画像 | 製品番号 | 価格(USD) | 量 | ECAD | 利用可能な数量 | 体重( kg) | MFR | シリーズ | パッケージ | 製品ステータス | 許容範囲 | 動作温度 | 取り付けタイプ | パッケージ /ケース | 基本製品番号 | テクノロジー | パワー -マックス | サプライヤーデバイスパッケージ | データシート | ROHSステータス | 水分感度レベル(MSL) | ステータスに到達します | その他の名前 | ECCN | htsus | 標準パッケージ | スピード | フェットタイプ | 電源( VDSS )への排水 | 電流 -連続排水(ID @ @ 25°C | ドライブ電圧(最大rds onmin rds on | rds on max) @ id vgs | vgs | ゲートチャージ( QG | VGS (最大) | ciss )( max @ vds | フェット機能 | 電力散逸(最大) | ダイオード構成 | 電圧-DC リバース( VR )(最大) | 現在 -平均修正( io )(ダイオードあたり) | 電圧 -フォワード( vf )( max @ if | 逆回復時間( trr) | 現在 - @ vr | 動作温度 -ジャンクション | 現在 -平均修正( io) | 容量 @ vr、f | ダイオードタイプ | 電圧 -ピークリバース(最大) | 電圧zener | インピーダンス(最大)( ZZT) |
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | BZS55C8V2 RXG | 0.0340 | ![]() | 6896 | 0.00000000 | 台湾半導体コーポレーション | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | ±5% | -55°C〜150°C | 表面マウント | 1206 (3216 メトリック) | BZS55 | 500 MW | 1206 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0050 | 5,000 | 1.5 V @ 10 Ma | 100 Na @ 6.2 v | 8.2 v | 7オーム | ||||||||||||||||||||||||
Bzy55b3v6 | 0.0413 | ![]() | 1828年年 | 0.00000000 | 台湾半導体コーポレーション | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | ±2% | -55°C〜150°C | 表面マウント | 0805 (2012 メトリック) | BZY55 | 500 MW | 0805 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 影響を受けていない | 1801-Bzy55b3v6tr | ear99 | 8541.10.0050 | 10,000 | 1.5 V @ 10 Ma | 2 µA @ 1 V | 3.6 v | 85オーム | |||||||||||||||||||||||||
![]() | KBP102G C2 | - | ![]() | 9933 | 0.00000000 | 台湾半導体コーポレーション | - | チューブ | 廃止 | -55°C〜150°C | 穴を通して | 4-sip、kbp | 標準 | KBP | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0080 | 1,000 | 1 V @ 1 a | 10 µA @ 100 V | 1 a | 単相 | 100 V | |||||||||||||||||||||||||
![]() | MTZJ24SC R0G | 0.0305 | ![]() | 7251 | 0.00000000 | 台湾半導体コーポレーション | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | ±2% | -55°C〜175°C | 穴を通して | do-204ag | MTZJ24 | 500 MW | DO-34 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0050 | 10,000 | 200 Na @ 19 v | 23.72 v | 35オーム | |||||||||||||||||||||||||
BZT52C6V2-G | 0.0445 | ![]() | 2473 | 0.00000000 | 台湾半導体コーポレーション | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | ±5% | -55°C〜150°C | 表面マウント | SOD-123 | BZT52C | 350 MW | SOD-123 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 影響を受けていない | 1801-BZT52C6V2-GTR | ear99 | 8541.10.0050 | 6,000 | 900 mV @ 10 Ma | 3 µA @ 4 V | 6.2 v | 10オーム | |||||||||||||||||||||||||
BZD17C24P M2G | - | ![]() | 1391 | 0.00000000 | 台湾半導体コーポレーション | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | ±5.83% | -55°C〜175°C | 表面マウント | DO-219AB | BZD17 | 800 MW | sma | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0050 | 7,500 | 1.2 V @ 200 mA | 1 µA @ 18 V | 24 v | 15オーム | |||||||||||||||||||||||||
BZD27C33P R3G | 0.1600 | ![]() | 9177 | 0.00000000 | 台湾半導体コーポレーション | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | ±6.06% | -55°C〜175°C | 表面マウント | DO-219AB | BZD27 | 1 W | sma | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0050 | 1,800 | 1.2 V @ 200 mA | 1 µA @ 24 V | 33 v | 15オーム | |||||||||||||||||||||||||
BZD27C24P RFG | - | ![]() | 6620 | 0.00000000 | 台湾半導体コーポレーション | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | ±5.78% | -55°C〜175°C | 表面マウント | DO-219AB | BZD27 | 1 W | sma | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0050 | 3,000 | 1.2 V @ 200 mA | 1 µA @ 18 V | 24.2 v | 15オーム | |||||||||||||||||||||||||
![]() | TSM1NB60CH | 0.7448 | ![]() | 1962年年 | 0.00000000 | 台湾半導体コーポレーション | - | チューブ | アクティブ | -55°C〜150°C | 穴を通して | to-251-3 | TSM1 | モスフェット(金属酸化物) | TO-251 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 影響を受けていない | 1801-TSM1NB60CH | ear99 | 8541.29.0095 | 15,000 | nチャネル | 600 V | 1a(tc) | 10V | 10OHM @ 500MA 、10V | 4.5V @ 250µA | 6.1 NC @ 10 V | ±30V | 138 PF @ 25 V | - | 39W (TC) | ||||||||||||||||||
