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離散半導体製品（6315）

製品番号	価格（USD）	量	利用可能な数量	MFR	シリーズ	パッケージ	製品ステータス	動作温度	取り付けタイプ	パッケージ /ケース	基本製品番号	入力タイプ	テクノロジー	パワー -マックス	サプライヤーデバイスパッケージ	データシート	ROHSステータス	水分感度レベル（MSL）	ステータスに到達します	その他の名前	ECCN	htsus	標準パッケージ	構成	スピード	フェットタイプ	テスト条件	電源（ VDSS ）への排水	電流 -連続排水（ID @ @ 25°C	ドライブ電圧（最大rds onmin rds on	rds on max） @ id vgs	vgs	ゲートチャージ（ QG	VGS （最大）	ciss ）（ max @ vds	フェット機能	電力散逸（最大）	ダイオード構成	電圧-DC リバース（ VR ）（最大）	現在 -平均修正（ io ）（ダイオードあたり）	電圧 -フォワード（ vf ）（ max @ if	逆回復時間（ trr）	現在 - @ vr	動作温度 -ジャンクション	現在 -平均修正（ io）	容量 @ vr、f	IGBTタイプ	電圧 -コレクターエミッタの分解（最大）	現在 -コレクター（IC ）（最大）	現在 -コレクターパルス（ icm）	vce（on max） @ vge	エネルギーの切り替え	ゲートチャージ	TD （オン/オフ） @ 25°C	ダイオードタイプ	電圧 -ピークリバース（最大）
dssk28-0045bs-tub	-	RFQ	3412	ixys	-	チューブ	sicで中止されました		-	-	DSSK28		-		-	ダウンロード	ROHS3準拠		影響を受けていない		ear99	8541.10.0080	50		-													-		-				-55°C〜150°C
IXRB5-506MINIPACK2	-	RFQ	8359	ixys	-	チューブ	廃止				IXRB5-506					-		1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.29.0095	1
VBO55-08NO7	-	RFQ	3608	ixys	-	箱	廃止	-40°C〜150°C （TJ	シャーシマウント	fo-ta	VBO55		標準		fo-ta	ダウンロード		1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0080	20																		1.6 V @ 150 a		500 µA @ 800 V		55 a										単相	800 V
IXTA12N65X2	3.4474	RFQ	6484	ixys	ウルトラx2	チューブ	アクティブ	-55°C〜150°C	表面マウント	TO-263-3	IXTA12		モスフェット（金属酸化物）		TO-263AA	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.29.0095	50			nチャネル		650 V	12a（tc）	10V	300mohm @ 6a 、10V	5V @ 250µA	17 NC @ 10 V	±30V	1100 PF @ 25 V	-	180W
w5984te360	-	RFQ	9291	ixys	-	箱	sicで中止されました		シャーシマウント	DO-200AE	W5984		標準		W94	-	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない	238-W5984TE360	ear99	8541.10.0080	12		標準回復> 500ns														3600 v		1.25 V @ 5000 a	47 µs	100 mA @ 3600 v	-40°C〜160°C	5984a	-
IXTM21N50L	-	RFQ	5150	ixys	-	チューブ	廃止	-	-	-	IXTM21		-		-	-	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.29.0095	20			-			-	-	-	-		-		-	-
IXTH1N200P3	-	RFQ	2971	ixys	極P3™	チューブ	アクティブ	-55°C〜150°C	穴を通して	TO-247-3	ixth1		モスフェット（金属酸化物）		TO-247	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.29.0095	30			nチャネル		2000 v	1a（tc）	10V	40OHM @ 500MA 、10V	4V @ 250µA	23.5 NC @ 10 V	±20V	646 PF @ 25 V	-	125W
VBO22-18NO8	13.0172	RFQ	3621	ixys	-	箱	アクティブ	-40°C〜150°C （TJ	QC端子	4 平方、FO-B	VBO22		標準		FO-B	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0080	50																		2.2 V @ 150 a		300 µA @ 1800 V		21 a										単相	1.8 kv
vuo120-16no1	-	RFQ	6570	ixys	-	箱	アクティブ	-40°C〜150°C （TJ	シャーシマウント	v2-pak	vuo120		標準		v2-pak	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0080	6																		1.59 V @ 150 a		300 µA @ 1600 V		121 a										3フェーズ	1.6 kV
DMA10IM1600UZ-TUB	1.7900	RFQ	60	ixys	-	チューブ	アクティブ		表面マウント	to-252-3	DMA10		標準		TO-252AA	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない	238-DMA10IM1600UZ-TUB	ear99	8541.10.0080	70		標準回復> 500ns														1600 v		1.26 V @ 10 a		10 µA @ 1600 v	-55°C〜175°C	10a	4PF @ 400V 、1MHz
