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離散半導体製品（ 1253）

製品番号	価格（USD）	量	利用可能な数量	MFR	シリーズ	パッケージ	製品ステータス	動作温度	取り付けタイプ	パッケージ /ケース	基本製品番号	入力タイプ	テクノロジー	パワー -マックス	サプライヤーデバイスパッケージ	データシート	ROHSステータス	水分感度レベル（MSL）	ステータスに到達します	ECCN	htsus	標準パッケージ	構成	フェットタイプ	テスト条件	電源（ VDSS ）への排水	電流 -連続排水（ID @ @ 25°C	ドライブ電圧（最大rds onmin rds on	rds on max） @ id vgs	vgs	ゲートチャージ（ QG	VGS （最大）	ciss ）（ max @ vds	フェット機能	電力散逸（最大）	IGBTタイプ	電圧 -コレクターエミッタの分解（最大）	現在 -コレクター（IC ）（最大）	現在 -コレクターパルス（ icm）	vce（on max） @ vge	エネルギーの切り替え	ゲートチャージ	TD （オン/オフ） @ 25°C
IRFS4615PBF	0.7100	RFQ	2582	国際整流器	hexfet®	チューブ	廃止	-55°C〜175°C	表面マウント	TO-263-3			モスフェット（金属酸化物）		d2pak	ダウンロード	ROHS3準拠			ear99	8541.29.0095	59		nチャネル		150 v	33a	10V	42mohm @ 21a 、10v	5V @ 100µA	40 NC @ 10 V	±20V	1750 PF @ 50 V	-	144W
auirlr024z	0.5800	RFQ	21	国際整流器	hexfet®	バルク	アクティブ	-55°C〜175°C	表面マウント	to-252-3			モスフェット（金属酸化物）		d-pak	ダウンロード	適用できない	1 （無制限）	影響を受けていない	ear99	0000.00.0000	1		nチャネル		55 v	16a（tc）	4.5V 、10V	58mohm @ 9.6a 、10V	3V @ 250µA	9.9 NC @ 5 V	±16V	380 PF @ 25 V	-	35W （TC）
IRF530NSPBF	-	RFQ	8799	国際整流器	hexfet®	バルク	アクティブ	-55°C〜175°C	表面マウント	TO-263-3			モスフェット（金属酸化物）		d2pak	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない	ear99	0000.00.0000	1		nチャネル		100 V	17a（tc）	10V	90mohm @ 9a、10V	4V @ 250µA	37 NC @ 10 V	±20V	920 PF @ 25 V	-	3.8W （TA ）、70W（TC）
IRF7739L2TRPBF	1.0000	RFQ	7657	国際整流器	hexfet®	バルク	アクティブ	-55°C〜175°C	表面マウント	DirectFet™等尺性L8			モスフェット（金属酸化物）		DirectFet L8	ダウンロード	適用できない	1 （無制限）	影響を受けていない	ear99	0000.00.0000	246		nチャネル		40 v	46a（ta ）、 375a（tc）	10V	1mohm @ 160a 、10v	4V @ 250µA	330 NC @ 10 V	±20V	11880 PF @ 25 V	-	3.8W
AUIRF3805S-7P	-	RFQ	3642	国際整流器	hexfet®	バルク	アクティブ	-55°C〜175°C	表面マウント	TO-263-7			モスフェット（金属酸化物）		d2pak（7 リード）	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない	ear99	0000.00.0000	1		nチャネル		55 v	160a（tc）	10V	2.6mohm @ 140a 、10V	4V @ 250µA	200 NC @ 10 V	±20V	7820 PF @ 25 V	-	300W （TC）
IRFB4115GPBF	-	RFQ	3297	国際整流器	hexfet®	バルク	アクティブ	-55°C〜175°C	穴を通して	TO-220-3			モスフェット（金属酸化物）		TO-220AB	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない	ear99	0000.00.0000	1		nチャネル		150 v	104a（tc）	10V	11mohm @ 62a 、10v	5V @ 250µA	120 NC @ 10 V	±20V	5270 PF @ 50 V	-	380W
