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離散半導体製品（447）

画像 製品番号 価格（USD） 量 ECAD 利用可能な数量 体重（ kg） MFR シリーズ パッケージ 製品ステータス 許容範囲 動作温度 取り付けタイプ パッケージ /ケース 基本製品番号 テクノロジー パワー -マックス サプライヤーデバイスパッケージ データシート ROHSステータス 水分感度レベル（MSL） ステータスに到達します その他の名前 ECCN htsus 標準パッケージ 構成 スピード フェットタイプ 現在-hold（ihmax） 電源（ VDSS ）への排水 電流 -連続排水（ID @ @ 25°C ドライブ電圧（最大rds onmin rds on rds on max） @ id vgs vgs ゲートチャージ（ QG VGS （最大） ciss ）（ max @ vds フェット機能 電力散逸（最大） トライアックタイプ 電圧 -状態外 現在 -state（it （rms 電圧 -ゲートトリガー（ vgt ）（最大） 現在 -非担当者サージ50、60Hz 現在 -ゲートトリガー（ Igt ）（最大） 電圧 -状態（ vtm ）（最大） scrタイプ 電圧-DC リバース（ VR ）（最大） 電圧 -フォワード（ vf ）（ max @ if 現在 - @ vr 動作温度 -ジャンクション 現在 -平均修正（ io） 容量 @ vr、f 電圧 -コレクターエミッタの分解（最大） 現在 -コレクター（IC ）（最大） 現在 -コレクターカットオフ（最大） 電圧zener インピーダンス（最大）（ ZZT） トランジスタタイプ vce 飽和（max @ ib、ic DC電流ゲイン 頻度 -遷移 抵抗 -ベース（r1） 抵抗 -エミッターベース（r2）
FS20LM-5A-E4#C02 Renesas fs20lm-5a-e4＃C02 -
RFQ
 ECAD 1938年年 0.00000000 ルネサス - バルク 廃止 - 2156-FS20LM-5A-E4＃C02 1
2SK3654W-S17-AY Renesas 2SK3654W-S17-AY -
RFQ
 ECAD 4030 0.00000000 ルネサス - バルク 廃止 - 2156-2SK3654W-S17-ay 1
2SB605-AZ Renesas 2SB605-AZ -
RFQ
 ECAD 2348 0.00000000 ルネサス - バルク 廃止 150°C （TJ） 穴を通して 3-ssip - - 2156-2SB605-AZ 1 100na（icbo） PNP 350mv @ 50ma 、500ma 90 @ 100MA、1V 120MHz
BCR20KM-12LB#B01 Renesas BCR20KM-12LB ＃B01 1.8500
RFQ
 ECAD 9 0.00000000 ルネサス - バルク 廃止 -40°C〜150°C （TJ 穴を通して TO-220-3フルパック TO-220FN - ROHS非準拠 影響を受けていない 2156-BCR20KM-12LB ＃B01 ear99 8541.30.0080 1 シングル 標準 600 V 20 a 1.5 v 200a @ 60Hz 30 Ma
2SK2461-AZ Renesas 2SK2461-AZ 2.9800
RFQ
 ECAD 1 0.00000000 ルネサス - バルク 廃止 150°C 穴を通して TO-220-3 フルパック、分離タブ モスフェット（金属酸化物） ITO-220AB ダウンロード ROHS非準拠 影響を受けていない 2156-2SK2461-AZ ear99 8541.29.0095 1 nチャネル 100 V 20a（ta） 4V 、10V 80mohm @ 10a 、10V 2V @ 1MA 51 NC @ 10 V ±20V 1400 PF @ 10 V - 2W （TA）、35W（TC
5P4J-Z-E2-AZ Renesas 5P4J-Z-E2-AZ 1.2300
RFQ
 ECAD 3 0.00000000 ルネサス - バルク 廃止 表面マウント to-252-3 TO-252 - ROHS非準拠 影響を受けていない 2156-5p4j-z-e2-z ear99 8541.30.0080 245 1 Ma 400 V 1.6 v 標準回復
2SD1579-T-AZ Renesas 2SD1579-T-AZ 1.3100
RFQ
 ECAD 8 0.00000000 ルネサス - バルク 廃止 150°C （TJ） 穴を通して 3-ssip 1 W - - ROHS非準拠 影響を受けていない 2156-2SD1579-T-AZ ear99 8541.21.0075 1 80 v 1.5 a 1ma npn-ダーリントン 1.5V @ 1MA、1a 2000 @ 1a 、2V 60MHz
RD13P(1)-T1-AZ Renesas rd13p（1） -t1-z 0.3900
RFQ