W2840QA220	-	RFQ	9720	ixys	-	箱	sicで中止されました		クランプオン	do-200ab、b-puk	W2840		標準		W117	-	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない	238-W2840QA220	ear99	8541.10.0080	12		標準回復> 500ns														2200 v					-	2840a	-
W5282ZC300	-	RFQ	5756	ixys	-	箱	sicで中止されました		シャーシマウント	DO-200AE	W5282		標準		W7	-	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない	238-W5282ZC300	ear99	8541.10.0080	12		標準回復> 500ns														3000 V		1.35 V @ 6000 a		100 mA @ 3000 v	-55°C〜160°C	5282a	-
IXTT38N30L2HV	20.1987	RFQ	1520	ixys	線形L2™	チューブ	アクティブ	-55°C〜150°C	表面マウント	TO-268-3	IXTT38		モスフェット（金属酸化物）		TO-268HV	-	ROHS3準拠	3 （168 時間）	影響を受けていない	238-IXTT38N30L2HV	ear99	8541.29.0095	30			nチャネル		300 V	38a（tc）	10V	100mohm @ 19a 、10V	4.5V @ 250µA	260 NC @ 10 V	±20V	7200 PF @ 25 V	-	400W （TC）
IXTT140N10P-TRL	7.8667	RFQ	4425	ixys	極	テープ＆リール（ tr）	アクティブ	-55°C〜175°C	表面マウント	TO-268-3	IXTT140		モスフェット（金属酸化物）		TO-268	-	ROHS3準拠		影響を受けていない	238-IXTT140N10P-TRLTR	ear99	8541.29.0095	400			nチャネル		100 V	140a（tc）	10V、15V	11mohm @ 70a 、10V	5V @ 250µA	155 NC @ 10 V	±20V	4700 PF @ 25 V	-	600W
IXGH36N60B3C1	-	RFQ	9289	ixys	genx3™	チューブ	廃止	-55°C〜150°C	穴を通して	TO-247-3	IXGH36	標準		250 W	TO-247AD	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.29.0095	30				400V、30A 、5OHM15V																				pt	600 V	75 a	200 a	1.8V @ 15V 、30a	390µj（オン）、800µJ	80 NC	20ns/125ns
IXA20I1200HB	-	RFQ	3887	ixys	-	チューブ	アクティブ				IXA20					-	ROHS3準拠	1 （無制限）		238-IXA20I1200HB			1
ixta10p50p-trl	6.8800	RFQ	2896	ixys	極	テープ＆リール（ tr）	アクティブ	-55°C〜150°C	表面マウント	TO-263-3	ixta10		モスフェット（金属酸化物）		TO-263AA	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.29.0095	800			pチャネル		500 V	10a（tc）	10V	1OHM @ 5A 、10V	4V @ 250µA	50 NC @ 10 V	±20V	2840 PF @ 25 V	-	300W （TC）
GWM180-004X2-SMD	-	RFQ	4704	ixys	-	チューブ	アクティブ	-55°C〜175°C	表面マウント	17-SMD 、ガルウィング	GWM180		モスフェット（金属酸化物）	-	ISOPLUS-DIL™	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.29.0095	1	6 N-Channel（3 フェーズブリッジ）				40V	180a		2.5mohm @ 100a 、10V	4.5V @ 1MA	110NC @ 10V		-	-
MDNA280UB2200pted	151.8889	RFQ	9307	ixys	-	箱	アクティブ	-40°C〜150°C （TJ	シャーシマウント	E2	MDNA280		標準		E2	-	ROHS3準拠		影響を受けていない	238-MDNA280UB2200PTED	ear99	8541.10.0080	28																		1.75 V @ 270 a		100 µA @ 2200 v		280 a										3 フェーズ（ブレーキング）	2.2 kv
IXYP10N65C3D1	-	RFQ	4184	ixys	genx3™xpt™	チューブ	アクティブ	-55°C〜175°C	穴を通して	TO-220-3	IXYP10	標準		160 W	TO-220	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.29.0095	50				400V 、10A 、50OHM15V															170 ns					pt	650 V	30 a	54 a	2.5V @ 15V 、10a	240µj（on1110µj （オフ）	18 NC	20ns/77ns