IRF8113PBF	-	RFQ	5677	国際整流器	hexfet®	バルク	アクティブ	-55°C〜150°C	表面マウント	8-SOIC （0.154 "、幅3.90mm）			モスフェット（金属酸化物）		8-SO	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない	ear99	0000.00.0000	1		nチャネル		30 V	17.2a	4.5V 、10V	5.6mohm @ 17.2a 、10V	2.2V @ 250µA	36 NC @ 4.5 v	±20V	2910 PF @ 15 V	-	2.5W
IRLZ44ZSPBF	-	RFQ	7338	国際整流器	hexfet®	バルク	アクティブ	-55°C〜175°C	表面マウント	TO-263-3			モスフェット（金属酸化物）		PG-to263-3-2	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない	ear99	0000.00.0000	1		nチャネル		55 v	51a（tc）		13.5mohm @ 31a 、10V	3V @ 250µA	36 NC @ 5 V	±16V	1620 pf @ 25 v	-	80W
IRFS7730PBF	-	RFQ	4097	国際整流器	hexfet®、 strongirfet™	バルク	アクティブ	-55°C〜175°C	表面マウント	TO-263-3			モスフェット（金属酸化物）		d²pak（ to-263ab）	ダウンロード				ear99	8542.39.0001	1		nチャネル		75 v	195a（tc）	6V 、10V	2.6mohm @ 100a 、10V	3.7V @ 250µA	407 NC @ 10 V	±20V	13660 PF @ 25 V	-	375W
IRFS4620PBF	1.0000	RFQ	1444	国際整流器	hexfet®	バルク	アクティブ	-55°C〜175°C	表面マウント	TO-263-3			モスフェット（金属酸化物）		d2pak	ダウンロード				ear99	8541.29.0095	1		nチャネル		200 v	24a（tc）	10V	77.5mohm @ 15a 、10V	5V @ 100µA	38 NC @ 10 V	±20V	1710 pf @ 50 v	-	144W
IRF6797MTRPBF	1.2500	RFQ	11	国際整流器	hexfet®	バルク	アクティブ	-40°C〜150°C （TJ	表面マウント	directfet™mx			モスフェット（金属酸化物）		DirectFet™MX	ダウンロード				ear99	8541.29.0095	1		nチャネル		25 v	36a（タタ210a（tc）	4.5V 、10V	1.4mohm @ 38a 、10V	2.35V @ 150µA	68 NC @ 4.5 v	±20V	5790 PF @ 13 V	-	2.8W （TA ）、89W（TC）
auirfs3107-7p	1.0000	RFQ	6024	国際整流器	hexfet®	バルク	アクティブ	-55°C〜175°C	表面マウント	TO-263-7			モスフェット（金属酸化物）		d2pak（7 リード）	ダウンロード				ear99	8541.29.0095	1		nチャネル		75 v	240a	10V	2.6mohm @ 160a 、10V	4V @ 250µA	240 NC @ 10 V	±20V	9200 PF @ 50 V	-	370W （TC）
auirfr4105	0.6600	RFQ	5	国際整流器	hexfet®	バルク	アクティブ	-55°C〜175°C	表面マウント	to-252-3			モスフェット（金属酸化物）		d-pak	ダウンロード	適用できない	1 （無制限）	影響を受けていない	ear99	0000.00.0000	1		nチャネル		55 v	20a（tc）	10V	45mohm @ 16a 、10V	4V @ 250µA	34 NC @ 10 V	±20V	700 PF @ 25 V	-	68W （TC）
auirfsl8405	-	RFQ	6271	国際整流器	hexfet®	バルク	アクティブ	-55°C〜175°C	穴を通して	To-262-3 Long Leads			モスフェット（金属酸化物）		TO-262	ダウンロード				ear99	8541.29.0095	1		nチャネル		40 v	120a（tc）	10V	2.3mohm @ 100a 、10V	3.9V @ 100µA	161 NC @ 10 V	±20V	5193 PF @ 25 V	-	163W
