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離散半導体製品（6716）

製品番号	価格（USD）	量	利用可能な数量	MFR	シリーズ	パッケージ	製品ステータス	許容範囲	動作温度	取り付けタイプ	パッケージ /ケース	基本製品番号	テクノロジー	パワー -マックス	入力	サプライヤーデバイスパッケージ	データシート	ROHSステータス	水分感度レベル（MSL）	ステータスに到達します	ECCN	htsus	標準パッケージ	構成	スピード	フェットタイプ	現在-hold（ihmax）	電源（ VDSS ）への排水	電流 -連続排水（ID @ @ 25°C	ドライブ電圧（最大rds onmin rds on	rds on max） @ id vgs	vgs	ゲートチャージ（ QG	VGS （最大）	ciss ）（ max @ vds	フェット機能	電力散逸（最大）	トライアックタイプ	電圧 -状態外	電圧 -ゲートトリガー（ vgt ）（最大）	現在 -非担当者サージ50、60Hz	現在 -ゲートトリガー（ Igt ）（最大）	ダイオード構成	電圧-DC リバース（ VR ）（最大）	現在 -平均修正（ io ）（ダイオードあたり）	電圧 -フォワード（ vf ）（ max @ if	逆回復時間（ trr）	現在 - @ vr	動作温度 -ジャンクション	現在 -平均修正（ io）	容量 @ vr、f	IGBTタイプ	電圧 -コレクターエミッタの分解（最大）	現在 -コレクター（IC ）（最大）	vce（on max） @ vge	ダイオードタイプ	電圧 -ピークリバース（最大）	電圧 -破壊（ V	現在の - ドレイン（IDSS @ vds（vgs = 0）	電圧-Cutoff（ VGSオフ） @ id	現在 -コレクターカットオフ（最大）	NTCサーミスタ	電圧zener	インピーダンス（最大）（ ZZT）	入力容量（ cies @ vce	抵抗-RDS （オン）	トランジスタタイプ	vce 飽和（max @ ib、ic	DC電流ゲイン	頻度 -遷移
1N821A	-	RFQ	2638	Microsemi Corporation	-	バッグ	アクティブ	±1％	-65°C〜175°C	穴を通して	do-204ah do-35 、軸	1N821		500 MW		do-35 （do-204ah）	ダウンロード	ROHS非準拠	1 （無制限）	影響を受けていない	ear99	8541.10.0050	100																									2 µA @ 3 V															6.2 v	10オーム
APT40SM120B	-	RFQ	7432	Microsemi Corporation	-	バルク	廃止		-55°C〜175°C	穴を通して	TO-247-3		sicfet （炭化シリコン）			TO-247	-		1 （無制限）	影響を受けていない	ear99	8541.29.0095	100			nチャネル		1200 v	41a（tc）	20V	100mohm @ 20a 、20V	3V @ 1MA（タイプ）	130 NC @ 20 V	+25V、-10V	2560 PF @ 1000 V	-	273W
MC5616	-	RFQ	9683	Microsemi Corporation	-	バルク	アクティブ			穴を通して	s 、軸	MC5616	標準			s 、軸	ダウンロード	ROHS非準拠	1 （無制限）	影響を受けていない	ear99	8541.10.0080	1		高速回復= <500ns																			3000 V		6 V @ 100 Ma	300 ns	1 µA @ 3000 V	-65°C〜150°C	570ma	-
MS2N4931	257.6300	RFQ	3	Microsemi Corporation	-	バルク	sicで中止されました		-	-	-					-	-	ROHS非準拠	1 （無制限）	影響を受けていない	ear99	8541.29.0095	1																																						-						-	-	-	-
1N4734a	-	RFQ	9354	Microsemi Corporation	-	バルク	アクティブ	±5％	-65°C〜200°C	穴を通して	DO-204AL 、DO-41 、軸	1N4734		1 W		do-204al（do-41）	ダウンロード	ROHS非準拠	1 （無制限）	影響を受けていない	ear99	8541.10.0050	1																									10 µA @ 2 V															5.6 v	5オーム
