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離散半導体製品（5251）

画像 製品番号 価格（USD） 量 ECAD 利用可能な数量 体重（ kg） MFR シリーズ パッケージ 製品ステータス 許容範囲 動作温度 取り付けタイプ パッケージ /ケース 基本製品番号 入力タイプ テクノロジー パワー -マックス 入力 サプライヤーデバイスパッケージ データシート ROHSステータス ステータスに到達します その他の名前 ECCN htsus 標準パッケージ 構成 フェットタイプ テスト条件 電源（ VDSS ）への排水 電流 -連続排水（ID @ @ 25°C ドライブ電圧（最大rds onmin rds on rds on max） @ id vgs vgs ゲートチャージ（ QG VGS （最大） ciss ）（ max @ vds フェット機能 電力散逸（最大） 電圧 -フォワード（ vf ）（ max @ if 逆回復時間（ trr） 現在 - @ vr IGBTタイプ 電圧 -コレクターエミッタの分解（最大） 現在 -コレクター（IC ）（最大） 現在 -コレクターパルス（ icm） vce（on max） @ vge エネルギーの切り替え ゲートチャージ TD （オン/オフ） @ 25°C 現在 -コレクターカットオフ（最大） NTCサーミスタ 電圧zener インピーダンス（最大）（ ZZT） 入力容量（ cies @ vce トランジスタタイプ vce 飽和（max @ ib、ic DC電流ゲイン 頻度 -遷移
2N7002-G Fairchild Semiconductor 2N7002-G -
RFQ
 ECAD 4946 0.00000000 フェアチャイルド半導体 - バルク 廃止 -55°C〜150°C 表面マウント TO-236-3 2N7002 モスフェット（金属酸化物） SOT-23-3 - ROHS非準拠 未定義のベンダー 2156-2N7002-G ear99 8541.21.0095 1 nチャネル 60 V 115ma 5V、10V 7.5OHM @ 500MA 、10V 2.5V @ 250µA ±20V 50 pf @ 25 V - 200MW
NTP082N65S3F Fairchild Semiconductor NTP082N65S3F -
RFQ
 ECAD 5306 0.00000000 フェアチャイルド半導体 FRFET®、Superfet®ii バルク 廃止 -55°C〜150°C 穴を通して TO-220-3 モスフェット（金属酸化物） TO-220-3 - ROHS非準拠 未定義のベンダー 2156-NTP082N65S3F ear99 8541.29.0095 1 nチャネル 650 V 40a（tc） 10V 82mohm @ 20a 、10V 5V @ 1MA 81 NC @ 10 V ±30V 3410 pf @ 400 v - 313W
FDMS8350L Fairchild Semiconductor FDMS8350L 2.1700
RFQ
 ECAD 981 0.00000000 フェアチャイルド半導体 PowerTrench® バルク 廃止 -55°C〜150°C 表面マウント 8-powertdfn モスフェット（金属酸化物） Power56 ダウンロード ROHS非準拠 未定義のベンダー 2156-FDMS8350L ear99 8541.29.0095 139 nチャネル 40 v 47a 4.5V 、10V 0.85mohm @ 47a 、10V 3V @ 250µA 242 NC @ 10 V ±20V 17500 PF @ 20 V - 2.7W
FDB8445 Fairchild Semiconductor FDB8445 -
RFQ
 ECAD 5935 0.00000000 フェアチャイルド半導体 PowerTrench® バルク 廃止 -55°C〜175°C 表面マウント TO-263-3 モスフェット（金属酸化物） d2pak（to-263） - ROHS非準拠 未定義のベンダー 2156-FDB8445 ear99 8541.29.0095 1 nチャネル 40 v 70a 10V 9mohm @ 70a 、10V 4V @ 250µA 62 NC @ 10 V ±20V 3805 PF @ 25 V - 92W
FMM7G50US60I Fairchild Semiconductor FMM7G50US60I 28.1700
RFQ
 ECAD 31 0.00000000 フェアチャイルド半導体 - バルク 廃止 -40°C〜150°C （TJ 穴を通して モジュール 139 w 三相ブリッジ整流器 - ダウンロード ROHS非準拠 影響を受けていない 2156-FMM7G50US60I ear99 8541.29.0095 1 ブレーキ付きの3相インバーター - 600 V 50 a 2.7V @ 15V 、50a 250 µA はい 3.565 NF @ 30 V
FGA90N30DTU Fairchild Semiconductor FGA90N30DTU 2.5200
RFQ
 ECAD 70 0.00000000 フェアチャイルド半導体 - チューブ 廃止 -55°C〜150°C 穴を通して to-3p-3、SC-65-3 標準 219 W to-3p ダウンロード ROHS3準拠 ear99 8541.29.0095 30 - 21 ns - 300 V 90 a 220 a 1.4V @ 15V 、20a - 87 NC -
