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離散半導体製品（2909）

画像 製品番号 価格（USD） 量 ECAD 利用可能な数量 体重（ kg） MFR シリーズ パッケージ 製品ステータス 動作温度 取り付けタイプ パッケージ /ケース 基本製品番号 テクノロジー パワー -マックス サプライヤーデバイスパッケージ データシート ROHSステータス 水分感度レベル（MSL） ECCN htsus 標準パッケージ 構成 スピード フェットタイプ 現在 -マックス 電源（ VDSS ）への排水 電流 -連続排水（ID @ @ 25°C ドライブ電圧（最大rds onmin rds on rds on max） @ id vgs vgs ゲートチャージ（ QG VGS （最大） ciss ）（ max @ vds フェット機能 電力散逸（最大） 電圧-DC リバース（ VR ）（最大） 電圧 -フォワード（ vf ）（ max @ if 逆回復時間（ trr） 現在 - @ vr 動作温度 -ジャンクション 現在 -平均修正（ io） 容量 @ vr、f 電圧 -コレクターエミッタの分解（最大） 現在 -コレクター（IC ）（最大） ダイオードタイプ 電圧 -ピークリバース（最大） 現在 -コレクターカットオフ（最大） @ @ if、f トランジスタタイプ vce 飽和（max @ ib、ic DC電流ゲイン 頻度 -遷移 静電容量比 静電容量比条件 Q @ vr、f
TPCA8028-H(TE12LQM Toshiba Semiconductor and Storage TPCA8028-H （TE12LQM -
RFQ
 ECAD 9696 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 u-mosiv-h カットテープ（CT） 廃止 150°C （TJ） 表面マウント 8-POWERVDFN TPCA8028 モスフェット（金属酸化物） 8 ソップアドバンス（5x5） ダウンロード ROHS準拠 1 （無制限） ear99 8541.29.0095 3,000 nチャネル 30 V 50a（ta） 4.5V 、10V 2.8mohm @ 25a 、10V 2.3V @ 1MA 88 NC @ 10 V ±20V 7800 PF @ 10 V - 1.6W
2SA1244-Y(Q) Toshiba Semiconductor and Storage 2SA1244-y （q） -
RFQ
 ECAD 1152 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - チューブ 廃止 150°C （TJ） 表面マウント to-251-3 2SA1244 1 W pw-mold - 1 （無制限） ear99 8541.29.0075 200 50 v 5 a 1µa（icbo） PNP 400MV @ 150MA、3a 120 @ 1a、1V 60MHz
2SA1930(Q,M) Toshiba Semiconductor and Storage 2SA1930 -
RFQ
 ECAD 3597 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - バルク 廃止 150°C （TJ） 穴を通して TO-220-3フルパック 2SA1930 2 W TO-220NIS ダウンロード 1 （無制限） ear99 8541.29.0075 500 180 v 2 a 5µa（icbo） PNP 1V @ 100MA、1a 100 @ 100MA 、5V 200MHz
2SC5439(F) Toshiba Semiconductor and Storage 2SC5439 -
RFQ
 ECAD 9123 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - チューブ 廃止 150°C （TJ） 穴を通して TO-220-3フルパック 2SC5439 2 W TO-220NIS ダウンロード 1 （無制限） ear99 8541.29.0095 50 450 v 8 a 100µa（icbo） npn 1V @ 640MA 、3.2a 14 @ 1a 、5V -
2SD2406-Y(F) Toshiba Semiconductor and Storage 2SD2406-Y -
RFQ
 ECAD 9090 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - チューブ 廃止 150°C （TJ） 穴を通して TO-220-3フルパック 2SD2406 25 W TO-220NIS ダウンロード 1 （無制限） ear99 8541.29.0095 50 80 v 4 a 30µa（icbo） npn 1.5V @ 300MA、3a 120 @ 500MA 、5V 8MHz
2SK3309(TE24L,Q) Toshiba Semiconductor and Storage 2SK3309 -
RFQ
 ECAD 7505 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - テープ＆リール（ tr） 廃止 150°C （TJ） 表面マウント to-252-3 2SK3309 モスフェット（金属酸化物） TO-220SM ダウンロード 1 （無制限） ear99 8541.29.0095 1,000 nチャネル 450 v 10a（ta） 10V 650mohm @ 5a 、10V 5V @ 1MA 23 NC @ 10 V ±30V 920 PF @ 10 V - 65W
CMH04(TE12L,Q,M) Toshiba Semiconductor and Storage CMH04 0.4500
RFQ
 ECAD 2 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - テープ＆リール（ tr） アクティブ 表面マウント SOD-128 CMH04 標準 m-flat（2.4x3.8） ダウンロード ROHS3準拠 1 （無制限） ear99 8541.10.0080 3,000 高速回復= <500ns 200 v 980 mV @ 1 a 35 ns 10 µA @ 200 v -40°C〜150°C 1a -
