画像 | 製品番号 | 価格(USD) | 量 | ECAD | 利用可能な数量 | 体重( kg) | MFR | シリーズ | パッケージ | 製品ステータス | 動作温度 | 取り付けタイプ | パッケージ /ケース | 基本製品番号 | テクノロジー | パワー -マックス | サプライヤーデバイスパッケージ | データシート | ROHSステータス | 水分感度レベル(MSL) | ステータスに到達します | その他の名前 | ECCN | htsus | 標準パッケージ | 構成 | フェットタイプ | 電源( VDSS )への排水 | 電流 -連続排水(ID @ @ 25°C | ドライブ電圧(最大rds onmin rds on | rds on max) @ id vgs | vgs | ゲートチャージ( QG | VGS (最大) | ciss )( max @ vds | フェット機能 | 電力散逸(最大) |
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | SQJA46EP-T1_GE3 | 1.1500 | ![]() | 9232 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | 自動車、AEC-Q101 、TRENCHFET® | テープ&リール( tr) | アクティブ | -55°C〜175°C | 表面マウント | PowerPak®SO-8 | SQJA46 | モスフェット(金属酸化物) | PowerPak®SO-8 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | ear99 | 8541.29.0095 | 3,000 | nチャネル | 40 v | 60a(tc) | 10V | 3mohm @ 10a 、10V | 3.5V @ 250µA | 105 NC @ 10 V | ±20V | 5000 PF @ 25 V | - | 68W (TC) | |||||
![]() | SISS04DN-T1-GE3 | 1.5400 | ![]() | 8 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | trenchfet®geniv | テープ&リール( tr) | アクティブ | -55°C〜150°C | 表面マウント | PowerPak®1212-8S | SISS04 | モスフェット(金属酸化物) | PowerPak®1212-8S | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | ear99 | 8541.29.0095 | 3,000 | nチャネル | 30 V | 50.5a | 4.5V 、10V | 1.2mohm @ 15a 、10V | 2.2V @ 250µA | 93 NC @ 10 V | +16V、-12V | 4460 PF @ 15 V | - | 5W (TA )、65.7W(TC) | |||||
![]() | IRLI620G | - | ![]() | 4748 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - | チューブ | 廃止 | -55°C〜150°C | 穴を通して | TO-220-3 フルパック、分離タブ | IRLI620 | モスフェット(金属酸化物) | TO-220-3 | - | ROHS非準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | *IRLI620G | ear99 | 8541.29.0095 | 50 | nチャネル | 200 v | 4a(tc) | 4V、5V | 800mohm @ 2.4a 、5v | 2V @ 250µA | 16 NC @ 10 V | ±10V | 360 PF @ 25 V | - | 30W (TC) | |||
![]() | SI7119DN-T1-E3 | 1.0000 | ![]() | 1 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | trenchfet® | テープ&リール( tr) | アクティブ | -50°C〜150°C (TJ | 表面マウント | PowerPak®1212-8 | SI7119 | モスフェット(金属酸化物) | PowerPak®1212-8 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | ear99 | 8541.29.0095 | 3,000 | pチャネル | 200 v | 3.8a(tc) | 6V 、10V | 1.05OHM @ 1A 、10V | 4V @ 250µA | 25 NC @ 10 V | ±20V | 666 PF @ 50 V | - | 3.7W (TA )、52W(TC) | |||||
![]() | IRFI720G | - | ![]() | 5880 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - | チューブ | 廃止 | -55°C〜150°C | 穴を通して | TO-220-3 フルパック、分離タブ | IRFI720 | モスフェット(金属酸化物) | TO-220-3 | ダウンロード | ROHS非準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | *IRFI720G | ear99 | 8541.29.0095 | 1,000 | nチャネル | 400 V | 2.6a(tc) | 10V | 1.8OHM @ 1.6A 、10V | 4V @ 250µA | 20 NC @ 10 V | ±20V | 410 pf @ 25 v | - | 30W (TC) | |||
![]() | SI7450DP-T1-GE3 | 2.9000 | ![]() | 480 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | trenchfet® | テープ&リール( tr) | アクティブ | -55°C〜150°C | 表面マウント | PowerPak®SO-8 | SI7450 | モスフェット(金属酸化物) | PowerPak®SO-8 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | ear99 | 8541.29.0095 | 3,000 | nチャネル | 200 v | 3.2a(ta) | 6V 、10V | 80mohm @ 4a 、10V | 4.5V @ 250µA | 42 NC @ 10 V | ±20V | - | 1.9w | ||||||