 ECAD 19 0.00000000 ルネサス - バルク 廃止 ±6.54％ 150°C （TJ） 表面マウント TO-236-3 1 W ダウンロード ROHS非準拠 影響を受けていない 2156-RD13P ear99 8541.10.0050 1 10 µA @ 10 V 13 v 30オーム
2SK3714(0)-S12-AZ Renesas 2SK3714 2.3600
RFQ
 ECAD 7 0.00000000 ルネサス - バルク 廃止 150°C 穴を通して TO-220-3分離タブ モスフェット（金属酸化物） MP-45F - ROHS非準拠 影響を受けていない 2156-2SK3714 ear99 8541.29.0095 1 nチャネル 60 V 50a（tc） 4V 、10V 13mohm @ 25a 、10V 2.5V @ 1MA 60 NC @ 10 V ±20V 3200 PF @ 10 V - 2W （TA）、35W（TC
RD6.2P-T1-AZ Renesas RD6.2P-T1-AZ 0.3500
RFQ
 ECAD 29 0.00000000 ルネサス - バルク 廃止 ±6.45％ 150°C （TJ） 表面マウント TO-243AA 1 W - ROHS非準拠 影響を受けていない 2156-RD6.2P-T1-AZ ear99 8541.10.0050 1 20 µA @ 3 v 6.2 v 10オーム
2SK425-T1B-A Renesas 2SK425-T1B-A -
RFQ
 ECAD 8928 0.00000000 ルネサス - バルク 廃止 - 2156-2SK425-T1B-A 1
GA1A4Z-T1-A Renesas GA1A4Z-T1-A 0.1100
RFQ
 ECAD 11 0.00000000 ルネサス - バルク 廃止 表面マウント SC-70、SOT-323 Ga1a4z 150 MW SC-70 - ROHS非準拠 未定義のベンダー 2156-GA1A4Z-T1-A ear99 8541.29.0095 2,719 50 v 100 Ma 100NA npn-バイアス化 200mV @ 250µA 、5MA 135 @ 5MA 、5V 10 Kohms
RKZ18TJKG#P1 Renesas rkz18tjkg＃p1 0.0900
RFQ
 ECAD 402 0.00000000 ルネサス * バルク アクティブ - 未定義のベンダー 影響を受けていない 2156-RKZ18TJKG ＃P1-1833 1
GA4F3M(0)-T1-A Renesas ga4f3m（0） -t1-a 0.0800
RFQ
 ECAD 63 0.00000000 ルネサス - バルク 廃止 表面マウント SC-70、SOT-323 Ga4f3m 150 MW SC-70 ダウンロード ROHS非準拠 未定義のベンダー 2156-GA4F3M（0） -t1-a ear99 8541.29.0095 1 50 v 100 Ma 100NA npn-バイアス化 200mV @ 250µA 、5MA 50 @ 50ma 、5V 2 KOHMS 2 KOHMS
RJK0225DNS-00#J5 Renesas rjk0225dns-00＃J5 -
RFQ
 ECAD 9419 0.00000000 ルネサス - バルク 廃止 150°C 表面マウント 8-POWERVDFN モスフェット（金属酸化物） 8-HVSON（3x3.3 - 2156-RJK0225DNS-00 1 nチャネル 25 v 30a（ta） 4.5V 、10V 7.2mohm @ 15a 、10V 2.5V @ 1MA 8.5 NC @ 4.5 v +16V、-12V 2310 pf @ 10 v - 30W （TA）
2SC4783-T1-A Renesas 2SC4783-T1-A -
RFQ
 ECAD 9066 0.00000000 ルネサス - バルク 廃止 150°C （TJ） 表面マウント SC-75、SOT-416 SC-75 - 2156-2SC4783-T1-A 1 10µa（icbo） npn 300MV @ 10MA 、100mA 90 @ 1MA 、6V 250MHz
2SK3402-Z-E1-AZ Renesas 2SK3402-Z-E1-AZ -
RFQ
 ECAD 1817年 0.00000000 ルネサス - バルク 廃止 150°C 表面マウント to-252-3 モスフェット（金属酸化物） TO-252 - 2156-2SK3402-Z-E1-AZ 1 nチャネル 60 V 36a（tc） 4V 、10V 15mohm @ 18a 、10v 2.5V @ 1MA 61 NC @ 10 V ±20V 3200 PF @ 10 V - 1W （TA）、40W（TC）
HZM4.3NB2TL-E Renesas HZM4.3NB2TL-E 0.1600
RFQ
 ECAD 3 0.00000000 ルネサス - バルク 廃止 ±2.24％ 150°C （TJ） 表面マウント TO-236-3 200 MW 3-mpak - ROHS非準拠 影響を受けていない 2156-HZM4.3NB2TL-E ear99 8541.10.0050 1 10 µA @ 1 V 4.25 v 130オーム
