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離散半導体製品（2909）

画像 製品番号 価格設定（USD） 量 ECAD 利用可能な数量 体重（ kg） MFR シリーズ パッケージ 製品ステータス 動作温度 取り付けタイプ パッケージ /ケース 基本製品番号 テクノロジー パワー -マックス サプライヤーデバイスパッケージ データシート ROHSステータス 水分感度レベル（MSL） ECCN htsus 標準パッケージ スピード フェットタイプ 現在 -マックス 得 電源（ VDSS ）への排水 電流 -連続排水（ID @ @ 25°C ドライブ電圧（最大rds onmin rds on rds on max） @ id vgs vgs ゲートチャージ（ QG VGS （最大） ciss ）（ max @ vds フェット機能 電力散逸（最大） 電圧-DC リバース（ VR ）（最大） 電圧 -フォワード（ vf ）（ max @ if 逆回復時間（ trr） 現在 - @ vr 動作温度 -ジャンクション 現在 -平均修正（ io） 容量 @ vr、f 電圧 -コレクターエミッタの分解（最大） 現在 -コレクター（IC ）（最大） ダイオードタイプ 電圧 -ピークリバース（最大） 現在 -コレクターカットオフ（最大） @ @ if、f トランジスタタイプ vce 飽和（max @ ib、ic DC電流ゲイン 頻度 -遷移 抵抗 -ベース（r1） 抵抗 -エミッターベース（r2） ノイズフィギュア（DBタイプ @ f）
JDP4P02AT(TE85L) Toshiba Semiconductor and Storage jdp4p02at（TE85L） -
RFQ
 ECAD 5762 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - テープ＆リール（ tr） 廃止 150°C （TJ） 4-SMD 、リードなし JDP4P02 CST4（1.2x0.8） ダウンロード 1 （無制限） ear99 8541.10.0070 4,000 50 Ma 0.4pf @ 1V、1MHz ピン-2独立 30V 1.5OHM @ 10MA 、100MHz
RN1511(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage RN1511 0.4700
RFQ
 ECAD 2 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - テープ＆リール（ tr） アクティブ 表面マウント SC-74A 、SOT-753 RN1511 300MW SMV ダウンロード ROHS準拠 1 （無制限） ear99 8541.21.0095 3,000 50V 100mA 100na（icbo） 2 npn- バイアス（デュアル）（エミッタ結合） 300MV @ 250µA 、5MA 120 @ 1MA 、5V 250MHz 10kohms -
RN2707JE(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage rn2707je 0.4800
RFQ
 ECAD 1 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - テープ＆リール（ tr） アクティブ 表面マウント SOT-553 RN2707 100MW ESV ダウンロード ROHS準拠 1 （無制限） ear99 8541.21.0095 4,000 50V 100mA 100na（icbo） 2 pnp- バ​​イアス（デュアル） 300MV @ 250µA 、5MA 80 @ 10ma 、5v 200MHz 10kohms 47kohms
RN2708JE(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage rn2708je 0.4800
RFQ
 ECAD 2 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - テープ＆リール（ tr） アクティブ 表面マウント SOT-553 RN2708 100MW ESV ダウンロード ROHS準拠 1 （無制限） ear99 8541.21.0095 4,000 50V 100mA 100na（icbo） 2 pnp- バ​​イアス（デュアル） 300MV @ 250µA 、5MA 80 @ 10ma 、5v 200MHz 22kohms 47kohms
RN1908FE(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage rn1908fe 0.0639
RFQ
 ECAD 7284 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - テープ＆リール（ tr） アクティブ 表面マウント SOT-563、SOT-666 RN1908 100MW ES6 ダウンロード ROHS準拠 1 （無制限） ear99 8541.21.0095 4,000 50V 100mA 100na（icbo） 2 npn- バイアス（デュアル） 300MV @ 250µA 、5MA 80 @ 10ma 、5v 250MHz 22kohms 47kohms
RN1909(T5L,F,T) Toshiba Semiconductor and Storage RN1909 0.3400
RFQ
 ECAD 2 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - テープ＆リール（ tr） アクティブ 表面マウント 6-TSSOP 、SC-88 、SOT-363 RN1909 200mw US6 ダウンロード ROHS準拠 1 （無制限） ear99 8541.21.0095 3,000 50V 100mA 100na（icbo） 2 npn- バイアス（デュアル） 300MV @ 250µA 、5MA 70 @ 10ma 、5v 250MHz 47kohms 22kohms
RN1968(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage RN1968 0.4700
RFQ
