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画像 製品番号 価格設定(USD) ECAD 利用可能な数量 体重( kg) MFR シリーズ パッケージ 製品ステータス 許容範囲 動作温度 取り付けタイプ パッケージ /ケース 入力タイプ テクノロジー パワー -マックス サプライヤーデバイスパッケージ データシート ROHSステータス その他の名前 ECCN htsus 標準パッケージ スピード フェットタイプ テスト条件 電源( VDSS )への排水 電流 -連続排水(ID @ @ 25°C ドライブ電圧(最大rds onmin rds on rds on max) @ id vgs vgs ゲートチャージ( QG VGS (最大) ciss )( max @ vds フェット機能 電力散逸(最大) ダイオード構成 電圧-DC リバース( VR )(最大) 現在 -平均修正( io )(ダイオードあたり) 電圧 -フォワード( vf )( max @ if 逆回復時間( trr) 現在 - @ vr 動作温度 -ジャンクション 現在 -平均修正( io) 容量 @ vr、f IGBTタイプ 電圧 -コレクターエミッタの分解(最大) 現在 -コレクター(IC )(最大) 現在 -コレクターパルス( icm) vce(on max) @ vge エネルギーの切り替え ゲートチャージ TD (オン/オフ) @ 25°C 電圧 -破壊( V 現在の - ドレイン(IDSS @ vds(vgs = 0) 電圧-Cutoff( VGSオフ) @ id 現在 -コレクターカットオフ(最大) 電圧zener インピーダンス(最大)( ZZT) 抵抗-RDS (オン) トランジスタタイプ vce 飽和(max @ ib、ic DC電流ゲイン 頻度 -遷移
FGA90N30DTU Fairchild Semiconductor FGA90N30DTU 2.5200
RFQ
ECAD 70 0.00000000 フェアチャイルド半導体 - チューブ 廃止 -55°C〜150°C 穴を通して to-3p-3、SC-65-3 標準 219 W to-3p ダウンロード ROHS3準拠 ear99 8541.29.0095 30 - 21 ns - 300 V 90 a 220 a 1.4V @ 15V 、20a - 87 NC -
HUF75345S3S Fairchild Semiconductor HUF75345S3S 1.0000
RFQ
ECAD 1906年年 0.00000000 フェアチャイルド半導体 ultrafet™ チューブ 廃止 -55°C〜175°C 表面マウント TO-263-3 モスフェット(金属酸化物) d2pak(to-263) ダウンロード ROHS3準拠 ear99 8541.29.0095 400 nチャネル 55 v 75a(tc) 10V 7mohm @ 75a 、10V 4V @ 250µA 275 NC @ 20 V ±20V 4000 pf @ 25 V - 325W
BD240BTU Fairchild Semiconductor BD240BTU 1.0000
RFQ
ECAD 9892 0.00000000 フェアチャイルド半導体 - チューブ 廃止 150°C (TJ) 穴を通して TO-220-3 30 W TO-220-3 ダウンロード ROHS3準拠 ear99 8541.29.0095 50 80 v 2 a 300µA PNP 700mv @ 200ma、1a 15 @ 1a 、4V -
BC337 Fairchild Semiconductor BC337 1.0000
RFQ
ECAD 6122 0.00000000 フェアチャイルド半導体 - バルク 廃止 -55°C〜150°C 穴を通して to-226-3 625 MW to-92(to-226) ダウンロード ROHS3準拠 ear99 8541.21.0075 2,000 45 v 800 Ma 100NA npn 700mv @ 50ma 、500ma 100 @ 100MA、1V 210MHz
FDB8445-F085 Fairchild Semiconductor FDB8445-F085 1.0000
RFQ
ECAD 7636 0.00000000 フェアチャイルド半導体 Automotive、AEC-Q101 、PowerTrench® バルク 廃止 -55°C〜175°C 表面マウント TO-263-3 モスフェット(金属酸化物) d2pak(to-263) ダウンロード 適用できない ear99 8541.29.0095 800 nチャネル 40 v 70a 10V 9mohm @ 70a 、10V 4V @ 250µA 62 NC @ 10 V ±20V 3805 PF @ 25 V - 92W
FLZ3V6B Fairchild Semiconductor flz3v6b 0.0200
