画像 | 製品番号 | 価格設定(USD) | 量 | ECAD | 利用可能な数量 | 体重( kg) | MFR | シリーズ | パッケージ | 製品ステータス | 許容範囲 | 動作温度 | 取り付けタイプ | パッケージ /ケース | 入力タイプ | テクノロジー | パワー -マックス | サプライヤーデバイスパッケージ | データシート | ROHSステータス | その他の名前 | ECCN | htsus | 標準パッケージ | スピード | フェットタイプ | テスト条件 | 電源( VDSS )への排水 | 電流 -連続排水(ID @ @ 25°C | ドライブ電圧(最大rds onmin rds on | rds on max) @ id vgs | vgs | ゲートチャージ( QG | VGS (最大) | ciss )( max @ vds | フェット機能 | 電力散逸(最大) | ダイオード構成 | 電圧-DC リバース( VR )(最大) | 現在 -平均修正( io )(ダイオードあたり) | 電圧 -フォワード( vf )( max @ if | 逆回復時間( trr) | 現在 - @ vr | 動作温度 -ジャンクション | 現在 -平均修正( io) | 容量 @ vr、f | IGBTタイプ | 電圧 -コレクターエミッタの分解(最大) | 現在 -コレクター(IC )(最大) | 現在 -コレクターパルス( icm) | vce(on max) @ vge | エネルギーの切り替え | ゲートチャージ | TD (オン/オフ) @ 25°C | 電圧 -破壊( V | 現在の - ドレイン(IDSS @ vds(vgs = 0) | 電圧-Cutoff( VGSオフ) @ id | 現在 -コレクターカットオフ(最大) | 電圧zener | インピーダンス(最大)( ZZT) | 抵抗-RDS (オン) | トランジスタタイプ | vce 飽和(max @ ib、ic | DC電流ゲイン | 頻度 -遷移 |
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | FGA90N30DTU | 2.5200 | ![]() | 70 | 0.00000000 | フェアチャイルド半導体 | - | チューブ | 廃止 | -55°C〜150°C | 穴を通して | to-3p-3、SC-65-3 | 標準 | 219 W | to-3p | ダウンロード | ROHS3準拠 | ear99 | 8541.29.0095 | 30 | - | 21 ns | - | 300 V | 90 a | 220 a | 1.4V @ 15V 、20a | - | 87 NC | - | |||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | HUF75345S3S | 1.0000 | ![]() | 1906年年 | 0.00000000 | フェアチャイルド半導体 | ultrafet™ | チューブ | 廃止 | -55°C〜175°C | 表面マウント | TO-263-3 | モスフェット(金属酸化物) | d2pak(to-263) | ダウンロード | ROHS3準拠 | ear99 | 8541.29.0095 | 400 | nチャネル | 55 v | 75a(tc) | 10V | 7mohm @ 75a 、10V | 4V @ 250µA | 275 NC @ 20 V | ±20V | 4000 pf @ 25 V | - | 325W | |||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | BD240BTU | 1.0000 | ![]() | 9892 | 0.00000000 | フェアチャイルド半導体 | - | チューブ | 廃止 | 150°C (TJ) | 穴を通して | TO-220-3 | 30 W | TO-220-3 | ダウンロード | ROHS3準拠 | ear99 | 8541.29.0095 | 50 | 80 v | 2 a | 300µA | PNP | 700mv @ 200ma、1a | 15 @ 1a 、4V | - | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | BC337 | 1.0000 | ![]() | 6122 | 0.00000000 | フェアチャイルド半導体 | - | バルク | 廃止 | -55°C〜150°C | 穴を通して | to-226-3 | 625 MW | to-92(to-226) | ダウンロード | ROHS3準拠 | ear99 | 8541.21.0075 | 2,000 | 45 v | 800 Ma | 100NA | npn | 700mv @ 50ma 、500ma | 100 @ 100MA、1V | 210MHz | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | FDB8445-F085 | 1.0000 | ![]() | 7636 | 0.00000000 | フェアチャイルド半導体 | Automotive、AEC-Q101 、PowerTrench® | バルク | 廃止 | -55°C〜175°C | 表面マウント | TO-263-3 | モスフェット(金属酸化物) | d2pak(to-263) | ダウンロード | 適用できない | ear99 | 8541.29.0095 | 800 | nチャネル | 40 v | 70a | 10V | 9mohm @ 70a 、10V | 4V @ 250µA | 62 NC @ 10 V | ±20V | 3805 PF @ 25 V | - | 92W | |||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | flz3v6b | 0.0200 | ![]() | 2081 | 0.00000000 | フェアチャイルド半導体 | - | バルク | 廃止 | ±3% | -65°C〜175°C | 表面マウント | DO-213AC 、ミニメルフ、 SOD-80 | 500 MW | SOD-80 | ダウンロード | ROHS3準拠 | ear99 | 8541.10.0050 | 2,077 | 1.2 V @ 200 mA | 2.8 µA @ 1 V | 3.7 v | 48オーム | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | FDC796N | 0.6400 | ![]() | 988 | 0.00000000 | フェアチャイルド半導体 | PowerTrench® | バルク | 廃止 | -55°C〜150°C | 表面マウント | 6-ssot フラットリード、 supersot™-6 flmp | モスフェット(金属酸化物) | SuperSot™-6 FLMP | ダウンロード | ROHS3準拠 | ear99 | 8541.29.0095 | 3,000 | nチャネル | 30 V | 12.5a(ta) | 4.5V 、10V | 9mohm @ 12.5a 、10V | 3V @ 250µA | 20 NC @ 5 V | ±20V | 1444 PF @ 15 V | - | 2W (TA) | |||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | BC239BBU | - | ![]() | 9151 | 0.00000000 | フェアチャイルド半導体 | - | バルク | 廃止 | 150°C (TJ) | 穴を通して | TO-226-3 | 500 MW | to-92-3 | ダウンロード | ROHS3準拠 | ear99 | 8541.21.0075 | 1,000 | 25 v | 100 Ma | 15na | npn | 600MV @ 5MA 、100mA | 180 @ 2MA 、5V | 250MHz | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | bc560abu | 0.0200 | ![]() | 6659 | 0.00000000 | フェアチャイルド半導体 | - | バルク | 廃止 | 150°C (TJ) | 穴を通して | TO-226-3 | 500 MW | to-92-3 | ダウンロード | ROHS3準拠 | ear99 | 8541.21.0075 | 13,975 | 45 v | 100 Ma | 15NA | PNP | 650mv @ 5ma 、100ma | 110 @ 2MA 、5V | 150MHz | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | FFAF20U120DNTU | 2.6400 | ![]() | 558 | 0.00000000 | フェアチャイルド半導体 | - | チューブ | 廃止 | 穴を通して | to-3p-3フルパック | 標準 | to-3pf | ダウンロード | ROHS3準拠 | ear99 | 8541.10.0080 | 30 | 高速回復= <500ns | 1ペア共通カソード | 1200 v | 20a | 3.5 V @ 20 a | 120 ns | 20 µA @ 1200 v | -65°C〜150°C | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | FQB7N65CTM | 1.4400 | ![]() | 7 | 0.00000000 | フェアチャイルド半導体 | QFET® | バルク | 廃止 | -55°C〜150°C | 表面マウント | TO-263-3 | モスフェット(金属酸化物) | d2pak(to-263) | ダウンロード | ROHS3準拠 | ear99 | 8541.29.0095 | 800 | nチャネル | 650 V | 7a(tc) | 10V | 1.4OHM @ 3.5A 、10V | 4V @ 250µA | 36 NC @ 10 V | ±30V | 1245 PF @ 25 V | - | 173W | |||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | hufa76413d3s | 0.2700 | ![]() | 8 | 0.00000000 | フェアチャイルド半導体 | ultrafet™ | チューブ | 廃止 | -55°C〜175°C | 表面マウント | to-252-3 | モスフェット(金属酸化物) | TO-252 | ダウンロード | ROHS3準拠 | ear99 | 8541.29.0095 | 1,800 | nチャネル | 60 V | 20a(tc) | 4.5V 、10V | 49mohm @ 20a 、10V | 3V @ 250µA | 20 NC @ 10 V | ±16V | 645 PF @ 25 V | - | 60W (TC) | |||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | FLZ12VC | 0.0200 | ![]() | 95 | 0.00000000 | フェアチャイルド半導体 | - | バルク | 廃止 | ±3% | -65°C〜175°C | 表面マウント | DO-213AC 、ミニメルフ、 SOD-80 | 500 MW | SOD-80 | ダウンロード | ROHS3準拠 | ear99 | 8541.10.0050 | 2,500 | 1.2 V @ 200 mA | 133 na @ 9 v | 12.1 v | 9.5オーム | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | BC327A | 0.0200 | ![]() | 7273 | 0.00000000 | フェアチャイルド半導体 | - | バルク | 廃止 | 150°C (TJ) | 穴を通して | TO-226-3 | 625 MW | to-92-3 | ダウンロード | ROHS3準拠 | ear99 | 8541.21.0075 | 1,803 | 45 v | 800 Ma | 100NA | PNP | 700mv @ 50ma 、500ma | 100 @ 100MA、1V | 100MHz | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | BC636TFR | - | ![]() | 2847 | 0.00000000 | フェアチャイルド半導体 | - | バルク | 廃止 | 150°C (TJ) | 穴を通して | to-226-3 | 1 W | to-92-3 | ダウンロード | ROHS3準拠 | ear99 | 8541.21.0075 | 7,695 | 45 v | 1 a | 100na(icbo) | PNP | 500MV @ 50MA 、500MA | 40 @ 150ma 、2V | 100MHz | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | JFTJ105 | - | ![]() | 9816 | 0.00000000 | フェアチャイルド半導体 | - | バルク | 廃止 | -55°C〜150°C | 表面マウント | TO-261-4、TO-261AA | 1 W | SOT-223-4 | ダウンロード | ROHS3準拠 | ear99 | 8541.29.0095 | 2,500 | nチャネル | - | 25 v | 500 mA @ 15 v | 4.5 V @ 1 µa | 3オーム | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | BC550 | 0.0400 | ![]() | 17 | 0.00000000 | フェアチャイルド半導体 | - | バルク | 廃止 | 150°C (TJ) | 穴を通して | TO-226-3 | 500 MW | to-92-3 | ダウンロード | ROHS3準拠 | ear99 | 8541.21.0075 | 2,000 | 45 v | 100 Ma | 15NA | npn | 600MV @ 5MA 、100mA | 110 @ 2MA 、5V | 300MHz | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | BC80825MTF | 0.0400 | ![]() | 15 | 0.00000000 | フェアチャイルド半導体 | - | バルク | 廃止 | 150°C (TJ) | 表面マウント | TO-236-3 | 310 MW | SOT-23-3 | ダウンロード | ROHS3準拠 | ear99 | 8541.21.0075 | 3,000 | 25 v | 800 Ma | 100NA | PNP | 700mv @ 50ma 、500ma | 160 @ 100MA、1V | 100MHz | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | KSC2335RTU | 1.0000 | ![]() | 2324 | 0.00000000 | フェアチャイルド半導体 | - | チューブ | 廃止 | 150°C (TJ) | 穴を通して | TO-220-3 | 1.5 w | TO-220-3 | ダウンロード | ROHS3準拠 | ear99 | 8541.29.0095 | 50 | 400 V | 7 a | 10µa(icbo) | npn | 1V @ 600MA、3a | 20 @ 1a 、5V | - | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | 1N966B | 2.0200 | ![]() | 65 | 0.00000000 | フェアチャイルド半導体 | - | バルク | 廃止 | ±5% | -65°C〜200°C | 穴を通して | do-204ah do-35 、軸 | 500 MW | do-35 (do-204ah) | ダウンロード | ROHS3準拠 | ear99 | 8541.10.0050 | 149 | 5 µA @ 12.2 v | 16 v | 17オーム | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | BC549BBU | - | ![]() | 7555 | 0.00000000 | フェアチャイルド半導体 | - | バルク | 廃止 | 150°C (TJ) | 穴を通して | TO-226-3 | 500 MW | to-92-3 | ダウンロード | ROHS3準拠 | ear99 | 8541.21.0075 | 1,000 | 30 V | 100 Ma | 15NA | npn | 600MV @ 5MA 、100mA | 200 @ 2MA 、5V | 300MHz | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | bav19 | 0.0200 | ![]() | 43 | 0.00000000 | フェアチャイルド半導体 | - | バルク | 廃止 | 穴を通して | do-204ah do-35 、軸 | 標準 | do-35 (do-204ah) | ダウンロード | ROHS3準拠 | ear99 | 8541.10.0070 | 2,000 | 小さな信号= <200ma(io )、任意の速度 | 120 v | 1.25 V @ 200 mA | 50 ns | 100 Na @ 100 V | 175°C (最大) | 200mA | 5PF @ 0V、1MHz | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | FQP5N30 | 0.4400 | ![]() | 2 | 0.00000000 | フェアチャイルド半導体 | QFET® | チューブ | 廃止 | -55°C〜150°C | 穴を通して | TO-220-3 | モスフェット(金属酸化物) | TO-220-3 | ダウンロード | ROHS3準拠 | ear99 | 8541.29.0095 | 1,000 | nチャネル | 300 V | 5.4a(tc) | 10V | 900mohm @ 2.7a 、10V | 5V @ 250µA | 13 NC @ 10 V | ±30V | 430 PF @ 25 V | - | 70W | |||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | FDLL4151 | 0.0200 | ![]() | 24 | 0.00000000 | フェアチャイルド半導体 | - | バルク | 廃止 | 表面マウント | DO-213AC 、ミニメルフ、 SOD-80 | 標準 | SOD-80 | ダウンロード | ROHS3準拠 | ear99 | 8541.10.0070 | 15,000 | 小さな信号= <200ma(io )、任意の速度 | 75 v | 1 V @ 50 mA | 4 ns | 50 Na @ 50 V | -65°C〜200°C | 200mA | 4PF @ 0V、1MHz | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | BC238BBU | 0.0200 | ![]() | 5464 | 0.00000000 | フェアチャイルド半導体 | - | バルク | 廃止 | 150°C (TJ) | 穴を通して | TO-226-3 | 500 MW | to-92-3 | - | ROHS3準拠 | 2156-BC238BBU-FS | ear99 | 8541.21.0075 | 1,000 | 25 v | 100 Ma | 15na | npn | 600MV @ 5MA 、100mA | 180 @ 2MA 、5V | 250MHz | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | FQP5P20 | 1.0000 | ![]() | 1738 | 0.00000000 | フェアチャイルド半導体 | QFET® | チューブ | 廃止 | -55°C〜150°C | 穴を通して | TO-220-3 | モスフェット(金属酸化物) | TO-220-3 | ダウンロード | ROHS3準拠 | ear99 | 8541.29.0095 | 1,000 | pチャネル | 200 v | 4.8a(tc) | 10V | 1.4OHM @ 2.4A 、10V | 5V @ 250µA | 13 NC @ 10 V | ±30V | 430 PF @ 25 V | - | 75W | |||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | BC32725TF | - | ![]() | 9485 | 0.00000000 | フェアチャイルド半導体 | - | バルク | 廃止 | 150°C (TJ) | 穴を通して | to-226-3 | 625 MW | to-92-3 | ダウンロード | ROHS3準拠 | ear99 | 8541.21.0075 | 2,000 | 45 v | 800 Ma | 100NA | PNP | 700mv @ 50ma 、500ma | 160 @ 100MA、1V | 100MHz | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | BC32725 | 0.0600 | ![]() | 53 | 0.00000000 | フェアチャイルド半導体 | - | バルク | 廃止 | 150°C (TJ) | 穴を通して | TO-226-3 | 625 MW | to-92-3 | ダウンロード | ROHS3準拠 | ear99 | 8541.21.0075 | 2,000 | 45 v | 800 Ma | 100NA | PNP | 700mv @ 50ma 、500ma | 160 @ 100MA、1V | 100MHz | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | BCX71G | 0.0200 | ![]() | 7800 | 0.00000000 | フェアチャイルド半導体 | - | バルク | 廃止 | - | 表面マウント | TO-236-3 | 350 MW | SOT-23-3 | ダウンロード | ROHS3準拠 | ear99 | 8541.21.0095 | 369 | 45 v | 100 Ma | 20na | PNP | 550MV @ 1.25MA 、50mA | 120 @ 2MA 、5V | - | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | Hufa76445S3S | 1.0600 | ![]() | 500 | 0.00000000 | フェアチャイルド半導体 | ultrafet™ | チューブ | 廃止 | -55°C〜175°C | 表面マウント | TO-263-3 | モスフェット(金属酸化物) | d2pak(to-263) | ダウンロード | ROHS3準拠 | ear99 | 8541.29.0095 | 50 | nチャネル | 60 V | 75a(tc) | 4.5V 、10V | 6.5mohm @ 75a 、10V | 3V @ 250µA | 150 NC @ 10 V | ±16V | 4965 PF @ 25 V | - | 310W |
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