IRG4RC20FTRLPBF	1.1100	RFQ	9	国際整流器	-	バルク	アクティブ	-55°C〜150°C	表面マウント	to-252-3		標準		66 W	d-pak	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない	ear99	0000.00.0000	3,000			480v											-	600 V	22 a	44 a	2.1V @ 15V 、12a	190µj（オン）、920µJ	40 NC	26ns/194ns
IRLR3110ZTRPBF	-	RFQ	3091	国際整流器	hexfet®	バルク	アクティブ	-55°C〜175°C	表面マウント	to-252-3			モスフェット（金属酸化物）		d-pak	ダウンロード					0000.00.0000	1		nチャネル		100 V	42a	4.5V 、10V	14mohm @ 38a 、10V	2.5V @ 100µA	48 NC @ 4.5 v	±16V	3980 PF @ 25 V	-	140W
IRF9Z34NSTRRPBF	-	RFQ	4590	国際整流器	hexfet®	バルク	アクティブ	-55°C〜175°C	表面マウント	TO-263-3			モスフェット（金属酸化物）		d2pak	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない	ear99	0000.00.0000	800		pチャネル		55 v	19a（tc）	10V	100mohm @ 10a 、10V	4V @ 250µA	35 NC @ 10 V	±20V	620 PF @ 25 V	-	3.8W （TA ）、68W（TC）
IRG8P75N65UD1-EPBF	3.8000	RFQ	2	国際整流器	-	バルク	廃止									-				ear99	8542.39.0001	1
IRF7456PBF	1.0000	RFQ	6648	国際整流器	hexfet®	バルク	アクティブ	-55°C〜150°C	表面マウント	8-SOIC （0.154 "、幅3.90mm）			モスフェット（金属酸化物）		8-SO	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない	ear99	0000.00.0000	1		nチャネル		20 v	16a（ta）	2.8V 、10V	6.5mohm @ 16a 、10V	2V @ 250µA	62 NC @ 5 V	±12V	3640 PF @ 15 V	-	2.5W
IRFH7921TRPBF-IR	0.3600	RFQ	11	国際整流器	hexfet®	バルク	アクティブ	-55°C〜150°C	表面マウント	8-POWERVDFN			モスフェット（金属酸化物）		PQFN	ダウンロード	適用できない	1 （無制限）	影響を受けていない	ear99	0000.00.0000	1		nチャネル		30 V	15a（ta ）、 34a（tc）	4.5V 、10V	8.5mohm @ 15a 、10V	2.35V @ 25µA	14 NC @ 4.5 v	±20V	1210 PF @ 15 V	-	3.1W
IRF3710LPBF	1.0000	RFQ	2914	国際整流器	hexfet®	バルク	アクティブ	-55°C〜175°C	穴を通して	To-262-3 Long Leads			モスフェット（金属酸化物）		TO-262	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない	ear99	8541.29.0095	1		nチャネル		100 V	57a（tc）	10V	23mohm @ 28a 、10v	4V @ 250µA	130 NC @ 10 V	±20V	3130 PF @ 25 V	-	200W （TC）
IRFAE42	-	RFQ	1351	国際整流器	-	バルク	アクティブ	-	穴を通して	to-204aa、to-3			モスフェット（金属酸化物）		to-204aa	ダウンロード				ear99	8542.39.0001	1		nチャネル		800 V	4.4a	-	-	-		-		-	125W
