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離散半導体製品（2909）

画像 製品番号 価格（USD） 量 ECAD 利用可能な数量 体重（ kg） MFR シリーズ パッケージ 製品ステータス 許容範囲 動作温度 取り付けタイプ パッケージ /ケース 基本製品番号 テクノロジー パワー -マックス サプライヤーデバイスパッケージ データシート ROHSステータス 水分感度レベル（MSL） その他の名前 ECCN htsus 標準パッケージ スピード フェットタイプ 電源（ VDSS ）への排水 電流 -連続排水（ID @ @ 25°C ドライブ電圧（最大rds onmin rds on rds on max） @ id vgs vgs ゲートチャージ（ QG VGS （最大） ciss ）（ max @ vds フェット機能 電力散逸（最大） 電圧-DC リバース（ VR ）（最大） 電圧 -フォワード（ vf ）（ max @ if 逆回復時間（ trr） 現在 - @ vr 動作温度 -ジャンクション 現在 -平均修正（ io） 容量 @ vr、f 電圧 -コレクターエミッタの分解（最大） 現在 -コレクター（IC ）（最大） 現在の - ドレイン（IDSS @ vds（vgs = 0） 電圧-Cutoff（ VGSオフ） @ id 現在 -コレクターカットオフ（最大） 電圧zener インピーダンス（最大）（ ZZT） トランジスタタイプ vce 飽和（max @ ib、ic DC電流ゲイン 頻度 -遷移 抵抗 -ベース（r1） 抵抗 -エミッターベース（r2）
SSM3K15F,LF Toshiba Semiconductor and Storage SSM3K15F 、LF 0.2300
RFQ
 ECAD 72 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 πmosiv テープ＆リール（ tr） アクティブ 150°C 表面マウント TO-236-3 SSM3K15 モスフェット（金属酸化物） s-mini ダウンロード ROHS3準拠 1 （無制限） ear99 8541.21.0095 3,000 nチャネル 30 V 100ma（ta） 2.5V 、4V 4OHM @ 10MA 、4V 1.5V @ 100µA ±20V 7.8 PF @ 3 V - 200MW
TK14A65W5,S5X Toshiba Semiconductor and Storage TK14A65W5、S5x 2.8900
RFQ
 ECAD 4496 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 dtmosiv チューブ アクティブ 150°C （TJ） 穴を通して TO-220-3フルパック TK14A65 モスフェット（金属酸化物） TO-220SIS ダウンロード ROHS3準拠 1 （無制限） ear99 8541.29.0095 50 nチャネル 650 V 13.7a 10V 300mohm @ 6.9a 、10V 4.5V @ 690µA 40 NC @ 10 V ±30V 1300 pf @ 300 v - 40W （TC）
TPH9R00CQH,LQ Toshiba Semiconductor and Storage TPH9R00CQH 、LQ 2.0000
RFQ
 ECAD 7 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - テープ＆リール（ tr） アクティブ 175°C 表面マウント 8-POWERVDFN モスフェット（金属酸化物） 8 ソップアドバンス（5x5） ダウンロード 1 （無制限） 264-TPH9R00CQHLQTR ear99 8541.29.0095 5,000 nチャネル 150 v 64a（tc） 8V 、10V 9mohm @ 32a 、10V 4.3V @ 1MA 44 NC @ 10 V ±20V 5400 PF @ 75 v - 960MW
CRZ24(TE85L,Q,M) Toshiba Semiconductor and Storage crz24（TE85L 0.1740
RFQ
 ECAD 1286 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - テープ＆リール（ tr） アクティブ ±10％ -40°C〜150°C （TJ 表面マウント SOD-123F CRZ24 700 MW s-flat（1.6x3.5） ダウンロード ROHS3準拠 1 （無制限） ear99 8541.10.0050 3,000 1 V @ 200 mA 10 µA @ 17 V 24 v 30オーム
2SK2989,T6F(J Toshiba Semiconductor and Storage 2SK2989 -
RFQ
 ECAD 7347 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - バルク 廃止 穴を通して TO-226-3 2SK2989 to-92mod ダウンロード 1 （無制限） ear99 8541.21.0095 1 5a（tj）
2SK2145-BL(TE85L,F Toshiba Semiconductor and Storage 2SK2145-BL （TE85L f 0.6800
RFQ
 ECAD 6 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - テープ＆リール（ tr） アクティブ 125°C （TJ） 表面マウント SC-74A 、SOT-753 2SK2145 300 MW SMV ダウンロード ROHS準拠 1 （無制限） ear99 8541.21.0095 3,000 2 nチャンネル（デュアル） 13pf @ 10V 6 ma @ 10 v 200 mV @ 100 Na
TW027N65C,S1F Toshiba Semiconductor and Storage TW027N65C、S1F 22.7000
RFQ
