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離散半導体製品（2909）

画像 製品番号 価格（USD） 量 ECAD 利用可能な数量 体重（ kg） MFR シリーズ パッケージ 製品ステータス 許容範囲 動作温度 取り付けタイプ パッケージ /ケース 基本製品番号 入力タイプ テクノロジー パワー -マックス サプライヤーデバイスパッケージ データシート ROHSステータス 水分感度レベル（MSL） その他の名前 ECCN htsus 標準パッケージ スピード フェットタイプ 現在 -マックス テスト条件 電源（ VDSS ）への排水 電流 -連続排水（ID @ @ 25°C ドライブ電圧（最大rds onmin rds on rds on max） @ id vgs vgs ゲートチャージ（ QG VGS （最大） ciss ）（ max @ vds フェット機能 電力散逸（最大） 電圧-DC リバース（ VR ）（最大） 電圧 -フォワード（ vf ）（ max @ if 逆回復時間（ trr） 現在 - @ vr 動作温度 -ジャンクション 現在 -平均修正（ io） 容量 @ vr、f IGBTタイプ 電圧 -コレクターエミッタの分解（最大） 現在 -コレクター（IC ）（最大） 現在 -コレクターパルス（ icm） vce（on max） @ vge エネルギーの切り替え TD （オン/オフ） @ 25°C ダイオードタイプ 電圧 -ピークリバース（最大） 現在 -コレクターカットオフ（最大） 電圧zener インピーダンス（最大）（ ZZT） @ @ if、f トランジスタタイプ vce 飽和（max @ ib、ic DC電流ゲイン 頻度 -遷移 抵抗 -ベース（r1） 抵抗 -エミッターベース（r2）
CMZ16(TE12L,Q,M) Toshiba Semiconductor and Storage CMZ16 0.5400
RFQ
 ECAD 4384 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - テープ＆リール（ tr） アクティブ ±10％ -40°C〜150°C （TJ 表面マウント SOD-128 CMZ16 2 W m-flat（2.4x3.8） ダウンロード ROHS3準拠 1 （無制限） ear99 8541.10.0050 3,000 1.2 V @ 200 mA 10 µA @ 11 v 16 v 30オーム
1SS315[U/D] Toshiba Semiconductor and Storage 1SS315 [u/d] -
RFQ
 ECAD 3369 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - テープ＆リール（ tr） アクティブ 125°C （TJ） SC-76、SOD-323 USC ダウンロード 1 （無制限） 264-1SS315 [u/d] tr ear99 8541.10.0070 3,000 30 Ma 0.06pf @ 200mV、1MHz Schottky-シングル 5V -
TW107N65C,S1F Toshiba Semiconductor and Storage TW107N65C、S1F 9.6200
RFQ
 ECAD 96 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - チューブ アクティブ 175°C 穴を通して TO-247-3 sicfet （炭化シリコン） TO-247 ダウンロード ROHS3準拠 1 （無制限） ear99 8541.29.0095 30 nチャネル 650 V 20a（tc） 18V 145mohm @ 10a、18V 5V @ 1.2MA 21 NC @ 18 V +25V、-10V 600 pf @ 400 v - 76W （TC）
TPW2R508NH,L1Q Toshiba Semiconductor and Storage TPW2R508NH 、L1Q 2.8100
RFQ
 ECAD 1661 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 u-mosviii-h テープ＆リール（ tr） アクティブ 150°C 表面マウント 8-POWERWDFN モスフェット（金属酸化物） 8-DSOP Advance ダウンロード 1 （無制限） ear99 8541.29.0095 5,000 nチャネル 75 v 150a（ta） 10V 2.5mohm @ 50a 、10V 4V @ 1MA 72 NC @ 10 V ±20V 6000 pf @ 37.5 v - 800MW
TK25A20D,S5X Toshiba Semiconductor and Storage TK25A20D 、S5x 1.7900
RFQ
 ECAD 40 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - チューブ アクティブ 150°C 穴を通して TO-220-3フルパック モスフェット（金属酸化物） TO-220SIS ダウンロード ROHS3準拠 1 （無制限） ear99 8541.29.0095 50 nチャネル 200 v 25a（ta） 10V 70mohm @ 12.5a 、10V 3.5V @ 1MA 60 NC @ 10 V ±20V 2550 PF @ 100 V - 45W
TK22V65X5,LQ Toshiba Semiconductor and Storage TK22V65X5 、LQ 5.6600
RFQ
 ECAD 2 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 dtmosiv-h テープ＆リール（ tr） アクティブ 150°C 表面マウント 4-VSFN露出パッド モスフェット（金属酸化物） 4-dfn-ep（8x8） ダウンロード ROHS3準拠 1 （無制限） ear99 8541.29.0095 2,500 nチャネル 650 V 22a（ta） 10V 170mohm @ 11a 、10V 4.5V @ 1.1MA 50 NC @ 10 V ±30V 2400 pf @ 300 v - 180W
TK14V65W,LQ Toshiba Semiconductor and Storage TK14V65W 、LQ 3.4800
RFQ