UZ7756L	75.4800	RFQ	13	Microsemi Corporation	-	バルク	アクティブ	±5％	-65°C〜175°C	穴を通して	軸	UZ7756		6 W		-	ダウンロード	ROHS非準拠	1 （無制限）	影響を受けていない	ear99	8541.10.0050	1																									10 µA @ 42.6 v															56 v	30オーム
jantxv1n6660r	-	RFQ	6192	Microsemi Corporation	軍事、MIL-PRF-19500/608	バルク	sicで中止されました			穴を通して	TO-254-3	1N6660	ショットキー			TO-254AA	ダウンロード	ROHS非準拠	1 （無制限）	影響を受けていない	ear99	8541.10.0080	1		高速回復= <500ns																		1ペア共通カソード	45 v	15a	750 mV @ 15 a		1 MA @ 45 v	-65°C〜150°C
Jan2N1489	-	RFQ	3559	Microsemi Corporation	軍事、MIL-PRF-19500/208	バルク	廃止		200°C （TJ）	穴を通して	to-204aa、to-3			75 W		to-33（to-204aa	-	ROHS非準拠	1 （無制限）	影響を受けていない	ear99	8541.29.0095	1																														40 v	6 a							25µa（icbo）						npn	3V @ 300MA 、1.5a	25 @ 1.5a 、4V	-
jantx2n3251aub	-	RFQ	1639	Microsemi Corporation	軍事、MIL-PRF-19500/323	バルク	廃止		-65°C〜200°C （TJ）	表面マウント	3-SMD 、リードなし	2N3251		360 MW		ub	ダウンロード	ROHS非準拠	1 （無制限）	影響を受けていない	ear99	8541.21.0095	1																														60 V	200 ma							10µa（icbo）						PNP	500MV @ 5MA 、50mA	100 @ 10ma、1V	-
jantx2n4093ub	126.9800	RFQ	88	Microsemi Corporation	軍事、MIL-PRF-19500/431	バルク	アクティブ		-	表面マウント	3-SMD 、リードなし	2N4093		360 MW		ub	-	ROHS非準拠	1 （無制限）	影響を受けていない	ear99	8541.21.0095	1			nチャネル		40 v							16pf @ 20V																							40 v	8 ma @ 20 v							80オーム
JANTX2N4857	-	RFQ	1811	Microsemi Corporation	-	バルク	廃止		-65°C〜200°C （TJ）	穴を通して	to-206aa			360 MW		TO-18	ダウンロード	ROHS非準拠	1 （無制限）	影響を受けていない	ear99	8541.21.0095	1			nチャネル		40 v							18pf @ 10v																							40 v	100 mA @ 15 V	6 V @ 500 PA						40オーム
JANTX2N685	-	RFQ	7260	Microsemi Corporation	-	バルク	廃止		-65°C〜125°C	スタッドマウント	to-208aa、to-48-3					to-208aa	ダウンロード	ROHS非準拠	1 （無制限）	影響を受けていない	ear99	8541.30.0080	1	シングル			50 Ma											標準	200 v	3 v	-	35 Ma
APTM120DDA57T3G	-	RFQ	9838	Microsemi Corporation	-	バルク	廃止		-40°C〜150°C （TJ	シャーシマウント	SP3	APTM120	モスフェット（金属酸化物）	390W		SP3	ダウンロード		1 （無制限）		ear99	8541.29.0095	1	2 nチャンネル（デュアル）				1200V（1.2kv）	17a		684mohm @ 8.5a 、10V	5V @ 2.5MA	187nc @ 10V		5155pf @ 25V	-