HUFA76413D3S Fairchild Semiconductor hufa76413d3s 0.2700
RFQ
 ECAD 8 0.00000000 フェアチャイルド半導体 ultrafet™ チューブ 廃止 -55°C〜175°C 表面マウント to-252-3 モスフェット（金属酸化物） TO-252 ダウンロード ROHS3準拠 ear99 8541.29.0095 1,800 nチャネル 60 V 20a（tc） 4.5V 、10V 49mohm @ 20a 、10V 3V @ 250µA 20 NC @ 10 V ±16V 645 PF @ 25 V - 60W （TC）
FQP5P20 Fairchild Semiconductor FQP5P20 1.0000
RFQ
 ECAD 1738 0.00000000 フェアチャイルド半導体 QFET® チューブ 廃止 -55°C〜150°C 穴を通して TO-220-3 モスフェット（金属酸化物） TO-220-3 ダウンロード ROHS3準拠 ear99 8541.29.0095 1,000 pチャネル 200 v 4.8a（tc） 10V 1.4OHM @ 2.4A 、10V 5V @ 250µA 13 NC @ 10 V ±30V 430 PF @ 25 V - 75W
FGP20N6S2D Fairchild Semiconductor FGP20N6S2D -
RFQ
 ECAD 2535 0.00000000 フェアチャイルド半導体 - チューブ 廃止 -55°C〜150°C 穴を通して TO-220-3 標準 125 w TO-220-3 ダウンロード ROHS3準拠 ear99 8541.29.0095 400 390V 、7a、25OHM、15V 31 ns - 600 V 28 a 40 a 2.7V @ 15V 、7a 25µj（on ）、 58µj（オフ） 30 NC 7.7ns/87ns
HUF75531SK8T Fairchild Semiconductor HUF75531SK8T -
RFQ
 ECAD 5192 0.00000000 フェアチャイルド半導体 ultrafet™ バルク 廃止 -55°C〜150°C 表面マウント 8-SOIC （0.154 "、幅3.90mm） モスフェット（金属酸化物） 8-SOIC ダウンロード ROHS3準拠 ear99 8541.29.0095 2,500 nチャネル 80 v 6a（ta） 10V 30mohm @ 6a 、10V 4V @ 250µA 82 NC @ 20 V ±20V 1210 pf @ 25 v - 2.5W
HUFA76429P3 Fairchild Semiconductor Hufa76429p3 -
RFQ
 ECAD 2376 0.00000000 フェアチャイルド半導体 ultrafet™ チューブ 廃止 -55°C〜175°C 穴を通して TO-220-3 モスフェット（金属酸化物） TO-220-3 ダウンロード ROHS3準拠 ear99 8541.29.0095 437 nチャネル 60 V 47a（tc） 4.5V 、10V 22mohm @ 47a 、10V 3V @ 250µA 46 NC @ 10 V ±16V 1480 PF @ 25 V - 110W
FDS6572A Fairchild Semiconductor FDS6572A 1.7300
RFQ
 ECAD 373 0.00000000 フェアチャイルド半導体 PowerTrench® バルク 廃止 -55°C〜175°C 表面マウント 8-SOIC （0.154 "、幅3.90mm） モスフェット（金属酸化物） 8-SOIC ダウンロード ROHS3準拠 ear99 8541.29.0095 2,500 nチャネル 20 v 16a（ta） 2.5V 、4.5V 6mohm @ 16a 、4.5v 1.5V @ 250µA 80 NC @ 4.5 v ±12V 5914 PF @ 10 V - 2.5W
SGP13N60UFTU Fairchild Semiconductor SGP13N60UFTU 0.2300
RFQ
 ECAD 2 0.00000000 フェアチャイルド半導体 - チューブ 廃止 -55°C〜150°C 穴を通して TO-220-3 SGP13N60 標準 60 W TO-220-3 ダウンロード ROHS3準拠 ear99 8541.29.0095 1,000 300V 、6.5A 、50OHM、15V - 600 V 13 a 52 a 2.6V @ 15V 、6.5a 85µj（95µj（オフ） 25 NC 20ns/70ns
FQU3N40TU Fairchild Semiconductor fqu3n40tu 0.5300
RFQ
 ECAD 2 0.00000000 フェアチャイルド半導体 QFET® チューブ 廃止 -55°C〜150°C 穴を通して to-251-3 モスフェット（金属酸化物） i-pak ダウンロード ROHS3準拠 ear99 8541.29.0095 70 nチャネル 400 V 2a（tc） 10V 3.4OHM @ 1A 、10V 5V @ 250µA 7.5 NC @ 10 V ±30V 230 PF @ 25 V - 2.5w
FQP2P25 Fairchild Semiconductor FQP2P25 -