 ECAD 2719 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 dtmosiv テープ＆リール（ tr） アクティブ 150°C 表面マウント 4-VSFN露出パッド モスフェット（金属酸化物） 4-dfn-ep（8x8） ダウンロード ROHS3準拠 1 （無制限） ear99 8541.29.0095 2,500 nチャネル 650 V 13.7a 10V 280mohm @ 6.9a 、10V 3.5V @ 690µA 35 NC @ 10 V ±30V 1300 pf @ 300 v - 139W
GT50JR21(STA1,E,S) Toshiba Semiconductor and Storage gt50jr21 4.7900
RFQ
 ECAD 6501 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - チューブ アクティブ 175°C （TJ） 穴を通して to-3p-3、SC-65-3 標準 230 W to-3p ダウンロード ROHS3準拠 1 （無制限） 264-GT50JR21 ear99 8541.29.0095 25 - - 600 V 50 a 100 a 2V @ 15V、50a - -
SSM3J15CT,L3F Toshiba Semiconductor and Storage SSM3J15CT 、L3F 0.3100
RFQ
 ECAD 9 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - テープ＆リール（ tr） アクティブ 150°C 表面マウント SC-101 、SOT-883 モスフェット（金属酸化物） CST3 ダウンロード ROHS3準拠 1 （無制限） ear99 8541.21.0095 10,000 pチャネル 30 V 100ma（ta） 2.5V 、4V 12OHM @ 10MA 、4V 1.7V @ 100µA ±20V 9.1 PF @ 3 V - 100MW
TK5P65W,RQ Toshiba Semiconductor and Storage TK5P65W 、RQ 1.3700
RFQ
 ECAD 2 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 dtmosiv テープ＆リール（ tr） アクティブ 150°C 表面マウント to-252-3 モスフェット（金属酸化物） dpak - ROHS3準拠 1 （無制限） ear99 8541.29.0095 2,000 nチャネル 650 V 5.2a（ta） 10V 1.22OHM @ 2.6A 、10V 3.5V @ 170µA 10.5 NC @ 10 V ±30V 380 pf @ 300 v - 60W （TC）
TK099V65Z,LQ Toshiba Semiconductor and Storage TK099V65Z 、LQ 5.5600
RFQ
 ECAD 2 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 dtmosvi テープ＆リール（ tr） アクティブ 150°C 表面マウント 4-VSFN露出パッド TK099v65 モスフェット（金属酸化物） 5-dfn （8x8） ダウンロード ROHS3準拠 1 （無制限） ear99 8541.29.0095 2,500 nチャネル 650 V 30a（ta） 10V 99mohm @ 15a 、10V 4V @ 1.27MA 47 NC @ 10 V ±30V 2780 PF @ 300 V - 230W
TJ20S04M3L,LXHQ Toshiba Semiconductor and Storage TJ20S04M3L 、LXHQ 0.9400
RFQ
 ECAD 34 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 u-mosvi テープ＆リール（ tr） アクティブ 175°C 表面マウント to-252-3 TJ20S04 モスフェット（金属酸化物） DPAK+ ダウンロード 1 （無制限） ear99 8541.29.0095 2,000 pチャネル 40 v 20a（ta） 6V 、10V 22.2mohm @ 10a 、10V 3V @ 1MA 37 NC @ 10 V +10V、-20V 1850 pf @ 10 v - 41W
TK40S06N1L,LXHQ Toshiba Semiconductor and Storage TK40S06N1L 、LXHQ 1.0700
RFQ
 ECAD 20 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 u-mosviii-h テープ＆リール（ tr） アクティブ 175°C 表面マウント to-252-3 TK40S06 モスフェット（金属酸化物） DPAK+ ダウンロード 1 （無制限） ear99 8541.29.0095 2,000 nチャネル 60 V 40a（ta） 4.5V 、10V 18mohm @ 20a 、10v 2.5V @ 200µA 26 NC @ 10 V ±20V 1650 PF @ 10 V - 88.2W
XPN7R104NC,L1XHQ Toshiba Semiconductor and Storage XPN7R104NC 、L1XHQ 1.2500
RFQ
 ECAD 9396 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 u-mosiii テープ＆リール（ tr） アクティブ 175°C 表面マウント 8-POWERVDFN XPN7R104 モスフェット（金属酸化物） 8-TSON ADVANCE-WF（3.1x3.1 ダウンロード 1 （無制限） ear99 8541.29.0095 5,000 nチャネル 40 v 20a（ta） 4.5V 、10V 7.1mohm @ 10a 、10v 2.5V @ 200µA 21 NC @ 10 V ±20V 1290 PF @ 10 V - 840MW
TRS12A65F,S1Q Toshiba Semiconductor and Storage TRS12A65F 、S1Q 5.4900
RFQ
