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離散半導体製品（1081）

製品番号	価格（USD）	量	利用可能な数量	MFR	シリーズ	パッケージ	製品ステータス	動作温度	取り付けタイプ	パッケージ /ケース	基本製品番号	入力タイプ	テクノロジー	パワー -マックス	サプライヤーデバイスパッケージ	データシート	ROHSステータス	水分感度レベル（MSL）	ステータスに到達します	ECCN	htsus	標準パッケージ	構成	スピード	フェットタイプ	テスト条件	電源（ VDSS ）への排水	電流 -連続排水（ID @ @ 25°C	ドライブ電圧（最大rds onmin rds on	rds on max） @ id vgs	vgs	ゲートチャージ（ QG	VGS （最大）	ciss ）（ max @ vds	フェット機能	電力散逸（最大）	電圧-DC リバース（ VR ）（最大）	電圧 -フォワード（ vf ）（ max @ if	逆回復時間（ trr）	現在 - @ vr	動作温度 -ジャンクション	現在 -平均修正（ io）	容量 @ vr、f	IGBTタイプ	電圧 -コレクターエミッタの分解（最大）	現在 -コレクター（IC ）（最大）	現在 -コレクターパルス（ icm）	vce（on max） @ vge	エネルギーの切り替え	ゲートチャージ	TD （オン/オフ） @ 25°C	ダイオードタイプ	電圧 -ピークリバース（最大）	現在 -コレクターカットオフ（最大）	トランジスタタイプ	vce 飽和（max @ ib、ic	DC電流ゲイン	頻度 -遷移
RF1S25N06SM	0.6000	RFQ	3	ハリスコーポレーション	-	バルク	アクティブ	-	表面マウント	TO-263-3			モスフェット（金属酸化物）		TO-263AB	ダウンロード	ROHS非準拠	1 （無制限）	未定義のベンダー	ear99	8541.29.0095	1			nチャネル		60 V	25a	-	-	-		-		-	-
RF1S540SM	2.0600	RFQ	7689	ハリスコーポレーション	-	バルク	アクティブ	-55°C〜175°C	表面マウント	TO-263-3			モスフェット（金属酸化物）		TO-263AB	ダウンロード	ROHS非準拠	1 （無制限）	未定義のベンダー	ear99	8541.29.0095	3			nチャネル		100 V	28a（tc）	10V	77mohm @ 17a 、10V	4V @ 250µA	59 NC @ 10 V	±20V	1450 PF @ 25 V	-	150W
RF1S30N06LESM9A	-	RFQ	2645	ハリスコーポレーション	-	バルク	アクティブ									ダウンロード	適用できない	1 （無制限）	未定義のベンダー			800
RF1S22N10SM	0.7900	RFQ	3	ハリスコーポレーション	-	バルク	アクティブ	-	表面マウント	TO-263-3			モスフェット（金属酸化物）		TO-263AB	ダウンロード	ROHS非準拠	1 （無制限）	未定義のベンダー	ear99	8541.29.0095	1			nチャネル		100 V	22a	-	-	-		-		-	-
RFL1P08	0.5200	RFQ	2428	ハリスコーポレーション	-	バルク	アクティブ	-55°C〜150°C	穴を通して	To-205af Metal Can			モスフェット（金属酸化物）		to-205af（to-39）	ダウンロード	ROHS非準拠	1 （無制限）	未定義のベンダー	ear99	8541.29.0095	4			pチャネル		80 v	1a（tc）	10V	3.65OHM @ 1A 、10V	4V @ 250µA		±20V	150 PF @ 25 V	-	8.33W
RFH10N50	3.9100	RFQ	302	ハリスコーポレーション	-	バルク	アクティブ	-55°C〜150°C	穴を通して	TO-218-3 分離タブ、 TO-218AC			モスフェット（金属酸化物）		TO-218隔離	ダウンロード	ROHS非準拠	1 （無制限）	未定義のベンダー	ear99	8541.29.0095	1			nチャネル		500 V	10a（tc）	10V	600mohm @ 5a 、10V	4V @ 1MA		±20V	3000 pf @ 25 v	-	150W
RFD16N03LSM	1.1300	RFQ	2	ハリスコーポレーション	-	バルク	アクティブ	-	表面マウント	to-252-3			モスフェット（金属酸化物）		TO-252-3	ダウンロード	ROHS非準拠	1 （無制限）	未定義のベンダー	ear99	8541.29.0095	1			nチャネル		30 V	16a	-	-	-		-		-	-
RF1S30P06SM	-	RFQ	8263	ハリスコーポレーション	-	バルク	アクティブ	-	表面マウント	TO-263-3			モスフェット（金属酸化物）		TO-263AB	ダウンロード	ROHS非準拠	1 （無制限）	未定義のベンダー	ear99	8541.29.0095	1			pチャネル		60 V	30a	-	-	-		-		-	-
RFD8P05SM9A	0.9200	RFQ	3	ハリスコーポレーション	-	バルク	アクティブ									ダウンロード	適用できない	1 （無制限）	未定義のベンダー	ear99	8541.29.0095	325