RFQ
ECAD 2081 0.00000000 フェアチャイルド半導体 - バルク 廃止 ±3% -65°C〜175°C 表面マウント DO-213AC 、ミニメルフ、 SOD-80 500 MW SOD-80 ダウンロード ROHS3準拠 ear99 8541.10.0050 2,077 1.2 V @ 200 mA 2.8 µA @ 1 V 3.7 v 48オーム
FDC796N Fairchild Semiconductor FDC796N 0.6400
RFQ
ECAD 988 0.00000000 フェアチャイルド半導体 PowerTrench® バルク 廃止 -55°C〜150°C 表面マウント 6-ssot フラットリード、 supersot™-6 flmp モスフェット(金属酸化物) SuperSot™-6 FLMP ダウンロード ROHS3準拠 ear99 8541.29.0095 3,000 nチャネル 30 V 12.5a(ta) 4.5V 、10V 9mohm @ 12.5a 、10V 3V @ 250µA 20 NC @ 5 V ±20V 1444 PF @ 15 V - 2W (TA)
BC239BBU Fairchild Semiconductor BC239BBU -
RFQ
ECAD 9151 0.00000000 フェアチャイルド半導体 - バルク 廃止 150°C (TJ) 穴を通して TO-226-3 500 MW to-92-3 ダウンロード ROHS3準拠 ear99 8541.21.0075 1,000 25 v 100 Ma 15na npn 600MV @ 5MA 、100mA 180 @ 2MA 、5V 250MHz
BC560ABU Fairchild Semiconductor bc560abu 0.0200
RFQ
ECAD 6659 0.00000000 フェアチャイルド半導体 - バルク 廃止 150°C (TJ) 穴を通して TO-226-3 500 MW to-92-3 ダウンロード ROHS3準拠 ear99 8541.21.0075 13,975 45 v 100 Ma 15NA PNP 650mv @ 5ma 、100ma 110 @ 2MA 、5V 150MHz
FFAF20U120DNTU Fairchild Semiconductor FFAF20U120DNTU 2.6400
RFQ
ECAD 558 0.00000000 フェアチャイルド半導体 - チューブ 廃止 穴を通して to-3p-3フルパック 標準 to-3pf ダウンロード ROHS3準拠 ear99 8541.10.0080 30 高速回復= <500ns 1ペア共通カソード 1200 v 20a 3.5 V @ 20 a 120 ns 20 µA @ 1200 v -65°C〜150°C
FQB7N65CTM Fairchild Semiconductor FQB7N65CTM 1.4400
RFQ
ECAD 7 0.00000000 フェアチャイルド半導体 QFET® バルク 廃止 -55°C〜150°C 表面マウント TO-263-3 モスフェット(金属酸化物) d2pak(to-263) ダウンロード ROHS3準拠 ear99 8541.29.0095 800 nチャネル 650 V 7a(tc) 10V 1.4OHM @ 3.5A 、10V 4V @ 250µA 36 NC @ 10 V ±30V 1245 PF @ 25 V - 173W
HUFA76413D3S Fairchild Semiconductor hufa76413d3s 0.2700
RFQ
ECAD 8 0.00000000 フェアチャイルド半導体 ultrafet™ チューブ 廃止 -55°C〜175°C 表面マウント to-252-3 モスフェット(金属酸化物) TO-252 ダウンロード ROHS3準拠 ear99 8541.29.0095 1,800 nチャネル 60 V 20a(tc) 4.5V 、10V 49mohm @ 20a 、10V 3V @ 250µA 20 NC @ 10 V ±16V 645 PF @ 25 V - 60W (TC)
FLZ12VC Fairchild Semiconductor FLZ12VC 0.0200
RFQ
ECAD 95 0.00000000 フェアチャイルド半導体 - バルク 廃止 ±3% -65°C〜175°C 表面マウント DO-213AC 、ミニメルフ、 SOD-80 500 MW SOD-80 ダウンロード ROHS3準拠 ear99 8541.10.0050 2,500 1.2 V @ 200 mA 133 na @ 9 v 12.1 v 9.5オーム
BC327A Fairchild Semiconductor BC327A 0.0200
RFQ