 ECAD 3 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - テープ＆リール（ tr） アクティブ 表面マウント 6-TSSOP 、SC-88 、SOT-363 RN1968 200mw US6 ダウンロード ROHS準拠 1 （無制限） ear99 8541.21.0095 3,000 50V 100mA 100na（icbo） 2 npn- バイアス（デュアル） 300MV @ 250µA 、5MA 80 @ 10ma 、5v 250MHz 22kohms 47kohms
RN1970(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage RN1970 0.4700
RFQ
 ECAD 6 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - テープ＆リール（ tr） アクティブ 表面マウント 6-TSSOP 、SC-88 、SOT-363 RN1970 200mw US6 ダウンロード ROHS準拠 1 （無制限） ear99 8541.21.0095 3,000 50V 100mA 100na（icbo） 2 npn- バイアス（デュアル） 300MV @ 250µA 、5MA 120 @ 1MA 、5V 250MHz 4.7kohms -
RN2911FE(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage rn2911fe 0.3500
RFQ
 ECAD 3 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - テープ＆リール（ tr） アクティブ 表面マウント SOT-563、SOT-666 RN2911 100MW ES6 ダウンロード ROHS準拠 1 （無制限） ear99 8541.21.0095 4,000 50V 100mA 100na（icbo） 2 pnp- バ​​イアス（デュアル） 300MV @ 250µA 、5MA 120 @ 1MA 、5V 200MHz 10kohms -
RN2607(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage RN2607 0.4800
RFQ
 ECAD 4 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - テープ＆リール（ tr） アクティブ 表面マウント SC-74、SOT-457 RN2607 300MW SM6 ダウンロード ROHS準拠 1 （無制限） ear99 8541.21.0095 3,000 50V 100mA 100na（icbo） 2 pnp- バ​​イアス（デュアル） 300MV @ 250µA 、5MA 80 @ 10ma 、5v 200MHz 10kohms 47kohms
RN1101CT(TPL3) Toshiba Semiconductor and Storage RN1101CT （TPL3） -
RFQ
 ECAD 2343 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - テープ＆リール（ tr） 廃止 表面マウント SC-101 、SOT-883 RN1101 50 MW CST3 ダウンロード 1 （無制限） ear99 8541.21.0095 10,000 20 v 50 Ma 500na npn-バイアス化 150MV @ 250µA 、5MA 30 @ 10ma 、5v 4.7 Kohms 4.7 Kohms
RN1415(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage RN1415 0.3400
RFQ
 ECAD 29 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - テープ＆リール（ tr） アクティブ 表面マウント TO-236-3 RN1415 200 MW s-mini ダウンロード ROHS準拠 1 （無制限） ear99 8541.21.0075 3,000 50 v 100 Ma 500na npn-バイアス化 300MV @ 250µA 、5MA 50 @ 10ma 、5v 250 MHz 2.2 KOHMS 10 Kohms
RN1418(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage RN1418 0.3400
RFQ
 ECAD 1 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - テープ＆リール（ tr） アクティブ 表面マウント TO-236-3 RN1418 200 MW s-mini ダウンロード ROHS準拠 1 （無制限） ear99 8541.21.0075 3,000 50 v 100 Ma 500na npn-バイアス化 300MV @ 250µA 、5MA 50 @ 10ma 、5v 250 MHz 47 Kohms 10 Kohms
RN1110(T5L,F,T) Toshiba Semiconductor and Storage rn1110 -
RFQ
 ECAD 5975 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - テープ＆リール（ tr） 廃止 表面マウント SC-75、SOT-416 RN1110 100 MW SSM ダウンロード 1 （無制限） ear99 8541.21.0075 3,000 50 v 100 Ma 100na（icbo） npn-バイアス化 300MV @ 250µA 、5MA 120 @ 1MA 、5V 250 MHz 4.7 Kohms
RN2111ACT(TPL3) Toshiba Semiconductor and Storage rn2111act（tpl3） 0.0527
RFQ
 ECAD 10 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - テープ＆リール（ tr） アクティブ 表面マウント SC-101 、SOT-883 RN2111 100 MW CST3 ダウンロード ROHS準拠 1 （無制限） ear99 8541.21.0095 10,000 50 v 80 Ma 100na（icbo） pnp-前バイアス 150MV @ 250µA 、5MA 120 @ 1MA 、5V 10 Kohms