CMS16(TE12L,Q,M) Toshiba Semiconductor and Storage CMS16 0.6600
RFQ
 ECAD 1 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - テープ＆リール（ tr） アクティブ 表面マウント SOD-128 CMS16 ショットキー m-flat（2.4x3.8） ダウンロード ROHS3準拠 1 （無制限） ear99 8541.10.0080 3,000 高速回復= <500ns 40 v 550 mV @ 3 a 200 µA @ 40 V -40°C〜150°C 3a -
CRG01(TE85L,Q,M) Toshiba Semiconductor and Storage CRG01 -
RFQ
 ECAD 9551 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - テープ＆リール（ tr） 廃止 表面マウント SOD-123F CRG01 標準 s-flat（1.6x3.5） - ROHS準拠 1 （無制限） ear99 8541.10.0080 3,000 標準回復> 500ns 100 V 1.1 V @ 700 Ma 10 µA @ 100 V -40°C〜150°C 700MA -
CRG02(TE85L,Q,M) Toshiba Semiconductor and Storage crg02（TE85L -
RFQ
 ECAD 1132 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - テープ＆リール（ tr） 廃止 表面マウント SOD-123F CRG02 標準 s-flat（1.6x3.5） - ROHS準拠 1 （無制限） ear99 8541.10.0080 3,000 標準回復> 500ns 400 V 1.1 V @ 700 Ma 10 µA @ 400 V -40°C〜150°C 700MA -
TK12A60U(Q,M) Toshiba Semiconductor and Storage TK12A60U -
RFQ
 ECAD 2935 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 dtmosii チューブ 廃止 150°C （TJ） 穴を通して TO-220-3フルパック TK12A60 モスフェット（金属酸化物） TO-220SIS ダウンロード ROHS準拠 1 （無制限） ear99 8541.29.0095 50 nチャネル 600 V 12a（ta） 10V 400mohm @ 6a 、10V 5V @ 1MA 14 NC @ 10 V ±30V 720 PF @ 10 V - 35W （TC）
TK20J60U(F) Toshiba Semiconductor and Storage TK20J60U -
RFQ
 ECAD 2851 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 dtmosii トレイ 廃止 150°C （TJ） 穴を通して to-3p-3、SC-65-3 TK20J60 モスフェット（金属酸化物） to-3p ダウンロード ROHS準拠 1 （無制限） ear99 8541.29.0095 50 nチャネル 600 V 20a（ta） 10V 190mohm @ 10a 、10V 5V @ 1MA 27 NC @ 10 V ±30V 1470 PF @ 10 V - 190W
TK70D06J1(Q) Toshiba Semiconductor and Storage TK70D06J1 -
RFQ
 ECAD 8209 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - チューブ 廃止 150°C （TJ） 穴を通して TO-220-3 TK70 モスフェット（金属酸化物） TO-220 ダウンロード 1 （無制限） ear99 8541.29.0095 50 nチャネル 60 V 70a（ta） 4.5V 、10V 6.4mohm @ 35a 、10V 2.3V @ 1MA 87 NC @ 10 V ±20V 5450 PF @ 10 V - 45W
TPC6107(TE85L,F,M) Toshiba Semiconductor and Storage TPC6107 -
RFQ
 ECAD 1647 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 u-mosiv テープ＆リール（ tr） 廃止 150°C （TJ） 表面マウント SOT-23-6薄い、TSOT-23-6 TPC6107 モスフェット（金属酸化物） vs-6（2.9x2.8 ダウンロード 1 （無制限） ear99 8541.21.0095 3,000 pチャネル 20 v 4.5a（ta） 2V 、4.5V 55mohm @ 2.2a 、4.5V 1.2V @ 200µA 9.8 NC @ 5 V ±12V 680 PF @ 10 V - 700MW
TPC6901(TE85L,F,M) Toshiba Semiconductor and Storage TPC6901 -
RFQ
 ECAD 6955 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - テープ＆リール（ tr） 廃止 150°C （TJ） 表面マウント SOT-23-6薄い、TSOT-23-6 TPC6901 400MW vs-6（2.9x2.8 ダウンロード ROHS準拠 1 （無制限） ear99 8541.21.0095 3,000 50V 1a 、700ma 100na（icbo） NPN、PNP 170MV @ 6MA、300MA / 230MV @ 10MA、300MA 400 @ 100MA 、2V / 200 @ 100MA 、2V -
TPC8031-H(TE12LQM) Toshiba Semiconductor and Storage TPC8031-H （TE12LQM） -
