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離散半導体製品（225）

製品番号	価格（USD）	量	利用可能な数量	MFR	シリーズ	パッケージ	製品ステータス	電圧 -定格	取り付けタイプ	パッケージ /ケース	基本製品番号	頻度	テクノロジー	サプライヤーデバイスパッケージ	データシート	ROHSステータス	水分感度レベル（MSL）	ステータスに到達します	ECCN	htsus	標準パッケージ	構成	現在の評価（ amp）	現在 -テスト	電力 -出力	得	ノイズ図	電圧 -テスト
MRF8S9100HSR3	66.8800	RFQ	138	フリースケール半導体	-	バルク	アクティブ	70 v		NI-780S	MRF8	920MHz	ldmos	NI-780S	ダウンロード	適用できない	1 （無制限）	影響を受けていない	ear99	8541.29.0075	1		-	500 Ma	72W	19.3db	-	28 v
MRF21030LR5	-	RFQ	4860	フリースケール半導体	-	バルク	アクティブ	65 v		NI-400	MRF21	2.14GHz	ldmos	NI-400	-	ROHS3準拠	3 （168 時間）	未定義のベンダー			6		-	250 Ma	30W	13dB	-	28 v
MRF7S21150HSR3	112.0100	RFQ	650	フリースケール半導体	-	バルク	アクティブ	65 v		NI-780S	MRF7	2.11GHz〜2.17GHz	ldmos	NI-780S	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない	ear99	8541.29.0075	250		-	1.35 a	44W	17.5dB	-	28 v
MRF6S21190HR3	149.4500	RFQ	75	フリースケール半導体	-	バルク	アクティブ	68 v		NI-880	MRF6	2.11GHz〜2.17GHz	ldmos	NI-880	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない	ear99	0000.00.0000	1		-	1.6 a	54W	16dB	-	28 v
MRF1K50HR5178	212.7600	RFQ	181	フリースケール半導体	-	バルク	アクティブ	135 v	シャーシマウント	SOT-979A		1.8MHz〜500MHz	ldmos	NI-1230-4H	ダウンロード	適用できない	1 （無制限）	未定義のベンダー	ear99	8542.39.0001	1	デュアル	20µA	100 Ma	1500W	23.7db	-	50 v
MRF21125R3	122.1100	RFQ	809	フリースケール半導体	-	バルク	アクティブ	65 v	シャーシマウント	SOT-957A		2.11GHz〜2.17GHz	モスフェット	NI-880H-2L	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	未定義のベンダー	ear99	0000.00.0000	250	nチャネル	10µA	1.6 a	125W	13dB	-	28 v
MRF6VP3091NBR1	80.3700	RFQ	127	フリースケール半導体	-	バルク	アクティブ	115 v		TO-272bb	MRF6	860MHz	ldmos	TO-272 WB-4	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない	ear99	8541.29.0075	1	デュアル	-	350 Ma	18W	22dB	-	50 v
MRF7S21080HSR3	-	RFQ	4782	フリースケール半導体	-	バルク	アクティブ	65 v	シャーシマウント	NI-780S		2.11GHz〜2.17GHz	ldmos	NI-780S	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない	ear99	8541.29.0075	250		10µA	800 Ma	22W	18db	-	28 v
MRF21010LR1	39.4200	RFQ	2	フリースケール半導体	-	バルク	アクティブ	65 v		NI-360	MRF21	2.17GHz	ldmos	NI-360	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない	ear99	0000.00.0000	1		-	100 Ma	10W	13.5dB	-	28 v
MRF1550NT1	-	RFQ	9523	フリースケール半導体	-	バルク	アクティブ	40 v		TO-272AA	MRF15	175MHz	ldmos	TO-272-6	-	適用できない	3 （168 時間）	影響を受けていない	ear99	8541.29.0075	1		12a	500 Ma	50W	14.5dB	-	12.5 v
MRF6S19120HR5	92.1300	RFQ	50	フリースケール半導体	-	バルク	アクティブ	68 v		SOT-957A	MRF6	1.99GHz	ldmos	NI-780H-2L	-	ROHS3準拠	3 （168 時間）	未定義のベンダー	ear99	8542.39.0001	1		-	1 a	19W	15dB	-	28 v
MRF6V13250HR5	454.7400	RFQ	274	フリースケール半導体	-	バルク	アクティブ	120 v		SOT-957A	MRF6	1.3GHz	ldmos	NI-780H-2L	ダウンロード	適用できない	1 （無制限）	影響を受けていない	ear99	8541.29.0075	1		-	100 Ma	250W	22.7db	-	50 v
MRF8S18260HSR6	147.9900	RFQ	6	フリースケール半導体	-	バルク	アクティブ	65 v	シャーシマウント	NI-1230S-4S4S		1.805GHz1.88GHz	ldmos	NI-1230S-4S4S	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない	ear99	8541.29.0075	1		10µA	1.6 a	74W	17.9db	-	30 V
MRF5S4140HR3	72.6600	RFQ	248	フリースケール半導体	-	バルク	アクティブ	65 v		SOT-957A	MRF5	465MHz	ldmos	NI-780H-2L	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない	ear99	0000.00.0000	1		-	1.25 a	28W	21dB	-	28 v