RN2106(T5L,F,T) Toshiba Semiconductor and Storage RN2106 -
RFQ
 ECAD 3234 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - テープ＆リール（ tr） アクティブ 表面マウント SC-75、SOT-416 RN2106 100 MW SSM ダウンロード ROHS準拠 1 （無制限） ear99 8541.21.0075 3,000 50 v 100 Ma 500na pnp-前バイアス 300MV @ 250µA 、5MA 80 @ 10ma 、5v 200 MHz 4.7 Kohms 47 Kohms
HN1B04F(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage hn1b04f（TE85L -
RFQ
 ECAD 3334 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - テープ＆リール（ tr） 廃止 150°C （TJ） 表面マウント SC-74、SOT-457 HN1B04 300MW SM6 ダウンロード 1 （無制限） ear99 8541.21.0075 3,000 30V 500mA 100na（icbo） NPN、PNP 250MV @ 10MA 、100mA 70 @ 100MA、1V 200MHz
2SA1954-A(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage 2SA1954-A （TE85L -
RFQ
 ECAD 8074 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - テープ＆リール（ tr） 廃止 125°C （TJ） 表面マウント SC-70、SOT-323 2SA1954 100 MW SC-70 - 1 （無制限） ear99 8541.21.0075 3,000 12 v 500 Ma 100na（icbo） PNP 250mv @ 10ma 、200ma 300 @ 10MA 、2V 130MHz
2SC5087R(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage 2SC5087R （TE85L 0.1270
RFQ
 ECAD 3 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - テープ＆リール（ tr） アクティブ 125°C （TJ） 表面マウント SC-61AA 2SC5087 150MW SMQ - ROHS準拠 1 （無制限） ear99 8541.21.0095 3,000 - 12V 80ma npn 120 @ 20MA 、10V 8GHz 1.1DB〜2DB @ 1GHz
TK14A65W,S5X Toshiba Semiconductor and Storage TK14A65W、S5x 2.8200
RFQ
 ECAD 21 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 dtmosiv チューブ アクティブ 150°C （TJ） 穴を通して TO-220-3フルパック TK14A65 モスフェット（金属酸化物） TO-220SIS ダウンロード ROHS3準拠 1 （無制限） ear99 8541.29.0095 50 nチャネル 650 V 13.7a 10V 250mohm @ 6.9a 、10V 3.5V @ 690µA 35 NC @ 10 V ±30V 1300 pf @ 300 v - 40W （TC）
TK14C65W5,S1Q Toshiba Semiconductor and Storage TK14C65W5、S1Q -
RFQ
 ECAD 2691 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 dtmosiv チューブ 廃止 150°C （TJ） 穴を通して To-262-3 Long Leads TK14C65 モスフェット（金属酸化物） i2pak ダウンロード ROHS準拠 1 （無制限） ear99 8541.29.0095 50 nチャネル 650 V 13.7a 10V 300mohm @ 6.9a 、10V 4.5V @ 690µA 40 NC @ 10 V ±30V 1300 pf @ 300 v - 130W
TK32A12N1,S4X Toshiba Semiconductor and Storage TK32A12N1、S4x 1.4000
RFQ
 ECAD 5 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 u-mosviii-h チューブ アクティブ 150°C （TJ） 穴を通して TO-220-3フルパック TK32A12 モスフェット（金属酸化物） TO-220SIS ダウンロード ROHS3準拠 1 （無制限） ear99 8541.29.0095 50 nチャネル 120 v 32a 10V 13.8mohm @ 16a 、10V 4V @ 500µA 34 NC @ 10 V ±20V 2000 pf @ 60 v - 30W （TC）
TK46A08N1,S4X Toshiba Semiconductor and Storage TK46A08N1、S4X 1.0700
RFQ
 ECAD 7780 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 u-mosviii-h チューブ アクティブ 150°C （TJ） 穴を通して TO-220-3フルパック TK46A08 モスフェット（金属酸化物） TO-220SIS ダウンロード ROHS3準拠 1 （無制限） ear99 8541.29.0095 50 nチャネル 80 v 46a（tc） 10V 8.4mohm @ 23a 、10V 4V @ 500µA 37 NC @ 10 V ±20V 2500 PF @ 40 V - 35W （TC）
TK72A12N1,S4X Toshiba Semiconductor and Storage TK72A12N1、S4x 3.0100
RFQ