APTM120H57FT3G	-	RFQ	8333	Microsemi Corporation	-	バルク	廃止		-40°C〜150°C （TJ	シャーシマウント	SP3	APTM120	モスフェット（金属酸化物）	390W		SP3	ダウンロード		1 （無制限）	影響を受けていない	ear99	8541.29.0095	1	4 nチャネル（ハーフブリッジ）				1200V（1.2kv）	17a		684mohm @ 8.5a 、10V	5V @ 2.5MA	187nc @ 10V		5155pf @ 25V	-
APTM120SK56T1G	-	RFQ	5832	Microsemi Corporation	-	バルク	廃止		-40°C〜150°C （TJ	シャーシマウント	SP1		モスフェット（金属酸化物）			SP1	ダウンロード		1 （無制限）		ear99	8541.29.0095	1			nチャネル		1200 v	18a（tc）	10V	672mohm @ 14a 、10V	5V @ 2.5MA	300 NC @ 10 V	±30V	7736 PF @ 25 V	-	390W
aptm20dam10tg	-	RFQ	4061	Microsemi Corporation	-	バルク	廃止		-40°C〜150°C （TJ	シャーシマウント	SP4		モスフェット（金属酸化物）			SP4	ダウンロード		1 （無制限）	影響を受けていない	ear99	8541.29.0095	1			nチャネル		200 v	175a	10V	12mohm @ 87.5a 、10V	5V @ 5MA	224 NC @ 10 V	±30V	13700 PF @ 25 V	-	694W
APTM20DHM10G	-	RFQ	1853	Microsemi Corporation	-	バルク	廃止		-40°C〜150°C （TJ	シャーシマウント	SP6	aptm20	モスフェット（金属酸化物）	694W		SP6	ダウンロード		1 （無制限）	影響を受けていない	ear99	8541.29.0095	1	2 n チャネル（デュアル）非対称				200V	175a		12mohm @ 87.5a 、10V	5V @ 5MA	224NC @ 10V		13700pf @ 25V	-
aptm20dhm16tg	-	RFQ	4225	Microsemi Corporation	-	バルク	sicで中止されました		-40°C〜150°C （TJ	シャーシマウント	SP4	aptm20	モスフェット（金属酸化物）	390W		SP4	ダウンロード	ROHS準拠	1 （無制限）		ear99	8541.29.0095	1	2 n チャネル（デュアル）非対称				200V	104a		19mohm @ 52a 、10V	5V @ 2.5MA	140NC @ 10V		7220pf @ 25V	-
aptm20dum10tg	-	RFQ	3956	Microsemi Corporation	-	バルク	廃止		-40°C〜150°C （TJ	シャーシマウント	SP4	aptm20	モスフェット（金属酸化物）	694W		SP4	ダウンロード		1 （無制限）	影響を受けていない	ear99	8541.29.0095	1	2 nチャンネル（デュアル）				200V	175a		12mohm @ 87.5a 、10V	5V @ 5MA	224NC @ 10V		13700pf @ 25V	-
aptm50am19stg	-	RFQ	6793	Microsemi Corporation	-	バルク	sicで中止されました		-40°C〜150°C （TJ	シャーシマウント	SP4	APTM50	炭化シリコン（原文）	1250W		SP4	ダウンロード	ROHS準拠	1 （無制限）		ear99	8541.29.0095	1	2 nチャンネル（ハーフブリッジ）				500V	170a		19mohm @ 85a 、10V	5V @ 10MA	492NC @ 10V		22400PF @ 25V	-
Aptm50am25ftg	-	RFQ	5980	Microsemi Corporation	-	バルク	sicで中止されました		-40°C〜150°C （TJ	シャーシマウント	SP4	APTM50	モスフェット（金属酸化物）	1250W		SP4	ダウンロード	ROHS準拠	1 （無制限）		ear99	8541.29.0095	1	2 nチャンネル（ハーフブリッジ）				500V	149a		25mohm @ 74.5a 、10V	4V @ 8MA	1200NC @ 10V		29600PF @ 25V	-
Aptm50am70ft1g	-	RFQ	6015	Microsemi Corporation	-	バルク	廃止		-40°C〜150°C （TJ	シャーシマウント	SP1	APTM50	モスフェット（金属酸化物）	390W		SP1	ダウンロード		1 （無制限）	影響を受けていない	ear99	8541.29.0095	1	2 nチャンネル（ハーフブリッジ）				500V	50a		84mohm @ 42a 、10V	5V @ 2.5MA	340NC @ 10V		10800PF @ 25V	-