ECAD 7273 0.00000000 フェアチャイルド半導体 - バルク 廃止 150°C (TJ) 穴を通して TO-226-3 625 MW to-92-3 ダウンロード ROHS3準拠 ear99 8541.21.0075 1,803 45 v 800 Ma 100NA PNP 700mv @ 50ma 、500ma 100 @ 100MA、1V 100MHz
BC636TFR Fairchild Semiconductor BC636TFR -
RFQ
ECAD 2847 0.00000000 フェアチャイルド半導体 - バルク 廃止 150°C (TJ) 穴を通して to-226-3 1 W to-92-3 ダウンロード ROHS3準拠 ear99 8541.21.0075 7,695 45 v 1 a 100na(icbo) PNP 500MV @ 50MA 、500MA 40 @ 150ma 、2V 100MHz
JFTJ105 Fairchild Semiconductor JFTJ105 -
RFQ
ECAD 9816 0.00000000 フェアチャイルド半導体 - バルク 廃止 -55°C〜150°C 表面マウント TO-261-4、TO-261AA 1 W SOT-223-4 ダウンロード ROHS3準拠 ear99 8541.29.0095 2,500 nチャネル - 25 v 500 mA @ 15 v 4.5 V @ 1 µa 3オーム
BC550 Fairchild Semiconductor BC550 0.0400
RFQ
ECAD 17 0.00000000 フェアチャイルド半導体 - バルク 廃止 150°C (TJ) 穴を通して TO-226-3 500 MW to-92-3 ダウンロード ROHS3準拠 ear99 8541.21.0075 2,000 45 v 100 Ma 15NA npn 600MV @ 5MA 、100mA 110 @ 2MA 、5V 300MHz
BC80825MTF Fairchild Semiconductor BC80825MTF 0.0400
RFQ
ECAD 15 0.00000000 フェアチャイルド半導体 - バルク 廃止 150°C (TJ) 表面マウント TO-236-3 310 MW SOT-23-3 ダウンロード ROHS3準拠 ear99 8541.21.0075 3,000 25 v 800 Ma 100NA PNP 700mv @ 50ma 、500ma 160 @ 100MA、1V 100MHz
KSC2335RTU Fairchild Semiconductor KSC2335RTU 1.0000
RFQ
ECAD 2324 0.00000000 フェアチャイルド半導体 - チューブ 廃止 150°C (TJ) 穴を通して TO-220-3 1.5 w TO-220-3 ダウンロード ROHS3準拠 ear99 8541.29.0095 50 400 V 7 a 10µa(icbo) npn 1V @ 600MA、3a 20 @ 1a 、5V -
1N966B Fairchild Semiconductor 1N966B 2.0200
RFQ
ECAD 65 0.00000000 フェアチャイルド半導体 - バルク 廃止 ±5% -65°C〜200°C 穴を通して do-204ah do-35 、軸 500 MW do-35 (do-204ah) ダウンロード ROHS3準拠 ear99 8541.10.0050 149 5 µA @ 12.2 v 16 v 17オーム
BC549BBU Fairchild Semiconductor BC549BBU -
RFQ
ECAD 7555 0.00000000 フェアチャイルド半導体 - バルク 廃止 150°C (TJ) 穴を通して TO-226-3 500 MW to-92-3 ダウンロード ROHS3準拠 ear99 8541.21.0075 1,000 30 V 100 Ma 15NA npn 600MV @ 5MA 、100mA 200 @ 2MA 、5V 300MHz
BAV19 Fairchild Semiconductor bav19 0.0200
RFQ
ECAD 43 0.00000000 フェアチャイルド半導体 - バルク 廃止 穴を通して do-204ah do-35 、軸 標準 do-35 (do-204ah) ダウンロード ROHS3準拠 ear99 8541.10.0070 2,000 小さな信号= <200ma(io )、任意の速度 120 v 1.25 V @ 200 mA 50 ns 100 Na @ 100 V 175°C (最大) 200mA 5PF @ 0V、1MHz
FQP5N30 Fairchild Semiconductor FQP5N30 0.4400
RFQ
