| 画像 | 製品番号 | 価格(USD) | 量 | ECAD | 利用可能な数量 | 体重( kg) | MFR | シリーズ | パッケージ | 製品ステータス | 動作温度 | 取り付けタイプ | パッケージ /ケース | 基本製品番号 | テクノロジー | パワー -マックス | サプライヤーデバイスパッケージ | データシート | ROHSステータス | 水分感度レベル(MSL) | ステータスに到達します | その他の名前 | ECCN | htsus | 標準パッケージ | 構成 | フェットタイプ | 電源( VDSS )への排水 | 電流 -連続排水(ID @ @ 25°C | ドライブ電圧(最大rds onmin rds on | rds on max) @ id vgs | vgs | ゲートチャージ( QG | VGS (最大) | ciss )( max @ vds | フェット機能 | 電力散逸(最大) |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| IRL520PBF | 1.4600 | ![]() | 8 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - | チューブ | アクティブ | -55°C〜175°C | 穴を通して | TO-220-3 | IRL520 | モスフェット(金属酸化物) | TO-220AB | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | *IRL520PBF | ear99 | 8541.29.0095 | 50 | nチャネル | 100 V | 9.2a | 4V、5V | 270mohm @ 5.5a 、5v | 2V @ 250µA | 12 NC @ 5 V | ±10V | 490 PF @ 25 V | - | 60W (TC) | |||||
![]() | IRLD120 | - | ![]() | 5157 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - | チューブ | 廃止 | -55°C〜175°C | 穴を通して | 4-dip (0.300 "、7.62mm) | IRLD120 | モスフェット(金属酸化物) | 4-HVMDIP | ダウンロード | ROHS非準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | *IRLD120 | ear99 | 8541.29.0095 | 2,500 | nチャネル | 100 V | 1.3a(ta) | 4V、5V | 270mohm @ 780ma 、5v | 2V @ 250µA | 12 NC @ 5 V | ±10V | 490 PF @ 25 V | - | 1.3W | |||
| IRF640PBF | 1.9900 | ![]() | 795 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - | バルク | アクティブ | -55°C〜150°C (TJ | 穴を通して | TO-220-3 | IRF640 | モスフェット(金属酸化物) | TO-220AB | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | *IRF640PBF | ear99 | 8541.29.0095 | 50 | nチャネル | 200 v | 18a(tc) | 10V | 180mohm @ 11a 、10V | 4V @ 250µA | 70 NC @ 10 V | ±20V | 1300 PF @ 25 V | - | 125W | |||||
![]() | SI5938DU-T1-E3 | - | ![]() | 5930 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | trenchfet® | テープ&リール( tr) | 廃止 | -55°C〜150°C (TJ | 表面マウント | PowerPak®Chipfet™デュアル | SI5938 | モスフェット(金属酸化物) | 8.3W | PowerPak®Chipfetデュアル | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.29.0095 | 3,000 | 2 nチャンネル(デュアル) | 20V | 6a | 39mohm @ 4.4a 、4.5V | 1V @ 250µA | 16NC @ 8V | 520pf @ 10V | ロジックレベルゲート | ||||||
![]() | SI7336ADP-T1-GE3 | 1.8000 | ![]() | 77 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | trenchfet® | テープ&リール( tr) | アクティブ | -55°C〜150°C (TJ | 表面マウント | PowerPak®SO-8 | SI7336 | モスフェット(金属酸化物) | PowerPak®SO-8 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | ear99 | 8541.29.0095 | 3,000 | nチャネル | 30 V | 30a(ta) | 4.5V 、10V | 3mohm @ 25a 、10V | 3V @ 250µA | 50 NC @ 4.5 v | ±20V | 5600 PF @ 15 V | - | 5.4W | |||||
![]() | SQP100P06-9M3L_GE3 | - | ![]() | 5131 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | 自動車、AEC-Q101 、TRENCHFET® | チューブ | 廃止 | -55°C〜175°C | 穴を通して | TO-220-3 | SQP100 | モスフェット(金属酸化物) | TO-220AB | ダウンロード | 1 (無制限) | ear99 | 8541.29.0095 | 50 | pチャネル | 60 V | 100a(tc) | 4.5V 、10V | 9.3mohm @ 30a 、10V | 2.5V @ 250µA | 300 NC @ 10 V | ±20V | 12010 PF @ 25 V | - | 187W | ||||||
![]() | IRFR9020 | - | ![]() | 6135 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - | チューブ | 廃止 | -55°C〜150°C (TJ | 表面マウント | to-252-3 | IRFR9020 | モスフェット(金属酸化物) | d-pak | ダウンロード | ROHS非準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | *IRFR9020 | ear99 | 8541.29.0095 | 75 | pチャネル | 50 v | 9.9a | 10V | 280mohm @ 5.7a 、10V | 4V @ 250µA | 14 NC @ 10 V | ±20V | 490 PF @ 25 V | - | 42W | |||
