RFQ
ボム
お問い合わせ

Tel： +86-0755-83501315

メール：sales@sic-components.com

サインイン

日本語

離散半導体製品（1062）

製品番号	価格（USD）	量	利用可能な数量	MFR	シリーズ	パッケージ	製品ステータス	許容範囲	電圧 -定格	動作温度	取り付けタイプ	パッケージ /ケース	基本製品番号	頻度	テクノロジー	パワー -マックス	サプライヤーデバイスパッケージ	データシート	ROHSステータス	水分感度レベル（MSL）	ステータスに到達します	その他の名前	ECCN	htsus	標準パッケージ	構成	スピード	フェットタイプ	現在の評価（ amp）	現在 -テスト	電力 -出力	得	電源（ VDSS ）への排水	電流 -連続排水（ID @ @ 25°C	ドライブ電圧（最大rds onmin rds on	rds on max） @ id vgs	vgs	ゲートチャージ（ QG	VGS （最大）	ciss ）（ max @ vds	フェット機能	電力散逸（最大）	ノイズ図	電圧-DC リバース（ VR ）（最大）	電圧 -フォワード（ vf ）（ max @ if	逆回復時間（ trr）	現在 - @ vr	動作温度 -ジャンクション	現在 -平均修正（ io）	容量 @ vr、f	電圧 -コレクターエミッタの分解（最大）	現在 -コレクター（IC ）（最大）	電圧 -テスト	現在 -コレクターカットオフ（最大）	電圧zener	インピーダンス（最大）（ ZZT）	トランジスタタイプ	vce 飽和（max @ ib、ic	DC電流ゲイン	頻度 -遷移	ノイズフィギュア（DBタイプ @ f）
MRF6V2010NR1528	30.6600	RFQ	8128	NXP半導体	-	バルク	廃止		110 v		表面マウント	TO-270AA		10MHz〜450MHz	ldmos		TO-270-2	-				2156-MRF6V2010NR1528			3	nチャネル			-	30 Ma	10W	23.9db @ 220MHz											-										50 v
BUK9608-55A 、118	0.7800	RFQ	2	NXP半導体	Automotive、AEC-Q101 、TrenchMos™	バルク	アクティブ			-55°C〜175°C	表面マウント	TO-263-3			モスフェット（金属酸化物）		d2pak	ダウンロード			影響を受けていない	2156-BUK9608-55A 、118-954			1			nチャネル					55 v	75a（tc）	4.5V 、10V	7.5mohm @ 25a 、10V	2V @ 1MA	92 NC @ 5 V	±15V	6021 PF @ 25 V	-	253W
PSMN018-100ESFQ	0.3700	RFQ	4	NXP半導体	-	バルク	アクティブ			-55°C〜175°C	穴を通して	To-262-3 Long Leads			モスフェット（金属酸化物）		i2pak	ダウンロード		未定義のベンダー	影響を受けていない	2156-PSMN018-100ESFQ-954			1			nチャネル					100 V	53a（ta）	7V 、10V	18mohm @ 15a 、10V	4V @ 1MA	21.4 NC @ 10 V	±20V	1482 PF @ 50 V	-	111W
BZX79-B15143	-	RFQ	2053	NXP半導体	BZX79	バルク	アクティブ	±2％		-65°C〜200°C （TJ）	穴を通して	do-204ah do-35 、軸				400 MW	ALF2	-	ROHS非準拠		未定義のベンダー	2156-BZX79-B15143-954			1																				900 mV @ 10 Ma		50 Na @ 10.5 v								15 V	30オーム
PMEG4002AESFYL	0.0400	RFQ	1	NXP半導体	-	バルク	アクティブ				表面マウント	0201 （0603 メトリック）			ショットキー		DSN0603-2	ダウンロード		1 （無制限）	影響を受けていない	2156-PMEG4002AESFYL-954	ear99	8541.10.0070	1		小さな信号= <200ma（io ）、任意の速度																	40 v	525 mV @ 200 Ma	1.25 ns	80 µA @ 40 V	150°C （最大）	200mA	18pf @ 1V、1MHz
BZT52H-C6V8,115	0.0200	RFQ	150	NXP半導体	aec-q101	バルク	アクティブ	±5％		-65°C〜150°C（Ta）	表面マウント	SOD-123F	BZT52			375 MW	SOD-123F	ダウンロード		1 （無制限）	影響を受けていない	2156-BZT52H-C6V8,115-954			1																				900 mV @ 10 Ma		2 µA @ 4 V								6.8 v	8オーム
BAS16GW115	1.0000	RFQ	6834	NXP半導体	*	バルク	アクティブ						BAS16					ダウンロード					ear99	8541.10.0070	1