SUP60030E-GE3 | 3.0600 | ![]() | 374 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | trenchfet® | バルク | アクティブ | -55°C〜175°C | 穴を通して | TO-220-3 | SUP60030 | モスフェット(金属酸化物) | TO-220AB | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | ear99 | 8541.29.0095 | 50 | nチャネル | 80 v | 120a(tc) | 7.5V 、10V | 3.4mohm @ 30a 、10V | 4V @ 250µA | 141 NC @ 10 V | ±20V | 7910 PF @ 40 V | - | 375W | ||||||
![]() | SI7886ADP-T1-E3 | - | ![]() | 4383 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | trenchfet® | テープ&リール( tr) | 廃止 | -55°C〜150°C | 表面マウント | PowerPak®SO-8 | SI7886 | モスフェット(金属酸化物) | PowerPak®SO-8 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.29.0095 | 3,000 | nチャネル | 30 V | 15a(ta) | 4.5V 、10V | 4mohm @ 25a 、10V | 1.5V @ 250µA | 60 NC @ 4.5 v | ±12V | 6450 PF @ 15 V | - | 1.9W | ||||
![]() | sum70042e-ge3 | 2.9900 | ![]() | 1291 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | 自動車、AEC-Q101 、TRENCHFET® | ストリップ | アクティブ | -55°C〜175°C | 表面マウント | TO-263-3 | モスフェット(金属酸化物) | TO-263 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 742-SUM70042E-GE3 | ear99 | 8541.29.0095 | 800 | nチャネル | 100 V | 150a | 7.5V 、10V | 4mohm @ 20a 、10v | 4V @ 250µA | 110 NC @ 10 V | ±20V | 6490 PF @ 50 V | - | 278W (TC) | |||||
![]() | IRLI630GPBF | 2.7800 | ![]() | 1 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - | チューブ | アクティブ | -55°C〜150°C | 穴を通して | TO-220-3 フルパック、分離タブ | IRLI630 | モスフェット(金属酸化物) | TO-220-3 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | *IRLI630GPBF | ear99 | 8541.29.0095 | 50 | nチャネル | 200 v | 6.2a(tc) | 4V、5V | 400mohm @ 3.7a 、5v | 2V @ 250µA | 40 NC @ 10 V | ±10V | 1100 PF @ 25 V | - | 35W (TC) | ||||
![]() | SI2369DS-T1-BE3 | 0.4200 | ![]() | 181 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | -55°C〜150°C | 表面マウント | TO-236-3 | モスフェット(金属酸化物) | SOT-23-3 | ダウンロード | 1 (無制限) | 742-SI2369DS-T1-BE3TR | ear99 | 8541.29.0095 | 3,000 | pチャネル | 30 V | 5.4a(タタ)、 7.6a(tc) | 4.5V 、10V | 29mohm @ 5.4a 、10V | 2.5V @ 250µA | 36 NC @ 10 V | ±20V | 1295 PF @ 15 V | - | 1.25W | ||||||
![]() | SI3483DV-T1-E3 | - | ![]() | 2604 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | trenchfet® | テープ&リール( tr) | 廃止 | -55°C〜150°C | 表面マウント | SOT-23-6薄い、TSOT-23-6 | SI3483 | モスフェット(金属酸化物) | 6-tsop | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.29.0095 | 3,000 | pチャネル | 30 V | 4.7a(ta) | 4.5V 、10V | 35mohm @ 6.2a 、10V | 3V @ 250µA | 35 NC @ 10 V | ±20V | - | 1.14W | |||||
![]() | SIR5112DP-T1-RE3 | 1.8000 | ![]() | 7663 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | trenchfet® | テープ&リール( tr) | アクティブ | -55°C〜150°C | 表面マウント | PowerPak®SO-8 | SIR5112 | モスフェット(金属酸化物) | PowerPak®SO-8 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | ear99 | 8541.29.0095 | 3,000 | nチャネル | 100 V | 12.6a | 7.5V 、10V | 14.9mohm @ 10a 、10V | 4V @ 250µA | 16 NC @ 10 V | ±20V | 790 PF @ 50 V | - | 5W (TA )、56.8W(TC) | |||||
![]() | SI3456BDV-T1-E3 | - | ![]() | 1200 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | trenchfet® | テープ&リール( tr) | 廃止 | -55°C〜150°C | 表面マウント | SOT-23-6薄い、TSOT-23-6 | SI3456 | モスフェット(金属酸化物) | 6-tsop | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.29.0095 | 3,000 | nチャネル | 30 V | 4.5a(ta) | 4.5V 、10V | 35mohm @ 6a 、10V | 3V @ 250µA | 13 NC @ 10 V | ±20V | - | 1.1W | |||||
