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離散半導体製品（ 1252）

製品番号	価格（USD）	量	利用可能な数量	MFR	シリーズ	パッケージ	製品ステータス	動作温度	取り付けタイプ	パッケージ /ケース	タイプ	基本製品番号	入力タイプ	テクノロジー	パワー -マックス	サプライヤーデバイスパッケージ	データシート	ROHSステータス	水分感度レベル（MSL）	ステータスに到達します	その他の名前	ECCN	htsus	標準パッケージ	構成	フェットタイプ	テスト条件	現在	電圧	電圧 -分離	電源（ VDSS ）への排水	電流 -連続排水（ID @ @ 25°C	ドライブ電圧（最大rds onmin rds on	rds on max） @ id vgs	vgs	ゲートチャージ（ QG	VGS （最大）	ciss ）（ max @ vds	フェット機能	電力散逸（最大）	逆回復時間（ trr）	IGBTタイプ	電圧 -コレクターエミッタの分解（最大）	現在 -コレクター（IC ）（最大）	現在 -コレクターパルス（ icm）	vce（on max） @ vge	エネルギーの切り替え	ゲートチャージ	TD （オン/オフ） @ 25°C
IRFAC50	7.4200	RFQ	129	国際整流器	-	バルク	アクティブ	-	穴を通して	to-204aa、to-3				モスフェット（金属酸化物）		to-204aa	ダウンロード	ROHS非準拠	1 （無制限）	未定義のベンダー		ear99	8542.39.0001	1		nチャネル					600 V	10.6a	-	-	-		-		-	150W
IRFAF50	7.0500	RFQ	644	国際整流器	hexfet®	バルク	アクティブ	-55°C〜150°C	穴を通して	to-204aa、to-3				モスフェット（金属酸化物）		to-204aa	ダウンロード	ROHS非準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8542.39.0001	1		nチャネル					900 V	6.2a（tc）	10V	1.85OHM @ 6.2A 、10V	4V @ 250µA	180 NC @ 10 V	±20V	2700 PF @ 25 V	-	150W
auirlr024z	0.5800	RFQ	21	国際整流器	hexfet®	バルク	アクティブ	-55°C〜175°C	表面マウント	to-252-3				モスフェット（金属酸化物）		d-pak	ダウンロード	適用できない	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	0000.00.0000	1		nチャネル					55 v	16a（tc）	4.5V 、10V	58mohm @ 9.6a 、10V	3V @ 250µA	9.9 NC @ 5 V	±16V	380 PF @ 25 V	-	35W （TC）
IRG4IBC30KDPBF	2.1000	RFQ	2251	国際整流器	-	バルク	アクティブ	-55°C〜150°C	穴を通して	TO-220-3フルパック			標準		45 W	to220フルパック	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	0000.00.0000	125			480v														42 ns	-	600 V	17 a	34 a	2.7V @ 15V 、16a	600µJ （580µj （オフ）	100 NC	60ns/160ns
IRLL3303PBF	-	RFQ	5319	国際整流器	hexfet®	バルク	アクティブ	-55°C〜150°C	表面マウント	TO-261-4、TO-261AA				モスフェット（金属酸化物）		SOT-223	ダウンロード	適用できない	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	0000.00.0000	160		nチャネル					30 V	4.6a（ta）		31mohm @ 4.6a 、10V	1V @ 250µA	50 NC @ 10 V	±16V	840 PF @ 25 V	-	1W
IRL3103PBF	1.0000	RFQ	2105	国際整流器	hexfet®	バルク	アクティブ	-55°C〜175°C	穴を通して	TO-220-3				モスフェット（金属酸化物）		TO-220AB	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	0000.00.0000	1		nチャネル					30 V	64a（tc）	4.5V 、10V	12mohm @ 34a 、10V	1V @ 250µA	33 NC @ 4.5 v	±16V	1650 PF @ 25 V	-	94W
IRL2203NPBF	-	RFQ	2624	国際整流器	hexfet®	バルク	アクティブ	-55°C〜175°C	穴を通して	TO-220-3				モスフェット（金属酸化物）		TO-220AB	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	0000.00.0000	1		nチャネル					30 V	116a（tc）	4.5V 、10V	7mohm @ 60a 、10V	1V @ 250µA	60 NC @ 4.5 v	±16V	3290 PF @ 25 V	-	180W
IRF9143	4.3400	RFQ	80	国際整流器	hexfet®	バルク	アクティブ	-	穴を通して	to-204ae				モスフェット（金属酸化物）		to-204ae	ダウンロード	ROHS非準拠	1 （無制限）	未定義のベンダー		ear99	0000.00.0000	80		pチャネル					80 v	15a		-	-		-		標準	125W
IRFB3207ZGPBF	-	RFQ	9377	国際整流器	hexfet®	バルク	アクティブ	-55°C〜175°C	穴を通して	TO-220-3				モスフェット（金属酸化物）		TO-220AB	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	0000.00.0000	145		nチャネル					75 v	120a（tc）		4.1mohm @ 75a 、10V	4V @ 150µA	170 NC @ 10 V	±20V	6920 PF @ 50 V	-	300W （TC）