BAS16,215	-	RFQ	3763	NXP半導体	aec-q101、bas16	バルク	アクティブ				表面マウント	TO-236-3	BAS16		標準		TO-236AB	ダウンロード		1 （無制限）	影響を受けていない	2156-BAS16,215-954			1		高速回復= <500ns																	100 V	1.25 V @ 150 MA	4 ns	500 NA @ 80 V	150°C （最大）	215ma	1.5pf @ 0V、1MHz
BZX884-C6V2,315	-	RFQ	5365	NXP半導体	aec-q101	バルク	アクティブ	±5％		150°C （TJ）	表面マウント	SOD-882				250 MW	DFN1006-2	-	ROHS非準拠		未定義のベンダー	2156-BZX884-C6V2,315-954			1																				900 mV @ 10 Ma		3 µA @ 4 V								6.2 v	10オーム
PMXB56ENZ	1.0000	RFQ	7694	NXP半導体	-	バルク	アクティブ			-55°C〜150°C	表面マウント	3-XDFN露出パッド			モスフェット（金属酸化物）		DFN1010D-3	ダウンロード		1 （無制限）	影響を受けていない	2156-PMXB56ENZ-954	ear99	8541.29.0095	1			nチャネル					30 V	3.2a（ta）	4.5V 、10V	55mohm @ 3.2a 、10V	2V @ 250µA	6.3 NC @ 10 V	±20V	209 PF @ 15 V	-	400MW
BZV90-C51,115	-	RFQ	8346	NXP半導体	-	バルク	アクティブ	±5％		-65°C〜150°C	表面マウント	TO-261-4、TO-261AA				1.5 w	SOT-223	ダウンロード					ear99	8541.10.0050	1																				1 V @ 50 mA		50 Na @ 35.7 v								51 v	180オーム
PMPB55ENEA/S500X	-	RFQ	2132	NXP半導体	-	バルク	アクティブ											-				2156-pmpb5555eenea/s500x			1
CLF1G0035-100P	202.5400	RFQ	9	NXP半導体	*	バルク	アクティブ											ダウンロード		未定義のベンダー	影響を受けていない	2156-CLF1G0035-100P-954			1
BC807-25,235	0.0200	RFQ	188	NXP半導体	aec-q101	バルク	アクティブ			150°C （TJ）	表面マウント	TO-236-3				250 MW	TO-236AB	ダウンロード		1 （無制限）	影響を受けていない	2156-BC807-25,235-954			1																										45 v	500 Ma		100na（icbo）			PNP	700mv @ 50ma 、500ma	160 @ 100MA、1V	80MHz
BZV85-C18,113	0.0400	RFQ	23	NXP半導体	-	バルク	アクティブ	±5％		-65°C〜200°C	穴を通して	DO-204AL 、DO-41 、軸				1.3 w	DO-41	ダウンロード		1 （無制限）	影響を受けていない	2156-BZV85-C18,113-954			1																				1 V @ 50 mA		50 na @ 12.5 v								18 v	20オーム
1N4737a 、133	-	RFQ	5624	NXP半導体	-	バルク	アクティブ	±5％		-65°C〜200°C	穴を通して	DO-204AL 、DO-41 、軸	1N4737			1 W	DO-41	ダウンロード					ear99	8541.10.0050	1																				1.2 V @ 200 mA		10 µA @ 5 V								7.5 v	4オーム
BUK7219-55A 、118	0.5400	RFQ	1712	NXP半導体	Automotive、AEC-Q101 、TrenchMos™	バルク	アクティブ			-55°C〜175°C	表面マウント	to-252-3			モスフェット（金属酸化物）		dpak	ダウンロード		未定義のベンダー	影響を受けていない	2156-BUK7219-55A 、118-954			1			nチャネル					55 v	55a（tc）	10V	19mohm @ 25a 、10V	4V @ 1MA		±20V	2108 PF @ 25 V	-	114W
BZX585-B20,115	-	RFQ	2164	NXP半導体	-	バルク	アクティブ	±2％		-65°C〜150°C	表面マウント	SC-79、SOD-523				300 MW	SOD-523	ダウンロード		1 （無制限）	影響を受けていない	2156-BZX585-B20,115-954	ear99	8541.10.0050	1																				1.1 V @ 100 MA		50 NA @ 700 mV								20 v	55オーム
BZX79-C15,133	0.0200	RFQ	244	NXP半導体	-	バルク	アクティブ	±5％		-65°C〜200°C	穴を通して	do-204ah do-35 、軸				400 MW	ALF2	ダウンロード		1 （無制限）	影響を受けていない	2156-BZX79-C15,133-954			1																				900 mV @ 10 Ma		50 Na @ 10.5 v								15 V	30オーム