IRF7404TRPBF	0.4000	RFQ	9942	国際整流器	hexfet®	バルク	アクティブ	-55°C〜150°C	表面マウント	8-SOIC （0.154 "、幅3.90mm）			モスフェット（金属酸化物）		8-SO	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない	ear99	8541.29.0095	104		pチャネル		20 v	6.7a（ta）	2.7V 、4.5V	40mohm @ 3.2a 、4.5V	700MV @ 250µA （最小）	50 NC @ 4.5 v	±12V	1500 PF @ 15 V	-	2.5W
IRLU3103PBF	-	RFQ	1234	国際整流器	hexfet®	バルク	アクティブ	-55°C〜175°C	穴を通して	to-251-3			モスフェット（金属酸化物）		IPAK（TO-251AA）	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない	ear99	0000.00.0000	1		nチャネル		30 V	55a（tc）		19mohm @ 33a 、10V	1V @ 250µA	50 NC @ 4.5 v	±16V	1600 pf @ 25 v	-	107W （TC）
IRFR3410PBF	-	RFQ	5795	国際整流器	hexfet®	バルク	アクティブ	-55°C〜175°C	表面マウント	to-252-3			モスフェット（金属酸化物）		TO-252AA	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けた	ear99	0000.00.0000	1		nチャネル		100 V	31a（tc）		39mohm @ 18a 、10v	4V @ 250µA	56 NC @ 10 V	±20V	1690 PF @ 25 V	-	3W （TA ）、110W（TC）
IRF8915PBF	0.2000	RFQ	3472	国際整流器	hexfet®	チューブ	廃止	-55°C〜150°C	表面マウント	8-SOIC （0.154 "、幅3.90mm）	IRF89		モスフェット（金属酸化物）	2W	8-SO	ダウンロード	ROHS3準拠			ear99	8541.29.0095	355	2 nチャンネル（デュアル）			20V	8.9a		18.3mohm @ 8.9a 、10V	2.5V @ 250µA	7.4NC @ 4.5V		540pf @ 10V	ロジックレベルゲート
IRLR7821PBF	-	RFQ	7115	国際整流器	hexfet®	バルク	アクティブ	-55°C〜175°C	表面マウント	to-252-3			モスフェット（金属酸化物）		d-pak	ダウンロード				ear99	8542.39.0001	1		nチャネル		30 V	65a（tc）	4.5V 、10V	10mohm @ 15a 、10V	1V @ 250µA	14 NC @ 4.5 v	±20V	1030 PF @ 15 V	-	75W
IRFAF50	7.0500	RFQ	644	国際整流器	hexfet®	バルク	アクティブ	-55°C〜150°C	穴を通して	to-204aa、to-3			モスフェット（金属酸化物）		to-204aa	ダウンロード	ROHS非準拠	1 （無制限）	影響を受けていない	ear99	8542.39.0001	1		nチャネル		900 V	6.2a（tc）	10V	1.85OHM @ 6.2A 、10V	4V @ 250µA	180 NC @ 10 V	±20V	2700 PF @ 25 V	-	150W
IRFR220NPBF	1.0000	RFQ	3436	国際整流器	hexfet®	バルク	アクティブ	-55°C〜175°C	表面マウント	to-252-3			モスフェット（金属酸化物）		d-pak	ダウンロード					0000.00.0000	1		nチャネル		200 v	5a（tc）	10V	600mohm @ 2.9a 、10V	4V @ 250µA	23 NC @ 10 V	±20V	300 pf @ 25 V	-	43W
IRFS3107PBF	1.0000	RFQ	5707	国際整流器	hexfet®	チューブ	廃止	-55°C〜175°C	表面マウント	TO-263-3			モスフェット（金属酸化物）		d2pak	-	ROHS3準拠			ear99	8541.29.0095	1,000		nチャネル		75 v	195a（tc）	10V	3mohm @ 140a 、10V	4V @ 250µA	240 NC @ 10 V	±20V	9370 PF @ 50 V	-	370W （TC）

2000+
毎日の平均RFQボリューム
30,000,000
標準製品ユニット
2800+
世界的なメーカー
15,000 m²
在庫倉庫

離散半導体製品（ 1253）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²