 ECAD 4982 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - チューブ アクティブ 175°C 穴を通して TO-247-3 sicfet （炭化シリコン） TO-247 ダウンロード ROHS3準拠 1 （無制限） ear99 8541.29.0095 30 nチャネル 650 V 58a 18V 37mohm @ 29a、18V 5V @ 3MA 65 NC @ 18 V +25V、-10V 2288 PF @ 400 v - 156W
TK14N65W,S1F Toshiba Semiconductor and Storage TK14N65W、S1F 3.3800
RFQ
 ECAD 8957 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 dtmosiv チューブ アクティブ 150°C （TJ） 穴を通して TO-247-3 TK14N65 モスフェット（金属酸化物） TO-247 ダウンロード ROHS3準拠 1 （無制限） ear99 8541.29.0095 30 nチャネル 650 V 13.7a 10V 250mohm @ 6.9a 、10V 3.5V @ 690µA 35 NC @ 10 V ±30V 1300 pf @ 300 v - 130W
TK25V60X5,LQ Toshiba Semiconductor and Storage TK25V60X5 5.0300
RFQ
 ECAD 8257 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 dtmosiv テープ＆リール（ tr） アクティブ 150°C 表面マウント 4-VSFN露出パッド モスフェット（金属酸化物） 4-dfn-ep（8x8） ダウンロード ROHS3準拠 1 （無制限） ear99 8541.29.0095 2,500 nチャネル 600 V 25a（ta） 10V 150mohm @ 7.5a 、10V 4.5V @ 1.2MA 60 NC @ 10 V ±30V 2400 pf @ 300 v - 180W
T2N7002BK,LM Toshiba Semiconductor and Storage T2N7002BK 、LM 0.1700
RFQ
 ECAD 187 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 u-mosvii-h テープ＆リール（ tr） アクティブ 150°C （TJ） 表面マウント TO-236-3 T2N7002 モスフェット（金属酸化物） SOT-23-3 ダウンロード ROHS3準拠 1 （無制限） ear99 8541.21.0095 3,000 nチャネル 60 V 400ma（ta） 4.5V 、10V 1.5OHM @ 100MA 、10V 2.1V @ 250µA 0.6 NC @ 4.5 v ±20V 40 pf @ 10 v - 320MW
TPCA8003-H(TE12LQM Toshiba Semiconductor and Storage TPCA8003-H （TE12LQM -
RFQ
 ECAD 4120 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - テープ＆リール（ tr） 廃止 150°C （TJ） 表面マウント 8-POWERVDFN TPCA8003 モスフェット（金属酸化物） 8 ソップアドバンス（5x5） ダウンロード 1 （無制限） ear99 8541.29.0095 3,000 nチャネル 30 V 35a（ta） 4.5V 、10V 6.6mohm @ 18a 、10V 2.3V @ 1MA 25 NC @ 10 V ±20V 1465 PF @ 10 V - 1.6W
CRG02(TE85L,Q,M) Toshiba Semiconductor and Storage crg02（TE85L -
RFQ
 ECAD 1132 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - テープ＆リール（ tr） 廃止 表面マウント SOD-123F CRG02 標準 s-flat（1.6x3.5） - ROHS準拠 1 （無制限） ear99 8541.10.0080 3,000 標準回復> 500ns 400 V 1.1 V @ 700 Ma 10 µA @ 400 V -40°C〜150°C 700MA -
2SK4017(Q) Toshiba Semiconductor and Storage 2SK4017 -
RFQ
 ECAD 1117 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 u-mosiii バルク 廃止 150°C （TJ） 穴を通して TO-251-3 スタブリード、IPAK 2SK4017 モスフェット（金属酸化物） pw-mold2 ダウンロード ROHS準拠 1 （無制限） ear99 8541.29.0095 200 nチャネル 60 V 5a（ta） 4V 、10V 100mohm @ 2.5a 、10V 2.5V @ 1MA 15 NC @ 10 V ±20V 730 PF @ 10 V - 20W （TC）
RN1117MFV,L3F Toshiba Semiconductor and Storage rn1117mfv、l3f 0.1800
RFQ
 ECAD 7 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - テープ＆リール（ tr） アクティブ 表面マウント SOT-723 RN1117 150 MW vesm ダウンロード ROHS3準拠 1 （無制限） ear99 8541.21.0075 8,000 50 v 100 Ma 500na npn-バイアス化 300mv @ 500µa 、5ma 30 @ 10ma 、5v 250 MHz 10 Kohms 4.7 Kohms
SSM6J409TU(TE85L,F Toshiba Semiconductor and Storage SSM6J409TU -
RFQ
 ECAD 3544 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 u-mosv テープ＆リール（ tr） 廃止 150°C （TJ） 表面マウント 6-SMD 、フラットリード SSM6J409 モスフェット（金属酸化物） UF6 ダウンロード 1 （無制限） ear99 8541.29.0095 3,000 pチャネル 20 v 9.5a（ta） 1.5V 、4.5V 22.1mohm @ 3a 、4.5V 1V @ 1MA 15 NC @ 4.5 v ±8V 1100 PF @ 10 V - 1W