| IRF730APBF | 1.9200 | ![]() | 1963年年 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - | チューブ | アクティブ | -55°C〜150°C (TJ | 穴を通して | TO-220-3 | IRF730 | モスフェット(金属酸化物) | TO-220AB | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | *IRF730APBF | ear99 | 8541.29.0095 | 50 | nチャネル | 400 V | 5.5a(tc) | 10V | 1OHM @ 3.3A 、10V | 4.5V @ 250µA | 22 NC @ 10 V | ±30V | 600 PF @ 25 V | - | 74W | |||||
![]() | IRFP450NPBF | - | ![]() | 4698 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - | チューブ | 廃止 | -55°C〜150°C (TJ | 穴を通して | TO-247-3 | IRFP450 | モスフェット(金属酸化物) | TO-247AC | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | *IRFP450NPBF | ear99 | 8541.29.0095 | 25 | nチャネル | 500 V | 14a(tc) | 10V | 370mohm @ 8.4a 、10V | 5V @ 250µA | 77 NC @ 10 V | ±30V | 2260 PF @ 25 V | - | 200W (TC) | |||
![]() | SI5440DC-T1-GE3 | - | ![]() | 4577 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | trenchfet® | テープ&リール( tr) | 廃止 | -55°C〜150°C (TJ | 表面マウント | 8-SMD 、フラットリード | SI5440 | モスフェット(金属酸化物) | 1206-8 Chipfet™ | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.29.0095 | 3,000 | nチャネル | 30 V | 6a(tc) | 4.5V 、10V | 19mohm @ 9.1a 、10V | 2.5V @ 250µA | 29 NC @ 10 V | ±20V | 1200 pf @ 10 v | - | 2.5W (TA )、6.3W(TC) | ||||
![]() | sum110p04-05-e3 | 4.7600 | ![]() | 70 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | trenchfet® | テープ&リール( tr) | アクティブ | -55°C〜175°C | 表面マウント | TO-263-3 | sum110 | モスフェット(金属酸化物) | TO-263 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | ear99 | 8541.29.0095 | 800 | pチャネル | 40 v | 110a(tc) | 10V | 5mohm @ 20a 、10V | 4V @ 250µA | 280 NC @ 10 V | ±20V | 11300 PF @ 25 V | - | 15W (TA )、 375W (TC | |||||
![]() | IRFBC20STRL | - | ![]() | 6920 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - | テープ&リール( tr) | 廃止 | -55°C〜150°C (TJ | 表面マウント | TO-263-3 | IRFBC20 | モスフェット(金属酸化物) | d²pak( to-263) | ダウンロード | ROHS非準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.29.0095 | 800 | nチャネル | 600 V | 2.2a(tc) | 10V | 4.4OHM @ 1.3A 、10V | 4V @ 250µA | 18 NC @ 10 V | ±20V | 350 PF @ 25 V | - | 3.1W (TA )、50W(TC) | ||||
![]() | SIHS90N65E-E3 | - | ![]() | 8588 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - | チューブ | 廃止 | -55°C〜150°C (TJ | 穴を通して | TO-247-3 | SIHS90 | モスフェット(金属酸化物) | Super-247™(To-274AA | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | ear99 | 8541.29.0095 | 500 | nチャネル | 650 V | 87a(tc) | 10V | 29mohm @ 45a 、10V | 4V @ 250µA | 591 NC @ 10 V | ±30V | 11826 PF @ 100 V | - | 625W (TC) | |||||
![]() | SIRA50ADP-T1-RE3 | 1.5900 | ![]() | 1 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | trenchfet®geniv | テープ&リール( tr) | アクティブ | -55°C〜150°C (TJ | 表面マウント | PowerPak®SO-8 | SIRA50 | モスフェット(金属酸化物) | PowerPak®SO-8 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | ear99 | 8541.29.0095 | 3,000 | nチャネル | 40 v | 54.8a | 4.5V 、10V | 1.04mohm @ 20a 、10v | 2.2V @ 250µA | 150 NC @ 10 V | +20V、 -16V | 7300 PF @ 20 V | - | 6.25W | |||||