![]() | BZD17C43PH | 0.2790 | ![]() | 6989 | 0.00000000 | 台湾半導体コーポレーション | aec-q101 | テープ&リール( tr) | アクティブ | ±5% | -55°C〜175°C | 表面マウント | SOD-123 | BZD17 | 1 W | sma | ダウンロード | ROHS3準拠 | 影響を受けていない | 1801-BZD17C43PHTR | ear99 | 8541.10.0050 | 10,000 | 1 V @ 200 mA | 1 µA @ 33 v | 43 v | 45オーム | ||||||||||||||||||||||||
![]() | MMSZ5225B RHG | 0.0433 | ![]() | 1529 | 0.00000000 | 台湾半導体コーポレーション | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | ±5% | -65°C〜150°C | 表面マウント | SOD-123F | MMSZ5225 | 500 MW | SOD-123F | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0050 | 3,000 | 50 µA @ 1 V | 3 v | 29オーム | |||||||||||||||||||||||||
![]() | M3Z36VC | 0.0297 | ![]() | 1693 | 0.00000000 | 台湾半導体コーポレーション | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | ±5% | -55°C〜150°C | 表面マウント | SC-90、SOD-323F | M3Z36 | 200 MW | SOD-323F | ダウンロード | ROHS3準拠 | 影響を受けていない | 1801-M3Z36VCTR | ear99 | 8541.10.0050 | 6,000 | 100 Na @ 27 V | 36 v | 80オーム | |||||||||||||||||||||||||
![]() | TSM650P02CX | 0.2435 | ![]() | 6711 | 0.00000000 | 台湾半導体コーポレーション | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | 150°C (TJ) | 表面マウント | TO-236-3 | TSM650 | モスフェット(金属酸化物) | SOT-23 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 影響を受けていない | 1801-TSM650P02CXTR | ear99 | 8541.29.0095 | 12,000 | pチャネル | 20 v | 4.1a(tc) | 1.8V 、4.5V | 65mohm @ 3a 、4.5V | 0.8V @ 250µA | 6.4 NC @ 4.5 v | ±10V | 515 PF @ 10 V | - | 1.56W | ||||||||||||||||||
![]() | BZS55C36 RXG | 0.0340 | ![]() | 6061 | 0.00000000 | 台湾半導体コーポレーション | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | ±5% | -55°C〜150°C | 表面マウント | 1206 (3216 メトリック) | BZS55 | 500 MW | 1206 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0050 | 5,000 | 1.5 V @ 10 Ma | 100 Na @ 27 V | 36 v | 80オーム | ||||||||||||||||||||||||
![]() | BZV55C5V6 L1G | - | ![]() | 5856 | 0.00000000 | 台湾半導体コーポレーション | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | ±5% | -65°C〜175°C | 表面マウント | DO-213AC 、ミニメルフ、 SOD-80 | BZV55C | 500 MW | ミニメルフ | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0050 | 2,500 | 1 V @ 10 mA | 100 Na @ 1 V | 5.6 v | 25オーム | ||||||||||||||||||||||||
![]() | BZX79B47 | 0.0305 | ![]() | 5212 | 0.00000000 | 台湾半導体コーポレーション | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | ±2% | -55°C〜175°C | 穴を通して | do-204ah do-35 、軸 | BZX79 | 500 MW | DO-35 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 影響を受けていない | 1801-BZX79B47TR | ear99 | 8541.10.0050 | 10,000 | 1.5 V @ 100 MA | 32.9 MA @ 50 mV | 47 v | 170オーム | ||||||||||||||||||||||||
bzt52b4v3-g rhg | 0.0461 | ![]() | 6099 | 0.00000000 | 台湾半導体コーポレーション | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | ±2% | -55°C〜150°C | 表面マウント | SOD-123 | BZT52B | 410 MW | SOD-123 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0050 | 3,000 | 900 mV @ 10 Ma | 3 µA @ 1 V | 4.3 v | 90オーム | |||||||||||||||||||||||||
![]() | Bzy55b3v9 Ryg | - | ![]() | 1011 | 0.00000000 | 台湾半導体コーポレーション | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | ±2% | -55°C〜150°C | 表面マウント | 0805 (2012 メトリック) | BZY55 | 500 MW | 0805 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0050 | 5,000 | 1.5 V @ 10 Ma | 2 µA @ 1 V | 3.9 v | 85オーム | ||||||||||||||||||||||||
BZD27C6V8P M2G | - | ![]() | 6464 | 0.00000000 | 台湾半導体コーポレーション | - | テープ&リール( tr) | 廃止 | ±5.88% | -55°C〜175°C | 表面マウント | DO-219AB | BZD27 | 1 W | sma | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0050 | 7,500 | 1.2 V @ 200 mA | 10 µA @ 3 V | 6.8 v | 3オーム | |||||||||||||||||||||||||