3N163-E3 | - | ![]() | 5647 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - | バルク | 廃止 | -55°C〜150°C | 穴を通して | to-206af、to-72-4金属缶 | 3N163 | モスフェット(金属酸化物) | to-72 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.21.0095 | 200 | pチャネル | 40 v | 50ma(ta) | 20V | 250OHM @ 100µA 、20V | 5V @ 10µA | ±30V | 3.5 PF @ 15 V | - | 375MW | ||||||
![]() | SI1970DH-T1-E3 | - | ![]() | 7066 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | trenchfet® | テープ&リール( tr) | 廃止 | -55°C〜150°C | 表面マウント | 6-TSSOP 、SC-88 、SOT-363 | SI1970 | モスフェット(金属酸化物) | 1.25W | SC-70-6 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.29.0095 | 3,000 | 2 nチャンネル(デュアル) | 30V | 1.3a | 225mohm @ 1.2a 、4.5V | 1.6V @ 250µA | 3.8NC @ 10V | 95pf @ 15V | ロジックレベルゲート | ||||||
![]() | SIHP6N80AE-GE3 | 1.6900 | ![]() | 971 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | e | チューブ | アクティブ | -55°C〜150°C | 穴を通して | TO-220-3 | SIHP6 | モスフェット(金属酸化物) | TO-220AB | ダウンロード | 1 (無制限) | 742-SIHP6N80AE-GE3 | ear99 | 8541.29.0095 | 50 | nチャネル | 800 V | 5a(tc) | 950mohm @ 2a 、10V | 4V @ 250µA | 22.5 NC @ 10 V | ±30V | 422 PF @ 100 V | - | 62.5W | ||||||
![]() | SI7447ADP-T1-GE3 | - | ![]() | 5723 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | trenchfet® | テープ&リール( tr) | 廃止 | -55°C〜150°C | 表面マウント | PowerPak®1212-8 | SI7447 | モスフェット(金属酸化物) | PowerPak®1212-8 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.29.0095 | 3,000 | pチャネル | 30 V | 35a(tc) | 10V | 6.5mohm @ 24a 、10V | 3V @ 250µA | 150 NC @ 10 V | ±25V | 4650 PF @ 15 V | - | 5.4W | ||||
![]() | SI4483ADY-T1-GE3 | 1.2100 | ![]() | 7322 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | trenchfet® | テープ&リール( tr) | アクティブ | -55°C〜150°C | 表面マウント | 8-SOIC (0.154 "、幅3.90mm) | SI4483 | モスフェット(金属酸化物) | 8-SOIC | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | ear99 | 8541.29.0095 | 2,500 | pチャネル | 30 V | 19.2a(tc) | 4.5V 、10V | 8.8mohm @ 10a 、10V | 2.6V @ 250µA | 135 NC @ 10 V | ±25V | 3900 PF @ 15 V | - | 2.9W (TA )、5.9W (TC) | |||||
![]() | SIHA15N60E-GE3 | 3.0700 | ![]() | 1682 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | -55°C〜150°C | 穴を通して | TO-220-3フルパック | モスフェット(金属酸化物) | TO-220フルパック | ダウンロード | 1 (無制限) | 742-SIHA15N60E-GE3TR | ear99 | 8541.29.0095 | 1,000 | nチャネル | 600 V | 15a(tc) | 10V | 280mohm @ 8a、10V | 4V @ 250µA | 76 NC @ 10 V | ±30V | 1350 PF @ 100 V | - | 34W (TC) | ||||||
![]() | SIR401DP-T1-GE3 | 0.9700 | ![]() | 2 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | trenchfet® | テープ&リール( tr) | アクティブ | -55°C〜150°C | 表面マウント | PowerPak®SO-8 | SIR401 | モスフェット(金属酸化物) | PowerPak®SO-8 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | ear99 | 8541.29.0095 | 3,000 | pチャネル | 20 v | 50a(tc) | 2.5V 、10V | 3.2mohm @ 15a 、10V | 1.5V @ 250µA | 310 NC @ 10 V | ±12V | 9080 PF @ 10 V | - | 5W (TA )、 39W (TC | |||||
![]() | SI7404DN-T1-E3 | - | ![]() | 7311 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | trenchfet® | テープ&リール( tr) | 廃止 | -55°C〜150°C | 表面マウント | PowerPak®1212-8 | SI7404 | モスフェット(金属酸化物) | PowerPak®1212-8 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.29.0095 | 3,000 | nチャネル | 30 V | 8.5a(ta) | 2.5V 、10V | 13mohm @ 13.3a 、10V | 1.5V @ 250µA | 30 NC @ 4.5 v | ±12V | - | 1.5W | |||||