RFQ
 ECAD 5858 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - テープ＆リール（ tr） 廃止 150°C （TJ） 表面マウント 8-SOIC （0.173 "、幅4.40mm） TPC8031 モスフェット（金属酸化物） 8 ソップ（5.5x6.0 ダウンロード 1 （無制限） ear99 8541.29.0095 3,000 nチャネル 30 V 11a（ta） 13.3mohm @ 5.5a 、10V 2.5V @ 1MA 21 NC @ 10 V 2150 PF @ 10 V - -
TPC8208(TE12L,Q,M) Toshiba Semiconductor and Storage TPC8208 （TE12L -
RFQ
 ECAD 2448 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - テープ＆リール（ tr） 廃止 150°C （TJ） 表面マウント 8-SOIC （0.173 "、幅4.40mm） TPC8208 モスフェット（金属酸化物） 450MW 8 ソップ（5.5x6.0 ダウンロード 1 （無制限） ear99 8541.21.0095 3,000 2 nチャンネル（デュアル） 20V 5a 50mohm @ 2.5a 、4V 1.2V @ 200µA 9.5NC @ 5V 780pf @ 10V ロジックレベルゲート
TPCA8003-H(TE12LQM Toshiba Semiconductor and Storage TPCA8003-H （TE12LQM -
RFQ
 ECAD 4120 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - テープ＆リール（ tr） 廃止 150°C （TJ） 表面マウント 8-POWERVDFN TPCA8003 モスフェット（金属酸化物） 8 ソップアドバンス（5x5） ダウンロード 1 （無制限） ear99 8541.29.0095 3,000 nチャネル 30 V 35a（ta） 4.5V 、10V 6.6mohm @ 18a 、10V 2.3V @ 1MA 25 NC @ 10 V ±20V 1465 PF @ 10 V - 1.6W
TPCA8010-H(TE12LQM Toshiba Semiconductor and Storage TPCA8010-H （TE12LQM -
RFQ
 ECAD 6650 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 πmosv テープ＆リール（ tr） 廃止 150°C （TJ） 表面マウント 8-POWERVDFN TPCA8010 モスフェット（金属酸化物） 8 ソップアドバンス（5x5） ダウンロード 1 （無制限） ear99 8541.29.0095 3,000 nチャネル 200 v 5.5a（ta） 10V 450mohm @ 2.7a 、10V 4V @ 1MA 10 NC @ 10 V ±20V 600 PF @ 10 V - 1.6W
TPCA8023-H(TE12LQM Toshiba Semiconductor and Storage TPCA8023-H （TE12LQM -
RFQ
 ECAD 3367 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - テープ＆リール（ tr） 廃止 150°C （TJ） 表面マウント 8-POWERVDFN TPCA8023 モスフェット（金属酸化物） 8 ソップアドバンス（5x5） ダウンロード 1 （無制限） ear99 8541.29.0095 3,000 nチャネル 30 V 21a（ta） 4.5V 、10V 12.9mohm @ 11a 、10v 2.5V @ 1MA 21 NC @ 10 V ±20V 2150 PF @ 10 V - 1.6W
TPCA8105(TE12L,Q,M Toshiba Semiconductor and Storage TPCA8105 -
RFQ
 ECAD 5105 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - テープ＆リール（ tr） 廃止 150°C （TJ） 表面マウント 8-POWERVDFN TPCA8105 モスフェット（金属酸化物） 8 ソップアドバンス（5x5） ダウンロード 1 （無制限） ear99 8541.29.0095 3,000 pチャネル 12 v 6a（ta） 1.8V 、4.5V 33mohm @ 3a 、4.5V 1.2V @ 200µA 18 NC @ 5 V ±8V 1600 pf @ 10 v - 1.6W
TPCF8304(TE85L,F,M Toshiba Semiconductor and Storage TPCF8304 （TE85L -
RFQ
 ECAD 5747 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - テープ＆リール（ tr） 廃止 150°C （TJ） 表面マウント 8-SMD 、フラットリード TPCF8304 モスフェット（金属酸化物） 330MW vs-8（2.9x1.5 ダウンロード 1 （無制限） ear99 8541.21.0095 4,000 2 P-Channel （デュアル） 30V 3.2a 72mohm @ 1.6a、10V 1.2V @ 1MA 14NC @ 10V 600pf @ 10V ロジックレベルゲート
TPCP8001-H(TE85LFM Toshiba Semiconductor and Storage TPCP8001-H （TE85LFM -
RFQ
 ECAD 4459 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 u-mosiii テープ＆リール（ tr） 廃止 150°C （TJ） 表面マウント 8-SMD 、フラットリード TPCP8001 モスフェット（金属酸化物） PS-8（2.9x2.4） ダウンロード 1 （無制限） ear99 8541.29.0095 3,000 nチャネル 30 V 7.2a（ta） 4.5V 、10V 16mohm @ 3.6a 、10V 2.3V @ 1MA 11 NC @ 10 V ±20V 640 PF @ 10 V - 1W （TA）、30W（TC）