 ECAD 20 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 u-mosviii-h チューブ アクティブ 150°C （TJ） 穴を通して TO-220-3フルパック TK72A12 モスフェット（金属酸化物） TO-220SIS ダウンロード ROHS3準拠 1 （無制限） ear99 8541.29.0095 50 nチャネル 120 v 72a（tc） 10V 4.5mohm @ 36a 、10V 4V @ 1MA 130 NC @ 10 V ±20V 8100 pf @ 60 v - 45W
TPH1110FNH,L1Q Toshiba Semiconductor and Storage TPH1110FNH 、L1Q 1.8400
RFQ
 ECAD 4 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 u-mosviii-h テープ＆リール（ tr） アクティブ 150°C （TJ） 表面マウント 8-POWERVDFN TPH1110 モスフェット（金属酸化物） 8 ソップアドバンス（5x5） ダウンロード ROHS準拠 1 （無制限） ear99 8541.29.0095 5,000 nチャネル 250 v 10a（ta） 10V 112mohm @ 5a 、10V 4V @ 300µA 11 NC @ 10 V ±20V 1100 PF @ 100 V - 1.6W
TPH1R403NL,L1Q Toshiba Semiconductor and Storage TPH1R403NL 、L1Q 1.5500
RFQ
 ECAD 5 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 u-mosviii-h テープ＆リール（ tr） アクティブ 150°C （TJ） 表面マウント 8-POWERVDFN TPH1R403 モスフェット（金属酸化物） 8 ソップアドバンス（5x5） ダウンロード ROHS準拠 1 （無制限） ear99 8541.29.0095 5,000 nチャネル 30 V 60a（ta） 4.5V 、10V 1.4mohm @ 30a 、10V 2.3V @ 500µA 46 NC @ 10 V ±20V 4400 PF @ 15 V - 1.6W
TPH3R203NL,L1Q Toshiba Semiconductor and Storage TPH3R203NL 、L1Q 1.2500
RFQ
 ECAD 18 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 u-mosviii-h テープ＆リール（ tr） アクティブ 150°C （TJ） 表面マウント 8-POWERVDFN TPH3R203 モスフェット（金属酸化物） 8 ソップアドバンス（5x5） ダウンロード ROHS準拠 1 （無制限） ear99 8541.29.0095 5,000 nチャネル 30 V 47a（tc） 4.5V 、10V 3.2mohm @ 23.5a 、10V 2.3V @ 300µA 21 NC @ 10 V ±20V 2100 PF @ 15 V - 1.6W
TPH6400ENH,L1Q Toshiba Semiconductor and Storage TPH6400ENH 、L1Q 1.7300
RFQ
 ECAD 19 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 u-mosviii-h テープ＆リール（ tr） アクティブ 150°C （TJ） 表面マウント 8-POWERVDFN TPH6400 モスフェット（金属酸化物） 8 ソップアドバンス（5x5） ダウンロード ROHS準拠 1 （無制限） ear99 8541.29.0095 5,000 nチャネル 200 v 13a（ta） 10V 64mohm @ 6.5a 、10V 4V @ 300µA 11.2 NC @ 10 V ±20V 1100 PF @ 100 V - 1.6W
TPN2R203NC,L1Q Toshiba Semiconductor and Storage TPN2R203NC、L1Q 1.2200
RFQ
 ECAD 19 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 u-mosviii テープ＆リール（ tr） アクティブ 150°C （TJ） 表面マウント 8-POWERVDFN TPN2R203 モスフェット（金属酸化物） 8-TSON ADVANCE （3.1x3.1） ダウンロード ROHS準拠 1 （無制限） ear99 8541.29.0095 5,000 nチャネル 30 V 45a（tc） 10V 2.2mohm @ 22.5a 、10V 2.3V @ 500µA 34 NC @ 10 V ±20V 2230 PF @ 15 V - 700MW
TRS10E65C,S1Q Toshiba Semiconductor and Storage TRS10E65C、S1Q -
RFQ
 ECAD 8191 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - チューブ 廃止 穴を通して TO-220-2 TRS10E65 sic （炭化シリコン）ショットキー TO-220-2L - ROHS準拠 1 （無制限） ear99 8541.10.0080 50 回復時間なし> 500ma 650 V 1.7 V @ 10 a 0 ns 90 µA @ 650 v 175°C （最大） 10a -
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    毎日の平均RFQボリューム

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    標準製品ユニット

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    世界的なメーカー

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AD9208BBPZ-3000

196-LFBGA露出パッド

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