RN2964FE(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage rn2964fe -
RFQ
 ECAD 1932年年 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - テープ＆リール（ tr） 廃止 表面マウント SOT-563、SOT-666 RN2964 100MW ES6 - 1 （無制限） ear99 8541.21.0095 4,000 50V 100mA 100na（icbo） 2 pnp- バ​​イアス（デュアル） 300MV @ 250µA 、5MA 80 @ 10ma 、5v 200MHz 47kohms 47kohms
TPC8110(TE12L,Q,M) Toshiba Semiconductor and Storage TPC8110 -
RFQ
 ECAD 6368 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 u-mosiii テープ＆リール（ tr） 廃止 150°C （TJ） 表面マウント 8-SOIC （0.173 "、幅4.40mm） TPC8110 モスフェット（金属酸化物） 8 ソップ（5.5x6.0 ダウンロード 1 （無制限） ear99 8541.29.0095 3,000 pチャネル 40 v 8a（ta） 4V 、10V 25mohm @ 4a 、10V 2V @ 1MA 48 NC @ 10 V ±20V 2180 PF @ 10 V - 1W
2SA1425-Y,T2F(J Toshiba Semiconductor and Storage 2SA1425-Y 、T2F （J -
RFQ
 ECAD 5109 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - バルク 廃止 150°C （TJ） 穴を通して SC-71 2SA1425 1 W MSTM ダウンロード 1 （無制限） ear99 8541.29.0075 1 120 v 800 Ma 100na（icbo） PNP 1V @ 50ma 、500ma 80 @ 100MA 、5V 120MHz
TPH2010FNH,L1Q Toshiba Semiconductor and Storage TPH2010FNH 、L1Q 1.6200
RFQ
 ECAD 10 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 u-mosviii-h テープ＆リール（ tr） アクティブ 150°C （TJ） 表面マウント 8-POWERVDFN TPH2010 モスフェット（金属酸化物） 8 ソップアドバンス（5x5） ダウンロード ROHS準拠 1 （無制限） ear99 8541.29.0095 5,000 nチャネル 250 v 5.6a（ta） 10V 198mohm @ 2.8a 、10V 4V @ 200µA 7 NC @ 10 V ±20V 600 PF @ 100 V - 1.6W
CRS10I40A(TE85L,QM Toshiba Semiconductor and Storage CRS10I40A 0.4700
RFQ
 ECAD 3740 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - テープ＆リール（ tr） アクティブ 表面マウント SOD-123F CRS10I40 標準 s-flat（1.6x3.5） ダウンロード ROHS3準拠 1 （無制限） ear99 8541.10.0080 3,000 標準回復> 500ns 40 v 490 mV @ 700 Ma 60 µA @ 40 V 150°C （最大） 1a 35pf @ 10V、1MHz
TK9P65W,RQ Toshiba Semiconductor and Storage TK9P65W 、RQ 0.8760
RFQ
 ECAD 2610 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 dtmosiv テープ＆リール（ tr） アクティブ 150°C （TJ） 表面マウント to-252-3 TK9P65 モスフェット（金属酸化物） dpak ダウンロード ROHS3準拠 1 （無制限） ear99 8541.29.0095 2,000 nチャネル 650 V 9.3a（ta） 10V 560mohm @ 4.6a 、10V 3.5V @ 350µA 20 NC @ 10 V ±30V 700 pf @ 300 v - 80W
DSF01S30SC,L3F Toshiba Semiconductor and Storage DSF01S30SC、L3F -
RFQ
 ECAD 4466 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - テープ＆リール（ tr） 廃止 表面マウント 0201 （0603 メトリック） DSF01S30 ショットキー SC2 ダウンロード ROHS準拠 1 （無制限） DSF01S30SCL3F ear99 8541.10.0070 10,000 小さな信号= <200ma（io ）、任意の速度 30 V 500 mV @ 100 Ma 50 µA @ 30 V 125°C （最大） 100mA 9.3pf @ 0V、1MHz
TPH7R204PL,LQ Toshiba Semiconductor and Storage TPH7R204PL 、LQ 0.6500
RFQ
 ECAD 22 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 u-mosix-h テープ＆リール（ tr） アクティブ 175°C （TJ） 表面マウント 8-POWERVDFN TPH7R204 モスフェット（金属酸化物） 8 ソップアドバンス（5x5） ダウンロード ROHS準拠 1 （無制限） ear99 8541.29.0095 3,000 nチャネル 40 v 48a 4.5V 、10V 9.7mohm @ 15a 、4.5V 2.4V @ 200µA 24 NC @ 10 V ±20V 2040 PF @ 20 V - 69W （TC）