RFQ
 ECAD 3576 0.00000000 フェアチャイルド半導体 QFET® チューブ 廃止 -55°C〜150°C 穴を通して TO-220-3 モスフェット（金属酸化物） TO-220-3 ダウンロード ROHS3準拠 ear99 8541.29.0095 750 pチャネル 250 v 2.3a 10V 4ohm @ 1.15a 、10V 5V @ 250µA 8.5 NC @ 10 V ±30V 250 PF @ 25 V - 52W
1N753ATR Fairchild Semiconductor 1N753ATR 0.0400
RFQ
 ECAD 79 0.00000000 フェアチャイルド半導体 - バルク 廃止 ±5％ -65°C〜200°C 穴を通して do-204ah do-35 、軸 500 MW do-35 （do-204ah） ダウンロード ROHS3準拠 ear99 8541.10.0050 5,000 1.5 V @ 200 mA 100 Na @ 1 V 6.2 v 7オーム
1N961B Fairchild Semiconductor 1N961B 3.0600
RFQ
 ECAD 62 0.00000000 フェアチャイルド半導体 - バルク 廃止 ±5％ -65°C〜200°C 穴を通して do-204ah do-35 、軸 500 MW do-35 （do-204ah） ダウンロード ROHS3準拠 ear99 8541.10.0050 99 10 µA @ 7.6 v 10 v 8.5オーム
HUF76639S3S Fairchild Semiconductor HUF76639S3S -
RFQ
 ECAD 3617 0.00000000 フェアチャイルド半導体 ultrafet™ チューブ 廃止 -55°C〜175°C 表面マウント TO-263-3 モスフェット（金属酸化物） d2pak（to-263） ダウンロード ROHS3準拠 ear99 8541.29.0095 188 nチャネル 100 V 51a（tc） 4.5V 、10V 26mohm @ 51a 、10V 3V @ 250µA 86 NC @ 10 V ±16V 2400 PF @ 25 V - 180W
FQP16N15 Fairchild Semiconductor FQP16N15 0.6400
RFQ
 ECAD 4 0.00000000 フェアチャイルド半導体 QFET® チューブ 廃止 -55°C〜175°C 穴を通して TO-220-3 モスフェット（金属酸化物） TO-220-3 ダウンロード ROHS3準拠 ear99 8541.29.0095 1,000 nチャネル 150 v 16.4a 10V 160mohm @ 8.2a 、10V 4V @ 250µA 30 NC @ 10 V ±25V 910 PF @ 25 V - 108W
HUFA76429D3S Fairchild Semiconductor hufa76429d3s 0.6000
RFQ
 ECAD 3 0.00000000 フェアチャイルド半導体 ultrafet™ チューブ 廃止 -55°C〜175°C 表面マウント to-252-3 モスフェット（金属酸化物） TO-252 ダウンロード ROHS3準拠 ear99 8541.29.0095 1,800 nチャネル 60 V 20a（tc） 4.5V 、10V 23mohm @ 20a 、10v 3V @ 250µA 46 NC @ 10 V ±16V 1480 PF @ 25 V - 110W
IRFS634B_FP001 Fairchild Semiconductor IRFS634B_FP001 0.5000
RFQ
 ECAD 6 0.00000000 フェアチャイルド半導体 - チューブ 廃止 -55°C〜150°C 穴を通して TO-220-3フルパック モスフェット（金属酸化物） TO-220F-3 ダウンロード ROHS3準拠 ear99 8541.29.0095 50 nチャネル 250 v 8.1a（tc） 10V 450mohm @ 4.05a 、10V 4V @ 250µA 38 NC @ 10 V ±30V 1000 pf @ 25 v - 38W
SGU15N40LTU Fairchild Semiconductor SGU15N40LTU 0.8000
RFQ
 ECAD 11 0.00000000 フェアチャイルド半導体 - チューブ 廃止 -40°C〜150°C （TJ 穴を通して to-251-3 SGU15 標準 45 W i-pak ダウンロード ROHS3準拠 ear99 8541.29.0095 70 - 溝 400 V 130 a 8V @ 4.5V 、130a - -
SGW23N60UFDTM Fairchild Semiconductor SGW23N60UFDTM 0.8300
RFQ
 ECAD 48 0.00000000 フェアチャイルド半導体 - バルク 廃止 -55°C〜150°C 表面マウント TO-263-3 SGW23 標準 100 W d2pak（to-263） ダウンロード ROHS3準拠 ear99 8541.29.0095 800 300V、12a 、23ohm、15V 60 ns - 600 V 23 a 92 a 2.6V @ 15V 、12a 115µj（135µj （オフ） 49 NC 17ns/60ns
SS9015ABU Fairchild Semiconductor SS9015ABU 0.0200