 ECAD 28 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - チューブ アクティブ 穴を通して TO-220-2フルパック TRS12A65 sic （炭化シリコン）ショットキー TO-220F-2L - ear99 8541.10.0080 50 回復時間なし> 500ma 650 V 1.6 V @ 12 a 0 ns 60 µA @ 650 v 175°C （最大） 12a 44pf @ 650v、1MHz
TK110A65Z,S4X Toshiba Semiconductor and Storage TK110A65Z、S4x 4.2300
RFQ
 ECAD 51 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 dtmosvi チューブ アクティブ 150°C 穴を通して TO-220-3フルパック TK110A65 モスフェット（金属酸化物） TO-220SIS ダウンロード ROHS3準拠 1 （無制限） ear99 8541.29.0095 50 nチャネル 650 V 24a（ta） 10V 110mohm @ 12a 、10V 4V @ 1.02MA 40 NC @ 10 V ±30V 2250 pf @ 300 v - 45W
2SA2154MFVGR,L3F Toshiba Semiconductor and Storage 2SA2154MFVGR 、L3F 0.1900
RFQ
 ECAD 7 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - テープ＆リール（ tr） アクティブ 150°C （TJ） 表面マウント SOT-723 2SA2154 150 MW vesm ダウンロード ROHS3準拠 1 （無制限） ear99 8541.21.0095 8,000 50 v 150 Ma 100na（icbo） PNP 300MV @ 10MA 、100mA 200 @ 2MA 、6V 80MHz
2SC6100,LF Toshiba Semiconductor and Storage 2SC6100 、LF 0.5300
RFQ
 ECAD 42 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - テープ＆リール（ tr） アクティブ 150°C （TJ） 表面マウント 3-SMD 、フラットリード 2SC6100 500 MW UFM ダウンロード ROHS3準拠 1 （無制限） ear99 8541.21.0095 3,000 50 v 2.5 a 100na（icbo） npn 140mv @ 20ma、1a 400 @ 300MA 、2V -
TJ60S06M3L,LXHQ Toshiba Semiconductor and Storage TJ60S06M3L 、LXHQ 1.6500
RFQ
 ECAD 3 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 u-mosvi テープ＆リール（ tr） アクティブ 175°C 表面マウント to-252-3 TJ60S06 モスフェット（金属酸化物） DPAK+ ダウンロード 1 （無制限） ear99 8541.29.0095 2,000 pチャネル 60 V 60a（ta） 6V 、10V 11.2mohm @ 30a 、10v 3V @ 1MA 156 NC @ 10 V +10V、-20V 7760 PF @ 10 V - 100W （TC）
SSM6J808R,LF Toshiba Semiconductor and Storage SSM6J808R 、LF 0.6400
RFQ
 ECAD 5 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 aec-q101 テープ＆リール（ tr） アクティブ 150°C 表面マウント 6-SMD 、フラットリード SSM6J808 モスフェット（金属酸化物） 6-tsop-f ダウンロード ROHS3準拠 1 （無制限） ear99 8541.29.0095 3,000 pチャネル 40 v 7a（ta） 4V 、10V 35mohm @ 2.5a 、10V 2V @ 100µA 24.2 NC @ 10 V +10V、-20V 1020 PF @ 10 V - 1.5W
SSM3J325F,LF Toshiba Semiconductor and Storage SSM3J325F 、LF 0.4100
RFQ
 ECAD 17 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 u-mosvi テープ＆リール（ tr） アクティブ 150°C （TJ） 表面マウント TO-236-3 SSM3J325 モスフェット（金属酸化物） s-mini ダウンロード ROHS3準拠 1 （無制限） ear99 8541.21.0095 3,000 pチャネル 20 v 2a（ta） 1.5V 、4.5V 150mohm @ 1a 、4.5V - 4.6 NC @ 4.5 v ±8V 270 pf @ 10 v - 600MW
TK16J60W5,S1VQ Toshiba Semiconductor and Storage TK16J60W5、S1VQ 5.2000
RFQ
 ECAD 32 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - チューブ アクティブ 150°C 穴を通して to-3p-3、SC-65-3 TK16J60 モスフェット（金属酸化物） to-3p ダウンロード ROHS3準拠 1 （無制限） ear99 8541.29.0095 25 nチャネル 600 V 15.8a 10V 230mohm @ 7.9a 、10V 4.5V @ 790µA 43 NC @ 10 V ±30V 1350 pf @ 300 v - 130W
TRS8E65H,S1Q Toshiba Semiconductor and Storage TRS8E65H、S1Q 2.7600
RFQ
 ECAD 395 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - チューブ アクティブ 穴を通して TO-220-2 sic （炭化シリコン）ショットキー TO-220-2L - ROHS3準拠 1 （無制限） 264-TRS8E65H、S1Q ear99 8541.10.0080 50 回復時間なし> 500ma 650 V 1.35 V @ 8 a 0 ns 90 µA @ 650 v 175°C 8a 520pf @ 1V、1MHz
