3.2a 、4.5V | 900MV @ 250µA | 11.6 NC @ 4.5 v | ±8V | 556 PF @ 10 V | - | 400MW | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | BZV85-C27,133 | 0.0400 | ![]() | 101 | 0.00000000 | NXP半導体 | - | バルク | アクティブ | ±5% | 200°C | 穴を通して | DO-204AL 、DO-41 、軸 | 1 W | DO-41 | ダウンロード | 1 (無制限) | 影響を受けていない | 2156-BZV85-C27,133-954 | 1 | 1 V @ 50 mA | 50 na @ 19 v | 27 v | 40オーム | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | BZT52H-B2V4,115 | 0.0200 | ![]() | 19 | 0.00000000 | NXP半導体 | aec-q101 | バルク | アクティブ | ±2% | -65°C〜150°C(Ta) | 表面マウント | SOD-123F | BZT52 | 375 MW | SOD-123F | ダウンロード | 1 (無制限) | 影響を受けていない | 2156-BZT52H-B2V4,115-954 | 1 | 900 mV @ 10 Ma | 50 µA @ 1 V | 2.4 v | 85オーム | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | PDTC124EM 、315 | 0.0300 | ![]() | 1 | 0.00000000 | NXP半導体 | * | バルク | アクティブ | ダウンロード | 1 (無制限) | 影響を受けていない | 2156-PDTC124EM、315-954 | 15,000 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | BZX84-C2V4,215 | 0.0200 | ![]() | 4 | 0.00000000 | NXP半導体 | aec-q101 | バルク | アクティブ | ±5% | -65°C〜150°C | 表面マウント | TO-236-3 | 250 MW | TO-236AB | ダウンロード | 1 (無制限) | 影響を受けていない | 2156-BZX84-C2V4,215-954 | 1 | 900 mV @ 10 Ma | 50 µA @ 1 V | 2.4 v | 100オーム | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | BZX384-C62,115 | 1.0000 | ![]() | 3685 | 0.00000000 | NXP半導体 | - | バルク | アクティブ | ±5% | -65°C〜150°C | 表面マウント | SC-76、SOD-323 | BZX384 | 300 MW | SOD-323 | ダウンロード | 1 (無制限) | 影響を受けていない | 2156-BZX384-C62,115-954 | 1 | 1.1 V @ 100 MA | 50 Na @ 43.4 v | 62 v | 215オーム | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | BZX79-C3V9,113 | 0.0200 | ![]() | 239 | 0.00000000 | NXP半導体 | - | バルク | アクティブ | ±5% | -65°C〜200°C | 穴を通して | do-204ah do-35 、軸 | 400 MW | ALF2 | ダウンロード | 1 (無制限) | 影響を受けていない | 2156-BZX79-C3V9,113-954 | 1 | 900 mV @ 10 Ma | 3 µA @ 1 V | 3.9 v | 90オーム | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | BZX585-C11,115 | - | ![]() | 8989 | 0.00000000 | NXP半導体 | - | バルク | アクティブ | ±5% | -65°C〜150°C | 表面マウント | SC-79、SOD-523 | 300 MW | SOD-523 | ダウンロード | 1 (無制限) | 影響を受けていない | 2156-BZX585-C11,115-954 | 1 | 1.1 V @ 100 MA | 100 µA @ 8 V | 11 v | 10オーム | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | TDZ16J 、115 | - | ![]() | 4263 | 0.00000000 | NXP半導体 | 自動車、AEC-Q101 、TDZXJ | バルク | アクティブ | ±1.88% | 150°C (TJ) | 表面マウント | SC-90、SOD-323F | 500 MW | SC-90 | - | ROHS非準拠 | 未定義のベンダー | 2156-TDZ16J、115-954 | 1 | 1.1 V @ 100 MA | 50 Na @ 11.2 v | 16 v | 20オーム | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | BZX79-B62,133 | - | ![]() | 1934年年 | 0.00000000 | NXP半導体 | - | バルク | アクティブ | ±2% | -65°C〜200°C | 穴を通して | do-204ah do-35 、軸 | BZX79-B62 | 400 MW | ALF2 | ダウンロード | 0000.00.0000 | 1 | 900 mV @ 10 Ma | 50 Na @ 43.4 v | 62 v | 215オーム | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | PDZ33BGWX | - | ![]() | 8602 | 0.00000000 | NXP半導体 | 自動車、AEC-Q101、PDZ-GW | バルク | アクティブ | ±2% | 150°C (TJ) | 表面マウント | SOD-123 | 365 MW | SOD-123 | - | ROHS非準拠 | 未定義のベンダー | 2156-PDZ33BGWX-954 | 1 | 1.1 V @ 100 MA | 50 Na @ 25 V | 33 v | 40オーム | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | BZV85-C13,113 | 0.0400 | ![]() | 122 | 0.00000000 | NXP半導体 | - | バルク | アクティブ | ±5% | -65°C〜200°C | 穴を通して | DO-204AL 、DO-41 、軸 | 1.3 w | DO-41 | ダウンロード | 1 (無制限) | 影響を受けていない | 2156-BZV85-C13,113-954 | 1 | 1 V @ 50 mA | 200 Na @ 9.1 v | 13 v | 10オーム | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | PQMD13147 | - | ![]() | 5836 | 0.00000000 | NXP半導体 | - | バルク | アクティブ | - | 2156-PQMD13147 | 1 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | BZT52H-C4V7,115 | 0.0200 | ![]() | 179 | 0.00000000 | NXP半導体 | aec-q101 | バルク | アクティブ | ±5% | -65°C〜150°C(Ta) | 表面マウント | SOD-123F | BZT52 | 375 MW | SOD-123F | ダウンロード | 1 (無制限) | 影響を受けていない | 2156-BZT52H-C4V7,115-954 | 1 | 900 mV @ 10 Ma | 3 µA @ 2 V | 4.7 v | 78オーム | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | BZV85-C10,133 | 0.0400 | ![]() | 98 | 0.00000000 | NXP半導体 | - | バルク | アクティブ | ±5% | -65°C〜200°C | 穴を通して | DO-204AL 、DO-41 、軸 | 1.3 w | DO-41 | ダウンロード | 1 (無制限) | 影響を受けていない | 2156-BZV85-C10,133-954 | 1 | 1 V @ 50 mA | 200 Na @ 7 V | 10 v | 8オーム | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | BZX79-C18,133 | 0.0200 | ![]() | 301 | 0.00000000 | NXP半導体 | - | バルク | アクティブ | ±5% | -65°C〜200°C | 穴を通して | do-204ah do-35 、軸 | 400 MW | ALF2 | ダウンロード | 1 (無制限) | 影響を受けていない | 2156-BZX79-C18,133-954 | 1 | 900 mV @ 10 Ma | 50 Na @ 12.6 v | 18 v | 45オーム | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | PDTD123TT 、215 | 0.0300 | ![]() | 66 | 0.00000000 | NXP半導体 | * | バルク | アクティブ | ダウンロード | 1 (無制限) | 影響を受けていない | 2156-PDTD123TT 、215-954 | ear99 | 8541.21.0075 | 10,764 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | BCX55-10,115 | 0.0700 | ![]() | 52 | 0.00000000 | NXP半導体 | - | バルク | アクティブ | 150°C (TJ) | 表面マウント | TO-243AA | 1.25 w | SOT-89 | ダウンロード | 1 (無制限) | 影響を受けていない | 2156-BCX55-10,115-954 | ear99 | 8541.29.0095 | 1 | 60 V | 1 a | 100na(icbo) | npn | 500MV @ 50MA 、500MA | 63 @ 150MA 、2V | 180MHz | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | byc5dx-500,127 | 0.3700 | ![]() | 48 | 0.00000000 | NXP半導体 | - | バルク | アクティブ | 穴を通して | TO-220-2フルパック | 標準 | TO-220F | ダウンロード | ear99 | 8541.10.0080 | 1 | 高速回復= <500ns | 500 V | 2 V @ 5 a | 16 ns | 40 µA @ 500 V | 150°C (最大) | 5a | - | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | PBSS4220V、115 | 0.0500 | ![]() | 12 | 0.00000000 | NXP半導体 | - | バルク | アクティブ | 150°C (TJ) | 表面マウント | SOT-563、SOT-666 | 900 MW | SOT-666 | ダウンロード | 1 (無制限) | 影響を受けていない | 2156-PBSS4220V、115-954 | ear99 | 8541.21.0075 | 1 | 20 v | 2 a | 100NA | npn | 350MV @ 200MA 、2a | 200 @ 1a 、2V | 210MHz | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | PSMN8R0-40PS、127 | - | ![]() | 2848 | 0.00000000 | NXP半導体 | - | バルク | アクティブ | -55°C〜175°C | 穴を通して | TO-220-3 | モスフェット(金属酸化物) | TO-220AB | ダウンロード | 適用できない | 影響を受けていない | 2156-PSMN8R0-40PS、127-954 | 1 | nチャネル | 40 v | 77a(tc) | 10V | 7.6mohm @ 25a 、10V | 4V @ 1MA | 21 NC @ 10 V | ±20V | 1262 PF @ 12 v | - | 86W |
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