MRF6S23100HSR3	74.8400	RFQ	34	フリースケール半導体	-	バルク	アクティブ	68 v	シャーシマウント	NI-780S		2.3GHz〜2.4GHz	ldmos	NI-780S	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない	ear99	0000.00.0000	1		10µA	1 a	20W	15.4db	-	28 v
MRF19085LR3	163.5600	RFQ	220	フリースケール半導体	-	バルク	アクティブ	65 v		SOT-957A	MRF19	1.93GHz1.99GHz	ldmos	NI-780H-2L	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない	ear99	0000.00.0000	1		-	850 Ma	18W	13dB	-	26 v
MRF8S21200HR6	103.4900	RFQ	242	フリースケール半導体	-	バルク	アクティブ	65 v		NI-1230	MRF8	2.14GHz	ldmos	NI-1230	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	未定義のベンダー	5A991	8541.29.0075	1	デュアル	-	1.4 a	48W	18.1db	-	28 v
MRF8P20160HSR3	164.6200	RFQ	2	フリースケール半導体	-	バルク	アクティブ	65 v		NI-780S-4	MRF8	1.92GHz	ldmos	NI-780S-4	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない	ear99	8541.29.0075	250	デュアル	-	550 Ma	37W	16.5dB	-	28 v
MRF7S19100NR1	47.5300	RFQ	3	フリースケール半導体	-	バルク	アクティブ	65 v		TO-270AB	MRF7	1.93GHz1.99GHz	ldmos	TO-270 WB-4	ダウンロード	ROHS3準拠	3 （168 時間）	未定義のベンダー	ear99	8541.29.0075	500		-	1 a	29W	17.5dB	-	28 v
MRF5P21240HR6	162.4100	RFQ	9	フリースケール半導体	-	バルク	アクティブ	65 v	シャーシマウント	NI-1230		2.11GHz〜2.17GHz	ldmos	NI-1230	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	未定義のベンダー	ear99	0000.00.0000	150		10µA	2.2 a	52W	13dB	-	28 v
MRF5P21045NR1	41.5000	RFQ	3	フリースケール半導体	-	バルク	アクティブ	65 v	表面マウント	TO-270AB		2.11GHz〜2.17GHz	ldmos	TO-270 WB-4	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	未定義のベンダー	ear99	0000.00.0000	500	デュアル	10µA	500 Ma	10W	14.5dB	-	28 v
MRF5P21180HR5	138.1700	RFQ	30	フリースケール半導体	-	バルク	アクティブ	65 v		NI-1230	MRF5	2.16GHz	ldmos	NI-1230	-	ROHS3準拠	3 （168 時間）	未定義のベンダー	ear99	8542.39.0001	1		-	1.6 a	38W	14db	-	28 v
MRF1570FT1	34.1300	RFQ	423	フリースケール半導体	-	バルク	アクティブ	40 v	シャーシマウント	TO-272-8		470MHz	モスフェット	TO-272-8	ダウンロード	ROHS非準拠	1 （無制限）	影響を受けた	ear99	0000.00.0000	500	nチャネル	1µA	800 Ma	70W	10db	-	12.5 v
MRF6S18140HR5	112.6200	RFQ	51	フリースケール半導体	-	バルク	アクティブ	68 v		NI-880	MRF6	1.88GHz	ldmos	NI-880	-	ROHS3準拠	3 （168 時間）	未定義のベンダー	ear99	8542.39.0001	1		-	1.2 a	29W	16dB	-	28 v
MRFE6VP6300HSR3	-	RFQ	4544	フリースケール半導体	-	バルク	アクティブ	130 v		NI-780S-4	Mrfe6	230MHz	ldmos	NI-780S-4	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	未定義のベンダー	ear99	8541.29.0075	1	デュアル	-	100 Ma	300W	26.5dB	-	50 v
MRF6V2150NBR5	-	RFQ	8123	フリースケール半導体	-	バルク	アクティブ	110 v		TO-272bb	MRF6	220MHz	ldmos	TO-272 WB-4	ダウンロード	ROHS3準拠	3 （168 時間）	影響を受けていない	ear99	8541.29.0075	50		-	450 Ma	150W	25dB	-	50 v
MRF6VP121KHR5178	-	RFQ	7058	フリースケール半導体	-	バルク	アクティブ	110 v	シャーシマウント	NI-1230		965MHz〜1.215GHz	ldmos	NI-1230	ダウンロード	適用できない	1 （無制限）	未定義のベンダー			1	デュアル	100µA	150 Ma	1000W	21.4db	-	50 v
MRF7S21110HR5	-	RFQ	5602	フリースケール半導体	-	バルク	アクティブ	65 v		SOT-957A	MRF7	2.17GHz	ldmos	NI-780H-2L	-	適用できない	3 （168 時間）	未定義のベンダー			3		-	1.1 a	33W	17.3db	-	28 v
MRF8S18120HR3	65.1500	RFQ	431	フリースケール半導体	-	バルク	アクティブ	65 v		SOT-957A	MRF8	1.81GHz	ldmos	NI-780H-2L	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	未定義のベンダー	5A991	8541.29.0075	250		-	800 Ma	72W	18.2db	-	28 v
MRF5S19100HR	62.3800	RFQ	50	フリースケール半導体	*	バルク	アクティブ								-	適用できない	3 （168 時間）	未定義のベンダー	ear99	8542.39.0001	50

2000+
毎日の平均RFQボリューム
30,000,000
標準製品ユニット
2800+
世界的なメーカー
15,000 m²
在庫倉庫

離散半導体製品（225）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²