IPD50N04S308ATMA1	-	RFQ	1497	国際整流器	Optimos™	バルク	アクティブ	-55°C〜175°C	表面マウント	to-252-3		IPD50		モスフェット（金属酸化物）		PG-to252-3	-	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けた		ear99	0000.00.0000	2,500		nチャネル					40 v	50a（tc）	10V	7.5mohm @ 50a 、10V	4V @ 40µA	35 NC @ 10 V	±20V	2350 pf @ 25 v	-	68W （TC）
IRLR3802TRPBF	1.0000	RFQ	9668	国際整流器	hexfet®	バルク	アクティブ	-55°C〜175°C	表面マウント	to-252-3				モスフェット（金属酸化物）		d-pak	ダウンロード	適用できない	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	0000.00.0000	1		nチャネル					12 v	84a（tc）	2.8V 、4.5V	8.5mohm @ 15a 、4.5V	1.9V @ 250µA	41 NC @ 5 V	±12V	2490 PF @ 6 V	-	88W
IRF7452PBF	-	RFQ	4111	国際整流器	hexfet®	バルク	アクティブ	-55°C〜150°C	表面マウント	8-SOIC （0.154 "、幅3.90mm）				モスフェット（金属酸化物）		8-SO	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	0000.00.0000	1		nチャネル					100 V	4.5a（ta）	10V	60mohm @ 2.7a、10V	5.5V @ 250µA	50 NC @ 10 V	±30V	930 PF @ 25 V	-	2.5W
auirg4bc30u-s	-	RFQ	5319	国際整流器	-	バルク	アクティブ	-55°C〜150°C	表面マウント	TO-263-3		auirg4	標準		100 W	d2pak	ダウンロード	適用できない	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	0000.00.0000	1			480v															-	600 V	23 a	92 a	2.1V @ 15V 、12a	160µj（on200µj（オフ）	75 NC	17ns/78ns
IRFS4410PBF	-	RFQ	4835	国際整流器	hexfet®	バルク	アクティブ	-55°C〜175°C	表面マウント	TO-263-3				モスフェット（金属酸化物）		PG-to263-3-2	-	適用できない	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	0000.00.0000	1		nチャネル					100 V	88a（tc）		10mohm @ 58a 、10V	4V @ 150µA	180 NC @ 10 V	±20V	5150 PF @ 50 V	-	200W （TC）
IRFS5615TRLPBF	-	RFQ	4989	国際整流器	-	バルク	アクティブ	-55°C〜175°C	表面マウント	TO-263-3				モスフェット（金属酸化物）		d2pak	-	適用できない	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	0000.00.0000	1		nチャネル					150 v	33a	10V	42mohm @ 21a 、10v	5V @ 100µA	40 NC @ 10 V	±20V	1750 PF @ 50 V	-	144W
IRFB42N20DPBF	-	RFQ	1785	国際整流器	hexfet®	バルク	アクティブ	-55°C〜175°C	穴を通して	TO-220-3				モスフェット（金属酸化物）		TO-220AB	ダウンロード	適用できない	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	0000.00.0000	1		nチャネル					200 v	44a（tc）	10V	55mohm @ 26a 、10V	5.5V @ 250µA	140 NC @ 10 V	±30V	3430 PF @ 25 V	-	2.4W
auirf1010ez	1.2600	RFQ	6	国際整流器	hexfet®	バルク	アクティブ	-55°C〜175°C	穴を通して	TO-220-3				モスフェット（金属酸化物）		TO-220AB	ダウンロード	適用できない	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	0000.00.0000	1		nチャネル					60 V	75a（tc）		8.5mohm @ 51a 、10V	4V @ 250µA	86 NC @ 10 V		2810 pf @ 25 v	-	140W
auirfs4010-7p	-	RFQ	1043	国際整流器	Automotive	バルク	アクティブ	-55°C〜175°C	表面マウント	TO-263-3				モスフェット（金属酸化物）		d2pak	ダウンロード	適用できない	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	0000.00.0000	1		nチャネル					100 V	190a		4mohm @ 110a 、10V	4V @ 250µA	230 NC @ 10 V	±20V	9830 PF @ 50 V	-	380W
IRFS730-7PPBF	-	RFQ	9846	国際整流器	hexfet®	バルク	アクティブ	-55°C〜175°C	表面マウント	TO-263-3				モスフェット（金属酸化物）		d2pak	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	0000.00.0000	1		nチャネル					75 v	240a		2mohm @ 100a 、10V	3.7V @ 250µA	428 NC @ 10 V	±20V	13970 PF @ 25 V	-	375W