RF1S15N08L	0.6500	RFQ	800	ハリスコーポレーション	-	バルク	アクティブ	-	表面マウント	TO-263-3			モスフェット（金属酸化物）		TO-263AB	ダウンロード	適用できない	3 （168 時間）	未定義のベンダー	ear99	8542.39.0001	1			nチャネル		80 v	45a	-	-	-		-		-	-
RF1S17N06LSM	0.6500	RFQ	4	ハリスコーポレーション	-	バルク	アクティブ	-	表面マウント	TO-263-3			モスフェット（金属酸化物）		TO-263AB	ダウンロード	適用できない	3 （168 時間）	未定義のベンダー	ear99	8542.39.0001	1			nチャネル		60 V	17a	-	-	-		-		-	-
RF1S45N06LESM9A	0.9500	RFQ	1	ハリスコーポレーション	-	バルク	アクティブ									ダウンロード	適用できない	1 （無制限）	未定義のベンダー	ear99	8541.29.0095	317
RUR860	-	RFQ	2897	ハリスコーポレーション	-	バルク	アクティブ		穴を通して	TO-220-2			標準		TO-220AC	ダウンロード	ROHS非準拠	1 （無制限）	影響を受けた	ear99	8541.10.0080	426		高速回復= <500ns													600 V	1.5 V @ 8 a	60 ns	10 µA @ 600 V	-65°C〜175°C	8a	-
HGT1S12N60C3R	1.3100	RFQ	1	ハリスコーポレーション	-	バルク	アクティブ	-55°C〜150°C	穴を通して	To-262-3 Long Leads		標準		104 w	i2pak（to-262）	ダウンロード	ROHS非準拠	1 （無制限）	未定義のベンダー	ear99	8541.29.0095	1				480v													37 ns					-	600 V	24 a	48 a	2.2V @ 15V 、12a	400µj（オン）、340µJ	71 NC	37ns/120ns
IRF331	2.3700	RFQ	4	ハリスコーポレーション	-	バルク	アクティブ	-55°C〜150°C	穴を通して	to-204aa、to-3			モスフェット（金属酸化物）		to-3	ダウンロード	ROHS非準拠	1 （無制限）	未定義のベンダー	ear99	8541.29.0095	1			nチャネル		350 V	5.5a（tc）	10V	1OHM @ 3A 、10V	4V @ 250µA	35 NC @ 10 V	±20V	700 PF @ 25 V	-	75W
BUX12	7.4800	RFQ	98	ハリスコーポレーション	*	バルク	アクティブ									ダウンロード	ROHS非準拠	1 （無制限）	未定義のベンダー	ear99	8541.29.0095	1
HGTG27N60C3DR	5.9600	RFQ	68	ハリスコーポレーション	-	バルク	アクティブ	-40°C〜150°C （TJ	穴を通して	TO-247-3		標準		208 w	TO-247	ダウンロード	ROHS非準拠	1 （無制限）	未定義のベンダー	ear99	8541.29.0095	1				-																		-	600 V	54 a	108 a	2.2V @ 15V 、27a	-	212 NC	-
IGT6D11	2.0700	RFQ	8751	ハリスコーポレーション	-	バルク	アクティブ	-	穴を通して	to-204aa、to-3		標準			to-3	ダウンロード	適用できない	1 （無制限）	未定義のベンダー	ear99	8541.29.0095	13				-																		-	400 V			-	-		-
IRF133	-	RFQ	4608	ハリスコーポレーション	-	バルク	アクティブ	-55°C〜175°C	穴を通して	to-204aa、to-3			モスフェット（金属酸化物）		to-3	ダウンロード	ROHS非準拠	1 （無制限）	未定義のベンダー	ear99	8541.29.0095	1			nチャネル		80 v	12a（tc）	10V	230mohm @ 8.3a 、10V	4V @ 250µA	26 NC @ 10 V	±20V	600 PF @ 25 V	-	79W
IRF120	1.8400	RFQ	357	ハリスコーポレーション	-	バルク	アクティブ	-55°C〜150°C	穴を通して	to-204aa			モスフェット（金属酸化物）		to-3	ダウンロード	ROHS非準拠	1 （無制限）	未定義のベンダー	ear99	8541.29.0095	1			nチャネル		100 V	8a（tc）	10V	300mohm @ 4a 、10V	4V @ 250µA	15 NC @ 10 V	±20V	600 PF @ 25 V	-	40W （TC）