IXGA20N120B3	4.7479	RFQ	6215	ixys	genx3™	チューブ	アクティブ	-55°C〜150°C	表面マウント	TO-263-3	IXGA20	標準		180 W	TO-263AA	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.29.0095	50				600V、16a 、15ohm15V																				pt	1200 v	36 a	80 a	3.1V @ 15V 、16a	920µJ（on ）、 560µj （オフ）	51 NC	16ns/150ns
IXTQ74N15T	-	RFQ	5488	ixys	溝	チューブ	アクティブ	-	穴を通して	to-3p-3、SC-65-3	IXTQ74		モスフェット（金属酸化物）		to-3p	-	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.29.0095	30			nチャネル		150 v	74a（tc）		-	-				-	-
IXTV22N50P	-	RFQ	1572	ixys	PolarHV™	チューブ	廃止	-55°C〜150°C	穴を通して	TO-220-3 、ショートタブ	IXTV22		モスフェット（金属酸化物）		プラス220	ダウンロード		1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.29.0095	50			nチャネル		500 V	22a（tc）	10V	270mohm @ 11a 、10V	5.5V @ 250µA	50 NC @ 10 V	±30V	2630 pf @ 25 v	-	350W
DCG130x1200NA	243.9400	RFQ	60	ixys	-	チューブ	アクティブ		シャーシマウント	SOT-227-4、ミニブロック	DCG130		sic （炭化シリコン）ショットキー		SOT-227B	ダウンロード	ROHS3準拠	適用できない	影響を受けていない		ear99	8541.10.0080	10		回復時間なし> 500ma													2独立	1200 v	64a	1.8 V @ 60 a	0 ns	800 µA @ 1200 V	-40°C〜175°C
IXUC200N055	-	RFQ	3077	ixys	-	チューブ	廃止	-55°C〜175°C	穴を通して	ISOPLUS220™	IXUC200		モスフェット（金属酸化物）		ISOPLUS220™	ダウンロード		1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.29.0095	50			nチャネル		55 v	200a（tc）	10V	5.1mohm @ 100a 、10v	4V @ 2MA	200 NC @ 10 V	±20V		-	300W （TC）
IXTF1N450	101.4600	RFQ	7133	ixys	-	チューブ	アクティブ	-55°C〜150°C	穴を通して	I4-PAC™-5（3 リード）	ixtf1		モスフェット（金属酸化物）		ISOPLUS I4-PAC™	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.29.0095	25			nチャネル		4500 v	900ma	10V	85OHM @ 50MA 、10V	6.5V @ 250µA	40 NC @ 10 V	±20V	1730 pf @ 25 v	-	160W
IXTT60N20L2	21.5000	RFQ	35	ixys	線形L2™	チューブ	アクティブ	-55°C〜150°C	表面マウント	TO-268-3	IXTT60		モスフェット（金属酸化物）		TO-268AA	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない	-IXTT60N20L2	ear99	8541.29.0095	30			nチャネル		200 v	60a（tc）	10V	45mohm @ 30a 、10V	4.5V @ 250µA	255 NC @ 10 V	±20V	10500 PF @ 25 V	-	540W
IXFT30N50P	12.6006	RFQ	9164	ixys	hiperfet™polar	チューブ	アクティブ	-55°C〜150°C	表面マウント	TO-268-3	ixft30		モスフェット（金属酸化物）		TO-268AA	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.29.0095	30			nチャネル		500 V	30a（tc）	10V	200mohm @ 15a 、10V	5V @ 4MA	70 NC @ 10 V	±30V	4150 PF @ 25 V	-	460W （TC）
IXXK200N60C3	24.2008	RFQ	1611	ixys	genx3™xpt™	チューブ	アクティブ	-55°C〜175°C	穴を通して	TO-264-3、TO-264AA	IXXK200	標準		1630 w	TO-264	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.29.0095	25				360V 、100A、1OHM15V																				pt	600 V	340 a	900 a	2.1V @ 15V 、100A	3mj （オン）、1.7mj （オフ）	315 NC	47ns/125ns
IXYA20N120A4HV	11.3500	RFQ	6311	ixys	genx4™、xpt™	チューブ	アクティブ	-55°C〜175°C	表面マウント	TO-263-3	Ixya20	標準		375 w	TO-263HV	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない	238-IXYA20N120A4HV	ear99	8541.29.0095	50				800mv															54 ns					pt	1200 v	80 a	135 a	1.9V @ 15V 、20a	3.6MJ （オン）、2.75MJ	46 NC	12ns/275ns

2000+
毎日の平均RFQボリューム
30,000,000
標準製品ユニット
2800+
世界的なメーカー
15,000 m²
在庫倉庫

離散半導体製品（6315）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²