RFQ
 ECAD 3817 0.00000000 フェアチャイルド半導体 - バルク 廃止 150°C （TJ） 穴を通して TO-226-3 450 MW to-92-3 ダウンロード ROHS3準拠 2156-SS9015ABU-FS ear99 8541.21.0075 1,000 45 v 100 Ma 50na（icbo） PNP 700MV @ 5MA 、100mA 60 @ 1MA 、5V 190MHz
FDS7060N7 Fairchild Semiconductor FDS7060N7 1.6000
RFQ
 ECAD 4 0.00000000 フェアチャイルド半導体 PowerTrench® バルク 廃止 -55°C〜150°C 表面マウント 8-SOIC （0.154 "、幅3.90mm） モスフェット（金属酸化物） 8-SO ダウンロード ROHS3準拠 ear99 8541.29.0095 188 nチャネル 30 V 19a（ta） 4.5V 、10V 5mohm @ 19a 、10V 3V @ 250µA 56 NC @ 5 V ±20V 3274 PF @ 15 V - 3W
FQB2P25TM Fairchild Semiconductor FQB2P25TM -
RFQ
 ECAD 8715 0.00000000 フェアチャイルド半導体 QFET® バルク 廃止 -55°C〜150°C 表面マウント TO-263-3 モスフェット（金属酸化物） d2pak（to-263） ダウンロード ROHS3準拠 ear99 8541.29.0095 800 pチャネル 250 v 2.3a 10V 4ohm @ 1.15a 、10V 5V @ 250µA 8.5 NC @ 10 V ±30V 250 PF @ 25 V - 3.13W （TA ）、52W（TC）
FGA15N120FTDTU Fairchild Semiconductor FGA15N120FTDTU -
RFQ
 ECAD 3612 0.00000000 フェアチャイルド半導体 - チューブ 廃止 -55°C〜150°C 穴を通して to-3p-3、SC-65-3 FGA15N120 標準 220 W to-3p ダウンロード ROHS3準拠 ear99 8541.29.0095 30 - 575 ns トレンチフィールドストップ 1200 v 30 a 45 a 2V @ 15V、15a - 100 NC -
FDI33N25TU Fairchild Semiconductor FDI33N25TU 1.0000
RFQ
 ECAD 7880 0.00000000 フェアチャイルド半導体 unifet™ チューブ 廃止 -55°C〜150°C 穴を通して To-262-3 Long Leads モスフェット（金属酸化物） i2pak（to-262） ダウンロード ROHS3準拠 ear99 8541.29.0095 50 nチャネル 250 v 33a 10V 94mohm @ 16.5a 、10V 5V @ 250µA 48 NC @ 10 V ±30V 2135 PF @ 25 V - 235W （TC）
FDS7064N7 Fairchild Semiconductor FDS7064N7 1.0000
RFQ
 ECAD 8665 0.00000000 フェアチャイルド半導体 PowerTrench® バルク 廃止 -55°C〜150°C 表面マウント 8-SOIC （0.154 "、幅3.90mm） モスフェット（金属酸化物） 8-SO ダウンロード ROHS3準拠 ear99 8541.29.0095 2,500 nチャネル 30 V 16.5a 4.5V 7mohm @ 16.5a 、4.5V 2V @ 250µA 48 NC @ 4.5 v ±12V 3355 PF @ 15 V - 3W
FQPF3N80CYDTU Fairchild Semiconductor fqpf3n80cydtu 0.6600
RFQ
 ECAD 1 0.00000000 フェアチャイルド半導体 QFET® チューブ 廃止 -55°C〜150°C 穴を通して TO-220-3 フルパック、形成されたリード モスフェット（金属酸化物） TO-220F-3 ダウンロード ROHS3準拠 ear99 8541.29.0095 50 nチャネル 800 V 3a（tc） 10V 4.8OHM @ 1.5A 、10V 5V @ 250µA 16.5 NC @ 10 V ±30V 705 PF @ 25 V - 39W （TC）
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    毎日の平均RFQボリューム

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    標準製品ユニット

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    世界的なメーカー

  • In-stock Warehouse

    15,000 m2

    在庫倉庫

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AD9208BBPZ-3000

196-LFBGA露出パッド

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