HP4936Dyt	0.2700	RFQ	2	ハリスコーポレーション	-	バルク	アクティブ	-55°C〜150°C	表面マウント	8-SOIC （0.154 "、幅3.90mm）	HP4936		モスフェット（金属酸化物）	2W （TA）	8-SOIC	ダウンロード	適用できない	1 （無制限）	未定義のベンダー	ear99	8541.29.0095	1	2 nチャンネル（デュアル）				30V	5.8a（ta）		37mohm @ 5.8a 、10V	1V @ 250µA	25NC @ 10V		625pf @ 25V	ロジックレベルゲート
2N6043	2.2500	RFQ	7887	ハリスコーポレーション	-	バルク	アクティブ	-65°C〜150°C	穴を通して	TO-220-3	2N6043			75 W	TO-220AB	ダウンロード	ROHS非準拠	1 （無制限）	影響を受けた	ear99	8541.29.0095	96																							60 V	8 a								20µA	npn-ダーリントン	2V @ 16MA 、4a	1000 @ 4a 、4V	-
HGT1S12N60C3	1.4200	RFQ	899	ハリスコーポレーション	-	バルク	アクティブ	-40°C〜150°C （TJ	穴を通して	To-262-3 Long Leads		標準		104 w	i2pak（to-262）	ダウンロード	ROHS非準拠	1 （無制限）	未定義のベンダー	ear99	8541.29.0095	1				-																		-	600 V	24 a	96 a	2V @ 15V、12a	-	62 NC	-
2N6760	-	RFQ	6901	ハリスコーポレーション	-	バルク	アクティブ	-55°C〜150°C	穴を通して	to-204aa、to-3			モスフェット（金属酸化物）		to-204aa	-	ROHS非準拠	1 （無制限）	未定義のベンダー	ear99	8541.29.0095	1			nチャネル		400 V	5.5a（tc）	10V	1.22OHM @ 5.5A 、10V	4V @ 250µA	39 NC @ 10 V	±20V		-	4W （TA ）、75W（TC）
2N6530	1.0000	RFQ	6711	ハリスコーポレーション	-	バルク	アクティブ	-65°C〜150°C	穴を通して	TO-220-3				65 W	TO-220-3	ダウンロード	ROHS非準拠	1 （無制限）	影響を受けた	ear99	8541.29.0095	1																							80 v	8 a								1ma	npn-ダーリントン	3V @ 80ma 、8a	1000 @ 5a 、3V	-
HGTD7N60B3	0.6800	RFQ	900	ハリスコーポレーション	-	バルク	アクティブ	-55°C〜150°C	穴を通して	to-251-3		標準		60 W	i-pak	ダウンロード	ROHS非準拠	1 （無制限）	未定義のベンダー	ear99	8541.29.0095	1				480v																		-	600 V	14 a	56 a	2.1V @ 15V 、7a	160µj（オン）、120µJ	30 NC	26ns/130ns
DB1F	0.2500	RFQ	10	ハリスコーポレーション	DB1	バルク	アクティブ	-55°C〜150°C	シャーシマウント	4 平方、BR			標準		br	ダウンロード	ROHS非準拠	1 （無制限）	未定義のベンダー	ear99	8541.10.0080	1																1.1 V @ 1 a		10 µA @ 50 V		1 a										単相	50 v
2N6761	-	RFQ	9759	ハリスコーポレーション	-	バルク	アクティブ	-55°C〜150°C	穴を通して	to-204aa、to-3			モスフェット（金属酸化物）		to-3	ダウンロード	ROHS非準拠	1 （無制限）	未定義のベンダー	ear99	8541.29.0095	1			nチャネル		450 v	4a（tc）	10V	2OHM @ 2.5A 、10V	4V @ 1MA		±20V	800 PF @ 25 V	-	75W
IRF122	0.8800	RFQ	1	ハリスコーポレーション	-	バルク	アクティブ	-55°C〜175°C	穴を通して	to-204aa、to-3			モスフェット（金属酸化物）		to-3	ダウンロード	ROHS非準拠	1 （無制限）	未定義のベンダー	ear99	8541.29.0095	1			nチャネル		100 V	8a（tc）	10V	360mohm @ 5.6a 、10V	4V @ 250µA	15 NC @ 10 V	±20V	350 PF @ 25 V	-	60W （TC）
2N6648	98.5800	RFQ	82	ハリスコーポレーション	-	バルク	アクティブ	-65°C〜150°C	穴を通して	to-204aa、to-3				70 W	to-3	ダウンロード	ROHS非準拠	1 （無制限）	未定義のベンダー	ear99	8541.29.0095	4																							40 v	10 a								1ma	pnp-ダーリントン	3V @ 100MA 、10a	1000 @ 5a 、3V	-

2000+
毎日の平均RFQボリューム
30,000,000
標準製品ユニット
2800+
世界的なメーカー
15,000 m²
在庫倉庫

離散半導体製品（1081）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²