APTM50DHM35G	-	RFQ	4534	Microsemi Corporation	-	バルク	廃止		-40°C〜150°C （TJ	シャーシマウント	SP6	APTM50	モスフェット（金属酸化物）	781W		SP6	ダウンロード		1 （無制限）		ear99	8541.29.0095	1	2 n チャネル（デュアル）非対称				500V	99a		39mohm @ 49.5a 、10V	5V @ 5MA	280NC @ 10V		14000pf @ 25V	-
APTM50TDUM65PG	-	RFQ	7413	Microsemi Corporation	-	バルク	廃止		-40°C〜150°C （TJ	シャーシマウント	SP6	APTM50	モスフェット（金属酸化物）	390W		SP6-P	ダウンロード		1 （無制限）	影響を受けていない	ear99	8541.29.0095	1	6 N-Channel（3 フェーズブリッジ）				500V	51a		78mohm @ 25.5a 、10V	5V @ 2.5MA	140NC @ 10V		7000pf @ 25V	-
APTC60DAM24T1G	-	RFQ	4965	Microsemi Corporation	-	バルク	廃止		-40°C〜150°C （TJ	シャーシマウント	SP1		モスフェット（金属酸化物）			SP1	ダウンロード		1 （無制限）	影響を受けていない	ear99	8541.29.0095	1			nチャネル		600 V	95a	10V	24mohm @ 47.5a 、10V	3.9V @ 5MA	300 NC @ 10 V	±20V	14400 PF @ 25 V	-	462W
APTC60DSKM35T3G	-	RFQ	3658	Microsemi Corporation	-	バルク	廃止		-40°C〜150°C （TJ	シャーシマウント	SP3	APTC60	モスフェット（金属酸化物）	416W		SP3	-		1 （無制限）	影響を受けていない	ear99	8541.29.0095	1	2 nチャンネル（デュアル）				600V	72a		35mohm @ 72a 、10V	3.9V @ 5.4ma	518NC @ 10V		14000pf @ 25V	-
APTC80DSK29T3G	-	RFQ	6852	Microsemi Corporation	-	バルク	廃止		-40°C〜150°C （TJ	シャーシマウント	SP3	APTC80	モスフェット（金属酸化物）	156W		SP3	ダウンロード		1 （無制限）	影響を受けていない	ear99	8541.29.0095	1	2 nチャンネル（デュアル）				800V	15a		290mohm @ 7.5a 、10V	3.9V @ 1MA	90NC @ 10V		2254pf @ 25V	-
APTDF100H120G	-	RFQ	5216	Microsemi Corporation	-	バルク	sicで中止されました		-40°C〜175°C	シャーシマウント	SP4		標準			SP4	ダウンロード	ROHS準拠	1 （無制限）		ear99	8541.10.0080	1																							3 V @ 100 a		100 µA @ 1200 V		120 a						単相	1.2 kv
APTDF200H20G	-	RFQ	5917	Microsemi Corporation	-	バルク	廃止		-40°C〜175°C	シャーシマウント	SP6		標準			SP6	ダウンロード		1 （無制限）		ear99	8541.10.0080	1																							3 V @ 200 a		150 µA @ 1200 V		285 a						単相	200 v
APTGF15A120T1G	-	RFQ	8942	Microsemi Corporation	-	バルク	廃止		-	シャーシマウント	SP1			140 w	標準	SP1	ダウンロード		1 （無制限）		ear99	8541.29.0095	1	ハーフブリッジ																												npt	1200 v	25 a	3.7V @ 15V、15a						250 µA	はい			1 NF @ 25 V

2000+
毎日の平均RFQボリューム
30,000,000
標準製品ユニット
2800+
世界的なメーカー
15,000 m²
在庫倉庫

離散半導体製品（6716）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²