TK32E12N1,S1X Toshiba Semiconductor and Storage TK32E12N1、S1x 1.5300
RFQ
 ECAD 5 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 u-mosviii-h チューブ アクティブ 150°C （TJ） 穴を通して TO-220-3 TK32E12 モスフェット（金属酸化物） TO-220 ダウンロード ROHS3準拠 1 （無制限） ear99 8541.29.0095 50 nチャネル 120 v 60a（tc） 10V 13.8mohm @ 16a 、10V 4V @ 500µA 34 NC @ 10 V ±20V 2000 pf @ 60 v - 98W （TC）
TK4A80E,S4X Toshiba Semiconductor and Storage TK4A80E、S4x 1.2300
RFQ
 ECAD 9274 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - チューブ アクティブ 150°C 穴を通して TO-220-3フルパック モスフェット（金属酸化物） TO-220SIS ダウンロード ROHS3準拠 1 （無制限） ear99 8541.29.0095 50 nチャネル 800 V 4a（ta） 10V 3.5OHM @ 2A 、10V 4V @ 400µA 15 NC @ 10 V ±30V 650 PF @ 25 V - 35W （TC）
CMH02A(TE12L,Q,M) Toshiba Semiconductor and Storage CMH02A -
RFQ
 ECAD 2840 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - テープ＆リール（ tr） 廃止 表面マウント SOD-128 CMH02A 標準 m-flat（2.4x3.8） ダウンロード ROHS準拠 1 （無制限） CMH02A （TE12LQM ear99 8541.10.0080 3,000 高速回復= <500ns 400 V 1.8 V @ 3 a 100 ns 10 µA @ 400 V -40°C〜150°C 3a -
2SC2655-Y(T6CN,A,F Toshiba Semiconductor and Storage 2sc2655-y（t6cn、a f -
RFQ
 ECAD 8602 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - バルク 廃止 150°C （TJ） 穴を通して TO-226-3 2SC2655 900 MW to-92mod ダウンロード 1 （無制限） ear99 8541.21.0075 1 50 v 2 a 1µa（icbo） npn 500mv @ 50ma、1a 70 @ 500MA 、2V 100MHz
CRS13(TE85L,Q,M) Toshiba Semiconductor and Storage crs13（TE85L 0.4500
RFQ
 ECAD 3 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - テープ＆リール（ tr） アクティブ 表面マウント SOD-123F CRS13 ショットキー s-flat（1.6x3.5） ダウンロード ROHS3準拠 1 （無制限） ear99 8541.10.0080 3,000 高速回復= <500ns 60 V 550 mV @ 1 a 50 µA @ 60 V 150°C （最大） 1a 40pf @ 10V、1MHz
TK28A65W,S5X Toshiba Semiconductor and Storage TK28A65W、S5x 5.0100
RFQ
 ECAD 34 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 dtmosiv チューブ アクティブ 150°C （TJ） 穴を通して TO-220-3フルパック TK28A65 モスフェット（金属酸化物） TO-220SIS ダウンロード ROHS3準拠 1 （無制限） ear99 8541.29.0095 50 nチャネル 650 V 27.6a（ta） 10V 110mohm @ 13.8a 、10V 3.5V @ 1.6ma 75 NC @ 10 V ±30V 3000 pf @ 300 v - 45W
SSM3K37FS,LF Toshiba Semiconductor and Storage SSM3K37FS 、LF 0.2300
RFQ
 ECAD 122 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 u-mosiii テープ＆リール（ tr） アクティブ 150°C（ta） 表面マウント SC-75、SOT-416 SSM3K37 モスフェット（金属酸化物） SSM ダウンロード ROHS3準拠 1 （無制限） ear99 8541.21.0095 3,000 nチャネル 20 v 200ma（ta） 1.5V 、4.5V 2.2OHM @ 100MA 、4.5V 1V @ 1MA ±10V 12 pf @ 10 v - 100MW
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    毎日の平均RFQボリューム

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    標準製品ユニット

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    世界的なメーカー

  • In-stock Warehouse

    15,000 m2

    在庫倉庫

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AD9208BBPZ-3000

196-LFBGA露出パッド

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