IRFS7540PBF	-	RFQ	3973	国際整流器	hexfet®、 strongirfet™	バルク	アクティブ	-55°C〜175°C	表面マウント	TO-263-3				モスフェット（金属酸化物）		d2pak	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	0000.00.0000	1		nチャネル					60 V	110a（tc）	6V 、10V	5.1mohm @ 65a 、10V	3.7V @ 100µA	130 NC @ 10 V	±20V	4555 PF @ 25 V	-	160W
auirfr3607	-	RFQ	7019	国際整流器	hexfet®	バルク	アクティブ	-55°C〜175°C	表面マウント	to-252-3		auirfr3607		モスフェット（金属酸化物）		d-pak	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	0000.00.0000	1		nチャネル					75 v	56a（tc）	10V	9mohm @ 46a 、10V	4V @ 100µA	84 NC @ 10 V	±20V	3070 PF @ 50 V	-	140W
auirfsl8408	1.8100	RFQ	1	国際整流器	hexfet®	バルク	アクティブ	-55°C〜175°C	穴を通して	To-262-3 Long Leads				モスフェット（金属酸化物）		TO-262	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	0000.00.0000	1		nチャネル					40 v	195a（tc）		1.6mohm @ 100a 、10V	3.9V @ 250µA	324 NC @ 10 V		10820 PF @ 25 V	-	294W
auirf2907zs-7p	-	RFQ	1959年年	国際整流器	hexfet®	バルク	アクティブ	-55°C〜175°C	表面マウント	TO-263-7				モスフェット（金属酸化物）		d2pak（7 リード）	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	0000.00.0000	1		nチャネル					75 v	180a（tc）		3.8mohm @ 110a 、10V	4V @ 250µA	260 NC @ 10 V		7580 PF @ 25 V	-
auirf9540n	1.0400	RFQ	5	国際整流器	aec-q101	バルク	アクティブ	-55°C〜175°C	穴を通して	TO-220-3				モスフェット（金属酸化物）		TO-220	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	0000.00.0000	1		pチャネル					100 V	23a（tc）	10V	117mohm @ 11a 、10V	4V @ 250µA	97 NC @ 10 V	±20V	1300 PF @ 25 V	-	140W
IRAM136-3023B	-	RFQ	7345	国際整流器	imotion™	チューブ	アクティブ		穴を通して	22-POWERSIP モジュール、 18 のリード、リードを形成しました	モスフェット						ダウンロード	適用できない	3 （168 時間）	影響を受けていない		ear99	8542.39.0001	1	3フェーズ			30 a	150 v	2000VRMS
auirg4pc40s-e-ir	-	RFQ	6740	国際整流器	*	バルク	アクティブ					auirg4					-	適用できない	1 （無制限）	影響を受けていない	2156-auirg4pc40s-e-ir	ear99	0000.00.0000	1
IRFI7536GPBF-IR	-	RFQ	5802	国際整流器	hexfet®	バルク	アクティブ	-55°C〜175°C	穴を通して	TO-220-3フルパック				モスフェット（金属酸化物）		TO-220フルパック	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	0000.00.0000	1		nチャネル					60 V	86a（tc）	10V	3.4mohm @ 75a 、10V	4V @ 150µA	195 NC @ 10 V	±20V	6600 PF @ 48 v	-	75W
auirfr5505-ir	-	RFQ	6682	国際整流器	hexfet®	バルク	アクティブ	-55°C〜150°C	表面マウント	to-252-3				モスフェット（金属酸化物）		d-pak	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	0000.00.0000	1		pチャネル					55 v	18a（tc）	10V	110mohm @ 9.6a 、10V	4V @ 250µA	32 NC @ 10 V	±20V	650 PF @ 25 V	-	57W
auirfr5410-ir	0.7700	RFQ	2	国際整流器	hexfet®	バルク	アクティブ	-55°C〜150°C	表面マウント	to-252-3				モスフェット（金属酸化物）		d-pak	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	0000.00.0000	1		pチャネル					100 V	13a（tc）	10V	205mohm @ 7.8a 、10V	4V @ 250µA	58 NC @ 10 V	±20V	760 PF @ 25 V	-	66W
auirfs3006-7p-ir	3.7500	RFQ	100	国際整流器	hexfet®	バルク	アクティブ	-55°C〜175°C	表面マウント	TO-263-7				モスフェット（金属酸化物）		d2pak	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	0000.00.0000	1		nチャネル					60 V	240a	10V	2.1mohm @ 168a 、10V	4V @ 250µA	300 NC @ 10 V	±20V	8850 PF @ 50 V	-	375W

2000+
毎日の平均RFQボリューム
30,000,000
標準製品ユニット
2800+
世界的なメーカー
15,000 m²
在庫倉庫

離散半導体製品（ 1252）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²