TPCP8203(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage TPCP8203 -
RFQ
 ECAD 5326 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - テープ＆リール（ tr） 廃止 150°C （TJ） 表面マウント 8-SMD 、フラットリード TPCP8203 モスフェット（金属酸化物） 360MW PS-8（2.9x2.4） ダウンロード 1 （無制限） ear99 8541.21.0095 3,000 2 nチャンネル（デュアル） 40V 4.7a - 2.5V @ 1MA - - -
1SS381,L3F Toshiba Semiconductor and Storage 1SS381、L3f 0.0540
RFQ
 ECAD 6469 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - テープ＆リール（ tr） 新しいデザインではありません 125°C （TJ） SC-79、SOD-523 1SS381 ESC ダウンロード ROHS準拠 1 （無制限） ear99 8541.10.0070 8,000 100 Ma 1.2pf @ 6V、1MHz ピン -シングル 30V 900mohm @ 2ma 、100mhz
1SV277TPH3F Toshiba Semiconductor and Storage 1SV277TPH3F 0.3800
RFQ
 ECAD 2 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - テープ＆リール（ tr） アクティブ 125°C （TJ） 表面マウント SC-76、SOD-323 1SV277 USC ダウンロード ROHS3準拠 1 （無制限） ear99 8541.10.0070 3,000 2.35pf @ 4V、1MHz シングル 10 v 2.3 C1/C4 -
1SV324TPH3F Toshiba Semiconductor and Storage 1SV324TPH3F 0.4200
RFQ
 ECAD 972 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - テープ＆リール（ tr） アクティブ 125°C （TJ） 表面マウント SC-76、SOD-323 1SV324 USC ダウンロード ROHS3準拠 1 （無制限） ear99 8541.10.0070 3,000 12pf @ 4V、1MHz シングル 10 v 4.3 C1/C4 -
SSM3J114TU(T5L,T) Toshiba Semiconductor and Storage SSM3J114TU -
RFQ
 ECAD 2761 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - テープ＆リール（ tr） 廃止 150°C （TJ） 表面マウント 3-SMD 、フラットリード SSM3J114 モスフェット（金属酸化物） UFM ダウンロード 1 （無制限） ear99 8541.21.0095 3,000 pチャネル 20 v 1.8a（ta） 1.5V 、4V 149mohm @ 600ma 、4V 1V @ 1MA 7.7 NC @ 4 V ±8V 331 PF @ 10 V - 500MW
SSM3J120TU,LF Toshiba Semiconductor and Storage SSM3J120TU 、LF -
RFQ
 ECAD 2941 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 u-mosiv テープ＆リール（ tr） アクティブ 150°C （TJ） 表面マウント 3-SMD 、フラットリード SSM3J120 モスフェット（金属酸化物） UFM ダウンロード ROHS準拠 1 （無制限） ear99 8541.21.0095 3,000 pチャネル 20 v 4a（ta） 1.5V 、4V 38mohm @ 3a 、4V 1V @ 1MA 22.3 NC @ 4 V ±8V 1484 PF @ 10 V - 500MW
SSM3K315T(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage SSM3K315T （TE85L -
RFQ
 ECAD 5970 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 u-mosiv テープ＆リール（ tr） 廃止 150°C （TJ） 表面マウント TO-236-3 SSM3K315 モスフェット（金属酸化物） TSM ダウンロード 1 （無制限） ear99 8541.21.0095 3,000 nチャネル 30 V 6a（ta） 4.5V 、10V 27.6mohm @ 4a 、10V 2.5V @ 1MA 10.1 NC @ 10 V ±20V 450 PF @ 15 V - 700MW
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    毎日の平均RFQボリューム

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    標準製品ユニット

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    世界的なメーカー

  • In-stock Warehouse

    15,000 m2

    在庫倉庫

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AD9208BBPZ-3000

196-LFBGA露出パッド

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