ECAD 2 0.00000000 フェアチャイルド半導体 QFET® チューブ 廃止 -55°C〜150°C 穴を通して TO-220-3 モスフェット(金属酸化物) TO-220-3 ダウンロード ROHS3準拠 ear99 8541.29.0095 1,000 nチャネル 300 V 5.4a(tc) 10V 900mohm @ 2.7a 、10V 5V @ 250µA 13 NC @ 10 V ±30V 430 PF @ 25 V - 70W
FDLL4151 Fairchild Semiconductor FDLL4151 0.0200
RFQ
ECAD 24 0.00000000 フェアチャイルド半導体 - バルク 廃止 表面マウント DO-213AC 、ミニメルフ、 SOD-80 標準 SOD-80 ダウンロード ROHS3準拠 ear99 8541.10.0070 15,000 小さな信号= <200ma(io )、任意の速度 75 v 1 V @ 50 mA 4 ns 50 Na @ 50 V -65°C〜200°C 200mA 4PF @ 0V、1MHz
BC238BBU Fairchild Semiconductor BC238BBU 0.0200
RFQ
ECAD 5464 0.00000000 フェアチャイルド半導体 - バルク 廃止 150°C (TJ) 穴を通して TO-226-3 500 MW to-92-3 - ROHS3準拠 2156-BC238BBU-FS ear99 8541.21.0075 1,000 25 v 100 Ma 15na npn 600MV @ 5MA 、100mA 180 @ 2MA 、5V 250MHz
FQP5P20 Fairchild Semiconductor FQP5P20 1.0000
RFQ
ECAD 1738 0.00000000 フェアチャイルド半導体 QFET® チューブ 廃止 -55°C〜150°C 穴を通して TO-220-3 モスフェット(金属酸化物) TO-220-3 ダウンロード ROHS3準拠 ear99 8541.29.0095 1,000 pチャネル 200 v 4.8a(tc) 10V 1.4OHM @ 2.4A 、10V 5V @ 250µA 13 NC @ 10 V ±30V 430 PF @ 25 V - 75W
BC32725TF Fairchild Semiconductor BC32725TF -
RFQ
ECAD 9485 0.00000000 フェアチャイルド半導体 - バルク 廃止 150°C (TJ) 穴を通して to-226-3 625 MW to-92-3 ダウンロード ROHS3準拠 ear99 8541.21.0075 2,000 45 v 800 Ma 100NA PNP 700mv @ 50ma 、500ma 160 @ 100MA、1V 100MHz
BC32725 Fairchild Semiconductor BC32725 0.0600
RFQ
ECAD 53 0.00000000 フェアチャイルド半導体 - バルク 廃止 150°C (TJ) 穴を通して TO-226-3 625 MW to-92-3 ダウンロード ROHS3準拠 ear99 8541.21.0075 2,000 45 v 800 Ma 100NA PNP 700mv @ 50ma 、500ma 160 @ 100MA、1V 100MHz
BCX71G Fairchild Semiconductor BCX71G 0.0200
RFQ
ECAD 7800 0.00000000 フェアチャイルド半導体 - バルク 廃止 - 表面マウント TO-236-3 350 MW SOT-23-3 ダウンロード ROHS3準拠 ear99 8541.21.0095 369 45 v 100 Ma 20na PNP 550MV @ 1.25MA 、50mA 120 @ 2MA 、5V -
HUFA76445S3S Fairchild Semiconductor Hufa76445S3S 1.0600
RFQ
ECAD 500 0.00000000 フェアチャイルド半導体 ultrafet™ チューブ 廃止 -55°C〜175°C 表面マウント TO-263-3 モスフェット(金属酸化物) d2pak(to-263) ダウンロード ROHS3準拠 ear99 8541.29.0095 50 nチャネル 60 V 75a(tc) 4.5V 、10V 6.5mohm @ 75a 、10V 3V @ 250µA 150 NC @ 10 V ±16V 4965 PF @ 25 V - 310W
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    毎日の平均RFQボリューム

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    標準製品ユニット

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    世界的なメーカー

  • In-stock Warehouse

    15,000 m2

    在庫倉庫