RKR104BKH#P1 Renesas RKR104BKH ＃P1 0.1700
RFQ
 ECAD 92 0.00000000 ルネサス - バルク 廃止 表面マウント 2-SMD 、フラットリード ショットキー タープ - ROHS非準拠 影響を受けていない 2156-RKR104BKH ＃P1 ear99 8541.10.0080 1 高速回復= <500ns 40 v 550 mV @ 700 Ma 50 µA @ 40 V 150°C 1a 35pf @ 10V、1MHz
HVL147M1PRF-E Renesas HVL147M1PRF-E -
RFQ
 ECAD 3530 0.00000000 ルネサス - バルク 廃止 - 2156-HVL147M1PRF-E 1
HZU4.3B2TRF-E Renesas HZU4.3B2TRF-E 0.0900
RFQ
 ECAD 18 0.00000000 ルネサス * バルク アクティブ ダウンロード 未定義のベンダー 影響を受けていない 2156-HZU4.3B2TRF-E-1833 1
RD33P-T1-AZ Renesas rd33p-t1-az -
RFQ
 ECAD 2271 0.00000000 ルネサス - バルク 廃止 ±6.06％ 150°C （TJ） 表面マウント TO-243AA 1 W - ROHS非準拠 影響を受けていない 2156-RD33P-T1-AZ ear99 8541.10.0050 1 10 µA @ 25 V 33 v 80オーム
RD43P-T1-AZ Renesas RD43P-T1-AZ -
RFQ
 ECAD 1155 0.00000000 ルネサス - バルク 廃止 - 2156-RD43P-T1-AZ 1
RD33FS(0)-T1-AY Renesas rd33fs -
RFQ
 ECAD 7729 0.00000000 ルネサス - バルク 廃止 - 2156-RD33FS 1
HZM22NB2TL-E Renesas HZM22NB2TL-E 0.1600
RFQ
 ECAD 21 0.00000000 ルネサス - バルク 廃止 ±2.11％ 150°C （TJ） 表面マウント TO-236-3 200 MW 3-mpak - ROHS非準拠 影響を受けていない 2156-HZM22NB2TL-E ear99 8541.10.0050 1 2 µA @ 17 V 22.01 v 55オーム
1SS270ATD-E Renesas 1SS270ATD-E 1.0000
RFQ
 ECAD 7815 0.00000000 ルネサス * バルク アクティブ ダウンロード 未定義のベンダー 未定義のベンダー 2156-1SS270ATD-E-1833 1
RD9.1P-T1-AZ Renesas RD9.1P-T1-AZ -
RFQ
 ECAD 6802 0.00000000 ルネサス - バルク 廃止 ±6.04％ 150°C （TJ） 表面マウント TO-243AA 1 W - ROHS非準拠 影響を受けていない 2156-RD9.1P-T1-AZ ear99 8541.10.0050 1 20 µA @ 6 V 9.1 v 15オーム
HZM5.6NB3TL-E Renesas HZM5.6NB3TL-E 0.1600
RFQ
 ECAD 27 0.00000000 ルネサス - バルク 廃止 ±2.16％ 150°C （TJ） 表面マウント TO-236-3 200 MW 3-mpak - ROHS非準拠 影響を受けていない 2156-HZM5.6NB3TL-E ear99 8541.10.0050 1 5 µA @ 2.5 v 5.8 v 80オーム
RD68P-T2-AZ Renesas RD68P-T2-AZ 0.3500
RFQ
 ECAD 13 0.00000000 ルネサス - バルク 廃止 - ROHS非準拠 影響を受けていない 2156-RD68P-T2-AZ ear99 8541.10.0050 1
HZM6.8NB3TR-E Renesas Hzm6.8nb3tr-e 0.1500
RFQ
 ECAD 42 0.00000000 ルネサス - バルク 廃止 ±2％ 150°C （TJ） 表面マウント TO-236-3 200 MW 3-mpak - ROHS非準拠 影響を受けていない 2156-HZM6.8NB3TR-E ear99 8541.10.0050 1 2 µA @ 3.5 v 7 v 30オーム
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    毎日の平均RFQボリューム

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    標準製品ユニット

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    世界的なメーカー

  • In-stock Warehouse

    15,000 m2

    在庫倉庫

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