S1BL RTG | - | ![]() | 4063 | 0.00000000 | 台湾半導体コーポレーション | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | 表面マウント | DO-219AB | S1B | 標準 | sma | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0080 | 7,500 | 標準回復> 500ns | 100 V | 1.1 V @ 1 a | 1.8 µs | 5 µA @ 100 V | -55°C〜175°C | 1a | 9pf @ 4V、1MHz | |||||||||||||||||||||||
SS25LHMHG | - | ![]() | 2822 | 0.00000000 | 台湾半導体コーポレーション | aec-q101 | テープ&リール( tr) | アクティブ | 表面マウント | DO-219AB | SS25 | ショットキー | sma | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0080 | 10,000 | 高速回復= <500ns | 50 v | 700 mV @ 2 a | 400 µA @ 50 V | -55°C〜150°C | 2a | - | ||||||||||||||||||||||||
1SMA5947H | 0.0995 | ![]() | 2794 | 0.00000000 | 台湾半導体コーポレーション | aec-q101 | テープ&リール( tr) | アクティブ | ±5% | -55°C〜150°C | 表面マウント | DO-214AC、SMA | 1SMA5947 | 1.5 w | do-214ac | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0050 | 7,500 | 500 NA @ 62.2 v | 82 v | 160オーム | ||||||||||||||||||||||||||
![]() | UG12J C0G | - | ![]() | 2464 | 0.00000000 | 台湾半導体コーポレーション | - | チューブ | sicで中止されました | 穴を通して | TO-220-2 | UG12 | 標準 | TO-220AC | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0080 | 50 | 高速回復= <500ns | 600 V | 2 V @ 12 a | 20 ns | 5 µA @ 600 v | -55°C〜150°C | 12a | - | ||||||||||||||||||||||
![]() | MTZJ33SD R0G | 0.0305 | ![]() | 6316 | 0.00000000 | 台湾半導体コーポレーション | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | ±2% | -55°C〜175°C | 穴を通して | do-204ag | MTZJ33 | 500 MW | DO-34 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0050 | 10,000 | 200 Na @ 25 V | 32.3 v | 65オーム | |||||||||||||||||||||||||
![]() | 2M36ZH | 0.1667 | ![]() | 1354 | 0.00000000 | 台湾半導体コーポレーション | aec-q101 | テープ&リール( tr) | アクティブ | ±5% | -55°C〜175°C | 穴を通して | DO-204AC 、DO-15、軸 | 2M36 | 2 W | DO-204AC (DO-15) | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0050 | 3,500 | 500 NA @ 27.4 v | 36 v | 25オーム | |||||||||||||||||||||||||
![]() | SF2L4GH | 0.1044 | ![]() | 7733 | 0.00000000 | 台湾半導体コーポレーション | aec-q101 | テープ&リール( tr) | アクティブ | 穴を通して | DO-204AC 、DO-15、軸 | SF2L4 | 標準 | DO-204AC (DO-15) | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0080 | 3,500 | 高速回復= <500ns | 200 v | 950 mv @ 2 a | 35 ns | 1 µA @ 200 v | -55°C〜150°C | 2a | 40pf @ 4V、1MHz | ||||||||||||||||||||||
![]() | 1SMC5352 R7G | - | ![]() | 6638 | 0.00000000 | 台湾半導体コーポレーション | - | テープ&リール( tr) | sicで中止されました | ±5% | -55°C〜150°C | 表面マウント | do-214ab 、mc | 1SMC5352 | 5 W | do-214ab | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0050 | 850 | 1 µA @ 11.5 v | 15 V | 2.5オーム | |||||||||||||||||||||||||
![]() | MTZJ24SB | 0.0305 | ![]() | 3861 | 0.00000000 | 台湾半導体コーポレーション | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | ±2% | -55°C〜175°C | 穴を通して | do-204ag | MTZJ24 | 500 MW | DO-34 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 影響を受けていない | 1801-MTZJ24SBTR | ear99 | 8541.10.0050 | 10,000 | 200 Na @ 19 v | 23.19 v | 35オーム | |||||||||||||||||||||||||
![]() | SR10150H | 0.7555 | ![]() | 4868 | 0.00000000 | 台湾半導体コーポレーション | aec-q101 | チューブ | アクティブ | 穴を通して | TO-220-3 | SR10150 | ショットキー | TO-220AB | ダウンロード | ROHS3準拠 | 影響を受けていない | 1801-SR10150H | ear99 | 8541.10.0080 | 1,000 | 高速回復= <500ns | 1ペア共通カソード | 150 v | 10a | 950 mv @ 5 a | 100 µA @ 150 V | -55°C〜150°C | |||||||||||||||||||||||
BZD27C27PHRQG | - | ![]() | 6462 | 0.00000000 | 台湾半導体コーポレーション | aec-q101 | テープ&リール( tr) | アクティブ | ±7.03% | -55°C〜175°C | 表面マウント | DO-219AB | BZD27 | 1 W | sma | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0050 | 10,000 | 1.2 V @ 200 mA | 1 µA @ 20 V | 27 v | 15オーム |
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