SSM3J306T(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage ssm3j306t（TE85L -
RFQ
 ECAD 5083 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - テープ＆リール（ tr） 廃止 150°C （TJ） 表面マウント TO-236-3 SSM3J306 モスフェット（金属酸化物） TSM ダウンロード 1 （無制限） ear99 8541.21.0095 3,000 pチャネル 30 V 2.4a（ta） 4V 、10V 117mohm @ 1a 、10V - 2.5 NC @ 15 V ±20V 280 PF @ 15 V - 700MW
SSM3J375F,LXHF Toshiba Semiconductor and Storage SSM3J375F 、LXHF 0.4900
RFQ
 ECAD 6 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 自動車、aec-q101 、u-mosvi テープ＆リール（ tr） アクティブ 150°C 表面マウント TO-236-3 モスフェット（金属酸化物） s-mini ダウンロード ROHS3準拠 1 （無制限） ear99 8541.29.0095 3,000 pチャネル 20 v 2a（ta） 1.5V 、4.5V 150mohm @ 1a 、4.5V 1V @ 1MA 4.6 NC @ 4.5 v +6V、 -8V 270 pf @ 10 v - 600MW
TW015Z65C,S1F Toshiba Semiconductor and Storage TW015Z65C、S1F 48.8100
RFQ
 ECAD 120 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - チューブ アクティブ 175°C 穴を通して TO-247-4 sic （シリコンカーバイドジャンクショントランジスタ） TO-247-4L - ROHS3準拠 1 （無制限） ear99 8541.29.0095 30 nチャネル 650 V 100a（tc） 18V 22mohm @ 50a、18V 5V @ 11.7MA 128 NC @ 18 V +25V、-10V 4850 PF @ 400 v - 342W
TK210V65Z,LQ Toshiba Semiconductor and Storage TK210V65Z 、LQ 3.2100
RFQ
 ECAD 4 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 dtmosvi テープ＆リール（ tr） アクティブ 150°C 表面マウント 4-VSFN露出パッド TK210V65 モスフェット（金属酸化物） 4-dfn-ep（8x8） ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） ear99 8541.29.0095 2,500 nチャネル 650 V 15a（ta） 10V 210mohm @ 7.5a 、10V 4V @ 610µA 25 NC @ 10 V ±30V 1370 pf @ 300 v - 130W
2SC6000(TE16L1,NQ) Toshiba Semiconductor and Storage 2SC6000 （TE16L1 -
RFQ
 ECAD 4731 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - テープ＆リール（ tr） アクティブ 150°C （TJ） 表面マウント to-252-3 2SC6000 20 W pw-mold - 264-2SC6000 ear99 8541.29.0095 2,000 50 v 7 a 100na（icbo） npn 180mv @ 83ma 、2.5a 250 @ 2.5a 、2V -
CRZ27(TE85L,Q,M) Toshiba Semiconductor and Storage crz27 0.4900
RFQ
 ECAD 3 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - テープ＆リール（ tr） アクティブ ±10％ -40°C〜150°C （TJ 表面マウント SOD-123F CRZ27 700 MW s-flat（1.6x3.5） ダウンロード ROHS3準拠 1 （無制限） ear99 8541.10.0050 3,000 1 V @ 200 mA 10 µA @ 19 v 27 v 30オーム
RN2709,LF Toshiba Semiconductor and Storage RN2709 、LF 0.3100
RFQ
 ECAD 8528 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - テープ＆リール（ tr） アクティブ 表面マウント 5-TSSOP 、SC-70-5 、SOT-353 RN2709 200mw USV ダウンロード ROHS3準拠 1 （無制限） ear99 8541.21.0075 3,000 50V 100mA 500na 2 pnp- バイアス（デュアル） 300MV @ 250µA 、5MA 70 @ 10ma 、5v 200MHz 47kohms 22kohms
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    毎日の平均RFQボリューム

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    標準製品ユニット

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    世界的なメーカー

  • In-stock Warehouse

    15,000 m2

    在庫倉庫

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AD9208BBPZ-3000

196-LFBGA露出パッド

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