![]() | SQ4946CEY-T1_GE3 | 1.0100 | ![]() | 2 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | 自動車、AEC-Q101 、TRENCHFET® | テープ&リール( tr) | アクティブ | -55°C〜175°C | 表面マウント | 8-SOIC (0.154 "、幅3.90mm) | SQ4946 | モスフェット(金属酸化物) | 4W (TC) | 8-SOIC | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 742-SQ4946CEY-T1_GE3TR | ear99 | 8541.29.0095 | 2,500 | 2 nチャンネル(デュアル) | 60V | 7a(tc) | 40mohm @ 4.5a 、10V | 2.5V @ 250µA | 22NC @ 10V | 865pf @ 25V | - | ||||||
![]() | SI2311DS-T1-GE3 | - | ![]() | 9434 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | trenchfet® | テープ&リール( tr) | 廃止 | -55°C〜150°C | 表面マウント | TO-236-3 | SI2311 | モスフェット(金属酸化物) | SOT-23-3 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.21.0095 | 3,000 | pチャネル | 8 v | 3a(ta) | 1.8V 、4.5V | 45mohm @ 3.5a 、4.5V | 800MV @ 250µA | 12 NC @ 4.5 v | ±8V | 970 PF @ 4 V | - | 710MW | ||||
![]() | SI4532ADY-T1-GE3 | - | ![]() | 8584 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | trenchfet® | テープ&リール( tr) | 廃止 | -55°C〜150°C | 表面マウント | 8-SOIC (0.154 "、幅3.90mm) | SI4532 | モスフェット(金属酸化物) | 1.13W 、1.2W | 8-SOIC | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | ear99 | 8541.29.0095 | 2,500 | nおよびpチャネル | 30V | 3.7a、3a | 53mohm @ 4.9a 、10V | 1V @ 250µA | 16NC @ 10V | - | ロジックレベルゲート | |||||||
![]() | SQJB60EP-T1_BE3 | 1.3100 | ![]() | 7339 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | 自動車、AEC-Q101 、TRENCHFET® | テープ&リール( tr) | アクティブ | -55°C〜175°C | 表面マウント | PowerPak®SO-8デュアル | SQJB60 | モスフェット(金属酸化物) | 48W (TC) | PowerPak®SO-8デュアル非対称 | ダウンロード | 1 (無制限) | 742-SQJB60EP-T1_BE3TR | ear99 | 8541.29.0095 | 3,000 | 2 nチャンネル(デュアル) | 60V | 30a(tc) | 12mohm @ 10a 、10V | 2.5V @ 250µA | 30NC @ 10V | 1600pf @ 25V | - | |||||||
![]() | IRF9620S | - | ![]() | 3893 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - | チューブ | 廃止 | -55°C〜150°C | 表面マウント | TO-263-3 | IRF9620 | モスフェット(金属酸化物) | d²pak( to-263) | ダウンロード | ROHS非準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | *IRF9620S | ear99 | 8541.29.0095 | 50 | pチャネル | 200 v | 3.5a | 10V | 1.5OHM @ 1.5A 、10V | 4V @ 250µA | 22 NC @ 10 V | ±20V | 350 PF @ 25 V | - | 3W (TA)、40W(TC) | |||
![]() | SI4505DY-T1-GE3 | - | ![]() | 7186 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | trenchfet® | テープ&リール( tr) | アクティブ | -55°C〜150°C | 表面マウント | 8-SOIC (0.154 "、幅3.90mm) | SI4505 | モスフェット(金属酸化物) | 1.2W | 8-SOIC | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | ear99 | 8541.29.0095 | 2,500 | nおよびpチャネル | 30V、8V | 6a 、3.8a | 18mohm @ 7.8a 、10V | 1.8V @ 250µA | 20NC @ 5V | - | ロジックレベルゲート | |||||||
![]() | IRLU3714TR | - | ![]() | 9734 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - | チューブ | アクティブ | -55°C〜175°C | 穴を通して | to-251-3 | IRLU3714 | モスフェット(金属酸化物) | TO-251AA | - | ROHS非準拠 | 1 (無制限) | ear99 | 8541.29.0095 | 75 | nチャネル | 20 v | 36a(tc) | 4.5V 、10V | 20mohm @ 18a 、10V | 3V @ 250µA | 9.7 NC @ 4.5 v | ±20V | 670 PF @ 10 V | - | 47W (TC) | |||||
![]() | SI4362BDY-T1-E3 | - | ![]() | 3090 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | trenchfet® | テープ&リール( tr) | 廃止 | -55°C〜150°C | 表面マウント | 8-SOIC (0.154 "、幅3.90mm) | SI4362 | モスフェット(金属酸化物) | 8-SOIC | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.29.0095 | 2,500 | nチャネル | 30 V | 29a | 4.5V 、10V | 4.6mohm @ 19.8a 、10V | 2V @ 250µA | 115 NC @ 10 V | ±12V | 4800 PF @ 15 V | - | 3W (TA )、6.6W(TC) |
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