BFU610F 、115	0.2200	RFQ	3	NXP半導体	-	バルク	アクティブ			150°C （TJ）	表面マウント	SOT-343F				136MW	4-dfp	-				2156-BFU610F、115			1,391							17dB																			5.5V	10ma					npn		90 @ 1MA 、2V	15GHz	0.9db〜1.7db @ 1.5GHz〜5.8GHz
TDZ3V3J 、115	0.0300	RFQ	10	NXP半導体	自動車、AEC-Q101 、TDZXJ	バルク	アクティブ	±2％		-55°C〜150°C	表面マウント	SC-90、SOD-323F	TDZ3V3			500 MW	SOD-323F	ダウンロード		1 （無制限）	影響を受けていない	2156-TDZ3V3J、115-954	ear99	8541.10.0050	1																				1.1 V @ 100 MA		5 µA @ 1 V								3.3 v	95オーム
BC51-16PA 、115	1.0000	RFQ	2956	NXP半導体	-	バルク	アクティブ			150°C （TJ）	表面マウント	3-powerudfn	BC51			420 MW	3-HUSON （2x2）	ダウンロード						0000.00.0000	1																										45 v	1 a		100na（icbo）			PNP	500MV @ 50MA 、500MA	63 @ 150MA 、2V	145MHz
BC847BPN 、115	-	RFQ	4290	NXP半導体	*	バルク	アクティブ											ダウンロード						0000.00.0000	1
PDTB143EU115	0.0400	RFQ	11	NXP半導体	*	バルク	アクティブ											ダウンロード					ear99	8541.21.0075	1
BZX84-C7V5,215	0.0200	RFQ	353	NXP半導体	aec-q101	バルク	アクティブ	±5％		-65°C〜150°C	表面マウント	TO-236-3				250 MW	TO-236AB	ダウンロード		1 （無制限）	影響を受けていない	2156-BZX84-C7V5,215-954			1																				900 mV @ 10 Ma		1 µA @ 5 V								7.5 v	15オーム
BZX84J-C47,115	-	RFQ	9645	NXP半導体	aec-q101	バルク	アクティブ	±5％		-65°C〜150°C	表面マウント	SC-90、SOD-323F				550 MW	SOD-323F	ダウンロード						0000.00.0000	1																				1.1 V @ 100 MA		50 Na @ 32.9 v								47 v	90オーム
BC807,215	0.0200	RFQ	497	NXP半導体	aec-q101	バルク	アクティブ			150°C （TJ）	表面マウント	TO-236-3				250 MW	TO-236AB	ダウンロード		1 （無制限）	影響を受けていない	2156-BC807,215-954			1																										45 v	500 Ma		100na（icbo）			PNP	700mv @ 50ma 、500ma	100 @ 100MA、1V	80MHz
PBSS5130QAZ	0.0600	RFQ	9	NXP半導体	-	バルク	廃止			150°C （TJ）	表面マウント	3-XDFN露出パッド				325 MW	DFN1010D-3	ダウンロード	ROHS非準拠		未定義のベンダー	2156-PBSS5130QAZ			1																										30 V	1 a		100NA			PNP	240MV @ 100MA、1a	250 @ 100MA 、2V	170MHz
PNS40010ER 、115	-	RFQ	6908	NXP半導体	-	バルク	アクティブ				表面マウント	SOD-123W			標準		SOD-123W	-		未定義のベンダー	影響を受けていない	2156-PNS40010ER 、115-954			1		標準回復> 500ns																	400 V	1.1 V @ 1 a	1.8 µs	1 µA @ 400 V	175°C （最大）	1a	20pf @ 4V、1MHz
bav102,115	0.0300	RFQ	52	NXP半導体	-	バルク	アクティブ				表面マウント	DO-213AC 、ミニメルフ、 SOD-80			標準		llds;ミニフル	ダウンロード			影響を受けていない	2156-BAV102,115-954			11,357		高速回復= <500ns																	150 v	1.25 V @ 200 mA	50 ns	100 Na @ 150 V	175°C （最大）	250ma	5PF @ 0V、1MHz

2000+
毎日の平均RFQボリューム
30,000,000
標準製品ユニット
2800+
世界的なメーカー
15,000 m²
在庫倉庫

離散半導体製品（1062）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²