![]() | IRF614STRL | - | ![]() | 8666 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | -55°C〜150°C (TJ | 表面マウント | TO-263-3 | IRF614 | モスフェット(金属酸化物) | d²pak( to-263) | - | ROHS非準拠 | 1 (無制限) | ear99 | 8541.29.0095 | 800 | nチャネル | 250 v | 2.7a | 10V | 2OHM @ 1.6A 、10V | 4V @ 250µA | 8.2 NC @ 10 V | ±20V | 140 PF @ 25 V | - | 3.1W | |||||
![]() | IRFPC60 | - | ![]() | 4358 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - | チューブ | アクティブ | -55°C〜150°C (TJ | 穴を通して | TO-247-3 | IRFPC60 | モスフェット(金属酸化物) | TO-247AC | ダウンロード | ROHS非準拠 | 1 (無制限) | *IRFPC60 | ear99 | 8541.29.0095 | 500 | nチャネル | 600 V | 16a(tc) | 10V | 400mohm @ 9.6a 、10V | 4V @ 250µA | 210 NC @ 10 V | ±20V | 3900 PF @ 25 V | - | 280W (TC) | ||||
![]() | IRF640STRL | - | ![]() | 4966 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - | テープ&リール( tr) | 廃止 | -55°C〜150°C (TJ | 表面マウント | TO-263-3 | IRF640 | モスフェット(金属酸化物) | d²pak( to-263) | ダウンロード | ROHS非準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.29.0095 | 800 | nチャネル | 200 v | 18a(tc) | 10V | 180mohm @ 11a 、10V | 4V @ 250µA | 70 NC @ 10 V | ±20V | 1300 PF @ 25 V | - | 3.1W | ||||
| IRF9Z20 | - | ![]() | 2062 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - | チューブ | アクティブ | -55°C〜150°C (TJ | 穴を通して | TO-220-3 | IRF9 | モスフェット(金属酸化物) | TO-220AB | ダウンロード | ROHS非準拠 | 1 (無制限) | *IRF9Z20 | ear99 | 8541.29.0095 | 1,000 | pチャネル | 50 v | 9.7a(tc) | 10V | 280mohm @ 5.6a 、10V | 4V @ 250µA | 26 NC @ 10 V | ±20V | 480 PF @ 25 V | - | 40W (TC) | |||||
![]() | IRFBC20STRR | - | ![]() | 2867 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | -55°C〜150°C (TJ | 表面マウント | TO-263-3 | IRFBC20 | モスフェット(金属酸化物) | d²pak( to-263) | ダウンロード | ROHS非準拠 | 1 (無制限) | ear99 | 8541.29.0095 | 800 | nチャネル | 600 V | 2.2a(tc) | 10V | 4.4OHM @ 1.3A 、10V | 4V @ 250µA | 18 NC @ 10 V | ±20V | 350 PF @ 25 V | - | 3.1W (TA )、50W(TC) | |||||
| IRFBC20 | - | ![]() | 1975年年 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - | チューブ | 廃止 | -55°C〜150°C (TJ | 穴を通して | TO-220-3 | IRFBC20 | モスフェット(金属酸化物) | TO-220AB | ダウンロード | ROHS非準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | *IRFBC20 | ear99 | 8541.29.0095 | 1,000 | nチャネル | 600 V | 2.2a(tc) | 10V | 4.4OHM @ 1.3A 、10V | 4V @ 250µA | 18 NC @ 10 V | ±20V | 350 PF @ 25 V | - | 50W (TC) | ||||
![]() | SI1051X-T1-GE3 | - | ![]() | 2469 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | trenchfet® | テープ&リール( tr) | 廃止 | -55°C〜150°C (TJ | 表面マウント | SOT-563、SOT-666 | SI1051 | モスフェット(金属酸化物) | SC-89 (SOT-563F | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.21.0095 | 3,000 | pチャネル | 8 v | 1.2a(ta) | 1.5V 、4.5V | 122mohm @ 1.2a 、4.5V | 1V @ 250µA | 9.45 NC @ 5 V | ±5V | 560 PF @ 4 V | - | 236MW | ||||
![]() | SIR466DP-T1-GE3 | 1.1800 | ![]() | 6 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | trenchfet® | テープ&リール( tr) | アクティブ | -55°C〜150°C (TJ | 表面マウント | PowerPak®SO-8 | SIR466 | モスフェット(金属酸化物) | PowerPak®SO-8 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | ear99 | 8541.29.0095 | 3,000 | nチャネル | 30 V | 40a(tc) | 4.5V 、10V | 3.5mohm @ 15a 、10V | 2.4V @ 250µA | 65 NC @ 10 V | ±20V | 2730 PF @ 15 V | - | 5W (TA )、54W(TC) | |||||
