SIC
close

離散半導体製品（1062）

画像 製品番号 価格（USD） 量 ECAD 利用可能な数量 体重（ kg） MFR シリーズ パッケージ 製品ステータス 許容範囲 電圧 -定格 動作温度 取り付けタイプ パッケージ /ケース 基本製品番号 頻度 テクノロジー パワー -マックス サプライヤーデバイスパッケージ データシート 水分感度レベル（MSL） ステータスに到達します その他の名前 ECCN htsus 標準パッケージ 構成 フェットタイプ 現在の評価（ amp） 現在 -テスト 電力 -出力 得 電源（ VDSS ）への排水 電流 -連続排水（ID @ @ 25°C ドライブ電圧（最大rds onmin rds on rds on max） @ id vgs vgs ゲートチャージ（ QG VGS （最大） ciss ）（ max @ vds フェット機能 電力散逸（最大） ノイズ図 電圧 -フォワード（ vf ）（ max @ if 現在 - @ vr 電圧 -コレクターエミッタの分解（最大） 現在 -コレクター（IC ）（最大） 電圧 -テスト 現在 -コレクターカットオフ（最大） 電圧zener インピーダンス（最大）（ ZZT） トランジスタタイプ vce 飽和（max @ ib、ic DC電流ゲイン 頻度 -遷移
BZV85-C43,133 NXP Semiconductors BZV85-C43,133 -
RFQ
 ECAD 7382 0.00000000 NXP半導体 - バルク アクティブ ±5％ -65°C〜200°C 穴を通して DO-204AL 、DO-41 、軸 1.3 w DO-41 ダウンロード 0000.00.0000 1 1 V @ 50 mA 50 Na @ 30 V 43 v 75オーム
BZX79-C6V8,113 NXP Semiconductors BZX79-C6V8,113 0.0200
RFQ
 ECAD 300 0.00000000 NXP半導体 - バルク アクティブ ±5％ -65°C〜200°C 穴を通して do-204ah do-35 、軸 400 MW ALF2 ダウンロード 1 （無制限） 影響を受けていない 2156-BZX79-C6V8,113-954 1 900 mV @ 10 Ma 2 µA @ 4 V 6.8 v 15オーム
BC847CMB,315 NXP Semiconductors BC847CMB 、315 -
RFQ
 ECAD 4081 0.00000000 NXP半導体 aec-q101 バルク アクティブ 150°C （TJ） 表面マウント 3-xfdfn BC847 250 MW DFN1006B-3 - 0000.00.0000 1 45 v 100 Ma 15NA npn 200mV @ 500µa 、10ma 420 @ 2MA 、5V 100MHz
BZX79-C16,133 NXP Semiconductors BZX79-C16,133 -
RFQ
 ECAD 3155 0.00000000 NXP半導体 - バルク アクティブ ±5％ -65°C〜200°C 穴を通して do-204ah do-35 、軸 BZX79-C16 400 MW ALF2 ダウンロード 0000.00.0000 1 900 mV @ 10 Ma 50 Na @ 11.2 v 16 v 40オーム
PMBT2907A,215 NXP Semiconductors PMBT2907A 、215 0.0200
RFQ
 ECAD 1 0.00000000 NXP半導体 aec-q101 バルク アクティブ 150°C （TJ） 表面マウント TO-236-3 PMBT2907 250 MW TO-236AB ダウンロード 1 （無制限） 影響を受けていない 2156-PMBT2907A 、215-954 1 60 V 600 Ma 10na （icbo） PNP 1.6V @ 50ma 、500ma 100 @ 150ma 、10V 200MHz
BZX79-B5V1,143 NXP Semiconductors BZX79-B5V1,143 0.0200
RFQ
 ECAD 185 0.00000000 NXP半導体 - バルク アクティブ ±2％ -65°C〜200°C 穴を通して do-204ah do-35 、軸 400 MW ALF2 ダウンロード 1 （無制限） 影響を受けていない 2156-BZX79-B5V1,143-954 1 900 mV @ 10 Ma 2 µA @ 2 V 5.1 v 60オーム
BC857CW,115 NXP Semiconductors bc857cw、115 -
RFQ
 ECAD 8946 0.00000000 NXP半導体 aec-q101 バルク アクティブ 150°C （TJ） 表面マウント SC-70、SOT-323 BC857 200 MW SOT-323 ダウンロード 1 （無制限） 影響を受けていない 2156-BC857CW、115-954 ear99 8541.21.0075 1 45 v 100 Ma 15NA PNP 600MV @ 5MA 、100mA 420 @ 2MA 、5V 100MHz
PSMN035-150P,127 NXP Semiconductors PSMN035-150P 、127 0.7500
RFQ
 ECAD 15 0.00000000 NXP半導体 trenchmos™ バルク アクティブ -55°C〜175°C 穴を通して TO-220-3 モスフェット（金属酸化物） TO-220AB ダウンロード 未定義のベンダー 影響を受けていない 2156-PSMN035-150P、127-954 1 nチャネル 150 v 50a（tc） 10V 35mohm @ 25a 、10V 4V @ 1MA 79 NC @ 10 V ±20V 4720 PF @ 25 V - 250W
TYN16X-600RT,127 NXP Semiconductors tyn16x-600rt 、127 -
RFQ
 ECAD 4757 0.00000000 NXP半導体 * バルク アクティブ Tyn16 ダウンロード 適用できない 影響を受けていない 2156-TYN16X-600RT、127-954 ear99 8541.30.0080 1
MRFX600HSR5 NXP Semiconductors MRFX600HSR5 138.9000
RFQ
 ECAD 9931 0.00000000 NXP半導体 - バルク アクティブ 179 v 表面マウント NI-780S-4L 1.8MHz〜400MHz ldmos （デュアル） NI-780S-4L - 2156-MRFX600HSR5 2 2 nチャネル 10µA 100 Ma 600W 26.4db @ 230MHz - 65 v
BZX585-C51,115 NXP Semiconductors BZX585-C51,115 1.0000
RFQ
 ECAD 8366 0.00000000 NXP半導体 - バルク アクティブ ±5％ -65°C〜150°C 表面マウント SC-79、SOD-523 BZX585-C51 300 MW SOD-523 ダウンロード 0000.00.0000 1 1.1 V @ 100 MA 50 Na @ 35.7 v 51 v 180オーム
PHPT60410PYX NXP Semiconductors phpt60410pyx 0.2100
RFQ
 ECAD 40 0.00000000 NXP半導体 - バルク アクティブ 175°C （TJ） 表面マウント SC-100 、SOT-669 1.3 w LFPAK56 、POWER-SO8 ダウンロード 1 （無制限） 影響を受けていない 2156-PHPT60410PYX-954 ear99 8541.29.0095 1,550 40 v 10 a 100NA PNP 800mv @ 500ma 、10a 240 @ 500MA 、2V 97MHz
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    毎日の平均RFQボリューム

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    標準製品ユニット

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    世界的なメーカー

  • In-stock Warehouse

    15,000 m2

    在庫倉庫

RFQリスト（0アイテム）
カートリスト（0アイテム）
Wishlistウィッシュリスト（0アイテム）
SIC
AD9208BBPZ-3000

196-LFBGA露出パッド

数量：1

リストを比較する（0アイテム）
Enterを押して検索するか、ESCを閉じます