![]() | SIHB33N60E-GE3 | 6.1800 | ![]() | 7896 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - | バルク | アクティブ | -55°C〜150°C (TJ | 表面マウント | TO-263-3 | SIHB33 | モスフェット(金属酸化物) | d²pak( to-263) | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | SIHB33N60EGE3 | ear99 | 8541.29.0095 | 1,000 | nチャネル | 600 V | 33a | 10V | 99mohm @ 16.5a 、10V | 4V @ 250µA | 150 NC @ 10 V | ±30V | 3508 PF @ 100 V | - | 278W (TC) | ||||
![]() | IRFBC30STRR | - | ![]() | 7456 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | -55°C〜150°C (TJ | 表面マウント | TO-263-3 | IRFBC30 | モスフェット(金属酸化物) | d²pak( to-263) | ダウンロード | ROHS非準拠 | 1 (無制限) | ear99 | 8541.29.0095 | 800 | nチャネル | 600 V | 3.6a(tc) | 10V | 2.2OHM @ 2.2A 、10V | 4V @ 250µA | 31 NC @ 10 V | ±20V | 660 PF @ 25 V | - | 3.1W (TA )、74W(TC) | |||||
![]() | SIZ918DT-T1-GE3 | 1.7200 | ![]() | 24 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | trenchfet® | テープ&リール( tr) | アクティブ | -55°C〜150°C (TJ | 表面マウント | 8-POWERWDFN | SIZ918 | モスフェット(金属酸化物) | 29W、100W | 8-powerpair®(6x5) | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | ear99 | 8541.29.0095 | 3,000 | 2 nチャンネル(ハーフブリッジ) | 30V | 16a 、28a | 12mohm @ 13.8a 、10V | 2.2V @ 250µA | 21NC @ 10V | 790pf @ 15V | ロジックレベルゲート | |||||||
![]() | IRFZ48L | - | ![]() | 4864 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - | チューブ | アクティブ | -55°C〜175°C | 穴を通して | To-262-3 Long Leads | IRFZ48 | モスフェット(金属酸化物) | TO-262-3 | ダウンロード | ROHS非準拠 | 1 (無制限) | *IRFZ48L | ear99 | 8541.29.0095 | 50 | nチャネル | 60 V | 50a(tc) | 10V | 18mohm @ 43a 、10V | 4V @ 250µA | 110 NC @ 10 V | ±20V | 2400 PF @ 25 V | - | 3.7W (TA )、190W(TC) | ||||
![]() | IRF620S | - | ![]() | 6739 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - | チューブ | 廃止 | -55°C〜150°C (TJ | 表面マウント | TO-263-3 | IRF620 | モスフェット(金属酸化物) | d²pak( to-263) | ダウンロード | ROHS非準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | *IRF620S | ear99 | 8541.29.0095 | 50 | nチャネル | 200 v | 5.2a(tc) | 10V | 800mohm @ 3.1a 、10V | 4V @ 250µA | 14 NC @ 10 V | ±20V | 260 PF @ 25 V | - | 3W (TA)、50W(TC) | |||
![]() | SI8851EDB-T2-E1 | 0.6200 | ![]() | 7006 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | trenchfet® | テープ&リール( tr) | アクティブ | -55°C〜150°C (TJ | 表面マウント | 30-XFBGA | SI8851 | モスフェット(金属酸化物) | PowerMicrofoot®(2.4x2) | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.21.0095 | 3,000 | pチャネル | 20 v | 7.7a(ta) | 1.8V 、4.5V | 8mohm @ 7a 、4.5V | 1V @ 250µA | 180 NC @ 8 V | ±8V | 6900 PF @ 10 V | - | 660MW | ||||
![]() | IRFP9140 | - | ![]() | 6074 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - | チューブ | 廃止 | -55°C〜175°C | 穴を通して | TO-247-3 | IRFP9140 | モスフェット(金属酸化物) | TO-247AC | ダウンロード | ROHS非準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | *IRFP9140 | ear99 | 8541.29.0095 | 25 | pチャネル | 100 V | 21a(tc) | 10V | 200mohm @ 13a 、10V | 4V @ 250µA | 61 NC @ 10 V | ±20V | 1400 PF @ 25 V | - | 180W | |||
| 3N164 | - | ![]() | 4665 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - | チューブ | 廃止 | -55°C〜150°C (TJ | 穴を通して | to-206af、to-72-4金属缶 | - | モスフェット(金属酸化物) | to-72 | ダウンロード | ROHS非準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.21.0095 | 200 | pチャネル | 30 V | 50ma(ta) | 20V | 300OHM @ 100µA 、20V | 5V @ 10µA | ±30V | 3.5 PF @ 15 V | - | 375MW |

毎日の平均RFQボリューム

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